本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及其制造方法，尤其是涉及一種在不同視角下具有均勻色彩分布的發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術：
：固態(tài)發(fā)光元件中的發(fā)光二極管元件(Light-EmittingDiode；LED)具有低耗電量、低發(fā)熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性，因此廣泛應用于各種需要使用發(fā)光元件的領域，例如，車輛、家電、及照明燈具等。要將LED所發(fā)出的純色光，轉換成其他顏色的光有數種方式可采用。舉例來說，可于LED上覆蓋一層熒光粉來達到此目的。熒光粉是一種光致發(fā)光的物質，也可說是波長轉換材料，它可以吸收LED所發(fā)出的第一光線后發(fā)出不同于第一光的第二光線。若第一光線未被完全消耗，仍殘留有部分第一光線與第二光線互相混合，可形成另一種顏色的混合光。不過，在不同的角度下，若LED所發(fā)出的第一光線與被轉換的第二光線互相混合的比例若是不同，第一光線與第二光線在不同的視角下會產生混合光的色彩分布不均勻的現(xiàn)象。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置，包含一發(fā)光元件以及一波長轉換層，發(fā)光元件包含一頂面，一底面，數個(二或更多)側面及一第一電性接點，頂面及底面的距離設為第一高度(h1)且通過數個側面連結，第一電性接點形成在底面上，波長轉換層包含第一區(qū)域(A1)及第二區(qū)域(A2)，第一區(qū)域位于發(fā)光元件的頂面的上方且具有第二高度(h2)，第二區(qū)域該位于發(fā)光元件的側面的外圍且圍繞第一區(qū)域且具有第三高度(h3)以及第二寬度(w2)。其中，第二高度(h2)大于第二寬度(w2)，第一高度(h1)與第二高度(h2)之合與第三高度(h3)的差值小于15微米。本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置的形成方法。先形成多個發(fā)光元件于一載板上。接著，形成一波長轉換片于多個發(fā)光元件上。切割波長轉換片以形成多個波長轉換層。多個發(fā)光裝置中的一發(fā)光裝置包含多個波長轉換層中的一波長轉換層。發(fā)光元件包含一頂面及一側面，波長轉換層包含位于頂面上方的第一區(qū)域(A1)及位于側面之外的第二區(qū)域(A2)。第一區(qū)域具有第二高度(h2)，其中第二高度(h2)大于第二區(qū)域(A2)之寬。本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置，包含一發(fā)光元件，一透鏡以及一波長轉換層。發(fā)光元件包含一第一頂面、一底面、一第一側面及一第一電性接點。第一頂面及底面通過第一側面連結，第一電性接點形成在底面上。透鏡包覆第一頂面及第一側面。波長轉換層包含一第二頂面及一第二側面，第二頂面位于透鏡上方，第二側面位于透鏡外側，其中第一頂面至透鏡的表面的距離小于第一側面至透鏡的表面的距離，透鏡的表面至第二頂面的距離大于透鏡的表面至第二側面的距離。附圖說明圖1A至圖1B為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光裝置的剖視圖及上視圖；圖2A至圖2B為本發(fā)明的一種發(fā)光裝置的比較例及實施例中視角對色座標的關系圖；圖3為本發(fā)明另一實施例的一種發(fā)光裝置的示意圖；圖4A至圖4D為本發(fā)明一實施例的流程圖；圖5A至圖5G為本發(fā)明另一實施例的流程圖；圖6為本發(fā)明另一實施例的一種發(fā)光裝置的剖視圖。符號說明100、300、600：發(fā)光裝置110、220a、220b、220c、310、610：發(fā)光元件112、222a：發(fā)光元件的頂面114、224a：發(fā)光元件的底面116、226a：發(fā)光元件的側面118a、118b：電性接點120、230a、230b、230c、320、620：波長轉換層122、322、622：波長轉換顆粒124、324、624：透明粘合劑125：波長轉換層的頂面126：波長轉換層的底面127：波長轉換層的側面210：載具212：載板214：粘膠層230：波長轉換片240：切割刀具250：耐熱膠260：承載板630：可透光層A1、B1：第一區(qū)域A2、B2：第二區(qū)域B11：上區(qū)塊B12：下區(qū)塊h1：高度h2：高度h3：高度w1：寬度w2：寬度具體實施方式圖1A為根據本發(fā)明一實施例所公開的一發(fā)光裝置100的剖視圖。發(fā)光裝置100包含發(fā)光元件110及一波長轉換層120，波長轉換層120覆蓋發(fā)光元件110。發(fā)光元件110包含一頂面112、一底面114及多個側面116，頂面112及底面114通過側面116連結。在一實施例中，發(fā)光元件110為倒裝式發(fā)光二極管管芯(flipchipLEDdie)。在一實施例中，兩電性接點118a及118b位于發(fā)光元件110的同一側，作為發(fā)光元件110與外界電性連結的界面。由頂面112至底面114之間依序可包含成長基板、第一半導體層、活化層以及第二半導體層(未顯示)。在一實施例中，成長基板的一外表面即為發(fā)光元件110的出光面，其中成長基板可為藍寶石基板。在另一實施例中，頂面112至底面114之間的疊層結構中不包含成長基板，或者成長基板被自疊層結構中移除。第一半導體層可為n-型半導體層，第二半導體層可為p-型半導體層。其中，電性接點118a及118b會分別與第一半導體層及第二半導體層電連接。此外，電性接點118a及118b可以突出于波長轉換層120的底面126(如圖所示)、或與底面126大約齊平(圖未示)、或僅其中的一突出底面126(圖未示)。在另一實施例中，發(fā)光元件110為一垂直式發(fā)光二極管管芯(verticalLEDdie/chip)，電性接點118a及118b可分別形成在頂面112及底面114上，并分別與第一半導體層及第二半導體層電連接。在一實施例中，發(fā)光元件110有四個側面，相對的側面彼此大致上互相平行。頂面112與底面114也大致互相平行。此外，頂面112至底面114的距離在此定義為高度(h1)，兩相對側面116間的距離定義為寬度(w1)。此外，計算高度(h1)時，底面114是指發(fā)光元件110除電性接點118a及118b之外的下表面，換言之，電性接點118a及118b的下表面非本處所指的底面114。在一實施例中，高度(h1)是介于50微米(μm)至250微米(μm)之間，而寬度(w1)是介于900微米至1500微米之間。發(fā)光元件110可為一發(fā)光二極管管芯(LEDdie/chip)，例如但不限為藍光發(fā)光二極管管芯或紫外光發(fā)光二極管管芯。在一實施例中，發(fā)光元件110為藍光發(fā)光二極管管芯，可經由外在電源提供一電力而發(fā)出第一光線，第一光線的主波長(dominantwavelength)或峰值波長(peakwavelength)介于430nm至490nm之間。波長轉換層120可包含一透明粘合劑124以及多個分散于透明粘合劑124中的波長轉換顆粒122，其中波長轉換顆粒122可吸收發(fā)光元件110發(fā)出的第一光線，并將其轉換成與第一光線波長或頻譜相異的第二光線。在一實施例中，波長轉換顆粒122吸收第一光線后被激發(fā)出來的第二光線為黃光，其主波長或峰值波長介于530nm至590nm之間。另一實施例中，波長轉換顆粒122吸收第一光線后激發(fā)出來的第二光線為黃綠光，其主波長或峰值波長介于515nm至575nm之間。其他實施例中，波長轉換顆粒122吸收第一光線后被激發(fā)出來的第二光線為紅光，其主波長或峰值波長介于590nm至650nm之間。波長轉換層120可包含單一種類或多種的波長轉換顆粒122。在一實施例中，波長轉換層120包含可發(fā)出黃光的波長轉換顆粒。另一實施例中，波長轉換層120包含可發(fā)出黃綠光及紅光的多種波長轉換顆粒。波長轉換顆粒122的材料可包含無機的熒光粉(phosphor)、有機分子熒光色素(organicfluorescentcolorant)、半導體材料(semiconductor)、或上述材料的組合。半導體材料包含納米尺寸結晶體(nanocrystal)的半導體材料，例如量子點(quantum-dot)發(fā)光材料。在一實施例中，波長轉換顆粒122的材料為熒光粉，其可選自于由Y3Al5O12：Ce、Gd3Ga5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce、(Lu、Y)3Al5O12：Ce、Tb3Al5O12：Ce、SrS：Eu、SrGa2S4：Eu、(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4：Eu、(Ca、Sr)S：(Eu、Mn)、(Ca、Sr)S：Ce、(Sr、Ba、Ca)2Si5N8：Eu、(Sr、Ba、Ca)(Al、Ga)SiN3：Eu、CaAlSiON：Eu、(Ba、Sr、Ca)2SiO4：Eu、(Ca、Sr、Ba)Si2O2N2：Eu、K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn、及K2SnF6：Mn所組成的群組。半導體材料可包含II-VI族半導體化合物、III-V族半導體化合物、IV-VI族半導體化合物、或上述材料的組合。量子點發(fā)光材料可選自于由硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、硒化鎵(GaSe)、銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)、磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlAs)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)、碲化銻(SbTe)、硫化鋅鎘硒(ZnCdSeS)、及硫化銅銦(CuInS)所組成的群組。透明粘合劑124可將波長轉換顆粒122分散于空間中，且可固定波長轉換顆粒122彼此間的相對位置。調整透明粘合劑124與波長轉換顆粒122的重量比可以改變波長轉換顆粒122在波長轉換層120中的濃度。波長轉換顆粒122的濃度越高，可將更多來自發(fā)光元件11的光線轉換成另一種光線(轉換比例越高)，且散射光線的效果更加明顯。但波長轉換顆粒122的濃度若太高則表示透明粘合劑124含量太少，可能無法有效固定波長轉換顆粒122。在一實施例中，波長轉換顆粒122于波長轉換層120中的重量百分比在70％以下。在另一實施例中，波長轉換顆粒122于波長轉換層120中的重量百分比在25％～35％。波長轉換顆粒在上述的重量百分比范圍中可得到較佳的轉換比例及散射效果，且可被有效地固定其在空間中的位置。此外，為了讓激發(fā)波長轉換顆粒122的第一光線以及波長轉換顆粒122發(fā)射的第二光線能有較高的出光效率，透明粘合劑124具有對第一光線及第二光線有較高的穿透率者為佳，例如穿透率大于80％、90％、95％或99％。透明粘合劑124的材料可為熱固化樹脂，熱固化樹脂可為環(huán)氧樹脂或硅樹脂。在一實施例中，透明粘合劑124為硅樹脂。透明粘合劑124的折射率與發(fā)光元件110出光面的材料的折射率相差越小，出光的角度越大，光萃取的效率可更加提升。在一實施例中，發(fā)光元件110出光面的材料為藍寶石(sapphire)，其折射率約為1.77，透明粘合劑124的折射率則大于1.50。波長轉換層120可覆蓋發(fā)光元件110的一或多個出光面。在一實施例中，發(fā)光元件110的出光面包含頂面112及側面116，波長轉換層120同時覆蓋發(fā)光元件110的頂面112及側面116。在另一實施例中，波長轉換層120與發(fā)光元件110的頂面112及數個側面116直接接觸。在另一實施例中，波長轉換層120僅覆蓋發(fā)光元件110的頂面112或與其直接接觸，但不覆蓋側面116或與其接觸。參閱圖1B(圖1A的上視圖)，波長轉換層120可包含第一區(qū)域A1及第二區(qū)域A2。在一實施例中，第一區(qū)域A1與第二區(qū)域A2彼此相連，第一區(qū)域A1位于發(fā)光元件110的頂面112的正上方。第一區(qū)域A1具有一高度(h2)，如圖1A所示。高度(h2)定義為發(fā)光元件110的頂面112至波長轉換層120的頂面125的距離。第二區(qū)域A2位于發(fā)光元件110側面116的外圍且圍繞第一區(qū)域A1，并具有一高度(h3)及一寬度(w2)，如圖1A所示。高度(h3)定義為第二區(qū)域A2的底面126至波長轉換層120的頂面125的距離。在一實施例中，高度(h2)介于50微米至1450微米之間，高度(h3)介于100微米至1500微米之間。寬度(w2)定義為波長轉換層120的側面127至發(fā)光元件110的側面116之間的距離。在一實施例中，寬度(w2)介于50微米至500微米之間。在另一實施例中，第一高度(h1)與該第二高度(h2)之合與該第三高度(h3)的差值小于15微米。因此，側面116可被波長轉換層完全包覆，可避免光線由側面116外漏。此外，波長轉換層120也不會因為突出于發(fā)光元件110的底面114阻礙電性接點118a及118b固定于一另一載板上。在一實施例中，第二高度(h2)大于第二寬度(w2)。例如，第二寬度(w2)與第二高度(h2)的比值介于0.4至0.6之間。若發(fā)光元件110的頂面112射出的第一光線的第一強度L1大于發(fā)光元件110的側面116射出的第二強度L2，當頂面112上的波長轉換層120的厚度與側面116上的波長轉換層120的厚度相等，表示第一光線L1行經第二高度(h2)的距離與第一光線行經第二寬度(w2)的距離相等，亦即第一光線L1行經第二高度(h2)與第二寬度(w2)后被波長轉換顆粒122轉換成第二光線L2的強度可能接近。如同上述，若頂面112方向上與側面116方向上的第二光線強度相同，由于第一光線L1的在此二個方向上的強度不同(第一強度L1大于第二強度L2)，使得在頂面112方向上與側面116方向上第一光線L1與第二光線L2的混光比不相同。因此，若頂面112上的波長轉換層120的厚度較大時，更多比例的第一光線L1會被轉換成第二光線L2。如此可使得第一光線L1與第二光線L2的混合比例在頂面112與側面116上可以接近。此外，由于波長轉換顆粒122具有散射并勻化光線的作用，在發(fā)光元件110的頂面112上提供較厚的波長轉換層120可使得第一光線L1與第二光線L2在各視角下產生相近色彩的混合光。表1列出一比較例與一實施例的發(fā)光裝置的尺寸，其中比較例與實施例的發(fā)光裝置的結構可參照圖1A及圖1B，波長轉換顆粒于波長轉換層中的重量百分比約在28％～31％。第一高度h1第二高度h2第二寬度w2第三高度h3比較例150300325450實施例150300150450表1表內的數值的單位為微米(μm)，比較例與實施例使用相同的發(fā)光元件，其中，圖2A及圖2B分別顯示比較例(圖2A)及實施例(圖2B)中視角與色彩分布的關系圖。X軸表示視角，0°對應于垂直于頂面112的方向，90°及-90°分別為平行于頂面112的兩個相對的方向。Y軸的△u’v’表示色座標上任一點與一基準點(u0’，v0’)的距離。換言之，△u’v’越大表示兩點在色座標上距離越遠，也就表示第一光線與第二光線混光的比例有較大的不同。其中，△u’v’＝(△u’2+△v’2)1/2，u’及v’分別表示CIE1976表色系統(tǒng)下的色座標，△u’為u’-u0’，△v’為v’-v0’，基準值(u0’，v0’)定義為所有角度下色座標的平均值。在角度分布區(qū)間內，△u’v’的變異越小表示于不同視角下的色彩分布的均勻度越好。在圖2B中，0°至70°的△u’v’值相差小于0.0040，即表示實施例在發(fā)光裝置的色彩分布的均勻度優(yōu)于比較例。在比較例中，第二高度(h2)為300微米，第二寬度(w2)為325微米，第二高度(h2)小于第二寬度(w2)。在實施例中，第二高度(h2)為300微米，第二寬度(w2)為150微米，實施例的第二高度(h2)大于第二寬度(w2)。圖2A于0°至30°范圍內的△u’v’值相差大于0.0015，圖2B于0°至30°范圍內的△u’v’值相差小于0.0010，因此，在0°至30°范圍內實施例的色彩分布的均勻度較比較例為佳。圖2A于30°至60°范圍內的△u’v’值相差約0.0040，圖2B于30°至60°范圍內的△u’v’值相差小于0.0020，在30°至60°的范圍內實施例的色彩分布的均勻度也較比較例為佳。且在30°至60°內實施例與比較例的差異較0°至30°更大。圖2A于60°至90°范圍內的△u’v’值相差更至0.0100，圖2B于60°至90°范圍內的△u’v’值相差小于0.0020，亦即角度越大比較例的色彩分布的均勻度越差，但實施例的色彩分布的均勻度卻大體上維持一定。若于0°至90°的范圍內，圖2A的△u’v’值相差大于0.0110，圖2B的△u’v’值相差小于0.0030，可見當第二寬度(w2)為150微米、第二高度(h2)為300微米、及w2/h2的比值介于0.4至0.6之間時，色彩分布的均勻度較佳。圖3顯示依據本發(fā)明另一實施例的發(fā)光裝置300的示意圖。發(fā)光裝置300包含發(fā)光元件310及一波長轉換層320，波長轉換層320覆蓋發(fā)光元件310。波長轉換層320可區(qū)分為第一區(qū)域B1及第二區(qū)域B2。第一區(qū)域B1可再分成上區(qū)塊B11及下區(qū)塊B12。在一實施例中，第一區(qū)域B1及第二區(qū)域B2的波長轉換顆粒322的平均重量百分比(或平均密度)相差小于5％，在另一實施例中，上區(qū)塊B11及下區(qū)塊B12的的波長轉換顆粒322的平均重量百分比(或平均密度)相差小于5％。波長轉換顆粒的平均重量百分比(或平均密度)是定義為于的波長轉換層的區(qū)塊內取數個不同的次區(qū)塊(例如，3～10個次區(qū)塊)，波長轉換顆粒于所有次區(qū)塊的重量百分比(或密度)的平均值。次區(qū)塊的維度可視樣品大小或檢測方式調整。例如，次區(qū)塊可以是二維或三維的形狀，二維形狀如八邊形、六邊形、四邊形、三角形、圓形、橢圓形、或前述形狀的組合，三圍形狀如柱體、立方體、長方體、圓球體。若采用熱重分析(TGA)方式量測波長轉換顆粒的重量百分比，即是量測次區(qū)塊中的波長轉換顆粒的總重量與次區(qū)塊重量的比值。若采用電子顯微鏡方式量測波長轉換顆粒的密度，可以量測在特定的面積下(例如，100X100微米平方)量測次區(qū)塊中波長轉換顆粒的總數目或總面積。次區(qū)塊的重量百分比(或密度)與平均重量百分比(或平均密度)相差越小表示波長轉換顆粒的分布較為均勻，如此不會因為波長轉換顆粒集中在某些區(qū)域，造成這些區(qū)域中承受較多的熱，可減緩透明粘合劑324因熱產生的衰壞。圖4A至圖4D為顯示制作發(fā)光裝置100的流程圖。參照圖4A，提供一載具210及發(fā)光元件220a、220b、220c，發(fā)光元件220a、220b、220c被安置在載具210上，其中，發(fā)光元件的數量在此僅為例示，并不限于三個。載具210包含一載板212及一粘膠層214。在一實施例中，載板212為一金屬片或塑膠片，粘膠層214為一發(fā)泡膠，發(fā)泡膠例如是熱解離膠(thermalreleaseadhesive)或紫外線固化膠(UVcuringadhesive)。發(fā)光元件220a包含一頂面222a、一底面224a及多個側面226a。在一實施例中，底面224a與粘膠層214直接接觸。發(fā)光元件220a與發(fā)光元件220b之間的走道寬為d1，發(fā)光元件220b與發(fā)光元件220c之間的走道寬為d2，走道寬d1與走道寬d2的大小可相同或不同。在一實施例中，走道寬d1與走道寬d2的大小為相同，走道寬d1或d2介于100微米至1000微米之間。參照圖4B，將一波長轉換片230形成于載具210上，并同時覆蓋發(fā)光元件220a、220b、220c。波長轉換片230是將多個波長轉換顆粒與透明粘合劑混合后預先形成的片狀結構。片狀結構的尺寸可依照需求進行調整，例如，片狀結構包含數個彼此分離的波長轉換片，此數個彼此分離的波長轉換片可以批次或依序覆蓋數個發(fā)光元件，亦即一個波長轉換片230僅覆蓋一個或少量的發(fā)光元件(例如，載具210上發(fā)光元件總數的1/50、1/100、或1/200以下)。又例如，片狀結構是一卷帶(tape)，可以連續(xù)且一次性地覆蓋數個發(fā)光元件，亦即一個波長轉換片同時覆蓋多數個或載具210上的所有發(fā)光元件(例如，載具210上發(fā)光元件總數的1/50、1/100、1/200以上)。在一實施例中，波長轉換片230貼合在發(fā)光元件220a、220b、220c上。貼合通過上模具(未顯示)及下模具(未顯示)的密合，同時對波長轉換片230加熱以及加壓，以軟化波長轉換片230使其可緊密地與發(fā)光元件220a、220b、220c接合。此外，當上模具及下模具非常靠近，但波長轉換片230尚未接觸發(fā)光元件220a、220b、220c時抽氣，可減少波長轉換片230與發(fā)光元件220a220b、220c之間的氣泡，提高波長轉換片230與發(fā)光元件220a、220b、220c之間的接合力。參照圖4C，以切割刀具240切割波長轉換片230，形成獨立的發(fā)光裝置200a、200b、200c。波長轉換片230分離成多個波長轉換層230a、230b、230c并分別覆蓋發(fā)光元件220a、220b、220c。波長轉換層230a、230b、230c于發(fā)光元件220a、220b、220c兩側的厚度(例如，圖1A中第二區(qū)域A2的第二寬度w2)可小于或約當于走道寬度(d)的一半。以發(fā)光組件200a為例，發(fā)光元件220a的頂面222a上的厚度(h2)可大于走道寬度(d)的二分之一或大于圖1A中第二區(qū)域(A2)的第二寬度(w2)，如此形成的發(fā)光裝置具有較佳的色均勻度。參照圖4D，切割后可由載具210上拿取單一個發(fā)光裝置。在此以發(fā)光裝置200a為例，在拿取發(fā)光裝置200a之前，可加熱以固化波長轉換層230a。加熱前的波長轉換層230a內含有的透明粘合劑通常為半固化的狀態(tài)，或是稱作B階段。加熱后的透明粘合劑則轉變?yōu)橥耆袒牡臓顟B(tài)，或是稱作C階段。此外，在特定的加熱環(huán)境下可更容易由粘膠層214上取下發(fā)光裝置200a。在一實施例中，加熱至200℃以上，粘膠層214可與發(fā)光裝置200a或載板212分離。在加熱溫度較高及/或固化時間較長時，粘膠層214容易于發(fā)光裝置200a或載板212上遺留殘膠。圖5A至圖5G為根據本發(fā)明另一實施例所公開的一發(fā)光裝置的制造流程圖。參照圖5A，提供一載具210及發(fā)光元件220a、220b、220c，發(fā)光元件220a、220b、220c安置在載具210上。參照圖5B，將波長轉換片230安置于載具210上，同時覆蓋多個發(fā)光元件220a、220b、220c。參照圖5C，在波長轉換片230上覆蓋一層耐熱膠250后進行加熱，將發(fā)光元件220a、220b、220c及波長轉換片230自粘膠層214上移開，其后再進行固化。參照圖5D，波長轉換片230及發(fā)光元件220a、220b、220c貼附至另一承載板260，其中，承載板260可以是藍膜或其他可做為支撐波長轉換片230及發(fā)光元件220a、220b、220c的材料或結構。參照圖5E，將耐熱膠250與波長轉換片230分離。參照圖5F，再以切割刀具240切割波長轉換片230，形成多個發(fā)光裝置200a、200b、200c，參照圖5G，再由載具260上拿取被分割后發(fā)光裝置。由于耐熱膠250可于較高的溫度及較長的時間下操作且不會形成殘膠，因此可容易地與波長轉換片230分離。圖6為顯示根據本發(fā)明另一實施例的一發(fā)光裝置600的剖視圖。發(fā)光裝置600包含發(fā)光元件610及一波長轉換層620。波長轉換層620覆蓋發(fā)光元件610，并可包含一透明粘合劑624以及分散于透明粘合劑624中的波長轉換顆粒622。發(fā)光元件610及一波長轉換層620之間有一可透光層630。在一實施例中，可透光層630為透鏡結構，例如凸透鏡。在一實施例中，發(fā)光元件610的頂面至可透光層630的頂表面的距離小于發(fā)光元件610的側面至可透光層630的外側表面的距離?？赏腹鈱?30的頂表面至波長轉換層620的頂面的距離大于可透光層630的外側表面至波長轉換層320的外側面的距離。在一實施例中，發(fā)光元件610的側面至波長轉換層620的側面的距離與發(fā)光元件610的頂面至波長轉換層620的頂面的距離相等，但可透光層630的側表面上的平均厚度(T1)可大于頂表面上的平均厚度(T2)。所以，但波長轉換層620于發(fā)光元件610的側面實際的平均厚度是小于波長轉換層620于發(fā)光元件610的頂面實際的平均厚度。如此，當發(fā)光元件610的正向出光遠大于側向光時，通過可透光層630改變波長轉換層620的上方及側向厚度。再者，通過調整可透光層630的厚度及波長轉換層620中波長轉換顆粒622的密度，可以在不更動發(fā)光裝置600的外部尺寸及發(fā)光元件610的規(guī)格之下，改變發(fā)光裝置600的整體出光表現(xiàn)，如光型、不同視角下色彩分布(COA)等。此外，可通過可透光層630作為發(fā)光元件610與波長轉換顆粒622之間的間隔，如此可減少因發(fā)光元件610產生的熱造成波長轉換顆粒622的效率下降。再者，若可透光層630的材料與透明粘合劑624的材料接近或相同時，可提高波長轉換層620與透光層630的附著力。以上所述的實施例僅為說明本發(fā)明的技術思想及特點，其目的在使熟悉此項技術的人士能夠了解本發(fā)明的內容并據以實施，當不能以之限定本發(fā)明的專利范圍，即大凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內。當前第1頁1 2 3