1.一種用于制造高電阻率絕緣體上半導(dǎo)體襯底的方法，該方法包括以下步驟：
a)在高電阻率襯底(1)上方形成介電層(2)和半導(dǎo)體層(3)，使得所述介電層(2)被設(shè)置在所述高電阻率襯底(1)與所述半導(dǎo)體層(3)之間；
b)在所述半導(dǎo)體層(3)上方形成硬掩膜或抗蝕劑(4)，其中，所述硬掩膜或抗蝕劑(4)在預(yù)定位置處具有至少一個(gè)開口(5)；
c)通過所述硬掩膜或抗蝕劑(4)的所述至少一個(gè)開口(5)、所述半導(dǎo)體層(3)和所述介電層(2)經(jīng)由雜質(zhì)元素的離子注入在所述高電阻率襯底(1)中形成至少一個(gè)摻雜區(qū)域(7)；
d)去除所述硬掩膜或抗蝕劑(4)；以及
e)在所述半導(dǎo)體層(3)中和/或所述半導(dǎo)體層(3)上形成射頻RF電路，所述射頻RF電路與所述高電阻率襯底(1)中的所述至少一個(gè)摻雜區(qū)域(7)至少部分交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，經(jīng)由步驟d)中的離子注入而注入的所述雜質(zhì)元素包括C、Ge、O、Si、Ar、Mo和/或F。
3.根據(jù)權(quán)要求1或2所述的方法，其中，所述高電阻率襯底(1)包括硅，特別地，多晶硅和/或單晶硅。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的方法，其中，所述介電層(2)是隱埋氧化物BOX層。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層(3)包括硅。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)所述的方法，該方法還包括以下步驟f)：在所述半導(dǎo)體層(3)中和/或所述半導(dǎo)體層(3)上在不與所述高電阻率襯底(1)中的所述摻雜區(qū)域(7)交疊的區(qū)域中形成模擬電路和/或數(shù)字電路。
7.一種由根據(jù)前述權(quán)利要求中的一項(xiàng)的方法獲得的高電阻率絕緣體上半導(dǎo)體襯底。
8.一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：
高電阻率襯底(1)；
介電層(2)，其在所述高電阻率襯底(1)上方；以及
半導(dǎo)體層(3)，其在所述介電層(2)上方；
其中，所述半導(dǎo)體層(3)包括射頻RF電路以及數(shù)字電路和/或模擬電路；
其中，所述高電阻率襯底(1)包括與所述射頻RF電路至少部分交疊的至少一個(gè)摻雜區(qū)域(7)；并且
其中，在所述半導(dǎo)體層(3)中和/或所述半導(dǎo)體層(3)上在不與所述高電阻率襯底(1)中的所述至少一個(gè)摻雜區(qū)域(7)交疊的區(qū)域中設(shè)置所述數(shù)字電路和/或所述模擬電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述摻雜區(qū)域包括C、Ge、O和/或F。