1.一種制造薄膜晶體管的方法，其特征在于，包括：
在基底上形成包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層；
在所述半導(dǎo)體層上制備金屬層；
將所述金屬層的特定區(qū)域進(jìn)行預(yù)設(shè)化學(xué)反應(yīng)，形成覆蓋于所述溝道區(qū)的絕緣區(qū)域、與所述源極區(qū)接觸的第一金屬區(qū)域及與所述漏極區(qū)接觸的第二金屬區(qū)域；
形成與所述第一金屬區(qū)域電連接的源極、與所述第二金屬區(qū)域電連接的漏極以及設(shè)置于所述絕緣區(qū)域上的柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造薄膜晶體管的方法，其特征在于，所述絕緣區(qū)域與所述第一金屬區(qū)域之間設(shè)有第一待處理區(qū)域，在所述第一待處理區(qū)域中的部分區(qū)域進(jìn)行所述預(yù)設(shè)化學(xué)反應(yīng)；和/或
所述絕緣區(qū)域與所述第二金屬區(qū)域之間設(shè)有第二待處理區(qū)域，在所述第二待處理區(qū)域中的部分區(qū)域進(jìn)行所述預(yù)設(shè)化學(xué)反應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造薄膜晶體管的方法，其特征在于，所述第一待處理區(qū)域和/或所述第二待處理區(qū)域中的被反應(yīng)區(qū)域間隔設(shè)置，在所述被反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行所述預(yù)設(shè)化學(xué)反應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造薄膜晶體管的方法，其特征在于，位于所述所述柵極之下的被反應(yīng)區(qū)域間隔設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造薄膜晶體管的方法，其特征在于，所述絕緣區(qū)域的面積大于所述溝道區(qū)的面積。
6.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：
源極；
漏極，與所述源極間隔設(shè)置；
柵極，與所述源極、漏極間隔設(shè)置；
半導(dǎo)體層，包括源極區(qū)、漏極區(qū)和位于所述源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)；
金屬層，包括位于所述源極區(qū)和所述源極之間的且與所述源極區(qū)及所述源極接觸的第一金屬區(qū)域，位于所述漏極區(qū)和所述漏極之間的且與所述漏極區(qū)及所述漏極接觸的第二金屬區(qū)域，以及位于所述溝道區(qū)和所述柵極之間的且與所述溝道區(qū)及所述柵極接觸的絕緣區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣區(qū)域與所述第一金屬區(qū)域之間設(shè)有第一待處理區(qū)域，在所述第一待處理區(qū)域中的部分區(qū)域進(jìn)行所述預(yù)設(shè)化學(xué)反應(yīng)；和/或
所述絕緣區(qū)域與所述第二金屬區(qū)域之間設(shè)有第二待處理區(qū)域，所述第二待處理區(qū)域中的部分區(qū)域進(jìn)行所述預(yù)設(shè)化學(xué)反應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一待處理區(qū)域和/或所述第二待處理區(qū)域中的被反應(yīng)區(qū)域間隔設(shè)置，所述被反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行所述預(yù)設(shè)化學(xué)反應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，位于所述所述柵極之下的被反應(yīng)區(qū)域間隔設(shè)置。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括上述權(quán)利要求6～9中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。