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片式電子組件及其制造方法與流程

文檔序號:11809632閱讀:181來源:國知局
片式電子組件及其制造方法與流程

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種片式電子組件和用于安裝該片式電子組件的板。



背景技術(shù):

電感器是一種片式電子組件,并且是可與電阻器和電容器一起構(gòu)造電子電路中的組件以從電子電路中去除噪聲的代表性無源裝置。此外,電感器可用于通過與利用電磁特性的電容器、濾波電路等結(jié)合來構(gòu)造用于放大特定頻帶內(nèi)的信號的諧振電路。

最近,信息技術(shù)(IT)裝置(諸如通信裝置和顯示裝置)的小型化和纖薄化的趨勢已在不斷加速。據(jù)此,也已經(jīng)不斷地對各種小型化和纖薄化的裝置(諸如在IT裝置中使用的電感器、電容器以及晶體管)進行研究。例如,電感器已經(jīng)迅速地轉(zhuǎn)換成小型化并且能夠自動地安裝在高密度的表面上的芯片,已經(jīng)不斷地開發(fā)了通過在線圈圖案上將磁性粉末與樹脂混合而形成的薄膜型電感器,其中,通過在薄絕緣基板的上表面和下表面上鍍覆來形成所述線圈圖案。

可通過在絕緣基板上形成線圈圖案然后利用磁性材料填充主體的外部來制造薄膜型電感器。

對于增大直流電阻Rdc(電感器的重要特性)而言,鍍覆面積起到重要作用。為此,已經(jīng)應(yīng)用了施加高電流密度以使鍍覆層僅在線圈上沿向上的方向生長的各向異性鍍覆法。

詳細地講,在用于形成電感器的線圈的基板鍍覆過程中,執(zhí)行了首次圖案鍍覆步驟,然后通過在線圈的特定的部分上涂覆絕緣材料(諸如阻焊劑(SR)或干膜抗蝕劑(DFR))來執(zhí)行二次鍍覆。

通常,在首次鍍覆之后的二次鍍覆步驟中,內(nèi)鍍覆層(除了最外面的鍍覆層和最里面的鍍覆層之外的鍍覆層)由于沿相反方向的相鄰的鍍覆層而具有相對不變的鍍覆寬度和厚度。

然而,由于最外面的鍍覆層和最里面的鍍覆層在一側(cè)不具有相鄰的鍍覆層,在二次鍍覆過程中鍍覆材料會過量地鍍覆在所述一側(cè)。因此,通常最外面和最里面的線圈導體圖案具有比內(nèi)線圈導體圖案的寬度大的寬度。

此外,由于最外面的鍍覆層和最里面的鍍覆層在一側(cè)不具有相鄰的鍍覆層并且設(shè)置了阻擋部(諸如阻焊劑(SR)或干膜抗蝕劑(DFR)),銅離子的供應(yīng)會不足,因此,鍍覆層沿厚度方向生長緩慢,導致出現(xiàn)全部線圈導體圖案的鍍覆厚度分布不均。

由于上面的鍍覆厚度的分布而導致難以實現(xiàn)所設(shè)計的容量或?qū)崿F(xiàn)直流Rdc特性。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本公開的一方面提供了一種片式電子組件和用于安裝該片式電子組件的板。

根據(jù)本公開的一方面,一種片式電子組件包括:磁性主體,包括絕緣基板和設(shè)置在絕緣基板的至少一個表面上的線圈導體圖案;外電極,形成在磁性主體的相反的端部上,以連接到線圈導體圖案的端部,其中,線圈導體圖案包括圖案鍍覆層和設(shè)置在圖案鍍覆層上的第一鍍覆層,線圈導體圖案的最里面和最外面的線圈導體圖案的第一鍍覆層的厚度比設(shè)置在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層的厚度大。

內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層的厚度可相同。

可滿足表達式Wa’<Wa,這里,Wa是線圈導體圖案的最里面和最外面的線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度,Wa’是設(shè)置在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度。

內(nèi)線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度可相同。

線圈導體圖案還可包括設(shè)置在第一鍍覆層上的第二鍍覆層。

第二鍍覆層可設(shè)置在第一鍍覆層的上表面上。

第二鍍覆層的寬度可與第一鍍覆層的寬度基本相同。

根據(jù)本公開的另一方面,一種片式電子組件包括:磁性主體,包括絕緣基板和設(shè)置在絕緣基板的至少一個表面上的線圈導體圖案;外電極,形成在磁性主體的相反的端部上,以連接到線圈導體圖案的端部,其中,線圈導體圖案包括圖案鍍覆層和設(shè)置在圖案鍍覆層上的第一鍍覆層。當線圈導體圖案的最里面和最外面的線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度為Wa并且設(shè)置在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度為Wa’時,滿足Wa’<Wa。

根據(jù)本公開的另一方面,一種用于安裝片式電子組件的板包括:印刷電路板(PCB),包括設(shè)置在PCB上的第一電極墊和第二電極墊;片式電子組件,在PCB上安裝如上所述的片式電子組件。

根據(jù)本公開的另一方面,一種制造片式電子組件的方法包括如下步驟:通過在絕緣基板上形成圖案鍍覆層并且在圖案鍍覆層上形成第一鍍覆層來形成線圈導體圖案;圍繞線圈導體圖案形成磁性主體;在磁性主體的第一端表面和第二端表面上形成外電極,以連接到線圈導體圖案的端部。滿足表達式Wa’<Wa,這里,Wa是線圈導體圖案的最里面和最外面的線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度,Wa’是設(shè)置在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度。

根據(jù)本公開的另一方面,一種制造片式電子組件的方法包括如下步驟:通過在絕緣基板上形成圖案鍍覆層并且在圖案鍍覆層上形成第一鍍覆層來形成線圈導體圖案;圍繞線圈導體圖案形成磁性主體;在磁性主體的第一端表面和第二端表面上形成外電極,以連接到線圈導體圖案的端部,其中,ta’<ta,這里,ta是線圈導體圖案的最里面和最外面的線圈導體圖案的第一鍍覆層的厚度,ta’是設(shè)置在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層的厚度。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述,將更加清楚地理解本公開的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)勢:

圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件的內(nèi)線圈圖案的示意性透視圖;

圖2是沿著圖1的I-I'線截取的薄膜型電感器的剖視圖;

圖3是圖2的A部分的示意性放大圖;

圖4是根據(jù)本公開的另一示例性實施例的圖2的A部分的示意性放大圖;

圖5是示出圖1的片式電子組件安裝在印刷電路板上的示例的透視圖。

具體實施方式

在下文中,將參照附圖詳細描述本公開的實施例。

然而,本公開可按照多種不同的形式來實施,并不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的實施例。更確切地說,這些實施例被提供為使得本公開將是徹底的和完整的,且將本公開的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。

在附圖中,為了清晰起見,會夸大元件的形狀和尺寸,并將始終使用相同的標號來表示相同或相似的元件。

片式電子組件

在下文中,將針對特別是薄膜型電感器來描述根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件,但不限于此。

圖1是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件的內(nèi)線圈圖案的示意性透視圖。

圖2是沿著圖1的I-I'線截取的薄膜型電感器100的剖視圖。圖3是圖2的A部分的示意性放大圖。

參照圖1至圖3,公開了用于供電電路的電力線中的薄膜型電感器100作為片式電子組件的示例??梢砸云酱胖?、片式濾波器等合適的形式應(yīng)用片式電子組件。

薄膜型電感器100可包括磁性主體50、絕緣基板23以及線圈導體圖案42和44。

可通過在絕緣基板23上形成線圈導體圖案42和44然后利用磁性材料填充主體50的外部來制造薄膜型電感器100。

對于增大直流電阻Rdc(薄膜型電感器100的重要的特性)來說鍍覆面積起到重要作用。為此,已經(jīng)應(yīng)用了施加高電流密度的電流以使鍍覆層僅沿線圈向上的方向生長的各向異性鍍覆法。

詳細地講,在用于形成電感器的線圈的絕緣基板鍍覆步驟中,執(zhí)行首次鍍覆步驟,然后通過在線圈的特定部分上涂覆絕緣材料(諸如阻焊劑(SR)或干膜抗蝕劑(DFR))執(zhí)行二次鍍覆。

可通過首次圖案鍍覆步驟來形成圖案鍍覆層。因此,在首次圖案鍍覆步驟中,可將光刻膠涂覆在絕緣基板上,可利用光掩膜保持光刻膠的部分不暴露于光而將線圈導體圖案暴光、轉(zhuǎn)印并顯影,可在這種狀態(tài)下執(zhí)行鍍覆并且去除光刻膠的保持的部分以形成圖案鍍覆層。

在執(zhí)行了首次圖案鍍覆步驟之后,可在絕緣基板上執(zhí)行二次鍍覆以使鍍覆層生長,因此,線圈導體圖案42和44可分別設(shè)置在絕緣基板23的上面和下面。

一般的薄膜型電感器會需要高電感L和低直流電阻Rdc,具體地說,一般的薄膜型電感器是主要在針對各個頻率電感值之間的偏差比較小的情況下使用的組件。

磁性主體50可形成薄膜電感器100的外表面,并且可由具有磁性性質(zhì)的任何材料形成,并且可由例如鐵氧體或金屬軟磁性材料形成。

鐵氧體的示例可包括Mn-Zn鐵氧體、Ni-Zn鐵氧體、Ni-Zn-Cu鐵氧體、Mn-Mg鐵氧體、Ba鐵氧體或Li鐵氧體。

金屬軟磁性材料的示例可包括包含從由Fe、Si、Cr、Al以及Ni組成的組中選擇的一種或更多種的合金,并且可包括例如Fe-Si-B-Cr非晶態(tài)金屬顆粒,但不限于此。

金屬軟磁性材料的顆粒直徑可以為0.1μm至30μm并且可包括金屬軟磁性材料以將金屬軟磁性材料分散在聚合物(諸如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺)上。

磁性主體50可為六面體形狀。定義用于描述本公開的六面體形狀的方向,圖1中的L、W以及T分別指示長度方向、寬度方向以及厚度方向。

形成在磁性主體50中的絕緣基板23可形成為薄膜,并且可由任何材料形成,只要通過鍍覆形成線圈導體圖案42和44即可。例如,絕緣基板23可形成為PCB基板、鐵氧體基板以及金屬軟磁性基板等。

可在絕緣基板23的中部形成通孔并且可用磁性物質(zhì)(諸如鐵氧體或金屬軟磁性材料)填充所述通孔以形成芯部。由于形成了填充有磁性物質(zhì)的芯部,所以可增大電感L。

可在絕緣基板23的第一表面上形成具有線圈圖案的線圈導體圖案42,并且可在絕緣基板23的與第一表面背對的第二表面上形成具有線圈圖案的線圈導體圖案44。

線圈導體圖案42和44可以是螺旋形狀的線圈圖案。形成在絕緣基板23的第一表面上的線圈導體圖案42和形成在絕緣基板23的第二表面上的線圈導體圖案44可通過形成在絕緣基板23中的過孔電極46來彼此電連接。

線圈導體圖案42和44以及過孔電極46可形成為包括具有良好導電性質(zhì)的金屬,例如,銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)、鉑(Pt)或它們的兩種或更多種的合金。

雖然未示出,但是可在線圈導體圖案42和44的表面上形成絕緣膜。

可利用公知的方法(諸如絲網(wǎng)印刷、通過光刻膠(PR)的曝光與顯影的步驟、噴涂、以及浸漬)形成絕緣膜。

絕緣膜的形成不受具體限制,只要絕緣膜形成為薄膜即可,例如,絕緣膜可形成為包括光刻膠(PR)、環(huán)氧樹脂等。

形成在絕緣基板23的第一表面上的線圈導體圖案42的一個端部可暴露于磁性主體50的在長度方向上的第一端表面,形成在絕緣基板23的第二表面上的線圈導體圖案44的一個端部可暴露于磁性主體50的在長度方向上與第一端表面相對的第二端表面。

可沿長度方向在第一端表面上形成外電極31以連接到磁性主體50的沿長度方向暴露于第一端表面的線圈導體圖案42,可沿長度方向在第二端表面上形成外電極32以連接到磁性主體50的沿長度方向暴露于第二端表面的線圈導體圖案44。

外電極31和32可從磁性主體50的在長度方向上相對的側(cè)表面延伸至磁性主體50的厚度方向上的外表面和/或?qū)挾确较蛏舷鄬Φ膫?cè)表面。

此外,外電極31和32可形成在磁性主體50的上表面和/或下表面上并延伸至磁性主體50的長度方向和/或?qū)挾确较蛏舷鄬Φ亩吮砻妗?/p>

也就是說,外電極31和32的布置可不受具體限制,因此,可以以各種方式布置外電極31和32。

外電極31和32可由具有良好導電性質(zhì)的金屬形成。例如,可單獨使用鎳(Ni)、銅(Cu)、錫(Sn)、銀(Ag)或使用它們中的兩種或更多種的合金。

參照圖1,線圈導體圖案42和44可被設(shè)置為平行于磁性主體50的下表面,但不限于此,因此,也可將線圈導體圖案42和44設(shè)置為垂直于下 表面。

參照圖2和圖3,線圈導體圖案42和44可包括圖案鍍覆層42a和42a’以及形成在圖案鍍覆層42a和42a’上的第一鍍覆層42b和42b’。對于磁性主體50的長度方向上的端表面,線圈導體圖案42和44的最外面和最里面的線圈導體圖案的第一鍍覆層42b的厚度ta可比設(shè)置在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層42b’的厚度ta’大(ta’<ta)。

雖然圖3通過僅放大線圈導體圖案42和44的一個線圈導體圖案42的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示出了將在下面描述的圖案鍍覆層42a和42a’、第一鍍覆層42b和42b’以及第二鍍覆層42c,但是其他線圈導體圖案44顯然也可具有上面的結(jié)構(gòu)。

圖案鍍覆層42a和42a’均可以是通過在絕緣基板23上形成圖案化阻鍍劑并且利用導電金屬填充開口而形成的圖案鍍覆層。

第一鍍覆層42b和42b’可通過電鍍形成并且均可以是沿線圈的寬度方向W和高度方向T同時生長的各向同性鍍覆層。

第二鍍覆層42c可通過鍍覆形成并且可以是通過僅沿線圈的高度方向T生長同時在線圈的寬度方向W抑制生長而形成的各向異性鍍覆層。

可調(diào)節(jié)電流密度、鍍液濃度以及鍍覆速度等以使第一鍍覆層42b和42b’形成為各向同性鍍覆層并且使第二鍍覆層42c形成為各向異性鍍覆層。

也就是說,根據(jù)本公開的示例性實施例,線圈導體圖案42和44還可包括設(shè)置在第一鍍覆層42b和42b’上的第二鍍覆層42c,并且第二鍍覆層42c可設(shè)置在第一鍍覆層42b和42b’的上表面上。

這樣,可在絕緣基板23上形成圖案鍍覆層42a和42a’,第一鍍覆層42b和42b’可形成為覆蓋在圖案鍍覆層42a和42a’上的各向同性鍍覆層,可在第一鍍覆層42b和42b’上形成為各向異性鍍覆層的第二鍍覆層42c,以防止在線圈之間發(fā)生短路,同時有利于線圈沿高度方向生長,從而獲得具有大的高寬比(AR)的內(nèi)線圈部,例如,1.2或更大的高寬比(AR)(T/W)。

通常,在首次鍍覆之后的二次鍍覆步驟中,由于沿相反方向的相鄰的鍍覆層而使得除了最外面的鍍覆層和最里面的鍍覆層之外的內(nèi)鍍覆層具有相近的鍍覆寬度和厚度。

另一方面,由于最外面的鍍覆層和最里面的鍍覆層在一個方向上不具有相鄰的鍍覆層,在二次鍍覆過程中沿所述一個方向的鍍覆會過量。因此,常發(fā)生的是:最外面和最里面的線圈導體圖案的鍍覆寬度比內(nèi)線圈導體圖案的鍍覆寬度大。

此外,由于最外面的鍍覆層和最里面的鍍覆層在一個方向上不具有相鄰的鍍覆層,并且可設(shè)置阻擋部(諸如阻焊劑(SR)或干膜抗蝕劑(DFR)),銅離子供應(yīng)不足,因此,鍍覆層沿厚度方向生長緩慢,使得全部線圈導體圖案的鍍覆厚度出現(xiàn)分散。

由于上面的鍍覆厚度的分布,難以實現(xiàn)期望的電容或?qū)崿F(xiàn)期望的直流電阻(Rdc)特性。

然而,根據(jù)本公開的示例性實施例,可調(diào)節(jié)線圈導體圖案42和44的最外面和最里面的線圈導體圖案的第一鍍覆層42b的厚度ta,使得比設(shè)置在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈圖案的第一鍍覆層42b’的厚度ta’大。因此,可使構(gòu)成電感器的線圈導體圖案的端表面的面積最大化,從而使直流電阻最小化。

此外,可通過使全部線圈導體圖案的鍍覆厚度分散最小化而獲得設(shè)計的直流電阻Rdc。

也就是說,當線圈導體圖案42和44的最外面和最里面的線圈導體圖案的第一鍍覆層42b的厚度ta被調(diào)整為比設(shè)置在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層42b’的厚度ta’大時,可沿最外面和最里面的鍍覆層的一個方向設(shè)置阻擋部。因此,即使由于銅離子的供應(yīng)不足而導致鍍覆層沿鍍覆層的厚度方向生長緩慢,也可使全部線圈導體圖案的鍍覆厚度形成為幾乎相同。

內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層42b’的厚度可相同。

也就是說,線圈導體圖案42和44的最外面和最里面的線圈導體圖案的第一鍍覆層42b的厚度ta可被調(diào)整為比內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層42b’的厚度ta’大。內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層42b’的厚度可相同,因此,全部線圈導體圖案的鍍覆厚度可形成為幾乎相同。

在這種情況下,當全部線圈導體圖案的鍍覆層具有相同的厚度時,這可解釋為包括由于在設(shè)計和制造過程中的工藝偏差而導致的厚度之間的偏差。

如上所述,為了使線圈導體圖案42和44的最外面和最里面的線圈導體圖案的第一鍍覆層42b的厚度Ta形成為比內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層42b’的厚度ta’大,在形成第一鍍覆層之前形成的圖案鍍覆層的圖案寬度是重要的。

根據(jù)本公開的示例性實施例,線圈導體圖案42和44的最外面和最里面的圖案鍍覆層42a的寬度可比最外面的線圈導體圖案和最里面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的圖案鍍覆層42a’的寬度大。

如上所述,線圈導體42和44的最外面和最里面的線圈導體圖案的圖案鍍覆層42a的寬度可形成為比最外面的線圈導體圖案和最里面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的圖案鍍覆層42a’的寬度大,因此,最外面和最里面的線圈導體圖案的第一鍍覆層42b的厚度ta可形成為比內(nèi)線圈導體圖案的第一鍍覆層42b’的厚度ta’大。

內(nèi)線圈導體圖案的圖案鍍覆層42a’的寬度可相同,但不限于此。

圖4是根據(jù)本公開的另一示例性實施例的圖2的A部分的示意性放大圖。

參照圖4,根據(jù)本公開的另一示例性實施例的片式電子組件可包括:磁性主體,包括絕緣基板和形成在絕緣基板的至少一個表面上的線圈導體圖案;外電極,形成在磁性主體的相對的端部上,以連接到線圈導體圖案的端部。

線圈導體圖案可包括圖案鍍覆層和設(shè)置在圖案鍍覆層上的第一鍍覆層,對于磁性主體在長度方向上的端表面,當線圈導體圖案的最里面和最外面的線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度為Wa并且在最里面的線圈導體圖案和最外面的線圈導體圖案之間的內(nèi)線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度為Wa’時,可滿足Wa’<Wa。

如圖4所示,第二鍍覆層的寬度與第一鍍覆層的寬度基本相同。

對于根據(jù)本公開的另一示例性實施例的片式電子組件的特征中的與根據(jù)本公開的上面的示例性實施例的片式電子組件的特征相同的特征,將不提供其重復的解釋。

下文中,將描述用于制造根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件的方法。

首先,可在絕緣基板23上形成線圈導體圖案42和44。

可通過電鍍等在絕緣基板23上將線圈導體圖案42和44形成為薄膜。在這種情況下,絕緣基板23不受具體限制。例如,絕緣基板23可以是PCB基板、鐵氧體基板、金屬軟磁性基板等,并且可具有40μm至100μm的厚度。

用于形成線圈導體圖案42和44的方法可以是例如電鍍,但不限于此。線圈導體圖案42和44可形成為包括具有良好導電性質(zhì)的金屬,例如,銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)以及鉑(Pt)或它們中的兩種或更多種的合金。

可通過在絕緣基板23的一部分中形成通孔并利用導電材料填充該通孔來形成過孔電極46,形成在絕緣基板23的第一表面和第二表面上的線圈導體圖案42和44可通過過孔電極46來彼此電連接。

可在絕緣基板23的中部執(zhí)行利用鉆孔、激光鉆孔、噴沙、沖壓加工等的工藝以形成穿過絕緣基板23的通孔。

在形成線圈導體圖案42和44的過程中,還可在通過印刷法形成的圖案鍍覆層上形成首次鍍覆層和二次鍍覆層。

可在絕緣基板23上形成具有用于形成圖案鍍覆層的開口的阻鍍劑。

阻鍍劑可以是一般的光刻膠膜并且可使用干膜抗蝕劑等,但不限于此。

根據(jù)本公開的示例性實施例,為了使最外面和最里面的線圈導體圖案的第一鍍覆層形成為厚度大于另一第一鍍覆層的厚度,用于形成圖案鍍覆層的開口可形成為具有不同的寬度。

也就是說,最外面和最里面的線圈導體圖案的所對應(yīng)的部分的開口的寬度可比內(nèi)線圈導體圖案的所對應(yīng)的部分的開口的寬度大。

因此,如下所述的最外面和最里面的線圈導體圖案的圖案鍍覆層的寬度可比內(nèi)圖案鍍覆層的寬度大。

諸如電鍍的工藝可應(yīng)用于用于形成圖案鍍覆層的開口并且可用導電金屬填充所述開口以形成圖案鍍覆層。

圖案鍍覆層可由具有良好導電性質(zhì)的金屬形成,諸如銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)、鉑(Pt)或它們中的兩種或更多種的合金。

然后可通過諸如化學蝕刻的工藝去除阻鍍劑。

當去除了阻鍍劑時,圖案鍍覆層可保持在絕緣基板23上。

可在圖案鍍覆層上執(zhí)行電鍍以形成覆蓋圖案鍍覆層的首次鍍覆層。

可在電鍍過程中調(diào)節(jié)電流密度、鍍液濃度、鍍覆速度等使第一鍍覆層形成為沿線圈的寬度方向W和厚度度方向T同時生長的各向同性鍍覆層。

在這種情況下,根據(jù)本公開的示例性實施例,最外面和最里面的線圈導體圖案的第一鍍覆層的厚度可比另一相鄰的線圈導體圖案的第一鍍覆層的厚度大。

然后,可在第一鍍覆層上執(zhí)行電鍍以形成第二鍍覆層。

可在電鍍過程中調(diào)節(jié)電流密度、鍍液濃度、鍍覆速度等以通過僅沿高度方向T生長同時抑制線圈沿寬度方向W的生長而使第二鍍覆層形成為各向異性鍍覆層。

可在形成有線圈導體圖案42和44的絕緣基板23的上面和下面疊置磁性層,以形成磁性主體50。

磁性層可疊置在絕緣基板23的背對的表面上并且通過層壓法或等靜壓制法進行壓制,以形成磁性主體50。在這種情況下,可利用磁性物質(zhì)填充通孔以形成芯部。

此外,外電極31和32可形成為連接到通過磁性主體50的端表面暴露的線圈導體圖案42和44。

外電極31和32可由包括具有良好導電性質(zhì)的金屬的膏形成,例如,可單獨使用包括鎳(Ni)、銅(Cu)、錫(Sn)、銀(Ag)或它們的兩種或更多種合金的導電膏??赏ㄟ^根據(jù)外電極31和32的形狀進行浸漬以及印刷來形成外電極31和32。

對于與根據(jù)本公開的上面的示例性實施例的片式電子組件的特征相同的特征,這里將省略其詳細描述。

用于安裝片式電子組件的板

圖5是示出在印刷電路板(PCB)210上安裝片式電子組件的示例的透視圖。

參照圖5,根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件100的安裝板200可包括:PCB 210,沿水平方向在所述PCB 210上安裝片式電子組件100;第一電極墊221和第二電極墊222,在PCB 210的上表面上彼此分開。

在這種情況下,片式電子組件100可通過焊料230電連接到PCB 210,同時第一外電極31和第二外電極32被布置為分別與第一電極墊221和第二電極墊222接觸。

除了上述描述之外,這里將省略與根據(jù)本公開的上面的示例性實施例的片式電子組件的特征的重復的描述。

如上所述,在根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件中,可使構(gòu)成電感器的線圈導體圖案的端表面的面積最大化以使直流電阻Rdc最小化。

可使全部線圈導體圖案的鍍覆厚度的分布最小化以獲得所設(shè)計的直流電阻Rdc。

此外,可獲得未在線圈導體圖案上燒結(jié)的鍍覆表面以減少缺陷的發(fā)生率。

雖然已經(jīng)在上面示出和描述了示例性實施例,但本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是,在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下,可以做出修改和更改。

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