1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
多個第一接觸，沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向以預(yù)定距離布置；
多個第二接觸，交替地布置在第一接觸之間，且沿第一方向和第二方向以預(yù)定距離布置；
多個狗骨頭型導(dǎo)線，分別連接至所述多個第二接觸之中的沿第二方向布置的第二接觸，且具有凹部和凸部；以及
多個刻蝕阻止圖案，分別形成在所述多個導(dǎo)線之上以與導(dǎo)線交疊。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導(dǎo)線的線寬。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，導(dǎo)線的凹部位于與第一接觸相對應(yīng)的位置處。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，導(dǎo)線的凸部位于沿第二方向布置的第二接觸之上。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案以具有凹部和凸部的狗骨頭型來形成，且刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導(dǎo)線的線寬。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案具有凹部和凸部，且以反狗骨頭型來形成，所述反狗骨頭型的凸部和凹部分別與導(dǎo)線的凹部和凸部交疊。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案以線型來形成，且刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導(dǎo)線的凸部的線寬。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在導(dǎo)線的兩個側(cè)表面上的間隔物。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括以網(wǎng)格型布置而與第一接觸交疊的多個第三接觸。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括布置在第三接觸之上以與第三接觸接觸的數(shù)據(jù)儲存元件。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，數(shù)據(jù)儲存元件包括電容器或可變電阻元件。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案包括絕緣材料。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案包括氮化物材料。
14.一種半導(dǎo)體器件，包括：
多個第一接觸，沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向以預(yù)定距離布置；
多個第二接觸，交替地布置在第一接觸之間，且沿第一方向和第二方向以預(yù)定距離布置；
多個導(dǎo)線，分別連接至所述多個第二接觸之中的沿第二方向布置的第二接觸；以及
多個刻蝕阻止圖案，分別形成在所述多個導(dǎo)線之上以與導(dǎo)線交疊，且刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導(dǎo)線的線寬。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案包括線圖案。
16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案以具有凹部和凸部的狗骨頭型來形成，且刻蝕阻止圖案的凸部位于與第一接觸相對應(yīng)的位置處。
17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在導(dǎo)線的兩個側(cè)表面上的間隔物。
18.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括以網(wǎng)格型布置以與第一接觸交疊的多個第三接觸。
19.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案包括絕緣材料。
20.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，刻蝕阻止圖案包括氮化物材料。