1.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括以下步驟：
形成從插入物晶圓的第一表面延伸到所述插入物晶圓的主體中的通孔；
在所述通孔中和所述插入物晶圓的所述第一表面上形成互連結(jié)構(gòu)，各個(gè)所述互連結(jié)構(gòu)包括填充所述通孔中的一個(gè)的貫通電極部分、設(shè)置在所述插入物晶圓的所述第一表面上的外部連接部分以及將所述貫通電極部分連接到所述外部連接部分的延伸部分；
使所述插入物晶圓的與所述外部連接部分相對(duì)的第二表面凹進(jìn)，以在凹進(jìn)的第二表面處暴露所述貫通電極部分的端部；
將半導(dǎo)體晶片安裝在所述插入物晶圓的所述凹進(jìn)的第二表面上，以將所述半導(dǎo)體晶片的晶片連接部分電連接到所述貫通電極部分的所述端部；以及
在所述插入物晶圓的所述凹進(jìn)的第二表面上形成覆蓋所述半導(dǎo)體晶片的保護(hù)部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述插入物晶圓包括硅晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述互連結(jié)構(gòu)的步驟包括形成導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層填充所述通孔以提供所述貫通電極部分并且延伸到所述插入物晶圓的所述第一表面上以提供所述外部連接部分和所述延伸部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述通孔被形成為分別與所述半導(dǎo)體晶片的所述晶片連接部分對(duì)齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述外部連接部分被形成為分別相對(duì)于所述半導(dǎo)體晶片的所述晶片連接部分偏移。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，各個(gè)所述外部連接部分被形成為具有比各個(gè)所述貫通電極部分的線寬大小大的線寬大小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述外部連接部分被形成為具有比所述貫通電極部分的間距大小大的間距大小。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：在使所述插入物晶圓的所述第二表面凹進(jìn)之前，將載體基板附接到所述插入物晶圓的所述第一表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在形成所述保護(hù)部分之后，所述載體基板被去除以暴露所述外部連接部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，該方法還包括以下步驟：在去除所述載體基板 之后，將外部連接端子附接到暴露的外部連接部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，安裝所述半導(dǎo)體晶片的步驟包括形成將所述晶片連接部分與所述貫通電極部分的所述端部結(jié)合的互連器；并且
其中，各個(gè)所述互連器包括凸點(diǎn)或者中間焊料層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述保護(hù)部分被形成為延伸到所述半導(dǎo)體晶片與所述插入物晶圓之間的空間中并且包圍所述互連器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述半導(dǎo)體晶片的所述晶片連接部分成兩列設(shè)置在所述半導(dǎo)體晶片的邊緣部分上，并且
其中，所述貫通電極部分被設(shè)置為成兩列并排地與所述晶片連接部分對(duì)齊。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述外部連接部分分別成兩列并排地設(shè)置到所述貫通電極部分的外側(cè)并且與所述插入物晶片的邊緣相鄰。
15.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括以下步驟：
將半導(dǎo)體晶片附接到插入物晶圓的第一表面，使得所述半導(dǎo)體晶片的晶片連接部分面朝所述第一表面；
在所述插入物晶圓的所述第一表面上形成覆蓋所述半導(dǎo)體晶片的保護(hù)部分；
通過使所述插入物晶圓的與所述半導(dǎo)體晶片相對(duì)的第二表面凹進(jìn)來(lái)減小所述插入物晶圓的厚度；
在具有凹進(jìn)的第二表面的所述插入物晶圓中形成通孔以暴露所述晶片連接部分；以及
在所述通孔中和所述插入物晶圓的所述凹進(jìn)的第二表面上形成互連結(jié)構(gòu)，各個(gè)所述互連結(jié)構(gòu)包括填充所述通孔中的一個(gè)的貫通電極部分、設(shè)置在所述插入物晶圓的所述凹進(jìn)的第二表面上的外部連接部分以及將所述貫通電極部分連接到所述外部連接部分的延伸部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述互連結(jié)構(gòu)的步驟包括形成導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層填充所述通孔以提供所述貫通電極部分并且延伸到所述插入物晶圓的所述凹進(jìn)的第二表面上以提供所述外部連接部分和所述延伸部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層被形成為與通過所述通孔暴 露的所述晶片連接部分直接接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述通孔被形成為分別與所述半導(dǎo)體晶片的所述晶片連接部分對(duì)齊。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述外部連接部分被形成為相對(duì)于所述半導(dǎo)體晶片的所述晶片連接部分偏移。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，各個(gè)所述外部連接部分被形成為具有比各個(gè)所述貫通電極部分的線寬大小大的線寬大小。
21.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：
插入物晶片，該插入物晶片具有彼此相對(duì)的第一表面和第二表面；
互連結(jié)構(gòu)，該互連結(jié)構(gòu)包括穿透所述插入物晶片并且端部在所述第二表面處暴露的貫通電極部分、設(shè)置在所述插入物晶片的所述第一表面上的外部連接部分以及將所述貫通電極部分連接到所述外部連接部分的延伸部分；
半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片被安裝在所述插入物晶片的所述第二表面上，使得所述半導(dǎo)體晶片的晶片連接部分與所述貫通電極部分的所述端部聯(lián)接；以及
保護(hù)部分，該保護(hù)部分被設(shè)置在所述插入物晶片的所述第二表面上以覆蓋所述半導(dǎo)體晶片。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝還包括互連器，該互連器將所述晶片連接部分與所述貫通電極部分的所述端部聯(lián)接，
其中，所述互連器包括凸點(diǎn)或者中間焊料層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述保護(hù)部分延伸到所述半導(dǎo)體晶片與所述插入物晶片之間的空間中以包圍所述互連器。
24.一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：
半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片被安裝在插入物晶片的第一表面上，使得所述半導(dǎo)體晶片的晶片連接部分面朝所述插入物晶片的所述第一表面；
保護(hù)部分，該保護(hù)部分被設(shè)置在所述插入物晶片的所述第一表面上以覆蓋所述半導(dǎo)體晶片；以及
互連結(jié)構(gòu)，該互連結(jié)構(gòu)包括位于所述插入物晶片的與所述半導(dǎo)體晶片相對(duì)的第二表面上的外部連接部分、穿透所述插入物晶片并且端部與所述晶片連接部分結(jié)合的貫通電極部分以及將所述貫通電極部分連接到所述外部連接部分的延伸部分。