技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種雙面電池的摻雜方法，包括：對硅襯底雙面制絨，該硅襯底具有第一表面以及與該第一表面相對的第二表面；對該硅襯底的第一表面進行磷離子注入，注入劑量至少為2.5e15/cm2；通過背靠背擴散的方式對該硅襯底的第二表面進行硼擴散以在第二表面?zhèn)鹊墓枰r底中形成硼摻雜層，同時第一表面?zhèn)鹊牧妆煌七M至硅襯底中形成磷摻雜層，其中硼擴散溫度在850?1000℃；蝕刻去除擴散過程中形成于硅襯底側(cè)壁中的硼。在磷離子注入后進行硼擴散，一步高溫工藝實現(xiàn)硅片正背面的摻雜，簡化了工藝步驟。通過特定條件的磷離子注入和背靠背硼擴散的結(jié)合，背面的絨面得以保留，并且由此制得的雙面電池的背面效率和正面效率非常接近。

技術(shù)研發(fā)人員：何川;金光耀;王懿喆;洪俊華;陳炯
受保護的技術(shù)使用者：上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.06
技術(shù)公布日：2017.11.14