1.一種光電半導(dǎo)體裝置，所述光電半導(dǎo)體裝置包括：
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底、形成在所述襯底之上的n型接觸層、形成在所述n型接觸層之上的有源層以及形成在所述有源層之上的p型接觸層；以及
位于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的至少一個鐵磁域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中所述至少一個鐵磁域形成在所述襯底的外表面上，所述襯底的所述外表面與所述襯底的其上形成有所述n型接觸層的內(nèi)表面相對。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進一步包括形成在所述p型接觸層之上的p型接觸件、形成在所述n型接觸層之上的n型接觸件、一對接觸襯墊以及經(jīng)由所述接觸襯墊安裝到所述p型接觸件和所述n型接觸件的基板，每個接觸襯墊與所述p型接觸件和所述n型接觸件中的一個形成在一起。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中用所述基板和所述一對接觸襯墊中的至少一個形成所述至少一個鐵磁域。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中每個接觸襯墊包括鐵磁域，以及所述基板包括一對鐵磁域，所述一對鐵磁域中的每一個與所述接觸襯墊的鐵磁域中的一個對齊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中所述n型接觸層包括所述至少一個鐵磁域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括在所述n型接觸層的第一表面之上形成的支撐半導(dǎo)體層，所述n型接觸層的所述第一表面與所述n型接觸層的其上形成有所述有源層的第二表面相對，其中所述支撐半導(dǎo)體層包括所述至少一個鐵磁域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中所述p型接觸層包括所述至少一個鐵磁域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中所述至少一個鐵磁域包括基于鐵的合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中所述至少一個鐵磁域包括具有鐵的至少20％的相對磁導(dǎo)率的鐵磁材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，其中所述至少一個鐵磁域包括磁化的域。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體裝置，進一步包括形成在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一側(cè)之上的一對電極。
13.一種光電半導(dǎo)體裝置，所述光電半導(dǎo)體裝置包括：
襯底；
形成在所述襯底之上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括n型接觸層、形成在所述n型接觸層之上的有源層以及形成在所述有源層之上的p型接觸層；
與位于所述襯底上的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的金屬接觸件，所述金屬接觸件在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)周圍；以及
形成在所述襯底、所述金屬接觸件或所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的一個之上的至少一個鐵磁域。
14.一種方法，所述方法包括：
制備光電半導(dǎo)體裝置，其中所述光電半導(dǎo)體裝置包括：
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；形成在所述襯底之上的n型接觸層；形成在所述n型接觸層之上的有源層；以及形成在所述有源層之上的p型接觸層；以及
位于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的至少一個鐵磁域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中通過蒸發(fā)、濺射、焊接、膠合、沉積和嵌入中的一個在所述結(jié)構(gòu)周圍形成所述至少一個鐵磁域。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括：
接近于磁力放置所述光電半導(dǎo)體裝置；
用所述磁力在一對間隔開的電極之上引導(dǎo)所述光電半導(dǎo)體裝置；以及
從所述磁力釋放所述光電半導(dǎo)體裝置以放置在所述一對間隔開的電極上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進一步包括平行于所述一對間隔開的電極安置磁條，其中所述引導(dǎo)包括將所述光電半導(dǎo)體裝置的至少一個鐵磁域與所述磁條對齊。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述釋放包括響應(yīng)于所述至少一個鐵磁域與所述磁條對齊而從所述磁力釋放所述光電半導(dǎo)體裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述釋放包括關(guān)斷所述磁力。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述引導(dǎo)包括用電磁體將所述光電半導(dǎo)體裝置從第一位置移動到具有所述一對間隔開的電極的第二位置。