技術總結
本發(fā)明涉及一種半導體元件，其包括MESA形的雙極半導體芯片(1)，其中將第一金屬化層(4)布置在半導體芯片(1)的第一主表面(2)上且將第二金屬化層(5)布置在半導體芯片(1)的第二主表面(3)上，所述第二主表面被布置為與半導體芯片(1)的第一主表面(2)相背，其中將氧化鋁層(7)布置在半導體芯片(1)的邊緣表面(6)上，所述邊緣表面環(huán)繞半導體芯片(1)周圍延伸并且連接第一和第二主表面(2，3)。此外，本發(fā)明涉及用于制造半導體元件(10)的方法。

技術研發(fā)人員：奧爾加·克雷姆帕斯卡;羅曼·盧普塔克;米夏爾·庫博維奇
受保護的技術使用者：賽米控電子股份有限公司
文檔號碼：201610423688
技術研發(fā)日：2016.06.15
技術公布日：2017.01.11