本發(fā)明涉及抑制噪聲的結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，尤其涉及一種用金屬罩隔離噪聲的方法。

背景技術(shù)：

在系統(tǒng)級(jí)芯片(soc)里，通常存在各種各樣的噪聲，有來(lái)自開(kāi)關(guān)電源的，也有來(lái)自數(shù)字芯片的，不一而足。然而芯片里面有些電路對(duì)噪聲特別敏感，例如高精度時(shí)鐘電路，噪聲會(huì)造成時(shí)鐘的偏移，導(dǎo)致輸出的時(shí)鐘信號(hào)不準(zhǔn)確。因此需要盡量減小噪聲對(duì)這些電路的影響。現(xiàn)在一般的做法是增加另外的噪聲抑制電路，還有就是在版圖上增大噪聲敏感電路與噪聲源的距離。這些做法增加了電路的復(fù)雜程度，版圖面積也會(huì)增大，功耗和成本也隨之提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足之處，在不增加版圖面積的前提下抑制噪聲，提高電路性能。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面本發(fā)明提供了一種敏感電路結(jié)構(gòu)，包括多層金屬層，該多層金屬層的底層設(shè)置為敏感電路層，頂層設(shè)置為金屬罩；金屬罩通過(guò)外置焊盤(pán)接地。

優(yōu)選地，多層金屬層為三層金屬層，其底層金屬層設(shè)置為敏感電路，頂層金屬設(shè)置為第一金屬罩，中間層設(shè)置為第二金屬罩；第一金屬罩和第二金屬罩通過(guò)焊盤(pán)接地。

優(yōu)選地，金屬罩的形狀設(shè)置為網(wǎng)狀。

優(yōu)選地，金屬罩的金屬線的寬度為10μm以上。

優(yōu)選地，敏感電路為系統(tǒng)級(jí)芯片中對(duì)噪聲敏感的電路，包括高精度時(shí)鐘電路。

優(yōu)選地，金屬罩與外置焊盤(pán)的連接線寬度為3-8μm。

另一方面，本發(fā)明提供了一種系統(tǒng)級(jí)芯片，該系統(tǒng)級(jí)芯片包括一個(gè)或多個(gè)上述敏感電路結(jié)構(gòu)，以及焊盤(pán)；敏感電路結(jié)構(gòu)中的金屬罩通過(guò)焊盤(pán)接地。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明將敏感電路結(jié)構(gòu)中的多層金屬層的底層設(shè)置為敏感電路層，頂層設(shè)置為金屬罩；金屬罩通過(guò)外置焊盤(pán)接地,金屬罩形狀設(shè)置為網(wǎng)狀，在不增加版圖面積的前提下，有效地抑制了噪聲，提高了電路性能。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種敏感電路結(jié)構(gòu)和外置焊盤(pán)位置俯視示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種敏感電路結(jié)構(gòu)和外置焊盤(pán)的結(jié)構(gòu)位置示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種敏感電路結(jié)構(gòu)和外置焊盤(pán)位置俯視示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種敏感電路結(jié)構(gòu)和外置焊盤(pán)的結(jié)構(gòu)位置示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種敏感電路結(jié)構(gòu)的金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種系統(tǒng)級(jí)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面我們以系統(tǒng)級(jí)芯片中對(duì)噪聲敏感的高精度時(shí)鐘電路結(jié)構(gòu)為例，結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種敏感電路結(jié)構(gòu)和外置焊盤(pán)位置俯視示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種敏感電路結(jié)構(gòu)和外置焊盤(pán)的結(jié)構(gòu)位置示意圖；

在第一個(gè)實(shí)施例中，如圖1和圖2所示，該敏感電路包括兩層金屬層，底層為高精度時(shí)鐘電路10,頂層設(shè)置一層金屬罩30，然后金屬罩30通過(guò)外置焊盤(pán)20接地，這樣可以把外部的各種噪聲隔開(kāi)，避免對(duì)目標(biāo)電路造成影響。

具體地，金屬罩30的形狀設(shè)置為網(wǎng)狀，滿足生產(chǎn)工藝有金屬密度的要求。

具體地，金屬罩30的金屬線的寬度為10μm以上，可以增強(qiáng)噪聲抑制的效果。

具體地，金屬罩與外置焊盤(pán)的連接線寬度為3-8μm。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種敏感電路結(jié)構(gòu)和外置焊盤(pán)位置俯視示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種敏感電路結(jié)構(gòu)和外置焊盤(pán)的結(jié)構(gòu)位置示意圖；

在第二個(gè)實(shí)施例中，如圖3和圖4所示，該電路結(jié)構(gòu)包括三層金屬層，底層為高精度時(shí)鐘電路10,頂層金屬層設(shè)置為第一金屬罩31，中間層金屬層設(shè)置為第二金屬罩32，第一金屬罩31和第二金屬罩32通過(guò)金屬線連接，第一金屬罩31通過(guò)外置焊盤(pán)20接地，這樣可以把外部的各種噪聲隔開(kāi)，避免對(duì)目標(biāo)電路造成影響。

具體地，第一金屬罩31和第二金屬罩32的形狀設(shè)置為網(wǎng)狀，滿足生產(chǎn)工藝有金屬密度的要求。

具體地，第一金屬罩31和第二金屬罩32的金屬線的寬度為10μm以上，可以增強(qiáng)噪聲抑制的效果。

具體地，金屬罩與外置焊盤(pán)的連接線寬度為3-8μm。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種敏感電路結(jié)構(gòu)的金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖。

在第三個(gè)實(shí)施例中，如圖5所示，該敏感電路結(jié)構(gòu)包含有金屬層m1，金屬層m2，金屬層m3，金屬層m4，金屬層m5共5層金屬層，底層的m1、m2和m3作為底層金屬層，設(shè)置為敏感電路，頂層的m5設(shè)置為第一金屬罩，中間的m4設(shè)置為第二金屬罩。

需要說(shuō)明的而是，我們?cè)谝陨蠈?shí)施例中所提到的底層金屬層，頂層金屬層，中間層金屬層指的是相對(duì)位置，并不是單指一層金屬層，具體的層數(shù)要根據(jù)實(shí)際工藝來(lái)確定。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種系統(tǒng)級(jí)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，該系統(tǒng)級(jí)芯片，包括敏感電路結(jié)構(gòu)a、敏感電路結(jié)構(gòu)b、敏感電路結(jié)構(gòu)c和敏感電路結(jié)構(gòu)d,以及焊盤(pán)，敏感電路結(jié)構(gòu)中的金屬罩通過(guò)焊盤(pán)接地。

以上的具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及抑制噪聲的版圖結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，尤其涉及一種用金屬罩隔離噪聲的方法，公開(kāi)了一種敏感電路結(jié)構(gòu)，包括多層金屬層，所述多層金屬層的底層設(shè)置為敏感電路層，頂層設(shè)置為金屬罩；所述金屬罩通過(guò)外置焊盤(pán)接地。所述金屬罩的形狀設(shè)置為網(wǎng)狀。所述金屬罩的金屬線的寬度為10μm以上。在不增加版圖面積的前提下，有效地抑制了噪聲，提高了電路性能。

技術(shù)研發(fā)人員：李秦;王釗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫中感微電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.20
技術(shù)公布日：2017.11.03