1.一種半導體元件，包括MESA形的雙極半導體芯片(1)，其中將第一金屬化層(4)布置在半導體芯片(1)的第一主表面(2)上且將第二金屬化層(5)布置在所述半導體芯片(1)的第二主表面(3)上，所述第二主表面被布置為與所述半導體芯片(1)的第一主表面(2)相背，其中將氧化鋁層(7)布置在所述半導體芯片(1)的邊緣表面(6)上，所述邊緣表面環(huán)繞所述半導體芯片(1)周圍延伸并且連接所述第一主表面和所述第二主表面(2，3)。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體元件，其特征在于將所述氧化鋁層(7)布置在所述半導體芯片(1)的整個邊緣表面(6)上。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體元件，其特征在于所述第一金屬化層(2)至少在所述半導體芯片(1)的邊緣表面(6)的一個區(qū)段中延伸至所述半導體芯片(1)的邊緣表面(6)，且所述氧化鋁層(7)被布置在所述第一金屬化層(4)的至少一個邊緣表面區(qū)段(30)上，所述邊緣表面區(qū)段(30)被布置在所述半導體芯片(1)的邊緣表面(6)的至少一個區(qū)段處。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體元件，其特征在于所述第二金屬化層(5)至少在所述半導體芯片(1)的邊緣表面(6)的一個區(qū)段中延伸至所述半導體芯片(1)的邊緣表面(6)，且所述氧化鋁層(7)被布置在所述第二金屬化層(5)的至少一個邊緣表面區(qū)段(31)上，所述邊緣表面區(qū)段(31)被布置在所述半導體芯片(1)的邊緣表面(6)的至少一個區(qū)段處。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體元件，其特征在于由交聯(lián)的有機材料組成的層(8)被布置在所述氧化鋁層(7)的表面上。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體元件，其特征在于所述由交聯(lián)的有機材料組成的層(8)被布置在所述氧化鋁層(7)的整個表面上。
7.根據(jù)權利要求5或6所述的半導體元件，其特征在于所述交聯(lián)的有機材料被實施為交聯(lián)的硅橡膠、交聯(lián)的聚酰亞胺或交聯(lián)的環(huán)氧樹脂。
8.根據(jù)權利要求1所述的半導體元件，其特征在于所述雙極半導體芯片被實施為二極管、晶閘管或雙極晶體管。
9.一種制造半導體元件的方法，包括以下方法步驟：
a)提供雙極半導體晶片(13)，其中所述雙極半導體晶片(13)被指定有半導體芯片區(qū)域(11)，在所述半導體芯片區(qū)域(11)處將各自形成半導體芯片(1)，
b)通過至少在所述半導體芯片區(qū)域(11)的各自的第一局部區(qū)域(12)中向所述雙極半導體晶片(13)的第一主表面(2)涂敷第一金屬化層(4)和至少在所述半導體芯片區(qū)域(11)的各自的第二局部區(qū)域(14)中在所述雙極半導體晶片(13)的第二主表面(3)上涂敷第二金屬化層(5)形成金屬化雙極半導體晶片(13’)，所述第二主表面被布置為與所述雙極半導體晶片(13)的第一主表面(2)相背，
c)沿所述半導體芯片區(qū)域(11)的邊界(G)在所述金屬化雙極半導體晶片(13’)中形成切口(19)，其結(jié)果是形成在晶片組合中被相互連接的半導體芯片(1)，其中所述切口(19)的形狀使得形成各自的半導體芯片(1)的第一邊緣表面區(qū)域(6’)，所述第一邊緣表面區(qū)域(6’)環(huán)繞各自的半導體芯片(1)周圍延伸并且具有至少一個傾斜的或凹的連續(xù)邊緣表面區(qū)段(6a)，
d)借助于沿所述半導體芯片區(qū)域(11)的邊界(G)切割所述金屬化雙極半導體晶片(13’)來分割所述半導體芯片(1)，其結(jié)果是形成各自的半導體芯片(1)的第二邊緣表面區(qū)域(6”)，其環(huán)繞各自的半導體芯片(1)周圍延伸，
e)向各自的半導體芯片(1)的邊緣表面(6)的表面涂敷氧化鋁層(7)，所述邊緣表面(6)的表面環(huán)繞各自的半導體芯片(1)周圍延伸并且由所述第一邊緣表面區(qū)域和所述第二邊緣表面區(qū)域(6’，6”)組成。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，包括接續(xù)方法步驟e)的以下方法步驟：
f)將非交聯(lián)的有機材料(8’)涂敷至所述氧化鋁層(7)的表面且使所述非交聯(lián)的有機材料(8’)交聯(lián)。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于所述非交聯(lián)的有機材料(8’)被實施為非交聯(lián)的硅橡膠且所述交聯(lián)的有機材料(8)被實施為交聯(lián)的硅橡膠，或者所述非交聯(lián)的有機材料(8’)被實施為非交聯(lián)的聚酰亞胺且所述交聯(lián)的有機材料(8)被實施為交聯(lián)的聚酰亞胺，或者所述非交聯(lián)的有機材料(8’)被實施為非交聯(lián)的環(huán)氧樹脂且所述交聯(lián)的有機材料(8)被實施為交聯(lián)的環(huán)氧樹脂。
12.根據(jù)權利要求9～11中任一項所述的方法，其中在方法步驟d)與e)之間進行以下方法步驟：
d1)特別是通過蝕刻所述第一邊緣表面區(qū)域和所述第二邊緣表面區(qū)域(6’，6”)清潔所述第一邊緣表面區(qū)域和所述第二邊緣表面區(qū)域(6’，6”)。
13.根據(jù)權利要求9～11中任一項所述的方法，其中，在方法步驟b)與c)之間或在方法步驟c)與d)之間執(zhí)行所述第二金屬化層(5)與膜(17)的連接，緊接著方法步驟d)之后，以使得所述半導體芯片(1)之間的距離增加的方式拉開所述膜(17)。
14.根據(jù)權利要求9～11中任一項所述的方法，其中，在方法步驟e)中，借助于特別是被實施為ALD方法的化學氣相沉積法實現(xiàn)將 所述氧化鋁層(7)涂敷至各自的半導體芯片(1)的邊緣表面(6)的表面。
15.根據(jù)權利要求9～11中任一項所述的方法，如果所述半導體芯片(1)仍然經(jīng)由至少一種材料(8)沿所述半導體芯片區(qū)域(11)的邊界(G)直接或間接地相互連接，則在所述方法結(jié)束時包括以下方法步驟：
g)沿所述半導體芯片區(qū)域(11)的邊界(G)切割所述至少一種材料(8)。