本發(fā)明涉及射頻結(jié)構(gòu)及其制造領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻開(kāi)關(guān)及其制造方法。

背景技術(shù)：

目前，各種通信標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展也同時(shí)發(fā)展。另外，根據(jù)無(wú)線通信模塊的小型化和便攜通信終端的性能的改善，對(duì)個(gè)人便攜通信終端符合多個(gè)通信標(biāo)準(zhǔn)的需求變得明顯。因此，個(gè)人便攜通信終端應(yīng)該以其操作的頻帶數(shù)量增加。

即，新的通信技術(shù)補(bǔ)充現(xiàn)有的第二代(2g)和第三代(3g)通信技術(shù)，使得使用第四代(4g)通信方案(諸如長(zhǎng)期演進(jìn)(lte))的通信終端得到發(fā)展。另外，在wi-fi通信領(lǐng)域，便攜通信終端除了現(xiàn)有的ieee802.11b/g/n協(xié)議之外已實(shí)現(xiàn)以ieee802.11ac標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行操作的能力以提高其可銷(xiāo)售性。

根據(jù)該趨勢(shì)，已在收發(fā)機(jī)的前面設(shè)置前端模塊并與其集成。在該情況下，支持發(fā)射和接收模式的射頻開(kāi)關(guān)應(yīng)運(yùn)而生。射頻開(kāi)關(guān)應(yīng)該盡量保持發(fā)射器和接收器的特征。尤其是，射頻開(kāi)關(guān)在發(fā)射模式中應(yīng)該具有低的插入損耗和高p1db級(jí)別(p1dblevel)，并且在接收模式中應(yīng)該具有低噪聲。另外，在發(fā)射模式，接收器側(cè)的開(kāi)關(guān)可能由于非常大的信號(hào)而被無(wú)意地開(kāi)啟。該操作可能降低發(fā)射器的開(kāi)關(guān)的p1db級(jí)別并劣化發(fā)射器和接收器之間的隔離特性。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的射頻開(kāi)關(guān)，包括襯底1，在襯底1中的淺溝槽隔離(sti)3將襯底分為多個(gè)單元，每個(gè)單元包括兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)2以及柵極結(jié)構(gòu)2兩側(cè)的源/漏區(qū)4，源/漏區(qū)4通過(guò)插塞5和金屬線6引出。

研究發(fā)現(xiàn)，在制作過(guò)程中增大器件的尺寸有利于獲得大功率的射頻開(kāi)關(guān)。然而，在實(shí)際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)結(jié)果卻不盡如人意，有著很大的損耗，這是目前所急需改進(jìn)的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種射頻開(kāi)關(guān)及其制造方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中射頻開(kāi)關(guān)損耗大的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種射頻開(kāi)關(guān)，包括襯底，所述襯底上形成有間隔分布多個(gè)單元，相鄰單元之間由sti隔離；每個(gè)單元包括第一柵極和第二柵極，所述第一柵極和第二柵極相鄰的一側(cè)的襯底中形成有公共源/漏區(qū)，所述第一柵極的另一側(cè)與sti之間形成有源區(qū)，所述第二柵極的另一側(cè)與sti之間形成有漏區(qū)，所述公共源/漏區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)及sti上形成有一層連接層。

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)，所述連接層的材質(zhì)為多晶硅。

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)，所述連接層的厚度為

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)，所述第一柵極和第二柵極呈叉指狀排列。

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)，所述連接層的形狀為蛇形。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種射頻開(kāi)關(guān)的制造方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底中形成sti以劃分多個(gè)單元區(qū)域；

在每個(gè)單元區(qū)域中襯底上形成第一柵極和第二柵極；

在sti與所述第一柵極之間的襯底中形成源區(qū)，在所述第一柵極和第二柵極之間的襯底中形成公共源/漏區(qū)，在第二柵極與sti之間的襯底中形成漏區(qū)；

在所述源區(qū)、公共源/漏區(qū)、漏區(qū)及sti上形成連接層。

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)的制造方法，所述連接層的材質(zhì)為多晶硅。

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)的制造方法，所述連接層的厚度為

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)的制造方法，采用cvd工藝形成所述連接層。

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)的制造方法，所述第一柵極和第二柵極呈叉指狀排列。

可選的，對(duì)于所述的射頻開(kāi)關(guān)的制造方法，所述連接層的形狀呈蛇形。

本發(fā)明提供的射頻開(kāi)關(guān)及其制造方法，通過(guò)在源區(qū)、公共源/漏區(qū)、漏區(qū)及sit上設(shè)置連接層，使得在源漏區(qū)上不用形成插塞和金屬線，這一方面大大的降 低了由于mom源漏寄生電容，減少了損耗，從而改善了射頻開(kāi)關(guān)的性能；另一方面也優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了制作工藝，有利于提高器件的可靠性和生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的射頻開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中的金屬線的俯視示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中的射頻開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中的射頻開(kāi)關(guān)的制造方法的流程圖；

圖5-圖8為本發(fā)明一實(shí)施例中的射頻開(kāi)關(guān)在制造過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明一實(shí)施例中的射頻開(kāi)關(guān)的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的射頻開(kāi)關(guān)及其制造方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，之所以在目前獲得的射頻開(kāi)關(guān)實(shí)際功率不盡如人意，是由于目前在擴(kuò)大器件尺寸(例如源漏的面積增大)的需求下，如圖2所示，后段工藝形成的金屬線6，被制作成呈指狀交叉，這導(dǎo)致了mom(金屬-氧化物-金屬)源漏寄生電容的增長(zhǎng)，會(huì)引起較強(qiáng)的耦合損耗，在很大程度上干擾了射頻開(kāi)關(guān)的功率?；诖耍l(fā)明人經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期研究后認(rèn)為，在源漏區(qū)上形成一層連接層，如此可以減少金屬線6的數(shù)量，增大相鄰金屬線之間的距離，也就降低了mom源漏寄生電容，從而改善了射頻開(kāi)關(guān)的性能。

下面結(jié)合圖3-圖9對(duì)本發(fā)明一實(shí)施例的射頻開(kāi)關(guān)及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō) 明。其中圖3為本發(fā)明中的射頻開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中的射頻開(kāi)關(guān)的制造方法的流程圖；圖5-圖8為本發(fā)明一實(shí)施例中的射頻開(kāi)關(guān)在制造過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明一實(shí)施例中的射頻開(kāi)關(guān)的俯視示意圖。

請(qǐng)參考圖3，本發(fā)明提供的射頻開(kāi)關(guān)，包括襯底10，所述襯底10上形成有間隔分布的多個(gè)單元，相鄰單元之間由sti(淺溝槽隔離結(jié)構(gòu))11隔離。每個(gè)單元包括第一柵極12和第二柵極13，所述第一柵極12和第二柵極13相鄰的一側(cè)的襯底10中形成有公共源/漏區(qū)14，所述第一柵極12的另一側(cè)與sti11之間形成有源區(qū)15，所述第二柵極13的另一側(cè)與sti11之間形成有漏區(qū)16，所述公共源/漏區(qū)14、源區(qū)15、漏區(qū)16及sti11上形成有一層連接層18，以降低mom源漏寄生電容。為簡(jiǎn)便，圖3中僅示出了一個(gè)單元，但應(yīng)理解，實(shí)際襯底10上可以形成有多個(gè)單元。

在較佳選擇中，所述連接層18的材質(zhì)為多晶硅，多晶硅材質(zhì)既能夠與襯底10相匹配，又可以基本上不帶來(lái)其他不良影響。當(dāng)然，所述連接層18的材質(zhì)并不限于此，還可以是其他導(dǎo)電材料。所述連接層18的厚度優(yōu)選為例如等。

請(qǐng)結(jié)合圖9，本實(shí)施例中，所述第一柵極12和第二柵極13呈叉指狀排列。所述連接層18的形狀為蛇形，圍繞著第一柵極12和第二柵極13分布在襯底10上，并覆蓋著源/漏區(qū)(包括公共源/漏區(qū)14、源區(qū)15及漏區(qū)16)。這樣，就不必在源/漏區(qū)上引出金屬線，只需在連接層18的兩端處引出(未圖示)即可。

可以理解的是，mom源漏寄生電容跟電極板之間的間距有關(guān)。如在圖2中，相鄰金屬線6之間的間距即為一個(gè)柵極的寬度。而在圖8中，相鄰金屬線之間的間距則基本上是整個(gè)射頻開(kāi)關(guān)的寬度(通常射頻開(kāi)關(guān)呈矩形，例如金屬線設(shè)置在器件沿y方向的兩端，y方向的尺寸即為整個(gè)射頻開(kāi)關(guān)的寬度)，而不是一個(gè)柵極的寬度。因此，相比圖2中的現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明避免了眾多金屬線6的存在所誘發(fā)的較大mom源漏寄生電容。在這個(gè)基礎(chǔ)上，器件尺寸做大所受的限制也就大大降低，可以達(dá)到微米級(jí)別，具體而言，現(xiàn)有技術(shù)中柵極的寬度為0.13μm，而本發(fā)明中則可以達(dá)到10μm及以上的器件寬度。以10μm為例，在本發(fā)明中的mom源漏寄生電容僅為現(xiàn)有技術(shù)中的0.13/10＝1.3％，大大降低了耦合損耗。

下面結(jié)合圖4～9對(duì)本發(fā)明的射頻開(kāi)關(guān)的制造方法進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。

首先，執(zhí)行步驟s101，如圖5所示，提供襯底10。該襯底10中可以形成有n阱，還可以形成有p型有源區(qū)，所述p型有源區(qū)通過(guò)在n阱中進(jìn)行p型注入獲得。當(dāng)然，所述襯底10中還可以形成有其它公知的結(jié)構(gòu)，此處不予限制。

接著，執(zhí)行步驟s102，請(qǐng)繼續(xù)參考圖5，在所述襯底10中形成sti11，通過(guò)sti11劃分多個(gè)單元區(qū)域。所述sti11可通過(guò)常規(guī)的光刻、刻蝕、淀積等工藝形成。

然后，執(zhí)行步驟s103，請(qǐng)參考圖6，在每個(gè)單元區(qū)域中襯底10上形成第一柵極12和第二柵極13；在較佳選擇中，所述第一柵極12和第二柵極13呈叉指狀排列。

之后，執(zhí)行步驟s104，如圖7所示，在sti11與所述第一柵極12之間的襯底10中形成源區(qū)15，在所述第一柵極12和第二柵極13之間的襯底10中形成公共源/漏區(qū)14，在第二柵極13與sti11之間的襯底10中形成漏區(qū)16；所述源區(qū)15、公共源/漏區(qū)14及漏區(qū)16的具體形成方法可以通過(guò)常規(guī)的離子注入和退火工藝形成。在本步驟完成后，緊接著，在第一柵極12和第二柵極13的兩側(cè)分別對(duì)應(yīng)形成側(cè)墻121、131。

最后，執(zhí)行步驟s105，請(qǐng)參考圖8、圖9(圖9示出了多個(gè)單元區(qū)域)和圖3，在所述源區(qū)15、公共源/漏區(qū)14、漏區(qū)16及sti11上形成連接層18。具體的，先采用cvd工藝沉積連接材料層17，完全覆蓋每個(gè)單元區(qū)域，然后采用一回刻工藝，暴露出柵極(包括側(cè)墻)的部分高度，保留所述連接材料層17層的厚度為從而形成如圖9所示的蛇形連接層18。較佳的，所述連接層18的材質(zhì)為多晶硅。其中，所述連接層18可以在后段工藝(beol)中自兩端引出，即不需要傳統(tǒng)的插塞及金屬線。

由此可見(jiàn)，本發(fā)明的制造方法中，通過(guò)在源區(qū)、公共源/漏區(qū)、漏區(qū)及sit上設(shè)置連接層，使得在源漏區(qū)上不用形成插塞和金屬線，大大的降低了由于mom源漏寄生電容，減少了損耗，并且由于不用形成插塞和金屬線，也簡(jiǎn)化了制作工藝，提高了生產(chǎn)效率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。