本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

移動電話等移動體通信設(shè)備中，為了放大向基站發(fā)送的無線頻率(rf：radiofrequency)信號的功率而使用功率放大電路。在功率放大電路中，為了滿足較高輸出功率等級，可使用將并聯(lián)連接的多個單位晶體管配置于基板的結(jié)構(gòu)(以下稱為多指結(jié)構(gòu):multi-fingerconfiguration)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

在上述多指結(jié)構(gòu)中，由于配置有單位晶體管的基板中的散熱程度不同，從而在單位晶體管間產(chǎn)生溫度偏差。此處，晶體管通常具有溫度越高則流過的電流越多這一溫度特性。因此，存在以下問題，即，在多個單位晶體管間產(chǎn)生溫度偏差的情況下，由于更多電流流過比其他單位晶體管的溫度更高的單位晶體管，從而導(dǎo)致輸出功率不足或功率效率變差。

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能降低多個單位晶體管間的溫度偏差的半導(dǎo)體裝置。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)手段

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一個側(cè)面所涉及的半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體基板；以及晶體管組，該晶體管組包含至少1列晶體管列，該至少1列晶體管列在半導(dǎo)體基板上沿第1方向排列配置有多個單位晶體管，至少1列晶體管列中的第1晶體管列包含：第1一組單位晶體管，該第1一組單位晶體管由以第1間隔相鄰的2個單位晶體管構(gòu)成；以及第2一組單位晶體管，該第2一組單位晶體管由以第2間隔相鄰的2個單位晶體管構(gòu)成，第1一組單位晶體管與第2一組單位晶體管相比，其形成在接近第1晶體管列在第1方向上的中心的位置，且第1間隔比第2間隔寬。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能提供一種能降低多個單位晶體管間的溫度偏差的半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

圖1是示出應(yīng)用本發(fā)明的一個實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的功率放大電路的結(jié)構(gòu)例的圖。

圖2是示出放大器112中的單位晶體管的配置例(配置例200a)的圖。

圖3是示出比較例中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。

圖4是示出比較例中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。

圖5是示出配置例200a中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。

圖6是示出配置例200a中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。

圖7是示出本發(fā)明的一個實施方式所涉及的功率放大電路100以及比較例中的輸出功率的模擬結(jié)果的一個示例的圖。

圖8是示出本發(fā)明的一個實施方式所涉及的功率放大電路100以及比較例中的功率附加效率的模擬結(jié)果的一個示例的圖。

圖9是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200b)的圖。

圖10是示出配置例200b中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。

圖11是示出配置例200b中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。

圖12是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200c)的圖。

圖13是示出配置例200c中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。

圖14是示出配置例200c中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。

圖15是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200d)的圖。

圖16是示出配置例200d中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。

圖17是示出配置例200d中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。

圖18是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200e)的圖。

圖19是示出配置例200e中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。

圖20是示出配置例200e中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。

圖21是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200f)的圖。

圖22是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200g)的圖。

具體實施方式

下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細(xì)說明。另外，對相同的要素標(biāo)注相同的符號，省略重復(fù)的說明。

圖1是示出應(yīng)用本發(fā)明的一個實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的功率放大電路的結(jié)構(gòu)例的圖。半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例并沒有特別限定，然而在本說明書中，以應(yīng)用于功率放大電路的情況為例進行說明。功率放大電路100包括放大器110、111、112以及電容器120、121、122。另外，對于其他結(jié)構(gòu)要素(例如偏置電路或匹配電路等)省略圖示。

功率放大電路100由包含放大器110、111、112的三級的放大器構(gòu)成。具體而言，功率放大電路100利用放大器110、111、112依次對輸入的無線頻率(rf：radiofrequency)信號rfin進行放大，并輸出放大信號rfout。放大器并沒有特別限定，例如可以是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(hbt：heterojunctionbipolartransistor)等雙極型晶體管，也可以是場效應(yīng)晶體管(mosfet：metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)等其他晶體管。在本實施方式中，例如最終級的放大器112為并聯(lián)連接有多個單位晶體管的多指結(jié)構(gòu)。

電容器120～122去除rf信號rfin的直流分量。

接著，參照圖2說明最終級的放大器112中的單位晶體管的配置。

圖2是示出放大器112中的單位晶體管的配置例(配置例200a)的圖。功率放大電路100形成在具有與xy平面平行的主面的半導(dǎo)體基板20上。在半導(dǎo)體基板20的一部分區(qū)域r中，形成具有多指結(jié)構(gòu)的放大器112。在如圖2所示的配置例200a中，區(qū)域r呈大致矩形，在x軸方向(第2方向)上排列形成有總計6列的晶體管列201～206。此外，在晶體管列201與晶體管列202之間、晶體管列203與晶體管列204之間、以及晶體管列205與晶體管列206之間分別形成有通孔30。另外，在本實施方式中示出了晶體管列為6列的結(jié)構(gòu)，然而晶體管列并不限于6列，只要為1列以上即可，區(qū)域r的形狀也不限于矩形。在其他的實施方式中也相同。

晶體管列201～206(晶體管組)分別具備沿與x軸方向正交的y軸方向(第1方向)排列配置的多個單位晶體管。具體而言，在區(qū)域r中位于x軸方向的外側(cè)區(qū)域rx_side的晶體管列201、202、205、206分別具備11個單位晶體管。另一方面，在區(qū)域r中位于x軸方向的內(nèi)側(cè)區(qū)域rx_in的晶體管列203、204分別具備10個單位晶體管。另外，晶體管列201～206所具備的單位晶體管的個數(shù)為示例，并沒有特別限定。

對于晶體管列203、204(第1晶體管列)的配置，下面以晶體管列203為例進行說明。晶體管列203與晶體管列201、202、205、206的結(jié)構(gòu)相比，具有去除了接近y軸方向的中心o的1個單位晶體管的結(jié)構(gòu)。具體而言，晶體管列203包含：一組單位晶體管40(第1一組單位晶體管)，該一組單位晶體管40由在接近y軸方向的中心o的位置形成的單位晶體管tre、trf構(gòu)成；以及一組單位晶體管42(第2一組單位晶體管)，該一組單位晶體管42由在與該一組單位晶體管40相比距中心o較遠(yuǎn)的位置形成的單位晶體管tri、trj構(gòu)成。若將單位晶體管tre、trf的間隔設(shè)為d1(第1間隔)，將單位晶體管tri、trj的間隔設(shè)為d2(第2間隔)，則間隔d1比間隔d2寬(d1＞d2)。

另一方面，位于晶體管列203、204在x軸方向上的兩側(cè)的晶體管列202與晶體管列205(一組第2晶體管列)、或晶體管列201與晶體管列206(一組第2晶體管列)中，以使得相鄰的單位晶體管的間隔d3(第4間隔)固定的方式來排列配置單位晶體管。此外，間隔d3比間隔d1窄(d1＞d3)。另外，間隔d3可以與間隔d2相同，也可以比間隔d2寬或比間隔d2窄。

此處，在對配置例200a的效果進行說明之前，對比較例進行說明。比較例設(shè)為以下結(jié)構(gòu)，即，與圖2所示的配置例200a相比，晶體管列203、204與晶體管列201等相同地具備11個單位晶體管。

圖3是示出比較例中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。示出了形成在半導(dǎo)體基板上的部分區(qū)域的11個×6列＝66個的單位晶體管的溫度分布。此處，在晶體管為多指結(jié)構(gòu)的情況下，區(qū)域r中密集地形成有單位晶體管的區(qū)域(即，半導(dǎo)體基板的xy平面的中央部)、與接近區(qū)域r端的區(qū)域(即，半導(dǎo)體基板的xy平面的外周部)相比散熱程度較小，因此單位晶體管的溫度變高。因此，如圖3所示，在66個單位晶體管間產(chǎn)生溫度偏差。

圖4是示出比較例中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。在圖4所示的曲線圖中，縱軸表示單位晶體管的個數(shù)，橫軸表示單位晶體管的溫度(deg)。即，在該直方圖中，單位晶體管的個數(shù)越是集中在規(guī)定的溫度表示多個單位晶體管間的溫度越接近均勻的狀態(tài)，單位晶體管的個數(shù)分布越分散表示溫度偏差越大。

如圖4所示，比較例中的單位晶體管的個數(shù)在溫度較高的范圍中(例如，87.9度～98.7度)分散。由此，若在多個單位晶體管間產(chǎn)生溫度偏差，則因晶體管的溫度特性導(dǎo)致溫度較高的單位晶體管中流過較多電流，導(dǎo)致輸出功率的下降或功率效率變差。

另一方面，在圖2所示的配置例200a中，如上所述，將區(qū)域r中位于內(nèi)側(cè)區(qū)域rx_in的晶體管列203、204的中心o附近的單位晶體管去除。由此，能抑制在圖3中以最高溫度來表示的中央部的溫度上升。另一方面，在比內(nèi)側(cè)區(qū)域rx_in的溫度要低的外側(cè)區(qū)域rx_side中，相對密集地形成有單位晶體管。因此，能降低多個單位晶體管間的溫度偏差。

圖5是示出配置例200a中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。示出了形成在半導(dǎo)體基板上的部分區(qū)域的11個×4列+10個×2列＝64個的單位晶體管的溫度分布。在配置例200a中，位于晶體管列203、204中心附近的單位晶體管間的間隔較寬。因此，圖5所示的溫度分布與圖3所示的溫度分布相比，中央部的溫度上升受到抑制。

圖6是示出配置例200a中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。如圖6所示，與圖4所示的比較例相比，配置例200a中溫度最高的單位晶體管的個數(shù)減少，92度的單位晶體管的個數(shù)增加。即，可以說抑制了尤其是在高溫范圍中的多個單位晶體管間的溫度偏差。

圖7是示出本發(fā)明的一個實施方式所涉及的功率放大電路100以及比較例中的輸出功率的模擬結(jié)果的一個示例的圖。另外，示出功率放大電路100的最終級的放大器112為配置例200a的結(jié)構(gòu)。該模擬結(jié)果示出將輸入功率設(shè)為6dbm時在每個頻率下的最大輸出功率，縱軸表示輸出功率(dbm)，橫軸表示頻率(mhz)。

如圖7所示，配置例200a與比較例相比，不論在哪個頻率下最大輸出功率都增大了。具體而言，配置例200a與比較例相比，雖然單位晶體管的總數(shù)少了2個，但是輸出功率增大了0.1db左右。

圖8是示出本發(fā)明的一個實施方式所涉及的功率放大電路100以及比較例中的功率附加效率的模擬結(jié)果的一個示例的圖。該模擬結(jié)果示出了每個頻率下的最大輸出功率時的功率附加效率，縱軸表示功率附加效率(％)，橫軸表示頻率(mhz)。

如圖8所示，配置例200a與比較例相比，不論在哪個頻率下功率附加效率都提高了0.5～1.0％左右。即，可以說通過改進單位晶體管的配置來抑制溫度偏差，從而消除了電流集中至部分單位晶體管，并提高了功率附加效率。由此，配置例200a與比較例相比，雖然單位晶體管的總數(shù)少了2個，但是通過使單位晶體管的動作均勻化，從而能增大輸出功率。

另外，圖1中示出了包含三級放大器的功率放大電路，然而放大器的級數(shù)不限于三級，也可以為一級、二級或四級以上。在功率放大電路包含二級以上的放大器時，與其他級相比最終級(功率級)的放大器的輸出功率為最大，因此優(yōu)選將本發(fā)明所涉及的單位晶體管的配置適用于最終級的放大器。

圖9是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200b)的圖。另外，對與圖2所示的配置例200a相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略說明。此外，在本實施方式的后述中，省略對于與上述實施方式共通內(nèi)容的記載，僅對不同點進行說明。特別地，對于相同結(jié)構(gòu)的相同作用效果，不再對每個實施方式依次進行言及。

圖9所示的配置例200b構(gòu)成為：在晶體管列301～306內(nèi),將內(nèi)側(cè)區(qū)域rx_in中位于晶體管列303、304在y軸方向的中心o附近的2個單位晶體管去除。即，單位晶體管trd、trd間的間隔d11(第1間隔)比單位晶體管trh、tri間的間隔d12(第2間隔)寬(d11＞d12)。并且，間隔d11比圖2所示的間隔d1寬(d11＞d1)。由此，從晶體管列的中心附近被去除的單位晶體管的個數(shù)沒有特別限定，也可以是2個以上。

圖10是示出配置例200b中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。示出了形成在半導(dǎo)體基板上的部分區(qū)域的11個×4列+9個×2列＝62個的單位晶體管的溫度分布。在配置例200b中，位于晶體管列303、304的中心o附近的單位晶體管間的間隔較寬。因此，可知，圖10所示的溫度分布與圖3所示的溫度分布相比，中央部的溫度上升受到抑制。

圖11是示出配置例200b中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。如圖11所示，在配置例200b中，與配置例200a相同地，92度的單位晶體管的個數(shù)有所增加。即，可以說降低了多個單位晶體管間的溫度偏差。

圖12是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200c)的圖。另外，對與圖2所示的配置例200a相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略說明。

圖12所示的配置例200c將單位晶體管配置如下：即，使得在晶體管列401～406中，內(nèi)側(cè)區(qū)域rx_in中位于晶體管列403、404在y軸方向的中心附近的單位晶體管的間隔大致均勻。即，對于單位晶體管trc與trd間的間隔d21、單位晶體管trd與tre間的間隔d22、單位晶體管tre與trf間的間隔d23、以及單位晶體管trf與trg間的間隔d24，其都比單位晶體管trh與tri間的間隔d25寬(d21≈d22≈d23≈d24＞d25)。

圖13是示出配置例200c中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖?？芍谂渲美?00c中，與配置例200a、200b相同地，與圖3所示的溫度分布相比，中央部的溫度上升也受到抑制。

圖14是示出配置例200c中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。如圖14所示，在配置例200c中，90度～92度的單位晶體管的個數(shù)有所增加。即，可以說降低了多個單位晶體管間的溫度偏差。

圖15是示出放大器112中的晶體管的其他配置例(配置例200d)的圖。另外，對與圖2所示的配置例200a相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略說明。

圖15所示的配置例200d與配置例200a相比，雖然晶體管的總數(shù)以及配置沒有改變，然而晶體管列501～506間在x軸方向上的間隔不同。具體而言，晶體管列501與晶體管列502之間的間隔d30、以及晶體管列505與晶體管列506之間的間隔d31比配置例200a中的相應(yīng)間隔要窄。即，配置例200d中的通孔32比配置例200a中的通孔30小。由此，配置例200d與配置例200a相比，形成有單位晶體管的區(qū)域r的面積變小，能實現(xiàn)基板的小型化。另外，如圖15所示，內(nèi)側(cè)區(qū)域rx_in中的晶體管列503與晶體管列504之間的間隔d32、也可以比外側(cè)區(qū)域rx_side中的晶體管列的間隔d30、d31寬(d30、d31＜d32)。由此，除y軸方向以外，在x軸方向上的單位晶體管間的間隔也能變寬，因此能進一步抑制中央部的溫度上升。

圖16是示出配置例200d中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。此外，圖17是示出配置例200d中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。

如圖17所示，配置例200d中的晶體管的溫度分布與圖6所示的配置例200a中的溫度分布相同。另外，在配置例200d中，因間隔d30以及間隔d31變窄，因而相比配置例200a，晶體管列501、506的溫度有可能變高。然而，晶體管列501、506位于區(qū)域r中x軸方向上的外側(cè)區(qū)域rx_side，與內(nèi)側(cè)區(qū)域rx_in相比溫度較低。因此，即使晶體管列501、506的溫度上升，但出于所有單位晶體管間的溫度均勻化的觀點，則不易成為問題。

圖18是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200e)的圖。另外，對與圖2所示的配置例200a相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略說明。

圖18所示的配置例200e與配置例200a相比，晶體管列602～605的結(jié)構(gòu)沒有改變，然而區(qū)域r中位于x軸方向上的兩端的晶體管列601、602(一組第2晶體管列)的結(jié)構(gòu)不同。具體而言，晶體管列601、606在以下位置未形成有單位晶體管，上述位置指在x軸方向上、與晶體管列603、604(第1晶體管列)的多個單位晶體管中位于y軸方向上的兩端的單位晶體管(例如，單位晶體管tra、trj)相對的位置。即，在配置例200e中，在區(qū)域r中的四個角部并未形成有單位晶體管。

圖19是示出配置例200e中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的圖。此外，圖20是示出配置例200e中的單位晶體管的溫度分布所涉及的模擬結(jié)果的一個示例的直方圖。

如圖19所示，區(qū)域r中的外周部(特別是四個角部)與中央部相比溫度變低。因此，通過去除位于四個角部的4個單位晶體管，從而去除了比其他的單位晶體管的溫度要低的單位晶體管。由此，配置例200e與配置例200a相比，能進一步降低多個單位晶體管間的溫度偏差。

圖21是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200f)的圖。另外，對與圖2所示的配置例200a相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略說明。

圖21所示的配置例200f將單位晶體管配置如下：即，與配置例200a相比，未去除接近晶體管列的中心的單位晶體管，而使得接近該中心的單位晶體管的間隔變寬。具體而言，例如在晶體管列703中，在y軸方向上相鄰的單位晶體管tre與trf間的間隔d41、以及單位晶體管trd與tre間的間隔d42，比單位晶體管tra與trb間的間隔d43寬(d41≈d42＞d43)。另外，晶體管列701、702、704～706與晶體管列703相同，因此省略詳細(xì)說明。

由此，單位晶體管的配置不限于如配置例200a～200e那樣從部分晶體管列去除單位晶體管的結(jié)構(gòu)，只要接近y軸方向的中心的單位晶體管的間隔比遠(yuǎn)離中心的單位晶體管的間隔寬即可。此外，在上述的其他實施方式中也與本實施方式相同地，構(gòu)成為位于外側(cè)區(qū)域rx_side的晶體管列與位于內(nèi)側(cè)區(qū)域rx_in的晶體管列為相同的結(jié)構(gòu)即可。

圖22是示出放大器112中的單位晶體管的其他配置例(配置例200g)的圖。另外，對與圖2所示的配置例200a相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)號，并省略說明。

圖22所示的配置例200g將單位晶體管配置如下：即，與圖21所示的配置例200f相比，越接近y軸方向的中心，則單位晶體管的間隔越呈階梯狀地變寬。具體而言，例如晶體管列803包含：一組單位晶體管44(第1一組單位晶體管)，該一組單位晶體管44由在接近y軸方向的中心o的位置形成的單位晶體管tre、trf構(gòu)成；一組單位晶體管46(第2一組單位晶體管)，該一組單位晶體管46由在與該一組單位晶體管44相比在距中心o較遠(yuǎn)的位置形成的單位晶體管trd、tre構(gòu)成；以及一組單位晶體管48(第3一組單位晶體管)，該一組單位晶體管48由在與該一組單位晶體管46相比在距中心o較遠(yuǎn)的位置形成的單位晶體管tra、trb構(gòu)成。若將單位晶體管tre與trf的間隔設(shè)為d51(第1間隔)、將單位晶體管trc與trd的間隔設(shè)為d52(第2間隔)、將單位晶體管tra與trb的間隔設(shè)為d53(第3間隔)，則間隔d51比間隔d52寬，間隔d52比間隔d53寬(d51＞d52＞d53)。另外，對于單位晶體管trg～trk，其與單位晶體管tra～tre相對于x軸對稱，因此省略說明。此外，晶體管列801、802、804～806與晶體管列803相同，因此省略說明。

由此，在配置例200g中，各晶體管列中越接近y軸方向的中心(即，越接近單位晶體管的溫度容易上升的區(qū)域)，則單位晶體管的間隔越呈階梯狀地變寬。因此，與配置例200f相比，能降低單位晶體管間的溫度偏差。

此外，也可以將配置例200g所示的呈階梯狀不同的間隔與上述的配置例200a～200f的結(jié)構(gòu)進行組合來使用。例如，也可以組合配置例200g與配置例200a，以比配置例200g中的外側(cè)區(qū)域rx_side的晶體管列801、802、805、806的間隔d51更窄的間隔(第4間隔)來形成單位晶體管。此外，也可以組合配置例200g與配置例200e，在配置例200g中，不在區(qū)域r中的四個角部形成單位晶體管。

以上，對本發(fā)明例示的實施方式進行了說明。在本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置所具備的單位晶體管的配置中，配置例200a～200g中，晶體管列中接近y軸方向的中心的單位晶體管的間隔比遠(yuǎn)離中心的單位晶體管的間隔寬。由此，與外周部相比，形成在溫度較高的中央部的單位晶體管的溫度上升受到抑制。因此，能降低多個單位晶體管間的溫度偏差。

此外，配置例200g中，在晶體管列803、804中，越接近y軸方向的中心，則單位晶體管間的間隔越寬。即，在配置例200g中，越接近單位晶體管的溫度容易上升的區(qū)域，則單位晶體管的間隔越呈階梯狀地變寬。因此，配置例200g與配置例200f相比，能進一步降低單位晶體管間的溫度偏差。

此外，配置例200a～200e中，包含配置在形成于內(nèi)側(cè)區(qū)域的晶體管列的兩側(cè)的一組晶體管列，該一組晶體管列以比形成于內(nèi)側(cè)區(qū)域的晶體管列的中心附近的單位晶體管間的間隔要窄的間隔，來配置排列多個單位晶體管。由此，在比內(nèi)側(cè)區(qū)域溫度低的外側(cè)區(qū)域中，相對密集地形成單位晶體管，因此能抑制單位晶體管間的溫度偏差。

此外，配置200e中，在形成有晶體管組的區(qū)域r中的四個角部未形成單位晶體管。由此，去除了比其他的單位晶體管的溫度要低的單位晶體管。因此，配置例200e與配置例200a相比，能進一步降低多個單位晶體管間的溫度偏差。

另外，上述所說明的各實施方式是為了便于理解本發(fā)明，但并非對本發(fā)明進行限定解釋。本發(fā)明可以在不脫離其主旨的范圍內(nèi)進行變更或改良，并且本發(fā)明還包含與其等價的內(nèi)容。即，只要在本領(lǐng)域技術(shù)人員對各實施方式進行適當(dāng)?shù)脑O(shè)計改變而得到的技術(shù)方案中包含本發(fā)明的特征，則認(rèn)為其包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，各實施方式所具有的各要素及其配置、材料、條件、形狀、尺寸等并不限于示例，能進行適當(dāng)?shù)母淖?。此外，各實施方式所具有的各要素能在技術(shù)上可實現(xiàn)的范圍內(nèi)進行組合，只要該組合包含本發(fā)明的特征則認(rèn)為其也包含于本發(fā)明的范圍中。

標(biāo)號說明

20半導(dǎo)體基板，30、32通孔，40、42、44、46、48一組單位晶體管，100功率放大電路，110、111、112放大器，120、121、122電容器，200a～200g，配置例，201～206、301～306、401～406、501～506、601～606、701～706、801～806晶體管列，tra～trk單位晶體管。