1.一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：具體步驟為：
步驟a、增加半導(dǎo)體材料表面設(shè)定圖案區(qū)域內(nèi)的粗糙度；
步驟b、制作金屬沉積液；
步驟c、將步驟a所得半導(dǎo)體材料置入金屬沉積液中，半導(dǎo)體材料表面粗糙度改變的區(qū)域會進行金屬沉積反應(yīng)；
步驟d、從金屬沉積液中取出半導(dǎo)體材料進行清洗、烘干。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：所述步驟a包括以下步驟：
步驟a1、制作與設(shè)定圖案相同的壓印模板，所述壓印模板基底材料為耐氫氟酸腐蝕的彈性材料；
步驟a2、在壓印模板上鍍一層0.1-1000nm厚的貴金屬層；
步驟a3、將1-50份的氫氟酸與1-50份的氧化劑以及100-1000份的溶劑混合配置氫氟酸和氧化劑的混合溶液；
步驟a4、在步驟a3所得氫氟酸和氧化劑的混合溶液中將步驟a2所得壓印模板覆蓋在半導(dǎo)體材料表面上，半導(dǎo)體材料表面與壓印模板上的貴金屬層接觸的區(qū)域會與氫氟酸和氧化劑發(fā)生金屬輔助化學刻蝕反應(yīng)，粗糙度增大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：所述步驟b包括以下步驟：
步驟b1、稱量與所要制作的金屬圖案中所含金屬等物質(zhì)的量的對應(yīng)的金屬鹽，并配置為0.001-1mmol/L的水溶液，得到金屬鹽溶液；
步驟b2、向金屬鹽溶液中加入氫氟酸，使氫氟酸的濃度為1％-40％，得到金屬沉積液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：所述步驟c中金屬沉積反應(yīng)的反應(yīng)條件為：反應(yīng)溫度為0℃～80℃，反應(yīng)時間為1-8小時，金屬沉積液需要通入氮氣或使用其它方法去除溶解氧，半導(dǎo)體材料表面除需制作金屬圖案的區(qū)域之外需要涂覆防氫氟酸腐蝕的材料，反應(yīng)時避免強光照射。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：還包括步驟e，對沉積有金屬圖案的半導(dǎo)體材料進行高溫退火處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體材料為IV族半導(dǎo)體材料、III-V族半導(dǎo)體材料以及其它在金屬催化作用下能與氫氟酸和氧化劑發(fā)生反應(yīng)的半導(dǎo)體材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體材料表面的原始粗糙度Ra小于1nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：步驟a3中，所述氧化劑為H2O2、HNO3、Fe(NO3)3、KMnO4、KBrO3、K2Cr2O7或O2，所述溶劑為水或乙醇。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：所述IV族半導(dǎo)體材料為Si、Ge或SiC半導(dǎo)體材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種在半導(dǎo)體表面加工金屬圖案的方法，其特征在于：所述III-V族半導(dǎo)體材料為AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs或InSb半導(dǎo)體材料。