技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在保護氣氛下，首先450℃～550℃加熱氮化碳原料1min～6h，使得氮化碳原料氣化后附著于耐熱載體表面，并形成氮化碳前驅(qū)體；然后500℃～550℃加熱附著有氮化碳前驅(qū)體的耐熱載體1min～6h，使得氮化碳前驅(qū)體氣化并在導電基底表面形成厚度為10nm～150nm的石墨相氮化碳薄膜，獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法在導電基底表面修飾石墨相氮化碳薄膜，從而提高電極的熱電性能，以及氮化碳薄膜的均勻度及穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：申燕;呂曉偉
受保護的技術(shù)使用者：華中科技大學
文檔號碼：201610671067
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.16
技術(shù)公布日：2016.12.07