技術特征：
1.一種基于黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結能量帶隙可調(diào)的光探測器，其特征在于：包括二氧化硅襯底層(1)，從下到上依次設置在二氧化硅襯底層(1)上的第一石墨烯層(21)、第一隔離介質(zhì)層(31)、二硫化鉬層(4)、黑磷導電層(5)、第二隔離介質(zhì)層(32)和第二石墨烯層(22)；所述二硫化鉬層(4)和黑磷導電層(5)構成異質(zhì)結結構；所述黑磷導電層(5)上設置有第一引出電極(71)和第二引出電極(72)，第二隔離介質(zhì)層(32)和第二石墨烯層(22)將第一引出電極(71)和第二引出電極(72)隔開；所述第一石墨烯層(21)延伸出第一隔離介質(zhì)層(31)，在延伸出的第一石墨烯層(21)上設置有第一電極(61)，所述第二石墨烯層(22)上設置第二電極(62)，形成平板電容結構。2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結能量帶隙可調(diào)的光探測器，其特征在于：所述黑磷導電層(5)為單層或多層。3.根據(jù)權利要求1所述的一種基于黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結能量帶隙可調(diào)的光探測器，其特征在于：所述第一石墨烯層(21)和第二石墨烯層(22)為單層或多層。4.根據(jù)權利要求1所述的一種基于黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結能量帶隙可調(diào)的光探測器，其特征在于：所述第一電極(61)和第二電極(62)中的一個電極連接正電極，另一個電極接地，在第一石墨烯層(21)和第二石墨烯層(22)之間形成垂直于黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結的電場。5.根據(jù)權利要求1所述的一種基于黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結能量帶隙可調(diào)的光探測器，其特征在于：所述第一隔離介質(zhì)層(31)和第二隔離介質(zhì)層(32)為硅氧化物、硅氮氧化物或硼氮化物絕緣材料中的一種，并將第一石墨烯層(21)、黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結和第二石墨烯層(22)依次隔離。6.根據(jù)權利要求1所述的一種基于黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結能量帶隙可調(diào)的光探測器，其特征在于：所述第一電極層(61)、第二電極層(62)、第一引出電極(71)和第二引出電極(72)的材質(zhì)為金、銀、銅、鉑、鈦、鎳、鈷、鈀中的一種或多種。7.根據(jù)權利要求1所述的一種基于黑磷/二硫化鉬異質(zhì)結能量帶隙可調(diào)的光探測器，其特征在于：所述第一引出電極(71)和第二引出電極(72)為引出電極，與外部電路相連。