本申請要求于2015年8月7日提交的美國臨時申請No.62/202,364的權(quán)益。以上引用的申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及用于將硅部件直接鍵合在一起或碳化硅部件直接鍵合在一起的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)：

這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開內(nèi)容的背景的目的。在此背景部分中描述的程度上的當(dāng)前指定的發(fā)明人的工作，以及在提交申請時可能無法以其他方式有資格作為現(xiàn)有技術(shù)的所述描述的各方面，既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)。

半導(dǎo)體處理系統(tǒng)可以包括需要由硅(Si)或碳化硅(SiC)制成的組件。生產(chǎn)使用硅或碳化硅制成的大型組件是很昂貴的。制備用于生產(chǎn)這些大型組件的起始坯料的成本隨著成品部件尺寸的增大而增加。當(dāng)使用硅時，起始坯料通常由切成所要求的厚度的單晶的、無位錯(DF)硅錠和多晶硅錠制成。

在許多情況下，該加工過程是耗時的并具有較高的勞動成本。某些組件可能需要從起始坯料去除大量的材料。一些組件(諸如，具有內(nèi)部氣室的氣體分配板)無法使用單片硅坯料來制備。針對如環(huán)形組件之類的某些類型的組件，巖心鉆和電氣放電加工(EDM)是用于減少材料損失和加工時間的有效途徑。較大的組件可使用兩個或更多個分開加工的較小的組件進行組裝然后結(jié)合在一起。這種方法相對于從單一的單片坯料加工可以顯著降低生產(chǎn)成本。

彈性體已被用于結(jié)合硅與硅，硅與石墨，以及硅與鋁。然而，彈性體結(jié)合物具有相對弱的拉伸強度(通常約470psi)。彈性體的使用還限制工作溫度為約185℃。彈性體結(jié)合物與體硅相比典型地具有較高的電阻率和較低的熱導(dǎo)率。彈性體結(jié)合物更容易在襯底處理系統(tǒng)中產(chǎn)生顆粒污染。

液相結(jié)合涉及在待結(jié)合在一起的兩個或更多個部件之間放置如鋁或金之類的結(jié)合劑。結(jié)合劑被加熱至高于其熔點的溫度。雖然結(jié)合力通常很強，但是最高施加溫度由Si和結(jié)合劑的共熔溫度限制，Si-Al的共熔溫度是580℃，Si-Au的共熔溫度是363℃，該共熔溫度對于某些襯底處理系統(tǒng)應(yīng)用而言可能很低。另外，該結(jié)合劑可增加金屬污染，并在襯底處理系統(tǒng)中的后續(xù)使用過程中產(chǎn)生不揮發(fā)的顆粒。除了污染的風(fēng)險，Si和結(jié)合材料之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)通常是不同的，從而可在硅中產(chǎn)生剪切應(yīng)力并削弱結(jié)合部分的機械強度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

一種用于鍵合第一硅部件與第二硅部件的方法，其包括在熱絕緣結(jié)構(gòu)的表面上布置所述第一硅部件和所述第二硅部件直接物理接觸；控制該熱絕緣結(jié)構(gòu)的壓強至預(yù)定壓強；使用一個或多個加熱器控制該熱絕緣結(jié)構(gòu)的溫度至預(yù)定溫度；以及在處理期間鍵合所述第一硅部件與所述第二硅部件。所述預(yù)定溫度在高于或等于1335℃和低于1414℃的溫度范圍內(nèi)。

在其他特征中，熱絕緣結(jié)構(gòu)中的壓強小于1托。處理持續(xù)時間為介于10小時和50小時之間。該方法還包括在鍵合期間供給惰性氣體到所述熱絕緣結(jié)構(gòu)。

在其他特征中，在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵在使用過程中能承受高于580℃的工作溫度。在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵在使用過程中能承受高于580℃且低于1335℃的工作溫度。

]在其他特征中，該方法包括供給外力以在鍵合過程中保持所述第一硅部件至所述第二硅部件上。在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵具有1.17+/-0.09W/cm-K的熱導(dǎo)率。在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵具有大于2000PSI的拉伸強度。

在其他特征中，該方法還包括在表面與所述第一硅部件和所述第二硅部件中的至少一個之間放置碳材料。碳材料選自石墨和柔性石墨(Grafoil)。外力通過疊壓機(press)和重量物(weight)中的一種提供。

在其他特征中，該方法包括在疊壓機和重量物中的一種與所述第一硅部件和所述第二硅部件中的至少一個之間布置碳材料。在不使用中間結(jié)合材料的情況下使所述第一硅部件與所述第二硅鍵合在一起。在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵是硅-硅共價鍵。

在其他特征中，熱流入所述第一硅部件和所述第二硅部件從其兩側(cè)到其中心。在處理時間段期間在鍵合區(qū)域發(fā)生外表面熔融。在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間的接合處的毛細管力驅(qū)使熔融硅到所述第一硅部件和所述第二硅部件之間的間隙。在固化時，硅部件被鍵合在一起。

在其他特征中，所述第一硅部件和所述第二硅部件是由單晶硅制成的。所述第一硅部件和所述第二硅部件是由多晶硅制成的。所述第一硅部件和所述第二部件被布置在所述熱絕緣結(jié)構(gòu)的基座上。所述基座包括底表面和側(cè)壁。加熱器被布置在所述側(cè)壁和所述熱絕緣結(jié)構(gòu)之間。

一種用于鍵合第一碳化硅部件與第二碳化硅部件的方法，其包括在容器中布置所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件直接物理接觸；將所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件包圍在碳化硅/硅粉末基質(zhì)中；在熱絕緣結(jié)構(gòu)中布置所述容器；控制該熱絕緣結(jié)構(gòu)的壓強至預(yù)定壓強；使用一個或多個加熱器控制該熱絕緣結(jié)構(gòu)的溫度至預(yù)定溫度；以及在處理時間段期間鍵合所述第一碳化硅部件與所述第二碳化硅部件。所述預(yù)定溫度在高于或等于1600℃以及低于2000℃的溫度范圍內(nèi)。

在其他特征中，所述熱絕緣結(jié)構(gòu)中的壓強小于1托。該處理時間段在介于10小時和50小時之間。該方法包括在低于一個大氣壓的壓強下在鍵合過程中將惰性氣體供給到所述熱絕緣結(jié)構(gòu)。在所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件之間形成的鍵能在使用過程中承受高于580℃且低于1600℃的工作溫度。

在其他特征中，在不使用中間結(jié)合材料的情況下將所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件鍵合在一起。在所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件之間形成的鍵是Si-C共價鍵。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以闡述如下：

1.一種用于鍵合第一硅部件與第二硅部件的方法，其包括：

在熱絕緣結(jié)構(gòu)的表面上布置所述第一硅部件和所述第二硅部件直接物理接觸；

控制所述熱絕緣結(jié)構(gòu)中的壓強至預(yù)定壓強；

使用一個或多個加熱器控制所述熱絕緣結(jié)構(gòu)中的溫度至預(yù)定溫度；以及

在處理時間段期間鍵合所述第一硅部件和所述第二硅部件，其中，所述預(yù)定溫度在高于或等于1335℃且低于1414℃的溫度范圍內(nèi)。

2.如條款1所述的方法，其中，所述熱絕緣結(jié)構(gòu)中的壓強小于1托。

3.如條款1所述的方法，其中，所述處理時間段在介于10小時和50小時之間。

4.如條款1所述的方法，其還包括在低于一個大氣壓的壓強下在鍵合過程中供給惰性氣體到所述熱絕緣結(jié)構(gòu)。

5.如條款1所述的方法，其中，在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵能夠在使用過程中承受高于580℃的工作溫度。

6.如條款1所述的方法，其中，在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵能夠在使用過程中承受高于580℃且低于1335℃的工作溫度。

7.如條款1所述的方法，其還包括在所述鍵合過程中提供外力以保持所述第一硅部件至所述第二硅部件上。

8.如條款1所述的方法，其中，在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵具有1.17+/-0:09W/cm-K的熱導(dǎo)率。

9.如條款1所述的方法，其中，在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵具有大于2000PSI的拉伸強度。

10.如條款1所述的方法，其還包括布置碳材料在重量物或疊壓機與所述第一硅部件和所述第二硅部件中的至少一個之間。

11.如條款10所述的方法，其中，所述碳材料選自石墨和柔性石墨。

12.如條款7所述的方法，其中，所述外力通過疊壓機和重量物中的一種提供。

13.如條款12所述的方法，其還包括布置碳材料在所述疊壓機和所述重量物中的一種與所述第一硅部件和所述第二硅部件中的至少一個之間。

14.條款1所述的方法，其中，所述第一硅部件和所述第二硅部件被鍵合在一起而不使用中間結(jié)合材料。

15.如條款1所述的方法，其中，在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間形成的鍵是硅-硅共價鍵。

16.如條款1所述的方法，其中，熱流到所述第一硅部件和所述第二硅部件從其兩側(cè)到其中心，其中，在處理時間段期間發(fā)生外表面熔融，并且其中在所述第一硅部件和所述第二硅部件之間的接合處的毛細管力驅(qū)使熔融硅到所述第一硅部件和所述第二硅部件之間的窄隙。

17.如條款1所述的方法，其中，所述第一硅部件和所述第二硅部件是由單晶硅制成的。

18.如條款1所述的方法，其中，所述第一硅部件和所述第二硅部件是由多晶硅制成的。

19.如條款1所述的方法，其中，所述第一硅部件和所述第二硅部件被布置在所述熱絕緣結(jié)構(gòu)的基座上。

20.如條款19所述的方法，其中，所述基座包括底表面和側(cè)壁，并且其中所述加熱器被布置在所述側(cè)壁和所述熱絕緣結(jié)構(gòu)之間。

21.一種用于鍵合第一碳化硅部件與第二碳化硅部件的方法，其包括：

在容器中布置所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件直接物理接觸；

將所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件包圍在碳化硅/硅粉末基質(zhì)中；

在熱絕緣結(jié)構(gòu)中布置所述容器；

控制所述熱絕緣結(jié)構(gòu)中的壓強至預(yù)定壓強；

使用一個或多個加熱器控制所述熱絕緣結(jié)構(gòu)中的溫度至預(yù)定溫度；以及

在處理時間段期間鍵合所述第一碳化硅部件與所述第二碳化硅部件，其中所述預(yù)定溫度在高于或等于1600℃且低于2000℃的溫度范圍內(nèi)。

22.如條款21所述的方法，其中，所述熱絕緣結(jié)構(gòu)中的壓強小于1托。

23.如條款21所述的方法，其中，所述處理時間段在介于10小時和50小時之間。

24.如條款21所述的方法，其還包括在小于一個大氣壓的壓強下在所述鍵合過程中供給惰性氣體到所述熱絕緣結(jié)構(gòu)。

25.如條款21所述的方法，其中，在所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件之間形成的鍵能在使用過程中承受高于580℃且低于1600℃的工作溫度。

26.如條款21所述的方法，其中，在不使用中間粘結(jié)材料的情況下將所述第一碳化硅部件與所述第二碳化硅部件鍵合在一起。

27.如條款21所述的方法，其中，在所述第一碳化硅部件和所述第二碳化硅部件之間形成的鍵是Si-C共價鍵。

本公開內(nèi)容的適用性的其它方面將根據(jù)詳細描述、權(quán)利要求和附圖變得明顯。詳細描述和具體實施例僅用于說明的目的并且不旨在限制本公開內(nèi)容的范圍。

附圖說明

根據(jù)詳細描述和附圖將更充分地理解本發(fā)明，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明所述的用于鍵合硅部件的鍵合裝置的示例的功能框圖；

圖2-4是根據(jù)本發(fā)明所述的用于鍵合硅部件或碳化硅部件的鍵合裝置的其它示例的功能框圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明所述的用于控制硅部件鍵合的控制器的示例的功能框圖；和

圖6是用于鍵合硅部件的方法的示例的流程圖。

在附圖中，參考數(shù)字可以被再使用以標(biāo)識相似和/或相同的元件。

具體實施方式

現(xiàn)在參考圖1-4，示出了鍵合裝置50的示例。在圖1中，鍵合裝置50被示為包括外殼52。熱絕緣結(jié)構(gòu)56被布置在外殼52內(nèi)。熱絕緣結(jié)構(gòu)56包括底部57和限定內(nèi)腔59的一個或多個側(cè)壁58，頂部55是可移除的并且/或者包括開口(未示出)。

基座60被布置在熱絕緣結(jié)構(gòu)56的內(nèi)腔59中?；?0包括底部61和限定內(nèi)腔65以接收待鍵合的部件的一個或多個側(cè)壁62。在一些實施例中，基座60由石墨制成并具有圓柱形或立方體形的橫截面，但可以使用其他材料和/或橫截面。一個或多個支撐件66可附接到基座60或從基座60延伸到熱絕緣結(jié)構(gòu)56的內(nèi)腔59的底表面68。支撐件66將基座60定位在與底面68間隔開的位置。

一個或多個加熱器74可圍繞基座60的側(cè)壁62的外周布置。加熱器74可以以預(yù)定間隙與基座60間隔開。同樣地，加熱器76可以被布置在基座60的頂表面上方的一預(yù)定距離處。額外的加熱器(未示出)可被布置在基座60的底表面的鄰近處。在一些實施例中，加熱器74和76可以具有線形、螺旋形、盤繞形、或“S”形結(jié)構(gòu)，但可使用其它結(jié)構(gòu)。

氣體可通過氣體入口80被供給到熱絕緣結(jié)構(gòu)56的內(nèi)腔59。氣體和其他反應(yīng)物可通過氣體出口82從熱絕緣結(jié)構(gòu)56的內(nèi)腔59排放。在一些實施例中，惰性氣體，諸如氬(Ar)、氦(He)或氮分子(N₂)，或它們的混合氣體，諸如Ar/H₂、N₂/H₂，可在鍵合處理期間被供給到熱絕緣結(jié)構(gòu)56的內(nèi)腔59。壓力傳感器84可以布置在內(nèi)腔59中以測量內(nèi)腔59中的壓強。熱電偶86和88可以用于感測熱絕緣結(jié)構(gòu)56的內(nèi)腔59中的一個或多個溫度。

在使用中，由硅制成的部件90和92可被布置成直接接觸基座60的內(nèi)腔65并放置在基座60的內(nèi)腔65中。在一些實施例中，如重量物之類的疊壓機94可以用于提供外力以將部件保持在一起。在其他實施例中，部件中的一個的重量可被用于將部件保持在一起。在一些實施例中，使用疊壓機94或待鍵合的一個或更多的部件的重量，0.01MPa-10MPa的外力可以用于Si-Si直接鍵合。

在一些實施例中，本發(fā)明描述的系統(tǒng)和方法產(chǎn)生硅(Si)-Si鍵以將部件連接在一起而無需使用如彈性體或液體結(jié)合劑之類的外來介入材料。在一些實施例中，所述方法包括使用疊壓機94以將部件保持在一起。在一些實施例中，外力與待鍵合的表面積成比例。部件在真空中被加熱到預(yù)定溫度持續(xù)預(yù)定的鍵合時間段。在一些實施例中，在部件之間產(chǎn)生共價鍵。

在一些實施例中，硅部件被加熱到熔點的6％以內(nèi)的溫度。熱從部件的側(cè)面流入部件的中心，從而導(dǎo)致局部外表面熔融。毛細管力將熔融物牽引到兩部件之間的間隙并將兩部件鍵合在一起。因為部件的材料是相同的，并且沒有使用任何附加材料，因此所得到的組件具有非常高的純度。相比于使用彈性體或液體結(jié)合劑結(jié)合的部件，在襯底處理系統(tǒng)中的后續(xù)使用過程中的污染被減少。此外，在鍵合部件中沒有CTE失配引起的剪應(yīng)力。

在一些實施例中，在不使用惰性氣體的情況下，鍵合裝置中的壓強小于1托。在一些實施例中，當(dāng)使用惰性氣體時，鍵合裝置中的壓強小于1個大氣壓。在一些實施例中，處理溫度高于或等于1335℃且低于1414℃(硅的熔化溫度)。在一些實施例中，處理時間段在介于10小時和50小時之間

在一些實施例中，在硅部件和外部裝置(如基座60和/或疊壓機94)之間使用碳材料96。在一些實施例中，碳材料96包括石墨或柔性石墨(Grafoil)，但也可以使用其它材料。

通過本文描述系統(tǒng)和方法產(chǎn)生的鍵具有超過2000psi的拉伸強度。鍵的電阻率等于體硅的電阻率。鍵的熱傳導(dǎo)率(1.17+/-0.09W/cm-K)等于體硅的電阻率(1.18至1.20W/cm-K)。對于具有相同的電阻率和載流子類型的部件，鍵將具有相同的電阻率和載流子類型。對于具有不同載流子類型的部件，鍵相比于這兩個部件具有較高的電阻率，并且p-n結(jié)會形成。

此外，本文描述的系統(tǒng)和方法能實現(xiàn)對于襯底處理系統(tǒng)是有用的高的工作溫度(例如，高于1000℃)。僅作為示例，可以在直接面對基于鹵素的等離子體區(qū)域使用鍵合組件。

在圖2中，基座蓋98可以用于覆蓋基座60的內(nèi)腔65的開口。在圖3中，可以使用基座60而沒有基座蓋98和側(cè)壁62。

在圖4中，類似的方法用于將由碳化硅(SiC)制成的兩個或更多個部件鍵合在一起。例如，第一碳化硅部件101被鍵合到第二碳化硅部件103。在一些實施例中，在容器105中布置第一碳化硅部件101和第二碳化硅部件103直接接觸，伴隨著SiC/Si粉末基質(zhì)107圍繞第一碳化硅部件101和第二碳化硅部件103。SiC/Si粉末基質(zhì)107減少可對形成的鍵造成負面影響的升華。第一碳化硅部件101和第二碳化硅部件103被加熱到介于1600℃和2000℃之間的溫度范圍。在一些實施例中，可以使用以上描述的類似的壓強。在一些實施例中，可使用在亞大氣壓下的諸如Ar等惰性氣體。

現(xiàn)在參考圖5，控制系統(tǒng)109可用于在部件的鍵合期間控制鍵合裝置50的操作?？刂葡到y(tǒng)109包括與熱電偶114(如熱電偶86和88)通信以監(jiān)測內(nèi)腔59內(nèi)的溫度的控制器110。控制器110也可與排放泵116和排放閥118通信，以產(chǎn)生真空壓強和/或排空內(nèi)腔59。

控制器110可與壓力傳感器120通信，以控制內(nèi)腔59內(nèi)的壓強。使用一個或多個閥122和一個或多個質(zhì)量流量控制器(MFC)124，惰性氣體可以被輸送到熱絕緣結(jié)構(gòu)56的內(nèi)腔59。控制器110可以與一個或多個加熱器126(如圖1和2中的加熱器74和76)通信以控制鍵合過程中鍵合裝置50中的溫度?？刂破?10可與內(nèi)部計時器(未示出)或外部計時器128通信以確定預(yù)定的鍵合時間段。

現(xiàn)在參考圖6，示出了用于將部件鍵合在一起的方法152。在154，兩個或多個部件被布置成在鍵合裝置中直接接觸。在碳化硅部件的情況下，SiC部件被布置在容器內(nèi)的SiC/Si粉末基質(zhì)中。在156，疊壓機可用于提供外力以保持兩個或更多個部件的鍵合表面在一起。在158，壓強保持在鍵合裝置內(nèi)的預(yù)定壓強下。在160，加熱器保持在鍵合過程中鍵合裝置中的預(yù)定溫度。在162，方法判定預(yù)定鍵合時間段是否結(jié)束。如果不是，則該方法返回到158。否則，該方法結(jié)束。

使用本發(fā)明描述的系統(tǒng)和方法形成的硅鍵或碳化硅鍵是Si-Si或Si-C共價鍵。鍵不包括外來物質(zhì)：如氧、氫或作為結(jié)合劑的金屬。鍵因此不包括弱范德華力、氫鍵、陽極鍵、或附著力。

本發(fā)明描述的系統(tǒng)和方法公開了使用具有低溫度梯度的鍵合裝置在鄰近硅或碳化硅的熔點進行鍵合。本發(fā)明描述的系統(tǒng)和方法提供了具有所需的物理性能的高純度的硅或碳化硅。本發(fā)明描述的系統(tǒng)和方法在襯底處理系統(tǒng)中使用的元件的設(shè)計和制造過程中提供了額外的靈活性。

前面的描述在本質(zhì)上僅僅是說明性的，并且不以任何方式旨在限制本公開、本公開的應(yīng)用或用途。本公開的廣泛教導(dǎo)可以以各種形式來實現(xiàn)。由于其它的修改將根據(jù)對附圖、說明書和權(quán)利要求書的研究變得顯而易見，因此，雖然本公開包括特定示例，但本公開的真實范圍不應(yīng)當(dāng)受此限制。應(yīng)該理解的是，方法中的一個或多個步驟可以以不同的順序(或同時)而不改變本公開的原理來執(zhí)行。此外，雖然各實施方式在以上描述為具有某些特征，但相對于本公開的任何實施方式描述的這些特征中的任何一個或多個可以在任何其它實施方式中實施和/或組合任何其它實施方式中的特征實施，即使未明確說明該組合也如此。換句話說，所述實施方式不是相互排斥的，并且一個或多個實施方式相互的置換保持在本公開內(nèi)容的范圍內(nèi)。

使用各種術(shù)語來描述元件之間(例如，模塊、電路元件、半導(dǎo)體層等之間)的空間和功能上的關(guān)系，所述術(shù)語包括“連接”、“接合”、“聯(lián)接”，“相鄰”，“接近”、“之上”、“上方”、“下方”和“處于”。當(dāng)在上述公開內(nèi)容中描述第一元件和第二元件之間的關(guān)系時，除非明確描述為“直接”，否則所述關(guān)系可以是其中沒有其他中間元件存在于第一元件和第二元件之間的直接關(guān)系，但也可以是其中一個或多個中間元件(無論是在空間上或功能上)存在于第一元件和第二元件之間的間接關(guān)系。如本文所用，短語A、B和C中的至少一個應(yīng)該被解釋為是指使用非排他性邏輯或(OR)的邏輯(A或B或C)，并且不應(yīng)該被解釋為表示“至少一個A，至少一個B，和至少一個C”。

在一些實施方式中，控制器可以控制系統(tǒng)的各種部件或子部件。根據(jù)系統(tǒng)的處理要求和/或類型，控制器可以被編程為控制本文公開的任何處理，包括處理氣體的輸送、溫度設(shè)置(例如，加熱和/或冷卻)、壓力設(shè)置、熱設(shè)置、真空設(shè)置、功率設(shè)置、流率設(shè)置、位置和操作設(shè)置。

控制器可以被定義為具有接收指令、發(fā)出指令、控制操作、監(jiān)控測量參數(shù)等的各種集成電路、處理器、邏輯、存儲器和/或軟件的電子設(shè)備。集成電路可以包含存儲程序指令的固件形式的芯片、數(shù)字信號處理器(DSP)、定義為特定應(yīng)用集成電路(ASIC)的芯片、和/或一個或多個微處理器，或者執(zhí)行程序指令(例如，軟件)的微控制器。程序指令可以是傳輸?shù)娇刂破鞯闹噶?，形式為各種單獨設(shè)置(或程序文件)，定義用于進行對系統(tǒng)的特定處理的可操作的參數(shù)。在某些實施方式中，操作參數(shù)是由工藝工程師定義的配方的部分，以在結(jié)合過程中完成一個或多個處理步驟。

在一些實施方式中，所述控制器可以是計算機的一部分或耦合到計算機，該計算機與系統(tǒng)集成、耦接至系統(tǒng)、或者通過網(wǎng)絡(luò)連接至系統(tǒng)，或者其組合。在一些實施例中，所述控制器接收數(shù)據(jù)形式的指令，其指明了在一個或多個操作期間待執(zhí)行的每個處理步驟的參數(shù)。應(yīng)該理解的是，參數(shù)對于要執(zhí)行的處理的類型，以及控制器被配置為對接或者控制的工具的類型是特定的。因此如上所述，控制器可以是分布式的，諸如通過包括用通過網(wǎng)絡(luò)接在一起并朝向共同的目標(biāo)(諸如本文說明的處理和控制)工作的一個或多個離散控制器而分布。