技術總結
一種半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括：第一源晶種層；第二源晶種層，所述第二源晶種層被設置在所述第一源晶種層上方，同時與所述第一源晶種層間隔開；堆疊結構，所述堆疊結構被形成在所述第二源晶種層上；溝道層，所述溝道層通過穿透所述堆疊結構而延伸到所述第一源晶種層內；以及夾層源層，所述夾層源層延伸到所述第一源晶種層與所述第二源晶種層之間的空間中，同時接觸所述溝道層、所述第一源晶種層和所述第二源晶種層中的每一個。

技術研發(fā)人員：崔康植
受保護的技術使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201610384209
技術研發(fā)日：2016.06.02
技術公布日：2017.06.16