1.一種發(fā)光二極管元件，包含：
一串聯(lián)式連接的發(fā)光二極管元件陣列，包含：
多個發(fā)光二極管單元，置于一單一基板上，包含；
一第一發(fā)光二極管單元；
一第二發(fā)光二極管單元；以及
一子發(fā)光二極管單元陣列，介于該第一發(fā)光二極管單元與該第二發(fā)光二極管單元之間，包含至少三個子發(fā)光二極管單元；
其中該第一發(fā)光二極管單元，該子發(fā)光二極管單元陣列，第二發(fā)光二極管單元彼此間電性串聯(lián)；
其中，每一該發(fā)光二極管單元包含一活性層位于一第一半導(dǎo)體層與一第二半導(dǎo)層之間；
其中，該第一發(fā)光二極管單元與該第二發(fā)光二極管單元各具有一第一側(cè)與一第二側(cè)，該第一發(fā)光二極管單元及/或該第二發(fā)光二極管單元的該第一側(cè)鄰近該子發(fā)光二極管單元陣列，該第一發(fā)光二極管單元的該第二側(cè)鄰近該第二發(fā)光二極管單元的該第二側(cè)，該第一發(fā)光二極管單元的該第一半導(dǎo)體層與該第二發(fā)光二極管單元的該第一半導(dǎo)體層位于兩相鄰第二側(cè)之間的距離介于15-50微米(μm)；
一溝槽，位于該第一發(fā)光二極管單元的該第二側(cè)與該第二發(fā)光二極管單元的該第二側(cè)之間；以及
多個傳導(dǎo)金屬，分別位于相鄰的該第一發(fā)光二極管單元及該子發(fā)光二極管單元陣列之間、相鄰的該第二發(fā)光二極管單元及該子發(fā)光二極管單元陣列之間、以及相鄰的該子發(fā)光二極管單元之間且串聯(lián)彼此，該些傳導(dǎo)金屬分別包含一延伸部，該延伸部包含一末端，該末端具有大于該傳導(dǎo)金屬線寬的曲率半徑。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中，該第一發(fā)光二極管單元上的該傳導(dǎo)金屬與該第二發(fā)光二極管單元上的該傳導(dǎo)金屬的最小間距大于80微米(μm)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中，該發(fā)光二極管單元的該第一半導(dǎo)體層包含一圓弧角落。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管元件，其中該圓弧角落包含一不小于15微米(μm)的曲率半徑及/或該圓弧角落位于該第二側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中，該三個子發(fā)光二極管單元其中之一的形狀與該第二發(fā)光二極管單元的形狀相同，且與該第一發(fā)光二極管單元形狀不同；該子發(fā)光二極管單元包含一第一側(cè)及一第二側(cè)，該第二發(fā)光二極管單元的該第一側(cè)鄰近該子發(fā)光二極管單元的該第一側(cè)，該第一發(fā)光二極管單元的該第二側(cè)鄰近于該第二發(fā)光二極管單元的該第二側(cè)及該子發(fā)光二極管單元的該第二側(cè)部分。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中，該串聯(lián)式連接的發(fā)光二極管元件陣列還包含至少八個發(fā)光二極管單元，其中該發(fā)光二極管元件陣列還包含兩個分支及/或該發(fā)光二極管元件陣列中，任兩個連續(xù)連接的該發(fā)光二極管單元會改變其排列的方向。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，更包含一保護結(jié)構(gòu)，至少覆蓋該溝槽局部以預(yù)防一高于正常操作電壓的突波電壓破壞該發(fā)光二極管元件。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，其中該保護結(jié)構(gòu)包含：
一第一絕緣層，填充于該溝槽中；以及
一第二絕緣層，位于該第一絕緣層上。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，另包含一金屬結(jié)構(gòu)位于兩相鄰該第二側(cè)的該溝槽內(nèi)，連接至該傳導(dǎo)金屬。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管元件，其中，該金屬結(jié)構(gòu)包含一連接至該第一發(fā)光二極管單元上的該傳導(dǎo)金屬的第一金屬層，以及一連接至該第二發(fā)光二極管單元上的該傳導(dǎo)金屬的第二金屬層。