1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
絕緣電路基板；
安裝在所述絕緣電路基板上的半導(dǎo)體元件；
層疊在所述絕緣電路基板上的第一絕緣樹脂層；
鍍銅配線，經(jīng)由窗口部與所述半導(dǎo)體元件接觸，其中，所述窗口部形成在所述第一絕緣樹脂層上并能夠與所述半導(dǎo)體元件接觸；以及
第二絕緣樹脂層，以密封所述鍍銅配線的方式層疊所述第二絕緣樹脂層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述鍍銅配線是片狀。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述鍍銅配線包括籽晶層和銅鍍層，其中，所述籽晶層是金屬或合金的薄膜層，所述銅鍍層通過(guò)鍍銅而層疊在所述籽晶層上。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述籽晶層是選自Cu、Ni、Al、Ag、Au中的一種以上的金屬或合金。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一絕緣樹脂層和/或第二絕緣樹脂層是選自聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚苯并咪唑樹脂中的一個(gè)以上的樹脂。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
在絕緣電路基板上安裝半導(dǎo)體元件；
在所述絕緣電路基板上層疊第一絕緣樹脂層；
形成經(jīng)由窗口部與所述半導(dǎo)體元件接觸的鍍銅配線，其中，所述 窗口部形成在所述第一絕緣樹脂層上并能夠與所述半導(dǎo)體元件接觸；以及
以密封所述鍍銅配線的方式層疊第二絕緣樹脂層。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述鍍銅配線的工序包括：
形成籽晶層的工序，其中所述籽晶層是金屬或合金的薄膜層；以及
通過(guò)鍍銅在所述籽晶層上層疊銅鍍層的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，
通過(guò)濺射法或化學(xué)鍍法執(zhí)行所述形成所述籽晶層的工序。
9.如權(quán)利要求6～8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成所述第一絕緣樹脂層的工序包括：
在安裝有所述半導(dǎo)體元件的所述絕緣電路基板上放置選自聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚苯并咪唑樹脂中的一個(gè)以上的樹脂膜的工序；以及
通過(guò)熔化所述樹脂膜形成所述第一絕緣樹脂層的工序，其中，所述第一絕緣樹脂層在所述半導(dǎo)體元件之上的厚度是20μm以上。