本發(fā)明涉及離子注入技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于芯片的離子注入設(shè)備。

背景技術(shù)：

離子注入是指當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現(xiàn)象叫做濺射；而當(dāng)離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射，另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象，在電子工業(yè)中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù)，也是控制mosfet閾值電壓的一個重要手段。因此在當(dāng)代制造大規(guī)模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。目前的芯片離子注入設(shè)備在使用時，作業(yè)面積小只能對待注入基板進(jìn)行單點(diǎn)注入，生產(chǎn)效率低下，且現(xiàn)有的離子注入設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的一種用于芯片的離子注入設(shè)備。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：

一種用于芯片的離子注入設(shè)備，包括底座，所述底座的頂端一側(cè)焊接有第一支柱，所述第一支柱的中部開設(shè)有水平設(shè)置的通孔，且通孔內(nèi)套接有軸承，軸承的內(nèi)壁套接有轉(zhuǎn)動桿，所述轉(zhuǎn)動桿遠(yuǎn)離第一支柱的一端通過螺絲固定有吸盤，所述底座的頂端一側(cè)通過螺絲固定有伺服電機(jī)，所述底座的頂端外壁另一側(cè)分別開設(shè)有第二電動導(dǎo)軌和第三電動導(dǎo)軌，所述第三電動導(dǎo)軌和第二電動導(dǎo)軌的中間處相垂直，且第三電動導(dǎo)軌和第二電動導(dǎo)軌相連通，所述第二電動導(dǎo)軌的內(nèi)部鑲嵌有第二滑塊，所述第二滑塊的頂端焊接有豎直設(shè)置的第二支柱，所述第二支柱相對第一支柱的一側(cè)開設(shè)有第一電動導(dǎo)軌，所述第一電動導(dǎo)軌的內(nèi)部鑲嵌有第一滑塊，所述第一滑塊遠(yuǎn)離第一電動導(dǎo)軌的一端通過螺絲固定有離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器靠近吸盤的一端焊接有離子槍頭，所述離子發(fā)生器的底端焊接有電動伸縮桿，所述電動伸縮桿的底端通過螺絲固定有水平設(shè)置的承載臺，且承載臺的一端焊接在第二支柱的外側(cè)壁。

優(yōu)選的，所述轉(zhuǎn)動桿貫穿第一支柱，且轉(zhuǎn)動桿靠近第一支柱的一端通過v帶和伺服電機(jī)的輸出軸傳動連接。

優(yōu)選的，所述伺服電機(jī)通過導(dǎo)線連接有開關(guān)，且開關(guān)連接有控制器，控制器的型號為data-7311。

優(yōu)選的，所述離子槍頭的距離底座的高度和吸盤距離底座的高度相配合。

優(yōu)選的，所述第一電動導(dǎo)軌的長度小于第二支柱的高度。

優(yōu)選的，所述第二電動導(dǎo)軌和第三電動導(dǎo)軌的長度和寬度均小于底座的長度和寬度。

本發(fā)明的有益效果為：本設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，使用時，通過控制第二滑塊在第二電動導(dǎo)軌和第三電動導(dǎo)軌內(nèi)進(jìn)行移動來調(diào)整離子槍頭對待注入基板的水平位置，之后在驅(qū)動第一滑塊在第一電動導(dǎo)軌內(nèi)上下移動以此來調(diào)整離子槍頭的豎直位置，通過伺服電機(jī)的帶動使轉(zhuǎn)動桿轉(zhuǎn)動，吸盤可以將待注入基板牢牢吸附，這樣就可以實(shí)現(xiàn)大面積的離子注入作業(yè)，提高生產(chǎn)效率，降低整個生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種用于芯片的離子注入設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明提出的一種用于芯片的離子注入設(shè)備的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1底座、2伺服電機(jī)、3轉(zhuǎn)動桿、4第一支柱、5吸盤、6離子槍頭、7離子發(fā)生器、8第一滑塊、9第一電動導(dǎo)軌、10電動伸縮桿、11第二支柱、12承載臺、13第二滑塊、14第二電動導(dǎo)軌、15第三電動導(dǎo)軌。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

參照圖1-2，一種用于芯片的離子注入設(shè)備，包括底座1，底座1的頂端一側(cè)焊接有第一支柱4，第一支柱4的中部開設(shè)有水平設(shè)置的通孔，且通孔內(nèi)套接有軸承，軸承的內(nèi)壁套接有轉(zhuǎn)動桿3，轉(zhuǎn)動桿3遠(yuǎn)離第一支柱4的一端通過螺絲固定有吸盤5，底座1的頂端一側(cè)通過螺絲固定有伺服電機(jī)2，底座1的頂端外壁另一側(cè)分別開設(shè)有第二電動導(dǎo)軌14和第三電動導(dǎo)軌15，第三電動導(dǎo)軌15和第二電動導(dǎo)軌14的中間處相垂直，且第三電動導(dǎo)軌15和第二電動導(dǎo)軌14相連通，第二電動導(dǎo)軌14的內(nèi)部鑲嵌有第二滑塊13，第二滑塊13的頂端焊接有豎直設(shè)置的第二支柱11，第二支柱11相對第一支柱4的一側(cè)開設(shè)有第一電動導(dǎo)軌9，第一電動導(dǎo)軌9的內(nèi)部鑲嵌有第一滑塊8，第一滑塊8遠(yuǎn)離第一電動導(dǎo)軌9的一端通過螺絲固定有離子發(fā)生器7，離子發(fā)生器7靠近吸盤5的一端焊接有離子槍頭6，離子發(fā)生器7的底端焊接有電動伸縮桿10，電動伸縮桿10的底端通過螺絲固定有水平設(shè)置的承載臺12，且承載臺12的一端焊接在第二支柱11的外側(cè)壁。

本發(fā)明中，轉(zhuǎn)動桿3貫穿第一支柱4，且轉(zhuǎn)動桿3靠近第一支柱4的一端通過v帶和伺服電機(jī)2的輸出軸傳動連接，伺服電機(jī)2通過導(dǎo)線連接有開關(guān)，且開關(guān)連接有控制器，控制器的型號為data-7311嗎，離子槍頭6的距離底座1的高度和吸盤5距離底座1的高度相配合，第一電動導(dǎo)軌9的長度小于第二支柱11的高度，第二電動導(dǎo)軌14和第三電動導(dǎo)軌15的長度和寬度均小于底座1的長度和寬度。

工作原理：使用時，通過控制第二滑塊13在第二電動導(dǎo)軌14和第三電動導(dǎo)軌15內(nèi)進(jìn)行移動來調(diào)整離子槍頭6對待注入基板的水平位置，之后在驅(qū)動第一滑塊8在第一電動導(dǎo)軌9內(nèi)上下移動以此來調(diào)整離子槍頭6的豎直位置，通過伺服電機(jī)2的帶動使轉(zhuǎn)動桿3轉(zhuǎn)動，吸盤5可以將待注入基板牢牢吸附，這樣就可以實(shí)現(xiàn)大面積的離子注入作業(yè)。

以上所述僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種用于芯片的離子注入設(shè)備，包括底座，所述底座的頂端一側(cè)焊接有第一支柱，所述第一支柱的中部開設(shè)有水平設(shè)置的通孔，且通孔內(nèi)套接有軸承，軸承的內(nèi)壁套接有轉(zhuǎn)動桿，所述轉(zhuǎn)動桿遠(yuǎn)離第一支柱的一端通過螺絲固定有吸盤，所述底座的頂端一側(cè)通過螺絲固定有伺服電機(jī)，所述底座的頂端外壁另一側(cè)分別開設(shè)有第二電動導(dǎo)軌和第三電動導(dǎo)軌，所述第三電動導(dǎo)軌和第二電動導(dǎo)軌的中間處相垂直。本發(fā)明通過驅(qū)動第一滑塊在第一電動導(dǎo)軌內(nèi)上下移動以此來調(diào)整離子槍頭的豎直位置，通過伺服電機(jī)的帶動使轉(zhuǎn)動桿轉(zhuǎn)動，吸盤可以將待注入基板牢牢吸附，這樣就可以實(shí)現(xiàn)大面積的離子注入作業(yè)工作，提高生產(chǎn)效率降低整個生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：卓廷厚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門芯光潤澤科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.13
技術(shù)公布日：2017.11.14