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互補金屬氧化物半導體影像感測器及形成方法與流程

文檔序號:12916841閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種互補金屬氧化物半導體影像感測器及形成方法。該互補金屬氧化物半導體影像感測器包含第二型的注入?yún)^(qū),形成于第一型的晶體層內(nèi)。傳輸柵的通道整個覆蓋注入?yún)^(qū),該注入?yún)^(qū)的部分結(jié)合光二極管、摻雜阱區(qū)及浮動擴散節(jié)點。

技術(shù)研發(fā)人員:吳揚;依那.派翠克;張宇軒;金起弘;郁飛霞
受保護的技術(shù)使用者:恒景科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2016.05.06
技術(shù)公布日:2017.11.14
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