技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭示了一種射頻開(kāi)關(guān)及其制造方法。所述射頻開(kāi)關(guān)包括襯底，所述襯底上形成有間隔分布的多個(gè)單元，相鄰單元之間由STI隔離；每個(gè)單元包括第一柵極和第二柵極，所述第一柵極和第二柵極相鄰的一側(cè)的襯底中形成有公共源/漏區(qū)，所述第一柵極的另一側(cè)與STI之間形成有源區(qū)，所述第二柵極的另一側(cè)與STI之間形成有漏區(qū)，所述公共源/漏區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)及STI上形成有一層連接層，以降低MOM源漏寄生電容。本發(fā)明通過(guò)在源區(qū)、公共源/漏區(qū)、漏區(qū)及SIT上設(shè)置連接層，使得在源漏區(qū)上不用形成插塞和金屬線，一方面降低了由于MOM源漏寄生電容，減少了損耗；另一方面也優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了制作工藝。

技術(shù)研發(fā)人員：楊曉芳;王鷁奇;蔡建祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.26
技術(shù)公布日：2017.11.03