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一種新型納米晶復(fù)合材料及其制備工藝的制作方法

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一種新型納米晶復(fù)合材料及其制備工藝的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及磁性材料、吸波材料技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種新型納米晶復(fù)合材料及其制備工藝。



背景技術(shù):

近場(chǎng)通訊(NFC)技術(shù),由于可以實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備(如手機(jī)、計(jì)算機(jī)和支付終端等)之間便捷、快速、安全的近距離無(wú)線通信,可應(yīng)用于手機(jī)支付、公交、門禁等眾多領(lǐng)域,近年來(lái)得到廣泛的關(guān)注和發(fā)展。目前NFC系統(tǒng)的主要通信頻率為13.56MHz,NFC天線通常要在含有金屬殼、線路板或者電池包裝等復(fù)雜的金屬環(huán)境中使用,在交變磁場(chǎng)下會(huì)在金屬表面形成渦流,產(chǎn)生一個(gè)與載波方向相反的磁場(chǎng)而衰減載波信號(hào),使讀卡器讀寫(xiě)距離縮短,甚至無(wú)法識(shí)別電子標(biāo)簽信號(hào)。

電磁屏蔽片具有高磁導(dǎo)、低損耗特性,能防止載波信號(hào)進(jìn)入金屬層而產(chǎn)生衰減損耗,可有效降低金屬對(duì)磁場(chǎng)的影響,從而保證系統(tǒng)的正常通訊和足夠的讀寫(xiě)距離。日本的TDK、NEC,韓國(guó)的Amotech,美國(guó)3M等國(guó)際知名公司均開(kāi)發(fā)出電磁屏蔽片并已推向市場(chǎng)。

可用于電磁屏蔽片制備的軟磁材料主要有高導(dǎo)磁軟磁合金和軟磁鐵氧體由于Snoek極限的限制,鐵氧體材料在MHz的高頻段進(jìn)一步提高磁導(dǎo)率有較大困難。金屬軟磁材料具有高飽和磁化強(qiáng)度,形貌可控,扁平片狀顆粒能突破Snoek極限,獲得高頻高磁導(dǎo)率。

納米晶具有高頻高磁導(dǎo)率、低損耗的特性,傳統(tǒng)軟磁材料粉末(如Fe-Si-Al)具有高頻低損耗、吸波性能好等優(yōu)點(diǎn),但是傳統(tǒng)的單一品種的磁片制備工藝,很難一次制備超薄和柔性磁片,但傳統(tǒng)單一品種磁片的應(yīng)用范圍較窄,且傳統(tǒng)磁片制備工藝單一、靈活性低、選擇性小。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的一個(gè)目的是解決至少上述問(wèn)題,并提供至少后面將說(shuō)明的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供了一種新型納米晶復(fù)合材料,該納米晶復(fù)合材料可作為吸波材料,滿足電子材料領(lǐng)域?qū)Υ判圆牧系某』?、寬頻化的整體要求,通過(guò)調(diào)整鐵基納米晶軟磁合金和軟磁合金的顆粒度、配比濃度及涂覆厚度,可以得到不同波段的吸波涂料,具有頻帶寬,涂層簿,分散性能良好,吸波性能強(qiáng),質(zhì)量穩(wěn)定可控的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供了一種新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝簡(jiǎn)單易行,且制備的納米晶復(fù)合材料可滿足不同吸波性能要求。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種新型納米晶復(fù)合材料,其包括:

所述納米晶復(fù)合材料是通過(guò)將不同粒度的鐵基納米晶軟磁合金和/或不同粒度的軟磁合金經(jīng)鈍化、偶聯(lián)以及絕緣包覆處理后涂覆在PET基材、納米晶帶材或吸波材基材上制成;

或者通過(guò)將不同粒度的鐵基納米晶軟磁合金和/或不同粒度的軟磁合金經(jīng)鈍化、偶聯(lián)以及絕緣包覆處理后貼合在納米晶帶材和吸波材基材上制成。

本發(fā)明還提供了一種新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝,包括:

基礎(chǔ)材料的制備及處理:以鐵基納米晶軟磁合金和軟磁合金為原料,分別對(duì)其進(jìn)行破碎并篩分成不同粒度的粉末、對(duì)不同粒度的粉末進(jìn)行混合、對(duì)混合后的粉末進(jìn)行表面絕緣處理以及將絕緣處理后的粉末分別與粘結(jié)劑進(jìn)行混合操作,得到納米晶膠體和軟磁材料膠體;

納米晶復(fù)合材料的制備:將所述軟磁材料膠體涂覆在PET基材上,并進(jìn)行熱壓減薄工藝處理,然后將所述納米晶膠體涂覆在所述軟磁材料膠體的表面,進(jìn)行熱壓減薄工藝處理,得到雙層納米晶復(fù)合材料;在所述雙層納米晶復(fù)合材料的基礎(chǔ)上,分別調(diào)整所述軟磁材料膠體和所述納米晶膠體的涂覆層數(shù),獲得不同層數(shù)的納米晶復(fù)合材料;

或者,在吸波材基材的表面涂覆所述納米晶膠體,得到雙層納米晶復(fù)合材料;并在所述雙層納米晶復(fù)合材料的表面上涂覆所述軟磁材料膠體和所述納米晶膠體,得到不同層數(shù)的納米晶復(fù)合材料;

或者,在納米晶帶材上涂覆所述軟磁材料膠體,并進(jìn)行熱壓減薄工藝處理,得到雙層納米晶復(fù)合材料;并在所述雙層納米晶復(fù)合材料的表面上涂覆所述軟磁材料膠體和所述納米晶膠體,以制備不同層數(shù)的納米晶復(fù)合材料;

或者,將吸波材基材和納米晶帶材使用膠粘劑貼合在一起,得到雙層納米晶復(fù)合材料,并可在所述雙層納米晶復(fù)合材料的表面貼合所述納米晶膠體和所述軟磁材料膠體,得到不同層數(shù)的納米晶復(fù)合材料。

優(yōu)選的是,所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中,包括以下步驟:

步驟一、對(duì)鐵基納米晶軟磁合金和軟磁合金分別進(jìn)行破碎及篩分,得到不同粒度的鐵基納米晶軟磁合金粉末以及不同粒度的軟磁合金粉末,其中,所述軟磁合金為一種軟磁合金形成的純凈物或者由兩種及以上軟磁合金組成的混合物;例如,所述軟磁合金包括鐵粉、Fe-Si粉、Fe-Si-Al粉、Fe-Ni粉、Fe-Ni-Mo粉及其所有的衍生品等;

步驟二、選取不同粒度的鐵基納米晶軟磁合金粉末,并按照一定的比例混合均勻,得到鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體;選取一種或兩種或多種軟磁合金粉末,按照不同粒度的配比混合均勻,得到軟磁合金粉末集合體;所述混合操作在混粉設(shè)備中完成;

步驟三、分別對(duì)所述鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體以及所述軟磁合金粉末集合體進(jìn)行表面絕緣處理,所述表面絕緣處理包括鈍化處理、偶聯(lián)處理以及絕緣包覆處理;

步驟四、將表面絕緣處理后的鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體與粘結(jié)劑按照一定的比例在攪拌機(jī)中混合均勻,得到納米晶膠體;將表面絕緣處理后的軟磁合金粉末集合體與粘結(jié)劑按照一定的比例在攪拌機(jī)中混合均勻,得到軟磁材料膠體;

步驟五、以所述納米晶膠體和/或所述軟磁材料膠體為原料,制備雙層納米晶復(fù)合材料,并在所述雙層納米晶復(fù)合材料的基礎(chǔ)上,制備不同層數(shù)的納米晶復(fù)合材料;

步驟六、對(duì)所述雙層納米晶復(fù)合材料以及不同層數(shù)的納米晶復(fù)合材料進(jìn)行分切,得到預(yù)設(shè)規(guī)格的納米晶復(fù)合卷材或片材。

優(yōu)選的是,所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中,所述步驟三中的鈍化處理具體為:

將所述鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體以及所述軟磁合金粉末集合體分別加入到1~15wt%磷酸溶液中,攪拌均勻至干燥。優(yōu)選為2-12wt%;更優(yōu)選為3-9wt%。

優(yōu)選的是,所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中,所述步驟三中的偶聯(lián)處理具體為:

將鈍化處理后的鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體以及軟磁合金粉末集合體分別加入到1~15wt%的偶聯(lián)劑中,攪拌均勻至干燥。優(yōu)選為2-13wt%,更優(yōu)選為3-10wt%。

優(yōu)選的是,所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中,所述步驟三中的絕緣包覆處理具體為:

向偶聯(lián)處理后的鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體以及軟磁合金粉末集合體中分別加入0~7%的絕緣劑,所述絕緣劑為無(wú)機(jī)氧化物、碳化物和氮化物的混合物。所述絕緣劑的含量?jī)?yōu)選為1-5%,更優(yōu)選為3-4%。

優(yōu)選的是,所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中,所述無(wú)機(jī)氧化物為SiO2、Cr2O3、ZrO2、Al2O3、TiO2中的一種、兩種或多種;

所述碳化物為AlC、TiC中的一種或兩種;

以及所述氮化物為AlN、TiN中的一種或兩種。

優(yōu)選的是,所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中,所述粘結(jié)劑為樹(shù)脂、橡膠、塑料中的一種、兩種或多種。

優(yōu)選的是,所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中,所述樹(shù)脂為環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂和丙烯酸樹(shù)脂中的一種、兩種或多種;

所述橡膠為丁苯橡膠、丁基橡膠、三元乙丙橡膠中的一種、兩種或多種;

所述塑料為聚乙烯、聚丙烯、聚氨酯中的一種、兩種或多種。

優(yōu)選的是,所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中,所述膠粘劑為聚酯類膠粘劑、丙烯酸類膠粘劑、環(huán)氧類膠粘劑、改性環(huán)氧類膠粘劑、聚酰亞胺類膠粘劑以及酚醛-縮丁醛類膠粘劑。

本發(fā)明至少包括以下有益效果:

1、本發(fā)明所述的新型納米晶復(fù)合材料滿足超薄化、寬頻化的整體要求,可同時(shí)兼顧WPC、MST、NFC等頻段,可作為吸波材料用在電子材料領(lǐng)域,且具有分散性能好、吸波性能強(qiáng)以及質(zhì)量穩(wěn)定可控的優(yōu)點(diǎn)。

2、本發(fā)明所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝中通過(guò)調(diào)節(jié)鐵基納米晶軟磁合金和軟磁合金的顆粒度、配比濃度以及涂覆厚度,可以得到厚度可控以及可同時(shí)應(yīng)用在幾個(gè)頻段的吸波材料,且該制備工藝簡(jiǎn)單易行、靈活性高、操作方式多種多樣、靈活性大的優(yōu)點(diǎn)。

3、本發(fā)明所述的新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝制備的納米晶復(fù)合材料具有柔性化的優(yōu)點(diǎn),便于后續(xù)的加工和使用,且制備的納米晶復(fù)合材料均勻性好、性能穩(wěn)定。

本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征將部分通過(guò)下面的說(shuō)明體現(xiàn),部分還將通過(guò)對(duì)本發(fā)明的研究和實(shí)踐而為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中所述的新型納米晶復(fù)合材料中雙層納米晶復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中所述的新型納米晶復(fù)合材料中多層納米晶復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中所述的新型納米晶復(fù)合材料中雙層納米晶復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中所述的新型納米晶復(fù)合材料中多層納米晶復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖5為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中所述的新型納米晶復(fù)合材料中吸波材基材的磁導(dǎo)磁損-頻率曲線;

圖6為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中所述的新型納米晶復(fù)合材料中納米晶帶材的磁導(dǎo)磁損-頻率曲線;

圖7為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中所述的新型納米晶復(fù)合材料中將吸波材基材和納米晶帶材貼合后的雙層納米晶復(fù)合材料的磁導(dǎo)磁損-頻率曲線。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明,以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說(shuō)明書(shū)文字能夠據(jù)以實(shí)施。

應(yīng)當(dāng)理解,本文所使用的諸如“具有”、“包含”以及“包括”術(shù)語(yǔ)并不排除一個(gè)或多個(gè)其它元件或其組合的存在或添加。

本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例中提供了一種新型納米晶復(fù)合材料,所述納米晶復(fù)合材料是通過(guò)將不同粒度的鐵基納米晶軟磁合金和/或不同粒度的軟磁合金經(jīng)鈍化、偶聯(lián)以及絕緣包覆處理后涂覆在PET基材、納米晶帶材或吸波材基材上制成;

或者通過(guò)將不同粒度的鐵基納米晶軟磁合金和/或不同粒度的軟磁合金經(jīng)鈍化、偶聯(lián)以及絕緣包覆處理后貼合在納米晶帶材和吸波材基材上制成。

本發(fā)明還提供了一種新型納米晶復(fù)合材料的制備工藝,具體為:

實(shí)施例一:

1、基礎(chǔ)材料制備及處理:

1.1粉末篩分

選取鐵基納米晶軟磁合金,牌號(hào)為:1k107,成分為Fe72.7Cu1Nb3Si145B8Co0.2Ni0.3P0.3(原子比),通過(guò)拍擊式震動(dòng)篩進(jìn)行粉末分級(jí),得到不同目數(shù)的粉末,如-10~+30目、-40~+70目、-80~+100目、-200~+300目、-300~+400目、-400~+600目;-600~+800目;-800~+1000目、-1000~+1200目、-1200~+1400目、-1400~+1600目、-1600~+1800目,直到-2800~+3000目等;

選取軟磁合金,所述軟磁合金為Fe85Si9Al6,通過(guò)拍擊式震動(dòng)篩進(jìn)行粉末分級(jí),得到不同目數(shù)的粉末。

1.2混粉

選取不同粒度的鐵基納米晶軟磁合金粉末,按照一定的比例在混分設(shè)備中進(jìn)行充分混合,得到鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體,該實(shí)施例中選取20-40wt%的-10~+30目的粗粉,30-50%的-100~+200目的中等粉末、和10-50wt%的-600~+800目的細(xì)粉,進(jìn)行充分的混合;

選取不同粒度的軟磁合金粉末,按照一定的比例在混合設(shè)備中進(jìn)行混合,得到軟磁合金粉末集合體,該實(shí)施例中選取10-20wt%的-50~+80目的粗粉,40-60%的-200~+400目的中等粉末、和20-50wt%的-1200~+1400目的細(xì)粉,進(jìn)行充分的混合。

1.3粉體表面處理

對(duì)混合好的兩種粉末集合體分別進(jìn)行表面處理,使得表面得到充分的絕緣,采用鈍化劑、偶聯(lián)劑、絕緣劑等進(jìn)行處理:

鈍化步驟為:將鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體以及軟磁合金粉末集合體分別加入到6wt%的磷酸液中,攪拌均勻直至干燥;

偶聯(lián)處理步驟為:將鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體以及軟磁合金粉末集合體分別加入到9wt%偶聯(lián)劑中,攪拌均勻直至干燥;

絕緣包覆處理步驟為:在鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體以及軟磁合金粉末集合體中分別加入含量4wt%的絕緣劑,絕緣劑為無(wú)機(jī)氧化物、碳化物和氮化物的混合物,其中無(wú)機(jī)氧化物選擇SiO2、Al2O3和TiO2;碳化物選擇AlC和TiC中;所述氮化物選擇AlN。

1.4膠體混合

把絕緣處理后的鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體與含量5wt%的分散劑—聚丙烯酰胺,與30wt%的環(huán)氧樹(shù)脂和丁苯橡膠粘結(jié)劑,按照配入比例在攪拌機(jī)中進(jìn)行充分混合,攪拌均勻,得到納米晶膠體;

把絕緣處理后的軟磁合金粉末集合體與含量5wt%的分散劑—聚丙烯酰胺,與35wt%的環(huán)氧樹(shù)脂和丁苯橡膠粘結(jié)劑,按照配入比例在攪拌機(jī)中進(jìn)行充分混合,攪拌均勻,得到軟磁材料膠體。

2.納米晶復(fù)合材料的制備

將軟磁材料膠體加入涂覆機(jī)中進(jìn)行涂覆,涂覆基材選用75微米的PET薄膜,得到40μm厚度的磁片,之后送到熱壓減薄設(shè)備中進(jìn)行熱壓減薄至20μm;

選用以上涂覆磁片為基材,以同樣的涂覆工藝,將納米晶膠體涂覆在磁片表面,總厚度60μm,之后在熱壓減薄設(shè)備中進(jìn)行減薄至40μm,如圖1所示,1為軟磁合金涂覆在PET基材上形成的吸波材層,2為納米晶膠體形成的納米膠層;

再以此磁片為基材,用相同的涂覆工藝,將軟磁材料膠體涂覆在納米晶層表面,得到中間為納米晶,兩側(cè)為軟磁材料的復(fù)合吸波磁片,總厚度70μm,之后進(jìn)行熱壓減薄處理,得到55μm的納米晶復(fù)合吸波材料磁片;如圖2所示,1為軟磁合金涂覆在PET基材上形成的吸波材層,2為納米晶膠體形成的納米膠層;

將納米晶復(fù)合磁片送到分切機(jī)中進(jìn)行分切,得到預(yù)計(jì)規(guī)格的磁片。對(duì)復(fù)合磁片進(jìn)行性能測(cè)試,包括磁導(dǎo)率、磁損耗等參數(shù)。如表1所示。

表1

實(shí)施例二、

1、基礎(chǔ)材料制備及處理:

1.1粉末篩分

選取鐵基納米晶軟磁合金,牌號(hào)為:1k107,成分為Fe72.7Cu1Nb3Si145B8Co0.2Ni0.3P0.3(原子比),通過(guò)拍擊式震動(dòng)篩進(jìn)行粉末分級(jí),得到不同目數(shù)的粉末,如-10~+30目、-40~+70目、-80~+100目、-200~+300目、-300~+400目、-400~+600目;-600~+800目;-800~+1000目、-1000~+1200目、-1200~+1400目、-1400~+1600目、-1600~+1800目,直到-2800~+3000目等。

1.2混粉

選取不同目數(shù)納米晶的粉末,按照一定的比例在混粉設(shè)備中進(jìn)行混合,得到特定的粉末集合體,本實(shí)驗(yàn)中,選取20-40wt%的-10~+30目的粗粉,30-50%的-100~+200目的中等粉末、和10-50wt%的-600~+800目的細(xì)粉,進(jìn)行充分的混合。

1.3粉體表面處理

對(duì)混合好的粉末集合體分別進(jìn)行表面處理,使得表面得到充分的絕緣,采用鈍化劑、偶聯(lián)劑、絕緣劑等進(jìn)行處理:

鈍化步驟為:將鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體加入到6wt%的磷酸液中,攪拌均勻直至干燥;

偶聯(lián)處理步驟為:將鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體加入到9wt%偶聯(lián)劑中,攪拌均勻直至干燥;

絕緣包覆處理步驟為:在鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體加入含量4wt%的絕緣劑,絕緣劑為無(wú)機(jī)氧化物、碳化物和氮化物的混合物,其中無(wú)機(jī)氧化物選擇SiO2、Al2O3和TiO2;碳化物選擇AlC和TiC中;所述氮化物選擇AlN。

1.4膠體混合

把絕緣處理后的鐵基納米晶軟磁合金粉末集合體與含量5wt%的分散劑—聚丙烯酰胺,與30wt%的環(huán)氧樹(shù)脂和丁苯橡膠粘結(jié)劑,按照配入比例在攪拌機(jī)中進(jìn)行充分混合,攪拌均勻,得到納米晶膠體。

2.納米晶復(fù)合材料的制備

選用涂覆工藝,將納米晶膠體涂覆在40μm的吸波材基材表面,涂覆納米晶膠體厚度60μm,總厚度100μm,之后在熱壓減薄設(shè)備中進(jìn)行減薄至70μm,即得到厚度為70μm的納米晶復(fù)合材料-吸波材料磁片。

將所述磁片送到分切機(jī)中進(jìn)行分切,得到預(yù)計(jì)規(guī)格的磁片。

對(duì)復(fù)合磁片進(jìn)行性能測(cè)試,包括磁導(dǎo)率、磁損耗等參數(shù)。如表2所示:

表2

實(shí)施例三、

挑選100mm×200mm大小的納米晶帶材基材(厚度20μm,磁導(dǎo)率265(@13.56MHz)和同尺寸吸波材基材(厚度80μm,磁導(dǎo)率140(@13.56MHz)以及同尺寸5μm的雙面膠,將樣品一起整齊地放置于工作臺(tái)面上。

打開(kāi)背膠壓合機(jī)電源,并調(diào)整壓合滾筒的壓力和速度,至背膠后產(chǎn)品無(wú)氣泡。

取一張吸波材基材清潔其表面后,吸波材基材背膠面朝上置于壓合襯板上;然后撕起雙面膠的一端離型紙,左手拿住撕開(kāi)離型紙的一端,略向上傾斜,右手先將未撕離型紙的那端對(duì)準(zhǔn)吸波材基材的基準(zhǔn)線,再慢慢將右手上移,直到最上面的兩個(gè)角對(duì)準(zhǔn),并將離型紙撕起的部分貼到產(chǎn)品上。確認(rèn)對(duì)位無(wú)偏移后,過(guò)滾筒壓合。左手輕輕抓住產(chǎn)品邊緣,右手將剩余的離型紙撕掉。作業(yè)過(guò)程中,需自檢是否有雜質(zhì)、氣泡、缺料等不良。

將上序產(chǎn)品中的雙面膠的另一面離型膜撕起一端折好,將納米晶帶材自未撕離型紙的那端對(duì)準(zhǔn)吸波材基材的基準(zhǔn)線,再慢慢上移,直到最上端的兩個(gè)角對(duì)準(zhǔn),則上端納米晶帶材黏貼在雙面膠上,將離型紙撕去。

將背膠壓合機(jī)升溫至80℃,并調(diào)整壓合滾筒的壓力和速度,至背膠后產(chǎn)品無(wú)氣泡,然后將上序產(chǎn)品經(jīng)背膠機(jī)壓合既得雙層復(fù)合納米晶吸波材料。

將吸波材基材和納米晶帶材用膠粘劑粘結(jié)貼合在一起即得雙層復(fù)合納米晶吸波材料,在上序雙層復(fù)合納米晶吸波材料的基礎(chǔ)上使用膠粘劑貼合吸波材或納米晶,即可制備不同層數(shù)和性能的復(fù)合納米晶吸波材材料(結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖4)。這些吸波材料可以應(yīng)用在不同的頻率范圍,來(lái)滿足射頻領(lǐng)域的EMI需求。

如3為雙層納米晶復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖,4表示吸波材基材,5表示納米晶帶材,3表示膠粘劑層;圖4為多層納米晶復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖,1表示軟磁材料膠體形成的吸波材層,2表示納米晶膠體形成的納米膠層,3表示膠粘劑層。

對(duì)吸波材基材和納米晶帶材及復(fù)合材料進(jìn)行阻抗測(cè)試,其測(cè)試圖形見(jiàn)圖5,圖6及圖7。各圖中的下行為磁導(dǎo)曲線,上行為磁損曲線。性能測(cè)試中的主要測(cè)試數(shù)據(jù)包括磁導(dǎo)率、磁損耗等參數(shù)見(jiàn)表三。

表三

盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開(kāi)如上,但其并不僅僅限于說(shuō)明書(shū)和實(shí)施方式中所列運(yùn)用,它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域,對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的人員而言,可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改,因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下,本發(fā)明并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的圖例。

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