本發(fā)明涉及具備了多個電子元件的復(fù)合電子部件。

背景技術(shù)：

以往，關(guān)于具備了多個電子元件的復(fù)合電子部件，從電子部件相對于布線基板的高集成化的觀點出發(fā)已提出若干個發(fā)明。

例如，在JP特開2001-338838號公報(專利文獻(xiàn)1)中公開了由電容器與電阻器構(gòu)成的復(fù)合電子部件。在該復(fù)合電子部件中，在貼片型電容器的電容器主體的表面上設(shè)置了電阻器，該電阻器和設(shè)置在電容器主體的表面上的一對外部電極連接。

再有，在JP特開平6-283301號公報(專利文獻(xiàn)2)中公開了以下復(fù)合電子部件：從貼片型電阻、貼片型熱敏電阻、貼片型電容器及貼片型變阻器等群組中選出的2種以上的相同形狀且相同尺寸的長方體形狀的貼片型元件沿著這些元件的厚度方向而相互重合，進(jìn)而設(shè)置于這些元件的端子電極被引線框一并覆蓋，由此被一體化。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：JP特開2001-338838號公報

專利文獻(xiàn)2：JP特開平6-283301號公報

本發(fā)明人們在JP特愿2015-049457中提出了與上述專利文獻(xiàn)1及2所公開的復(fù)合電子部件相比能夠進(jìn)一步提高電路設(shè)計的自由度的復(fù)合電子部件。該復(fù)合電子部件是在對于絕緣性基部附加無源元件的功能而成的一個基板型的電子元件上接合了另一個電子元件的新構(gòu)成的復(fù)合電子部件。

在該新構(gòu)成的復(fù)合電子部件中，基板型的電子元件的絕緣性基部的上表面成為與另一個電子元件對置的面。在該上表面設(shè)置了經(jīng)由接合材料而 連接另一個電子元件的上表面導(dǎo)體。再有，在該新構(gòu)成的復(fù)合電子部件的某形態(tài)中，在基板型的電子元件的絕緣性基部的上表面，除了前述的上表面導(dǎo)體以外，還設(shè)置有與該基板型的電子元件中包含的電學(xué)性功能部連接的其他上表面導(dǎo)體。

這些上表面導(dǎo)體一般來說為了獲得足夠的導(dǎo)電性而構(gòu)成為包括含有Ag或Cu的導(dǎo)電層。然而，Ag及Cu是容易引起所謂的“離子遷移(ionmigration)”的問題的導(dǎo)電材料，即：因電場起作用，由此其一部分離子化并向其他場所移動，在該移動后再次被還原而析出。

因而，在采用如上述的新構(gòu)成的復(fù)合電子部件的上表面導(dǎo)體，另一方面，對于離子遷移的問題卻未施以任何對策的情況下，存在上表面導(dǎo)體間的絕緣電阻降低的擔(dān)憂。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明正是為了解決上述問題而完成的，其目的在于，提供一種能夠抑制被接合的多個電子部件之中的基板型電子部件中的上表面導(dǎo)體彼此的絕緣電阻的降低的復(fù)合電子部件。

基于本發(fā)明的復(fù)合電子部件具備：第1電子元件；第2電子元件，在高度方向上被安裝于上述第1電子元件；和接合材料，對上述第1電子元件與上述第2電子元件進(jìn)行接合。上述第1電子元件具有：絕緣性的基部，具有與上述高度方向交叉的上表面；和上表面導(dǎo)體，被設(shè)置在上述基部的上述上表面。上述第2電子元件具有：元件主體，在上述高度方向上具有與上述基部的上述上表面對置的下表面；和端子導(dǎo)體，被設(shè)置在上述元件主體的上述下表面的至少一部分。上述接合材料對上述上表面導(dǎo)體的至少一部分和上述端子導(dǎo)體的至少一部分進(jìn)行接合。上述上表面導(dǎo)體包含：導(dǎo)電層，作為重量比最大的金屬成分而含有Ag或Cu，上述導(dǎo)電層的側(cè)面的至少一部分被保護(hù)金屬膜覆蓋。上述保護(hù)金屬膜中含有的重量比最大的金屬成分為除Ag及Cu以外的金屬。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述保護(hù)金屬膜中含有的重量比最大的金屬成分優(yōu)選為Sn、Ni、Au及Pb之中的任意一種。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述保護(hù)金屬膜也可以是包含 在上述上表面導(dǎo)體中的、對上述導(dǎo)電層的上表面及上述側(cè)面進(jìn)行覆蓋的覆蓋導(dǎo)電層。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述保護(hù)金屬膜也可以是鍍覆層。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述保護(hù)金屬膜也可以是上述接合材料的一部分。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，優(yōu)選上述上表面導(dǎo)體的大小在與上述高度方向正交的任意方向上均小于上述端子導(dǎo)體的大小。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述上表面導(dǎo)體的厚度優(yōu)選為5[μm]以上。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，也可上述上表面導(dǎo)體包含：第1上表面導(dǎo)體及第2上表面導(dǎo)體，在與上述高度方向正交的長度方向上相互隔離開；和第3上表面導(dǎo)體，位于上述第1上表面導(dǎo)體與上述第2上表面導(dǎo)體之間，并且，上述端子導(dǎo)體包含：第1端子導(dǎo)體及第2端子導(dǎo)體，在上述長度方向上相互隔離開。該情況下，也可上述第1端子導(dǎo)體通過上述接合材料而與上述第1上表面導(dǎo)體接合，并且上述第2端子導(dǎo)體通過上述接合材料而與上述第2上表面導(dǎo)體接合。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，也可上述第1上表面導(dǎo)體在與上述高度方向及上述長度方向正交的寬度方向上位于上述第1端子導(dǎo)體的兩端之間，并且上述第2上表面導(dǎo)體在上述寬度方向上位于上述第2端子導(dǎo)體的兩端之間。該情況下，優(yōu)選上述第1上表面導(dǎo)體的上述側(cè)面之中與上述寬度方向正交的側(cè)面被上述保護(hù)金屬膜覆蓋，并且上述第2上表面導(dǎo)體的上述側(cè)面之中與上述寬度方向正交的側(cè)面被上述保護(hù)金屬膜覆蓋。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述基部的上述寬度方向上的尺寸也可以比上述第2電子元件的上述寬度方向上的尺寸大。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，也可上述第1上表面導(dǎo)體在上述長度方向上位于上述第1端子導(dǎo)體的外端與上述第2端子導(dǎo)體的外端之間，并且上述第2上表面導(dǎo)體在上述長度方向上位于上述第1端子導(dǎo)體的外端與上述第2端子導(dǎo)體的外端之間。該情況下，優(yōu)選上述第1上表面導(dǎo) 體的上述側(cè)面之中與上述長度方向正交的側(cè)面被上述保護(hù)金屬膜覆蓋，并且上述第2上表面導(dǎo)體的上述側(cè)面之中與上述長度方向正交的側(cè)面被上述保護(hù)金屬膜覆蓋。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述基部的上述長度方向上的尺寸也可以比上述第2電子元件的上述長度方向上的尺寸大。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述元件主體可以包含被層疊的多個電介質(zhì)層及多個導(dǎo)電體層，此外在該情況下，上述第1電子元件也可以包含：電阻器，被設(shè)置在上述基部的上述上表面且與上述第3上表面導(dǎo)體連接。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述上表面導(dǎo)體可以包含位于上述第1上表面導(dǎo)體與上述第2上表面導(dǎo)體之間的第4上表面導(dǎo)體，此外在該情況下，上述電阻器也可以與上述第4上表面導(dǎo)體連接。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，也可上述上表面導(dǎo)體包含：第1上表面導(dǎo)體及第2上表面導(dǎo)體，在與上述高度方向正交的長度方向上相互隔離開，并且，上述端子導(dǎo)體包含：第1端子導(dǎo)體及第2端子導(dǎo)體，在上述長度方向上相互隔離開。該情況下，也可上述第1端子導(dǎo)體通過上述接合材料而與上述第1上表面導(dǎo)體接合，并且上述第2端子導(dǎo)體通過上述接合材料而與上述第2上表面導(dǎo)體接合。進(jìn)而，該情況下，也可上述第1電子元件還具有：下表面導(dǎo)體，被設(shè)置在上述基部的位于與上述上表面相反的一側(cè)的下表面，并且，上述下表面導(dǎo)體包含：第1下表面導(dǎo)體及第2下表面導(dǎo)體，在上述長度方向上相互隔離開；和第3下表面導(dǎo)體，位于上述第1下表面導(dǎo)體與上述第2下表面導(dǎo)體之間。再者，該情況下，也可上述元件主體包含被層疊的多個電介質(zhì)層及多個導(dǎo)電體層，并且上述第1電子元件包含：電感器布線，被設(shè)置在上述基部的內(nèi)部且與上述第3下表面導(dǎo)體電連接。

在基于上述本發(fā)明的復(fù)合電子部件中，上述下表面導(dǎo)體可以包含位于上述第1下表面導(dǎo)體與上述第2下表面導(dǎo)體之間的第4下表面導(dǎo)體，此外在該情況下也可上述電感器布線與上述第4下表面導(dǎo)體電連接。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可抑制被接合的多個電子部件之中的基板型的電子部件中的上表面導(dǎo)體彼此的絕緣電阻的降低的復(fù)合電子部件。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實施方式1所涉及的復(fù)合電子部件的簡要性立體圖。

圖2是圖1所示出的復(fù)合電子部件的示意性剖視圖。

圖3是圖1所示出的電阻元件的示意性頂視圖及底視圖。

圖4是圖1所示出的復(fù)合電子部件被分解后的示意性立體圖。

圖5是圖1所示出的復(fù)合電子部件的示意性剖視圖及將主要部分放大后的示意性剖視圖。

圖6是用于說明圖1所示出的復(fù)合電子部件的制造工序的流程圖。

圖7是用于說明圖6所示出的開孔工序的示意性俯視圖。

圖8是用于說明圖6所示出的導(dǎo)電性膏的印刷工序的示意性俯視圖。

圖9是用于說明圖6所示出的電阻器膏的印刷工序的示意性俯視圖。

圖10是用于說明圖6所示出的保護(hù)膜的涂覆工序的示意性俯視圖。

圖11是用于說明圖6所示出的母基板的切斷工序的示意性俯視圖。

圖12是用于說明圖6所示出的接合材料的印刷工序及電容器元件的載置工序的示意性俯視圖。

圖13是用于說明圖6所示出的接合材料的印刷工序及電容器元件的載置工序的示意性側(cè)視圖。

圖14是將本發(fā)明的實施方式2所涉及的復(fù)合電子部件的主要部分放大后的示意性剖視圖。

圖15是用于說明圖14所示出的電阻元件的制作流程中的給定工序的示意性剖視圖。

圖16是將本發(fā)明的實施方式3所涉及的復(fù)合電子部件的主要部分放大后的示意性剖視圖。

圖17是用于說明圖16所示出的電阻元件的制作流程中的給定工序的示意性剖視圖。

圖18是將本發(fā)明的實施方式4所涉及的復(fù)合電子部件的主要部分放大后的示意性剖視圖。

圖19是將本發(fā)明的實施方式5所涉及的復(fù)合電子部件的主要部分放大后的示意性剖視圖。

圖20是將本發(fā)明的實施方式6所涉及的復(fù)合電子部件的主要部分放大后的示意性剖視圖。

圖21是本發(fā)明的實施方式7所涉及的復(fù)合電子部件的示意性剖視圖。

圖22是圖21所示出的電感器元件的示意性頂視圖、剖視圖及底視圖。

符號說明

1A～1G 復(fù)合電子部件、10 電容器元件、11 電容器主體、11a 下表面、12 電介質(zhì)層、13 內(nèi)部電極層、14A 第1外部電極、14B 第2外部電極、14a 基底導(dǎo)電層、14b，14c 覆蓋導(dǎo)電層、20A～20F 電阻元件、20G 電感器元件、21 基部、21a 上表面、21b 下表面、22 電阻器、23 保護(hù)膜、24A 第1上表面導(dǎo)體、24B 第2上表面導(dǎo)體、24C 第3上表面導(dǎo)體、24D 第4上表面導(dǎo)體、24a 基底導(dǎo)電層、24a1 側(cè)面、24b，24c 覆蓋導(dǎo)電層、25A 第1下表面導(dǎo)體、25B 第2下表面導(dǎo)體、25C 第3下表面導(dǎo)體、25D 第4下表面導(dǎo)體、25a 基底導(dǎo)電層、25b，25c 覆蓋導(dǎo)電層、26A 第1連接導(dǎo)體(第1過孔導(dǎo)體)、26B 第2連接導(dǎo)體(第2過孔導(dǎo)體)、26C 第3連接導(dǎo)體(第3過孔導(dǎo)體)、26D 第4連接導(dǎo)體(第4過孔導(dǎo)體)、28 電感器布線、31 第1接合材料、32 第2接合材料、121 陶瓷生片、121a 上表面、121b 下表面、121’ 母基板、121a’ 上表面、121b’ 下表面、122 電阻器圖案、124a，125a，126 導(dǎo)電圖案、128 貫通孔、129a，129b 溝槽部。

具體實施方式

以下參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實施方式。其中，在以下所示的實施方式的記載中，針對相同或相應(yīng)的部分，在本說明書中及圖中賦予相同的符號，原則上不再重復(fù)其說明。

另外，在此作為構(gòu)成本說明書的一部分的內(nèi)容，援引本發(fā)明人們提出的JP特愿2015-049457的內(nèi)容。

(實施方式1)

圖1是本發(fā)明的實施方式1所涉及的復(fù)合電子部件1A的簡要性立體圖。圖2(A)及圖2(B)是沿著圖1中所示出的IIA-IIA線及IIB-IIB線切斷了本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A時的示意性剖視圖。圖3 (A)及圖3(B)是圖1所示出的電阻元件20A的示意性頂視圖及底視圖。圖4是圖1所示出的本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A被分解后的示意性立體圖。再有，圖5(A)是沿著圖2中所示出的VA-VA線切斷了本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A時的示意性剖視圖。圖5(B)是將圖5(A)中所示出的區(qū)域VB放大后的示意性剖視圖。首先，參照這些圖1～圖5來說明本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A的構(gòu)成。

如圖1、圖2、圖4及圖5所示，本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A具備兩個電子元件。即，復(fù)合電子部件1A具備作為第1電子元件的電阻元件20A和作為第2電子元件的電容器元件10。電容器元件10是包括電容器要素(C)的電子部件。電阻元件20A是包括電阻要素(R)的電子部件。

電容器元件10具有大致長方體形狀，沿著后述的長度方向L的4邊的尺寸比沿著后述的寬度方向W的4邊的尺寸更大。此處提及的大致長方體形狀包含在電容器元件10的角部及棱部設(shè)置了圓角等的形狀、在電容器元件10的表面設(shè)置了臺階、凹凸等的形狀等。

電阻元件20A具有大致平板形狀，該大致平板形狀具有給定厚度，沿著后述的長度方向L的4邊的尺寸比沿著后述的寬度方向W的4邊的尺寸更大。此處提及的大致平板形狀包含在電阻元件20A的角部及棱部設(shè)置了圓角等的形狀、在電阻元件20A的表面設(shè)置了臺階、凹凸等的形狀等。

如圖1、圖2及圖5所示，電容器元件10配置于電阻元件20A上。即，配置各電子元件，以使得電容器元件10的下表面11a與電阻元件20的上表面21a對置。而且，電容器元件10經(jīng)由第1及第2接合材料31、32而與電阻元件20A接合。

在此，為了具體地說明復(fù)合電子部件1A的構(gòu)成，將電容器元件10與電阻元件20A排列的方向稱為高度方向H。而且，將與該高度方向H正交的方向之中后述的電容器元件10的第1及第2外部電極14A、14B排列的方向稱為長度方向L。再有，將與該高度方向H及長度方向L的任意方向都正交的方向稱為寬度方向W。

如圖1、圖2、圖4及圖5所示，電容器元件10例如是層疊陶瓷電容 器，具有作為元件主體的電容器主體11和作為端子導(dǎo)體的第1及第2外部電極14A、14B。另外，在本說明書中，也有時將這些第1及第2外部電極14A、14B稱為第1及第2端子導(dǎo)體。電容器主體11具有大致長方體形狀，其表面的給定區(qū)域內(nèi)所設(shè)置的第1及第2外部電極14A、14B在長度方向L上例如以300[μm]的距離相互隔離開。

如圖2及圖5所示，電容器主體11由多個電介質(zhì)層12及多個內(nèi)部電極層13構(gòu)成，構(gòu)成為各電介質(zhì)層12與各內(nèi)部電極層13交替地層疊。在本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A中，多個電介質(zhì)層12及多個內(nèi)部電極層13的層疊方向與高度方向H一致。不過，這只是一例而已，多個電介質(zhì)層12及多個內(nèi)部電極層13的層疊方向也可以與寬度方向W一致。

電介質(zhì)層12例如含有包含以鈦酸鋇(BaTiO₃)、鈦酸鈣(CaTiO₃)、鈦酸鍶(SrTiO₃)、或鋯酸鈣(CaZrO₃)等為主成分的陶瓷材料的材料。再有，作為含量比主成分少的副成分，電介質(zhì)層12也可以包含Mn、Mg、Si、Co、Ni、或稀土類等。另一方面，內(nèi)部電極層13例如含有包含Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、或Au等金屬材料的材料。

如圖5(B)所示，第1及第2外部電極14A、14B均由包括基底導(dǎo)電層14a、覆蓋導(dǎo)電層14b及不同于覆蓋導(dǎo)電層14b的覆蓋導(dǎo)電層14c在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。在圖5(B)中，僅示出第1外部電極14A?；讓?dǎo)電層14a例如由通過燒固Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、或Au等的膏而形成的燒結(jié)金屬層來構(gòu)成。例如，覆蓋導(dǎo)電層14b是作為鍍覆層的Ni層，覆蓋導(dǎo)電層14c是作為對覆蓋導(dǎo)電層14b進(jìn)行覆蓋的鍍覆層的Sn層。取而代之，覆蓋導(dǎo)電層14b、14c也可以是作為鍍覆層的Cu層、Au層。

本實施方式中，基底導(dǎo)電層14a由作為燒結(jié)金屬層的Cu層構(gòu)成，覆蓋導(dǎo)電層14b由作為鍍覆層的Ni層構(gòu)成，覆蓋導(dǎo)電層14c由作為鍍覆層的Sn層構(gòu)成。作為鍍覆層的Ni層即覆蓋導(dǎo)電層14b被作為鍍覆層的Sn層即覆蓋導(dǎo)電層14c覆蓋。

另外，第1及第2外部電極14A、14B也可以省略基底導(dǎo)電層14a而僅由鍍覆層來構(gòu)成。再有，基底導(dǎo)電層14a也可以由使包含金屬成分與樹脂成分的導(dǎo)電性樹脂膏固化而得到的導(dǎo)電性樹脂層來構(gòu)成。

如圖1、圖2及圖5所示，電容器主體11具有：在長度方向L上相對的一對端面、在寬度方向W上相對的一對側(cè)面、以及在高度方向H上相對的一對主面。其中，作為在高度方向H上相對的一對主面之中的一個主面的下表面11a與電阻元件20A對置。

再有，第1外部電極14A與電容器主體11的一個端面、上述一對側(cè)面及上述一對主面各自的一部分相連地設(shè)置，第2外部電極14B與電容器主體11的另一個端面、上述一對側(cè)面及上述一對主面各自的一部分相連地設(shè)置。由此，電容器主體11的下表面11a的給定區(qū)域被在長度方向L上相互隔離開的第1及第2外部電極14A、14B覆蓋，在這些第1及第2外部電極14A、14B之間露出了電容器主體11的下表面11a的一部分。

如圖2所示，沿著高度方向H而隔著一個電介質(zhì)層12相鄰的一對內(nèi)部電極層13之中的一個內(nèi)部電極層被引出至電容器主體11的一對端面之中的一個端面并與第1及第2外部電極14A、14B之中的一個外部電極電連接。而且，另一個內(nèi)部電極層13被引出至電容器主體11的一對端面之中的另一個端面并與第1及第2外部電極14A、14B之中的另一個外部電極電連接。由此，第1及第2外部電極14A、14B間呈多個電容器被并聯(lián)地電連接的狀態(tài)。

上述的電容器元件10例如通過以下順序來制造。首先，通過將在成為電介質(zhì)層12的陶瓷生片的表面上印刷成為內(nèi)部電極層13的導(dǎo)電性膏而成的原材料片交替地層疊，并進(jìn)行壓接，由此來得到層疊芯片。在此，也可以預(yù)先準(zhǔn)備多個層疊芯片已被一體化的層疊塊，將該層疊塊切分來得到層疊芯片。接著，對層疊芯片進(jìn)行燒成，由此來得到電容器主體11。而且，然后在電容器主體11的表面形成第1及第2外部電極14A、14B，由此制造上述的電容器元件10。

另外，電容器元件10的大小雖然并未特別地限制，但作為一例，其長度方向L的尺寸為0.62[mm]，其寬度方向W的尺寸為0.32[mm]，其高度方向H的尺寸為0.32[mm]。

如圖1～圖5所示，電阻元件20A具有絕緣性的基部21、電阻器22、保護(hù)膜23、第1～第4上表面導(dǎo)體24A～24D、第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D、和第1～第4連接導(dǎo)體26A～26D。在第1～第4連接導(dǎo)體26A～26D 作為過孔導(dǎo)體而設(shè)置于基部21的內(nèi)部的情況下，也可以將這些導(dǎo)體稱為第1～第4過孔導(dǎo)體26A～26D。

基部21具有大致平板形狀，該大致平板形狀具有給定厚度，例如由環(huán)氧樹脂等樹脂材料、氧化鋁等陶瓷材料、或者在這些材料中添加包含無機材料或有機材料的填料或無紡布等而獲得的材料等來構(gòu)成。更優(yōu)選的是，將氧化鋁基板、包括低溫同時燒成陶瓷(LTCC)基板的陶瓷基板用作基部21。其中，在本實施方式中，作為基部21利用的是LTCC基板。

基部21具有：作為在長度方向L上相對的一對側(cè)面的第1及第2側(cè)面；作為在寬度方向W上相對的一對側(cè)面的第3及第4側(cè)面；以及在高度方向H上相對的一對主面。如圖2、圖4及圖5所示，作為一對主面之中的一個主面的上表面21a與電容器元件10對置，作為一對主面之中的另一個主面的下表面21b成為與安裝復(fù)合電子部件1A的布線基板(未圖示)對置的面。為了防止布線基板上相鄰地安裝的另一個電子部件和第2電子元件接觸，優(yōu)選使基部21的長度方向L的尺寸大于第2電子元件的長度方向L的尺寸，此外，也優(yōu)選使基部21的寬度方向W的尺寸大于第2電子元件的寬度方向W的尺寸。

如圖2及圖3所示，電阻器22設(shè)置在基部21的上表面21a的給定位置，在沿著高度方向H進(jìn)行俯視的情況下，例如具有矩形或圓形的膜形狀。作為電阻器22，例如可利用金屬覆膜、氧化金屬覆膜、或作為氧化金屬覆膜與玻璃的混合物的金屬釉料覆膜等。

保護(hù)膜23在基部21的上表面21a上覆蓋電阻器22的至少一部分，例如由包含玻璃材料、樹脂材料等的絕緣性的膜來構(gòu)成。在此，保護(hù)膜23優(yōu)選將電阻器22完全覆蓋，以使得電阻器22不會露出。

第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B設(shè)置在基部21的上表面21a，由矩形狀的導(dǎo)電層構(gòu)成。第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的長度方向L的尺寸例如為0.125[mm]。第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B在長度方向L上例如以0.36[mm]的距離相互隔離開，且配置于基部21的上表面21a的長度方向L上的兩端部近旁。第1上表面導(dǎo)體24A與第1側(cè)面、第3側(cè)面及第4側(cè)面相距給定間隔、例如0.025[mm]的距離。再有，第2上表面導(dǎo)體24B與第2側(cè)面、第3側(cè)面及第4側(cè)面相距給定間隔、 例如0.025[mm]的距離。基部21的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B包含：所含有的金屬成分之中重量比最大的金屬成分為Ag的Ag層、或所含有的金屬成分之中重量比最大的金屬成分為Cu的Cu層。

第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D設(shè)置在基部21的上表面21a，由矩形狀的導(dǎo)電層構(gòu)成。第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D在長度方向L上位于設(shè)置了第1上表面導(dǎo)體24A的區(qū)域與設(shè)置了第2上表面導(dǎo)體24B的區(qū)域之間。再有，第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D在寬度方向W上相互隔離開，且配置在基部21的上表面21a的寬度方向W上的兩端部近旁。在此，第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D也可以在長度方向L上相互隔離開地配置。

第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D包含：所含有的金屬成分之中重量比最大的金屬成分為Ag的Ag層、或所含有的金屬成分之中重量比最大的金屬成分為Cu的Cu層。

第1及第2下表面導(dǎo)體25A、25B設(shè)置在基部21的下表面21b，由矩形狀的導(dǎo)電層構(gòu)成。第1及第2下表面導(dǎo)體25A、25B在長度方向L上相互隔離開，且配置于基部21的下表面21b的長度方向L上的兩端部近旁。第1下表面導(dǎo)體25A隔著基部21而與第1上表面導(dǎo)體24A相對，且與第1側(cè)面、第3側(cè)面及第4側(cè)面相距給定間隔。再有，第2下表面導(dǎo)體25B隔著基部21而與第2上表面導(dǎo)體24B相對，且與第2側(cè)面、第3側(cè)面及第4側(cè)面相距給定間隔。

第3及第4下表面導(dǎo)體25C、25D設(shè)置在基部21的下表面21b，由矩形狀的導(dǎo)電層構(gòu)成。第3及第4下表面導(dǎo)體25C、25D在長度方向L上位于設(shè)置了第1下表面導(dǎo)體25A的區(qū)域與設(shè)置了第2下表面導(dǎo)體25B的區(qū)域之間。再有，第3及第4下表面導(dǎo)體25C、25D在寬度方向W上相互隔離開，且配置于基部21的下表面21b的寬度方向W上的兩端部近旁。

第1及第2連接導(dǎo)體26A、26B是沿著高度方向H而將基部21貫通的第1及第2過孔導(dǎo)體26A、26B，在沿著高度方向H進(jìn)行俯視的情況下具有大致圓形狀。第1過孔導(dǎo)體26A在沿著高度方向H進(jìn)行俯視的情況下與第1上表面導(dǎo)體24A及第1下表面導(dǎo)體25A重疊，并對第1上表面 導(dǎo)體24A與第1下表面導(dǎo)體25A進(jìn)行了連接。第2過孔導(dǎo)體26B在沿著高度方向H進(jìn)行俯視的情況下與第2上表面導(dǎo)體24B及第2下表面導(dǎo)體25B重疊，并對第2上表面導(dǎo)體24B與第2下表面導(dǎo)體25B進(jìn)行了連接。

第3及第4連接導(dǎo)體26C、26D是沿著高度方向H而將基部21貫通的第3及第4過孔導(dǎo)體26C、26D，在沿著高度方向H進(jìn)行俯視的情況下具有大致圓形狀。第3過孔導(dǎo)體26C在沿著高度方向H進(jìn)行俯視的情況下與第3上表面導(dǎo)體24C及第3下表面導(dǎo)體25C重疊，并對第3上表面導(dǎo)體24C與第3下表面導(dǎo)體25C進(jìn)行了連接。第4過孔導(dǎo)體26D在沿著高度方向H進(jìn)行俯視的情況下與第4上表面導(dǎo)體24D及第4下表面導(dǎo)體25D重疊，并對第4上表面導(dǎo)體24D與第4下表面導(dǎo)體25D進(jìn)行了連接。

另外，第1～第4連接導(dǎo)體26A～26D也可以設(shè)置在基部21的側(cè)面。

上述的電阻器22在長度方向L上位于設(shè)置了第1上表面導(dǎo)體24A的區(qū)域與設(shè)置了第2上表面導(dǎo)體24B的區(qū)域之間，在從高度方向H進(jìn)行俯視的情況下，電阻器22的寬度方向W上的一端與第3上表面導(dǎo)體24C的一部分重疊，并且另一端與第4上表面導(dǎo)體24D的一部分重疊。由此，第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D與電阻器22連接。

為了防止電阻元件20A與電容器元件10在物理上發(fā)生干擾，優(yōu)選使電阻器22的長度方向L上的尺寸小于電容器元件10的第1外部電極14A與第2外部電極14B之間的間隔。

再有，為了防止與其他導(dǎo)電性部件的接觸，如圖所示，上述的保護(hù)膜23優(yōu)選不僅覆蓋電阻器22而且也覆蓋第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D。

此外，電阻元件20A的大小并未特別地限制，但作為一例，其長度方向L的尺寸為0.66[mm]，其寬度方向W的尺寸為0.36[mm]，其高度方向H的尺寸為0.14[mm]。

再有，電阻元件20A也可以不包含第4上表面導(dǎo)體24D而在基部的上表面僅具有第1～第3上表面導(dǎo)體24A～24C。此時，取代第4上表面導(dǎo)體24D而在第1上表面導(dǎo)體24A或第2上表面導(dǎo)體24B上連接電阻器22。另外，此時，電阻元件20A也可以不包括第4下表面導(dǎo)體25D及第4過孔導(dǎo)體26D。

如圖5(B)所示，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B均由包括基底 導(dǎo)電層24a、覆蓋導(dǎo)電層24b及覆蓋導(dǎo)電層24c的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。在圖5(B)中僅示出第1上表面導(dǎo)體24A。在此，基底導(dǎo)電層24a由作為通過燒固Ag膏而形成的燒結(jié)金屬層的Ag層來構(gòu)成，覆蓋導(dǎo)電層24b、24c分別由作為鍍覆層的Ni層及作為覆蓋該Ni層的鍍覆層的Au層來構(gòu)成。

另一方面，從制造容易化的觀點來說，第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D優(yōu)選與第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的基底導(dǎo)電層24a同時形成。該情況下，第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D優(yōu)選由作為通過燒固Ag膏而形成的燒結(jié)金屬層的Ag層來構(gòu)成。

再有，從制造容易化的觀點來說，第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D優(yōu)選以與第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B同樣的方法來形成。該情況下，如圖5(B)所示，第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D由包括作為通過燒固Ag膏而形成的燒結(jié)金屬層的Ag層即基底導(dǎo)電層25a、作為鍍覆層的Ni層即覆蓋導(dǎo)電層25b以及作為覆蓋該覆蓋導(dǎo)電層25b的鍍覆層的Au層即覆蓋導(dǎo)電層25c在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。在圖5(B)中僅示出第1下表面導(dǎo)體25A。

進(jìn)而，從制造容易化的觀點來說，第1～第4過孔導(dǎo)體26A～26D優(yōu)選以與第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的基底導(dǎo)電層24a、以及第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D、或第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D的基底導(dǎo)電層25a同樣的方法來形成。即，第1～第4過孔導(dǎo)體26A～26D優(yōu)選由通過燒固Ag膏而形成的燒結(jié)金屬層來構(gòu)成。

在此，第1～第4上表面導(dǎo)體24A～24D、及第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D均包含作為燒結(jié)金屬層的Ag層的理由在于，充分獲得上表面導(dǎo)體及下表面導(dǎo)體中的導(dǎo)電性的緣故。再有，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B以及第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D的最外部均由作為覆蓋導(dǎo)電層的Au層來構(gòu)成的理由在于，充分獲得上表面導(dǎo)體及下表面導(dǎo)體和與之接合的接合材料之間的電氣上及機械上的連接可靠性的緣故。

如圖1、圖2及圖5所示，電容器元件10與電阻元件20A經(jīng)由上述的第1及第2接合材料31、32而被接合。具體而言，電容器元件10在高度方向H上配置并安裝于電阻元件20A的上表面21a側(cè)，由此電容器主 體11的下表面11a與基部21的上表面21a在高度方向H上對置。而且，電容器元件10的第1外部電極14A與電阻元件20A的第1上表面導(dǎo)體24A經(jīng)由第1接合材料31而被接合，第2外部電極14B與第2上表面導(dǎo)體24B經(jīng)由第2接合材料32而被接合。

作為第1及第2接合材料31、32例如可利用焊錫、導(dǎo)電性粘接劑等，但尤其優(yōu)選利用焊錫。作為一般的焊錫，利用含有金屬重量比為96.5[％]的Sn、金屬重量比為3[％]的Ag、金屬重量比為0.5[％]的Cu的焊錫(Sn-3Ag-0.5Cu的三元系的焊錫)。進(jìn)而，在向布線基板安裝復(fù)合電子部件1A時，為了避免接合電容器元件10與電阻元件20A的焊錫再熔融，作為第1及第2接合材料31、32，優(yōu)選利用所謂的高溫焊錫。高溫焊錫例如有將Sn作為金屬的主成分且添加了Bi、Au、Zn、Al或Sb而獲得的焊錫。

由此，第1外部電極14A通過第1上表面導(dǎo)體24A與第1過孔導(dǎo)體26A而與第1下表面導(dǎo)體25A電連接。第2外部電極14B通過第2上表面導(dǎo)體24B與第2過孔導(dǎo)體26B而與第2下表面導(dǎo)體25B電連接。因此，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B以及第1及第2過孔導(dǎo)體26A、26B作為電容器元件10的中繼導(dǎo)體起作用。第1及第2下表面導(dǎo)體25A、25B作為電容器元件10向布線基板連接的連接端子起作用。

另一方面，設(shè)置在電阻元件20A上的電阻器22如上所述那樣與電阻元件20A的第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D電連接。第3上表面導(dǎo)體24C通過第3過孔導(dǎo)體26C而與第3下表面導(dǎo)體25C電連接。第4上表面導(dǎo)體24D通過第4過孔導(dǎo)體26D而與第4下表面導(dǎo)體25D電連接。因此，第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D以及第3及第4過孔導(dǎo)體26C、26D作為電阻器22的中繼導(dǎo)體起作用。第3及第4下表面導(dǎo)體25C、25D作為電阻元件20A向布線基板連接的連接端子起作用。

在此，如圖5(B)所示，在本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A中，如上所述，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B分別由作為基底導(dǎo)電層24a的Ag層、作為覆蓋導(dǎo)電層24b的Ni層及作為覆蓋導(dǎo)電層24c的Au層的多個層來構(gòu)成。再有，作為基底導(dǎo)電層24a的Ag層，其上表面被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋，除此之外，其側(cè)面(這些側(cè)面包含：與長度方 向L交叉的一對側(cè)面及與寬度方向W交叉的一對側(cè)面)也被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋。在圖5(B)中，示出第1上表面導(dǎo)體24A的基底導(dǎo)電層24a之中的、與寬度方向W交叉的一對側(cè)面之中的一個側(cè)面24a1被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋的樣態(tài)。

在本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A中，Ag層所構(gòu)成的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面被作為不含Ag及Cu的保護(hù)金屬膜的覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋，因此該Ag層所構(gòu)成的基底導(dǎo)電層24a并未露出于外部。因而，可減少因第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B所包含的Ag層所引起的離子遷移的問題的產(chǎn)生，上表面導(dǎo)體彼此的絕緣電阻的降低得以抑制。因此，本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A具有高可靠性。

另外，在本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A中，第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D和上述的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的構(gòu)成不同，僅由Ag層所構(gòu)成的基底導(dǎo)電層24a來構(gòu)成。這是因為取代覆蓋導(dǎo)電層而由覆蓋電阻器22的保護(hù)膜23來覆蓋第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D的緣故，因由該保護(hù)膜23來覆蓋，因此可減少離子遷移的產(chǎn)生。然而，在未由保護(hù)膜23覆蓋這些第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D各自的全部或一部分的情況下，與上述的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B同樣，第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D的Ag層優(yōu)選被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋。

再有，在本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A中，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B各自中的對Ag層所構(gòu)成的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面進(jìn)行覆蓋的覆蓋導(dǎo)電層24b、24c進(jìn)而被第1及第2接合材料31、32覆蓋。在此，該第1及第2接合材料31、32如上所述由Sn-3Ag-0.5Cu的三元系的焊錫構(gòu)成，因此包含有作為易于產(chǎn)生離子遷移的導(dǎo)電材料的Ag及Cu。然而，該第1及第2接合材料31、32中所包含的Ag及Cu均是非常微量的，因此與Ag層所構(gòu)成的基底導(dǎo)電層24a露出的情況相比，能產(chǎn)生的離子遷移的程度大幅地降低。因此，即便在這樣構(gòu)成的情況下也能夠確保高可靠性。

在此，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B各自中的對Ag層所構(gòu)成的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面進(jìn)行覆蓋的覆蓋導(dǎo)電層24b、24c進(jìn)而被第1及第2接合材料31、32覆蓋的情況下，在電容器元件10向電阻元件20A安裝 時，容易獲得所謂的自對準(zhǔn)效果。其中，關(guān)于該詳細(xì)內(nèi)容將后述。

此外，在本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A中，在第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D中也采用基于上述的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的構(gòu)成。通過這樣構(gòu)成，從而也能夠抑制這些下表面導(dǎo)體彼此的絕緣電阻的降低。

圖6是用于說明圖1所示出的復(fù)合電子部件1A的制造工序的流程圖，圖7～圖13是用于說明圖6所示出的流程圖中的給定的各工序的示意性俯視圖及示意性側(cè)視圖。以下，參照這些圖6～圖13對本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A的制造工序進(jìn)行說明。其中，圖7～圖10是從陶瓷生片121的上表面121a側(cè)觀察到制造過程的半成品的示意圖，再有，圖11及圖12是從電阻元件20A的基部21的上表面21a側(cè)觀察到制造過程的半成品的示意圖。此外，圖13(A)是沿著寬度方向W觀察到制造過程的半成品的示意圖，圖13(B)是沿著長度方向L觀察到制造過程的半成品的示意圖。

以下所說明的制造的各工序之中的電阻元件20A的制作工序是預(yù)先準(zhǔn)備多個電阻元件20A被一體化的集合體，通過將集合體切分而一并制作多個電阻元件20A時的工序。其中，電阻元件20A的制作流程當(dāng)然并未限定于此。集合體相當(dāng)于圖10等所示出的母基板121’。

如圖6所示，首先制作陶瓷生片(工序ST1)。具體而言，以給定的配合比率來混合陶瓷粉末、粘合劑樹脂及溶劑等，由此調(diào)制陶瓷漿料。通過模涂、凹版涂布、微凹版涂布、絲網(wǎng)印刷、或噴涂等方法，在載體薄膜上將該陶瓷漿料涂覆成片狀，由此形成陶瓷生片。所形成的陶瓷生片成為作為電阻元件20A的集合體的母基板121’，此外成為電阻元件20A的基部21。

接著，實施開孔加工(工序ST2)。具體而言，如圖7所示，在陶瓷生片121上形成多個貫通孔128。在此，該貫通孔128的形成成為用于形成第1～第4過孔導(dǎo)體26A～26D的前處理。

返回圖6，接著印刷導(dǎo)電性膏(工序ST3)。具體而言，如圖8所示，通過絲網(wǎng)印刷法或凹版印刷法等方法，在陶瓷生片121的上表面121a及下表面，作為導(dǎo)電性膏而印刷Ag膏。由此，設(shè)置在陶瓷生片121上的貫 通孔128被埋入成為第1～第4過孔導(dǎo)體26A～26D的Ag膏所構(gòu)成的導(dǎo)電圖案126，并且在陶瓷生片121的上表面121a上形成成為第1～第4上表面導(dǎo)體24A～24D的Ag膏所構(gòu)成的給定形狀的導(dǎo)電圖案124a，進(jìn)而在陶瓷生片121的下表面上形成成為第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D的Ag膏所構(gòu)成的給定形狀的導(dǎo)電圖案。

返回圖6，接著進(jìn)行燒成(工序ST4)。具體而言，將到此為止的半成品加熱至給定溫度，由此進(jìn)行陶瓷生片121及印刷在該陶瓷生片121上的Ag膏所構(gòu)成的導(dǎo)電圖案124a及126等的燒結(jié)處理。結(jié)果，陶瓷生片121變成硬質(zhì)的母基板121’，導(dǎo)電圖案124a及126等變成燒結(jié)金屬層。由此，如圖9等所示，在母基板121’上形成成為第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B以及第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D的一部分的基底導(dǎo)電層24a、25a、第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D和第1～第4過孔導(dǎo)體26A～26D。

返回圖6，接著印刷電阻器膏(工序ST5)。具體而言，如圖9所示，利用絲網(wǎng)印刷法或凹版印刷法等方法，在母基板121’的上表面121a’印刷電阻器膏。由此，在母基板121’的上表面121a’形成電阻器膏所構(gòu)成的電阻器圖案122。另外，此時進(jìn)行印刷，以使得該電阻器圖案122與第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D的一部分重疊。

返回圖6，接著燒固電阻器膏(工序ST6)。具體而言，將到此為止的半成品加熱至給定溫度，由此如圖10所示那樣進(jìn)行印刷在母基板121’上的電阻器膏的燒結(jié)處理。結(jié)果，電阻器圖案122被燒固在母基板121’上，由此在母基板121’形成電阻器22。

返回圖6，接著進(jìn)行電阻器的修剪(工序ST7)。具體而言，向電阻器22照射激光光線，將其一部分除去，由此進(jìn)行該電阻器22的電阻值的調(diào)整。

接著涂覆保護(hù)膜(工序ST8)，接下來進(jìn)行保護(hù)膜的固化處理(工序ST9)。具體而言，如圖10所示，涂覆保護(hù)膜23，以使得覆蓋電阻器22及與該電阻器22連接的第3及第4上表面導(dǎo)體24C、24D。然后，將到此為止的半成品加熱至給定溫度，由此該保護(hù)膜23以附著于母基板121’的狀態(tài)進(jìn)行固化。

返回圖6，接著實施鍍覆處理(工序ST10)。具體而言，通過將到此為止的半成品依次浸漬于Ni鍍浴及Au鍍浴，從而實施在母基板121’上露出的基底導(dǎo)電層24a、25a的鍍覆處理。由此，該基底導(dǎo)電層24a、25a被作為Ni層的覆蓋導(dǎo)電層24b、25b覆蓋，覆蓋導(dǎo)電層24b、25b被作為Au層的覆蓋導(dǎo)電層24c、25c覆蓋。由此，形成第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B以及第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D。另外，此時基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面也被該作為Ni層及Au層的覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋。

接著，切斷母基板121’(工序ST11)。具體而言，如圖11所示，通過剪斷或切塊，將母基板121’沿著給定的切斷線進(jìn)行切斷，從而切出各個電阻元件20A。根據(jù)上述內(nèi)容，電阻元件20A的制作完成。

之后，返回圖6，印刷接合材料(工序ST12)，接下來載置電容器元件(工序ST13)。具體而言，如圖12及圖13所示，通過絲網(wǎng)印刷法等方法分別印刷焊錫膏所構(gòu)成的第1及第2接合材料31、32以使得覆蓋第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B，載置電容器元件10以使得第1及第2外部電極14A、14B分別配置于該第1及第2接合材料31、32上。

在此，如圖13(A)所示，在將長度方向L上的第1及第2外部電極14A、14B的尺寸分別設(shè)為Le、將長度方向L上的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的尺寸分別設(shè)為Ll的情況下，這些Le及Ll優(yōu)選滿足Ll＜Le的條件。也就是說，在長度方向L上，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B優(yōu)選位于第1外部電極14A的外端與第2外部電極14B的外端之間。即，優(yōu)選第1上表面導(dǎo)體24A的外端與第2外部電極14B的外端之間的距離小于第1外部電極14A的外端與第2外部電極14B的外端之間的距離，此外，優(yōu)選第2上表面導(dǎo)體24B的外端與第1外部電極14A的外端之間的距離小于第2外部電極14B的外端與第1外部電極14A的外端之間的距離。再有，從高度方向H俯視時，優(yōu)選第1上表面導(dǎo)體24A的長度方向L的外端與第1外部電極14A重疊，此外，優(yōu)選第2上表面導(dǎo)體24B的長度方向L的外端與第2外部電極14B重疊。

另外，長度方向L上的第1外部電極14A的外端意味著長度方向L上的第1外部電極14A的兩端之中距第2外部電極14B遠(yuǎn)的一端。長度方向L上的第2外部電極14B的外端意味著長度方向L上的第2外部電 極14B的兩端之中距第1外部電極14A遠(yuǎn)的一端。長度方向L上的第1上表面導(dǎo)體24A的外端意味著長度方向L上的第1上表面導(dǎo)體24A的兩端之中距第2上表面導(dǎo)體24B遠(yuǎn)的一端。長度方向L上的第2上表面導(dǎo)體24B的外端意味著長度方向L上的第2上表面導(dǎo)體24B的兩端之中距第1上表面導(dǎo)體24B遠(yuǎn)的一端。

此外，如圖13(B)所示，在將寬度方向W上的第1及第2外部電極14A、14B的尺寸分別設(shè)為We、將寬度方向W上的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的尺寸分別設(shè)為Wl的情況下，這些We及Wl優(yōu)選滿足Wl＜We的條件。也就是說，在寬度方向W上，優(yōu)選第1上表面導(dǎo)體24A位于第1外部電極14A的兩端之間，此外，優(yōu)選第2上表面導(dǎo)體24B位于第2外部電極14B的兩端之間。即，在寬度方向上，優(yōu)選第1上表面導(dǎo)體24A的一端與另一端之間的距離Wl比第1外部電極14A的一端與第1上表面導(dǎo)體24A的另一端之間的距離小，優(yōu)選第2上表面導(dǎo)體24B的一端與另一端之間的距離Wl比第2外部電極14B的一端與第2上表面導(dǎo)體24B的另一端之間的距離小。再有，從高度方向H俯視時，優(yōu)選第1上表面導(dǎo)體24A的寬度方向W的兩端分別與第1外部電極14A重疊，此外，優(yōu)選第2上表面導(dǎo)體24B的寬度方向W的兩端分別與第2外部電極14B重疊。

即，在與高度方向H正交的任意方向上均優(yōu)選第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的大小比第1及第2外部電極14A、14B的大小要小(以下將該優(yōu)選的條件稱為“條件1”)。在本實施方式中，從高度方向H俯視時，第1上表面導(dǎo)體24A全部與第1外部電極14A重疊，第2上表面導(dǎo)體24B全部與第2外部電極14B重疊。

另一方面，如圖13(A)所示，在將長度方向L上的第1及第2接合材料31、32的涂覆區(qū)域的長度分別設(shè)為Ls的情況下，優(yōu)選該Ls與上述Ll滿足Ll＜Ls的條件。再有，如圖13(B)所示，在將寬度方向W上的第1及第2接合材料31、32的涂覆區(qū)域的長度分別設(shè)為Ws的情況下，優(yōu)選該Ws與上述Wl滿足Wl＜Ws的條件。

即，優(yōu)選第1及第2接合材料31、32分別被涂覆成自第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B伸出(以下將該優(yōu)選的條件稱為“條件2”)。

通過滿足條件1及/或條件2，從而在后述的回流焊之際、即電容器元件10相對于電阻元件20A的安裝時，容易獲得所謂的自對準(zhǔn)效果。在此，自對準(zhǔn)效果指的是：在焊接之際對于已熔融的焊錫而作用如其表面積減小的力(即表面張力)，從而成為被已熔融的焊錫所支承的安裝對象的電子元件發(fā)生移動，由此來進(jìn)行定位的效果，由于能得到該自對準(zhǔn)效果，因此可防止安裝時的位置偏離。

在此，通過滿足上述條件1，從而在俯視的狀態(tài)下與電容器元件10相比第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的側(cè)面位于更靠內(nèi)側(cè)。而且，作為第1及第2接合材料31、32的焊錫熔融時位于該第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的側(cè)面附近的焊錫的表面張力作用在將位于其上部的電容器元件10朝向內(nèi)側(cè)拉拽的方向上。將該電容器元件10朝向內(nèi)側(cè)拉拽的力，與在上述第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的側(cè)面附近沒有焊錫的情況相比非常大。因此，通過進(jìn)一步滿足上述條件2，從而焊錫位于上述第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的側(cè)面附近，因此獲得更強的將電容器元件10朝向內(nèi)側(cè)拉拽的力，結(jié)果更可靠地獲得自對準(zhǔn)效果。

另外，在第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的厚度、即以電阻元件20A的基部21的上表面21a為基準(zhǔn)的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的高度為5[μm]以上的情況下，更可靠地獲得上述的自對準(zhǔn)效果，因此該第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的厚度優(yōu)選設(shè)為5[μm]以上。

返回圖6，接著進(jìn)行回流焊(工序ST14)。具體而言，將到此為止的半成品投入回流焊爐等中進(jìn)行焊接，從而第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B與第1及第2外部電極14A、14B分別通過第1及第2接合材料31、32而被接合。由此，向電阻元件20A安裝了電容器元件10，上述的本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A的制造完成。

其中，以上所說明的復(fù)合電子部件的制造流程只是一例而已，當(dāng)然也能夠基于其他制造流程來制造本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1A。

(實施方式2)

圖14是將本發(fā)明的實施方式2所涉及的復(fù)合電子部件1B的主要部分放大后的示意性剖視圖，圖15(A)～圖15(D)是用于說明圖14所示出的電阻元件20B的制作流程中的給定的各工序的示意性剖視圖。以 下，參照這些圖14及圖15，對本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1B的構(gòu)成以及該復(fù)合電子部件1B所具備的電阻元件20B的制作流程進(jìn)行說明。

如圖14所示，復(fù)合電子部件1B具備構(gòu)成與實施方式1所涉及的復(fù)合電子部件1A的電阻元件20A不同的電阻元件20B。而且，第1及第2接合材料31、32相對于設(shè)置在電阻元件20B上的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的接合位置，不同于復(fù)合電子部件1A。

具體而言，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B通過包括作為Ag層的基底導(dǎo)電層24a、作為Ni層的覆蓋導(dǎo)電層24b及作為覆蓋該覆蓋導(dǎo)電層24b的Au層的覆蓋導(dǎo)電層24c在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。作為Ag層的基底導(dǎo)電層24a不僅其上表面被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋，而且其側(cè)面24a1也被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋。在圖14中僅示出第1上表面導(dǎo)體24A。

另一方面，在第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的每一個中，對作為Ag層的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1進(jìn)行覆蓋的覆蓋導(dǎo)電層24b、24c并未被第1及第2接合材料31、32覆蓋，只有對基底導(dǎo)電層24a的上表面進(jìn)行覆蓋的覆蓋導(dǎo)電層24b、24c被第1及第2接合材料31、32覆蓋。在圖14中示出僅第1上表面導(dǎo)體24A的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋的樣態(tài)。

即便在這樣構(gòu)成的情況下，由于作為Ag層的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被作為不含Ag及Cu的保護(hù)金屬膜的覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋，因此也與上述實施方式1的情況同樣，可抑制上表面導(dǎo)體間的絕緣電阻的降低。

再有，在本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1B中，與上述實施方式1的情況不同，構(gòu)成為在與高度方向H正交的方向上第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的大小比第1及第2外部電極14A、14B要大。這樣構(gòu)成的情況下，雖然能得到上述的自對準(zhǔn)效果的程度會稍微降低，但在可有效地抑制上表面導(dǎo)體彼此的絕緣電阻的降低這一點上，卻能獲得與上述實施方式1相比毫不遜色的效果。

上述構(gòu)成的電阻元件20B例如能夠通過以下的制作流程來容易地進(jìn) 行制作。其中，該電阻元件20B的制作流程的說明基本上遵循上述的電阻元件20A的制作流程的說明，以下特別地關(guān)注不同點來進(jìn)行其說明。

如圖15(A)所示，首先在陶瓷生片121的上表面121a及下表面121b上分別印刷了Ag膏所構(gòu)成的給定形狀的導(dǎo)電圖案124a、125a后，進(jìn)行半成品的燒成。然后，依次實施電阻器膏的印刷及燒固、修剪、保護(hù)膜的涂覆及固化處理。

接著，如圖15(B)所示，朝著形成有基底導(dǎo)電層24a、25a的母基板121’的給定位置分別照射激光光線，以使得激光光線從上表面121a’側(cè)及下表面121b’側(cè)達(dá)到母基板121’。由此，在母基板121’的上表面121a’側(cè)及下表面121b’側(cè)各自形成剖面為大致V字狀的溝槽部129a，利用溝槽部129a將基底導(dǎo)電層24a、25a截斷。

接著，如圖15(C)所示，通過沿著圖中所示出的箭頭AR方向?qū)π纬捎袦喜鄄?29a的母基板121’施加力，從而進(jìn)行母基板121’的切斷。由此，母基板121’被單片化。

接著，如圖15(D)所示，對被切出的各個半成品實施鍍覆處理，形成作為鍍覆層的Ni層即覆蓋導(dǎo)電層24b及作為鍍覆層的Au層即覆蓋導(dǎo)電層24c以使得覆蓋基底導(dǎo)電層24a，形成作為鍍覆層的Ni層即覆蓋導(dǎo)電層25b及作為鍍覆層的Au層即覆蓋導(dǎo)電層25c以使得覆蓋基底導(dǎo)電層25a。由此，形成基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋而成的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B。根據(jù)以上內(nèi)容，電阻元件20B的制作完成。

另外，在母基板121’形成了溝槽部129a之后、且將母基板121’切斷來進(jìn)行單片化之前，即便在基底導(dǎo)電層24a、24b形成鍍覆層，也能得到相同構(gòu)成的電阻元件20B。

(實施方式3)

圖16是將本發(fā)明的實施方式3所涉及的復(fù)合電子部件1C的主要部分放大后的示意性剖視圖，圖17(A)～圖17(D)是用于說明圖16所示出的電阻元件20C的制作流程中的給定的各工序的示意性剖視圖。以下，參照這些圖16及圖17，對本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1C的構(gòu)成以及該復(fù)合電子部件1C所具備的電阻元件20C的制作流程進(jìn)行說 明。

如圖16所示，復(fù)合電子部件1C具備構(gòu)成與實施方式1所涉及的復(fù)合電子部件1A的電阻元件20A不同的電阻元件20C。

具體而言，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B通過包括作為Ag層的基底導(dǎo)電層24a、作為Ni層的覆蓋導(dǎo)電層24b及作為覆蓋該覆蓋導(dǎo)電層24b的Au層的覆蓋導(dǎo)電層24c在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。作為Ag層的基底導(dǎo)電層24a，僅其上表面被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋，其側(cè)面24a1未被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋。在圖16中僅示出第1上表面導(dǎo)體24A。

另一方面，在第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的每一個中，作為Ag層的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被第1及第2接合材料31、32覆蓋。在圖16中示出第1上表面導(dǎo)體24A的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被第1接合材料31覆蓋的樣態(tài)。從高度方向H觀察時，基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1與第1外部電極14A重疊且相對于高度方向H傾斜。因而，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1分別容易被第1及第2接合材料31、32覆蓋。

另外，電阻元件20A的大小并未特別地限制，但作為一例，其長度方向L的尺寸為0.60[mm]，其寬度方向W的尺寸為0.30[mm]，其高度方向H的尺寸為0.14[mm]。

在這樣構(gòu)成的情況下，由于第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1分別被作為幾乎不含Ag及Cu的保護(hù)金屬膜的第1及第2接合材料31、32覆蓋，因此也與上述實施方式1的情況同樣，能抑制上表面導(dǎo)體間的絕緣電阻的降低。

上述構(gòu)成的電阻元件20C例如能夠通過以下的制作流程來容易地進(jìn)行制作。其中，該電阻元件20C的制作流程的說明基本上遵循上述的電阻元件20A的制作流程的說明，以下特別地關(guān)注不同點來進(jìn)行其說明。

如圖17(A)所示，首先在陶瓷生片121的上表面121a及下表面121b上分別印刷了Ag膏所構(gòu)成的給定形狀的導(dǎo)電圖案124a、125a后，進(jìn)行半成品的燒成。然后，依次實施電阻器膏的印刷及燒固、修剪、保護(hù)膜的涂覆及固化處理。

接著，如圖17(B)所示，對到此為止的半成品實施鍍覆處理，形成 作為鍍覆層的Ni層即覆蓋導(dǎo)電層24b及作為鍍覆層的Au層即覆蓋導(dǎo)電層24c以使得覆蓋基底導(dǎo)電層24a，形成作為鍍覆層的Ni層即覆蓋導(dǎo)電層25b及作為鍍覆層的Au層即覆蓋導(dǎo)電層25c以使得覆蓋基底導(dǎo)電層25a。

接著，如圖17(C)所示，朝著形成有基底導(dǎo)電層24a、25a以及覆蓋導(dǎo)電層24b、24c、25b、25c的母基板121’的給定位置分別照射激光光線，以使得激光光線從上表面121a’側(cè)及下表面121b’側(cè)達(dá)到母基板121’。由此，在母基板121’的上表面121a’側(cè)及下表面121b’側(cè)各自形成剖面為大致V字狀的溝槽部129b，利用溝槽部129b將基底導(dǎo)電層24a、25a以及覆蓋導(dǎo)電層24b、24c、25b、25c截斷。

接著，如圖17(D)所示，通過沿著圖中所示出的箭頭AR方向?qū)π纬捎袦喜鄄?29b的母基板121’施加力，從而進(jìn)行母基板121’的切斷。由此，母基板121’被單片化，形成基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1未被覆蓋導(dǎo)電層24b、24c覆蓋而是露出的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B。根據(jù)以上內(nèi)容，電阻元件20C的制作完成。

(實施方式4)

圖18是將本發(fā)明的實施方式4所涉及的復(fù)合電子部件1D的主要部分放大后的示意性剖視圖。以下，參照該圖18來說明本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1D。

如圖18所示，復(fù)合電子部件1D具備：電阻元件20D，其具有與上述實施方式1所涉及的復(fù)合電子部件1A的電阻元件20A不同的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的構(gòu)成。而且，構(gòu)成電阻元件20D的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的導(dǎo)電層的材料不同于復(fù)合電子部件1A。

具體而言，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B通過包括作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a、及作為Sn層的覆蓋導(dǎo)電層24b在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。在圖18中僅示出第1上表面導(dǎo)體24A。作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a由例如通過燒固Cu膏而形成的燒結(jié)金屬層來構(gòu)成，作為Sn層的覆蓋導(dǎo)電層24b例如由鍍覆層來構(gòu)成。另外，在將焊錫用作第1及第2接合材料31、32的情況下，作為Sn層的覆蓋導(dǎo)電層24b擴散至第1及第2接合材料31、32中而與其一體化。

結(jié)果，在向電阻元件20D安裝電容器元件10后，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a各自不只是其上表面被第1及第2接合材料31、32覆蓋，而且其側(cè)面24a1也被第1及第2接合材料31、32覆蓋。在圖18中示出第1上表面導(dǎo)體24A的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被第1接合材料31覆蓋的樣態(tài)。

這樣構(gòu)成的情況下，由于作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被作為幾乎不含Ag及Cu的保護(hù)金屬膜的第1及第2接合材料31、32覆蓋，因此也與上述實施方式1的情況同樣，能抑制上表面導(dǎo)體間的絕緣電阻的降低。

(實施方式5)

圖19是將本發(fā)明的實施方式5所涉及的復(fù)合電子部件1E的主要部分放大后的示意性剖視圖。以下，參照該圖19來說明本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1E。

如圖19所示，復(fù)合電子部件1E具備：電阻元件20E，其具有與上述實施方式2所涉及的復(fù)合電子部件1B的電阻元件20B不同的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的構(gòu)成。而且，構(gòu)成電阻元件20E的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的導(dǎo)電層的材料不同于復(fù)合電子部件1B，但與上述實施方式4所涉及的復(fù)合電子部件1D相同。

具體而言，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B通過包括作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a、及作為Sn層的覆蓋導(dǎo)電層24b在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。在圖19中僅示出第1上表面導(dǎo)體24A。其中，在將焊錫用作第1及第2接合材料31、32的情況下，作為Sn層的覆蓋導(dǎo)電層24b的一部分?jǐn)U散至第1及第2接合材料31、32中而與其一體化。

結(jié)果，在向電阻元件20E安裝電容器元件10后，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a，不只是其上表面被第1及第2接合材料31、32覆蓋，而且其側(cè)面24a1也被覆蓋導(dǎo)電層24b覆蓋。在圖19中示出第1上表面導(dǎo)體24A的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被覆蓋導(dǎo)電層24b覆蓋的樣態(tài)。

這樣構(gòu)成的情況下，由于作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被作為不含Ag及Cu的保護(hù)金屬膜的覆蓋導(dǎo)電層24b覆蓋，因此也與上 述實施方式2的情況同樣，能抑制上表面導(dǎo)體間的絕緣電阻的降低。

(實施方式6)

圖20是將本發(fā)明的實施方式6所涉及的復(fù)合電子部件1F的主要部分放大后的示意性剖視圖。以下，參照該圖20對本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1F進(jìn)行說明。

如圖20所示，復(fù)合電子部件1F具備：電阻元件20F，其具有與上述實施方式3所涉及的復(fù)合電子部件1C的電阻元件20C不同的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的構(gòu)成。而且，構(gòu)成電阻元件20F的第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的導(dǎo)電層的材料不同于復(fù)合電子部件1C，但與上述實施方式4所涉及的復(fù)合電子部件1D相同。

具體而言，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B通過包括作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a、及作為Sn層的覆蓋導(dǎo)電層24b在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。在圖20中僅示出第1上表面導(dǎo)體24A。其中，在將焊錫用作第1及第2接合材料31、32的情況下，作為Sn層的覆蓋導(dǎo)電層24b擴散至第1及第2接合材料31、32中而與其一體化。

結(jié)果，在向電阻元件20F安裝電容器元件10后，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a分別不只是其上表面被第1及第2接合材料31、32覆蓋，而且其側(cè)面24a1也被第1及第2接合材料31、32覆蓋。在圖20中示出第1上表面導(dǎo)體24A的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被第1接合材料31覆蓋的樣態(tài)。

進(jìn)而，與實施方式3同樣，從高度方向H觀察時，基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1與第1外部電極14A重疊且相對于高度方向H傾斜。因而，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的基底導(dǎo)電體層24a的側(cè)面24a1分別容易被第1及第2接合材料31、32覆蓋。

這樣構(gòu)成的情況下，由于作為Cu層的基底導(dǎo)電層24a的側(cè)面24a1被作為幾乎不含Ag及Cu的保護(hù)金屬膜的第1及第2接合材料31、32覆蓋，因而也與上述實施方式3的情況同樣，能抑制上表面導(dǎo)體間的絕緣電阻的降低。

(實施方式7)

圖21(A)及圖21(B)是本發(fā)明的實施方式7所涉及的復(fù)合電子部 件1G的示意性剖視圖，圖22(A)～圖22(C)是圖21所示出的電感器元件的示意性頂視圖、剖視圖及底視圖。其中，圖21(B)是沿著圖21(A)中所示出的XXIB-XXIB線來切斷本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1G時的示意性剖視圖，圖22(B)是沿著圖21(A)中所示出的XXIIB-XXIIB線來切斷本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1G時的示意性剖視圖。以下，參照這些圖21及圖22對本實施方式所涉及的復(fù)合電子部件1G進(jìn)行說明。

如圖21所示，復(fù)合電子部件1G在與上述實施方式1所涉及的復(fù)合電子部件1A進(jìn)行比較的情況下，不同之處在于：作為基板型電子元件的第1電子元件不是電阻元件而是電感器元件20G。

如圖21及圖22所示，電感器元件20G具有絕緣性的基部21、電感器布線28、第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B、第1～第4下表面導(dǎo)體25A～25D和第1～第4過孔導(dǎo)體26A～26D。

電感器布線28作為埋入布線而形成于基部21的內(nèi)部，在從高度方向H俯視的情況下具有螺旋狀的形狀。電感器布線28的外周側(cè)端部與第3過孔導(dǎo)體26C連接，內(nèi)周側(cè)端部與第4過孔導(dǎo)體26D連接。再有，第3及第4過孔導(dǎo)體26C、26D均從電感器布線28朝向基部21的下表面21b側(cè)延伸，且分別連接于設(shè)置在基部21的下表面21b上的第3及第4下表面導(dǎo)體25C、25D。其中，電感器布線28也可以包含在高度方向H上層疊的多個電感器布線層。

另外，第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B、第1及第2下表面導(dǎo)體25A、25B以及第1及第2過孔導(dǎo)體26A、26B的構(gòu)成與上述實施方式1相同，尤其是構(gòu)成第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B的導(dǎo)電層的材料及該第1及第2上表面導(dǎo)體24A、24B和第1及第2接合材料31、32的接合構(gòu)造也與上述實施方式1相同。

因此，這樣構(gòu)成的情況下，也與上述實施方式1的情況同樣，能夠有效地抑制上表面導(dǎo)體彼此產(chǎn)生電短路。

在上述本發(fā)明的實施方式1～7中，例示基底導(dǎo)電層在第1及第2上表面導(dǎo)體的側(cè)面的整個周圍被保護(hù)金屬膜覆蓋的情況并進(jìn)行了說明，但并非一定要該側(cè)面的整個周圍被保護(hù)金屬膜覆蓋，也可以僅一部分被保護(hù)金 屬膜覆蓋。這樣構(gòu)成的情況下也能抑制上表面導(dǎo)體間的絕緣電阻的降低。

再有，在本發(fā)明的實施方式1～7中，例示作為基板型電子元件即第1電子元件的基部而利用了LTCC基板的情況并進(jìn)行了說明，但該情況下，如上所述第1及第2上表面導(dǎo)體優(yōu)選構(gòu)成如下任一種結(jié)構(gòu)：由包括作為基底導(dǎo)電層的Ag層、作為覆蓋導(dǎo)電層的Ni層及作為覆蓋導(dǎo)電層的Au層在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成，或者由包括作為基底導(dǎo)電層的Cu層、及作為覆蓋導(dǎo)電層的Sn層在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成。然而，當(dāng)然并未限定于此，也可以由包括作為基底導(dǎo)電層的Ag層、作為覆蓋導(dǎo)電層的Ni層及作為覆蓋導(dǎo)電層的Sn層在內(nèi)的多個導(dǎo)電層等來構(gòu)成第1及第2上表面導(dǎo)體。

再有，在作為基板型電子元件即第1電子元件的基部而利用玻璃環(huán)氧基板的情況、利用氧化鋁基板的情況、利用硅基板的情況下等，優(yōu)選通過包括作為基底導(dǎo)電層的Cu層、及作為覆蓋導(dǎo)電層的Sn層在內(nèi)的多個導(dǎo)電層來構(gòu)成第1及第2上表面導(dǎo)體。

進(jìn)而，這些導(dǎo)電層并未限于上述的燒結(jié)金屬層或鍍覆層，也可以是通過蒸鍍法形成的金屬蒸鍍層或通過濺射法形成的濺射層等。

在任一種實施方式中，作為基底導(dǎo)電層考慮足夠的導(dǎo)電性而利用Ag層或Cu層的情況下，優(yōu)選在考慮了與接合材料之間的電氣上及機械上的連接可靠性的基礎(chǔ)上進(jìn)行覆蓋導(dǎo)電層的材料的選定以及接合材料的材料的選定，該情況下利用保護(hù)導(dǎo)電層(覆蓋導(dǎo)電層或者接合材料)來覆蓋該基底導(dǎo)電層的側(cè)面，并且將該保護(hù)金屬膜所含有的重量比最大的金屬成分設(shè)為除Ag及Cu以外即可。此時，保護(hù)金屬膜所含有的重量比最大的金屬成分優(yōu)選設(shè)為Sn、Ni、Au及Pb的任意一種。

保護(hù)金屬膜、導(dǎo)電層所含有的重量比最大的金屬成分的確定可利用公知的分析方法，例如能夠利用基于掃描型電子顯微鏡(SEM)所附帶的波長分散型X射線分析裝置(WDX)的元素分析等。

此外，在上述本發(fā)明的實施方式1～7中，雖然例示了以下情況并進(jìn)行了說明：構(gòu)成為使構(gòu)成電容器元件的電容器主體的電介質(zhì)層及內(nèi)部電極層的層疊方向與復(fù)合電子部件的高度方向吻合，但該層疊方向當(dāng)然也可能構(gòu)成為與復(fù)合電子部件的寬度方向吻合。

此外，在上述本發(fā)明的實施方式1～7中，作為組裝入復(fù)合電子部件 的電容器元件，例示利用了層疊陶瓷電容器的情況并進(jìn)行了說明，但也可以取代層疊陶瓷電容器而將其他種類的電容器元件組裝入復(fù)合電子部件中。

另外，在上述本發(fā)明的實施方式1～7中，作為基板型的第1電子元件例示電阻元件或電感器元件并進(jìn)行了說明，但基板型的第1電子元件也可以是熱敏電阻元件、壓電元件等其他電子元件。此外，作為安裝于基板型的第1電子元件的第2電子元件，也可以是上述電容器元件以外的電子元件。

進(jìn)而，上述本發(fā)明的實施方式1～7中示出的特征構(gòu)成只要不脫離本發(fā)明的主旨，當(dāng)然就能相互進(jìn)行組合。

這樣，本次公開的上述實施方式在所有方面只是例示，并非是限制性的。本發(fā)明的技術(shù)范圍由權(quán)利要求書來界定，還包括與權(quán)利要求書的記載均等的含義及范圍內(nèi)內(nèi)的所有變更。