技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種同時(shí)制作PMOS管和NMOS管的方法，包括：在基板上形成第一源極和第一漏極以及第二源極和第二漏極；在所述第一源極和所述第一漏極之間形成P型半導(dǎo)體碳納米管，同時(shí)在所述第二源極和所述第二漏極之間形成N型半導(dǎo)體碳納米管；在所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極、所述第二漏極、所述P型半導(dǎo)體碳納米管及所述N型半導(dǎo)體碳納米管上形成介電層；在所述介電層上形成第一柵極及第二柵極；所述第一柵極與所述P型半導(dǎo)體碳納米管相對(duì)，所述第二柵極與所述N型半導(dǎo)體碳納米管相對(duì)，以形成在同一基板上的PMOS管和NMOS管。本發(fā)明還提供了一種CMOS及其制作方法、振蕩器。本發(fā)明降低了CMOS制作的工藝復(fù)雜性和成本，提高了CMOS性能的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：趙建文;張祥;崔錚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.13
技術(shù)公布日：2017.10.24