技術(shù)編號：12612969
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開的一個方面涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，且更具體地，涉及三維半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件可以包括能夠存儲數(shù)據(jù)的多個存儲單元。為實現(xiàn)高集成度，已提出了包括三維布置的存儲單元的三維半導(dǎo)體存儲器件。三維半導(dǎo)體存儲器件的存儲單元可以彼此堆疊。可以通過溝道層串聯(lián)連接存儲單元以形成存儲串。溝道層可以被連接至位線和源極層。隨著堆疊的存儲單元的數(shù)量增大，連接溝道層與源極層的難度也增大。另外，難以穩(wěn)定地確保存儲單元的電特性。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本公開的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括...
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