技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟：S1：提供一自下而上依次包括硅襯底、絕緣埋層及頂層硅的SOI襯底；S2：在所述頂層硅表面依次形成III族氮化物薄膜及絕緣帽層；S3：進(jìn)行離子注入，在所述頂層硅中形成離子注入層；S4：提供一基片，將所述基片鍵合于所述絕緣帽層表面，得到鍵合結(jié)構(gòu)；S5：進(jìn)行退火，使得所述鍵合結(jié)構(gòu)自所述頂層硅處剝離，得到自下而上依次包括基片、絕緣帽層及III族氮化物薄膜的疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法可實(shí)現(xiàn)大尺寸的III族氮化物薄膜轉(zhuǎn)移，并可以得到光滑、高質(zhì)量的III族氮化物薄膜表面。同時(shí)，本發(fā)明的III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法可廣泛應(yīng)用于材料制備階段。

技術(shù)研發(fā)人員：陳龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海芯晨科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.05
技術(shù)公布日：2017.11.14