本發(fā)明涉及電感器以及電感器的制造方法。
背景技術(shù):
近年來,游戲機(jī)或移動(dòng)電話等電子設(shè)備的小型化逐漸加速,伴隨這樣的小型化,在這樣的電子設(shè)備上搭載的電感器等各種元件小型化的要求也更高。作為在這樣的電子設(shè)備上搭載的電感器,例如已知有采用了繞線線圈的電感器。采用了繞線線圈的電感器例如被用于電子設(shè)備的電源電路(例如參照日本特開2003-168610號(hào)公報(bào))。
采用繞線線圈的電感器的小型化的極限被認(rèn)為是1.6mm×1.6mm左右的平面形狀。這是因?yàn)槔@線粗度存在極限。如果電感器小于此尺寸,繞線的體積與電感器的總面積之比會(huì)降低,從而不能提高電感。因此,期待一種能易于實(shí)現(xiàn)小型化的電感器的開發(fā)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠小型化的電感器以及電感器的制造方法
本發(fā)明的一個(gè)方式為電感器。該電感器具備:層積體,其包括層積的多個(gè)結(jié)構(gòu)體,各個(gè)結(jié)構(gòu)體包括布線和形成在該布線上的絕緣層,并且通過在所述層積體的層積方向相鄰的所述結(jié)構(gòu)體的所述布線彼此串聯(lián)連接,從而形成螺旋狀線圈;第1貫穿孔,其沿所述層積方向貫穿所述層積體;以及多個(gè)第1單個(gè)絕緣膜,其將露出于所述層積體的表面的所述布線的表面覆蓋且相互分離。
本發(fā)明的其他方式為電感器的制造方法。該制造方法包括如下步驟:
準(zhǔn)備多個(gè)結(jié)構(gòu)體,各個(gè)結(jié)構(gòu)體具有金屬層和形成在該金屬層上的絕緣層;通過將所述多個(gè)結(jié)構(gòu)體的所述金屬層彼此串聯(lián)連接的同時(shí),依次層積所述多個(gè)結(jié)構(gòu)體,從而形成層積體;通過成形所述層積體,并將所述多個(gè)結(jié)構(gòu)體的所述金屬層加工成多個(gè)布線的形狀,從而由串聯(lián)連接的所述多個(gè)布線形成螺旋狀線圈;以及通過使用電沉積法來形成多個(gè)第1單個(gè)絕緣膜,該第1單個(gè)絕緣膜將露出于所述層積體的表面的所述多個(gè)布線的表面覆蓋且相互分離。
根據(jù)本發(fā)明,能夠小型化電感器。
附圖說明
圖1是示出第1實(shí)施方式的線圈基板的概要俯視圖。
圖2是示出圖1的線圈基板的局部的放大俯視圖。
圖3是沿圖2的3-3線的線圈基板的概要截面圖。
圖4是沿圖2的4-4線的單位線圈基板的概要截面圖。
圖5是單位線圈基板的層積體的分解立體圖。
圖6是單位線圈基板的層積體的分解立體圖。
圖7是示出單位線圈基板的布線結(jié)構(gòu)的概要立體圖。
圖8A是示出單片化后的單位線圈基板的概要截面圖。
圖8B是示出使用單位線圈基板的電感器的概要截面圖。
圖9是示出圖1的線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖10A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖10B的10a-10a線的概要截面圖。
圖10B是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖11A、圖11B是示出線圈基板的制造方法的、沿圖11C的11b-11b線的概要截面圖。
圖11C是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖12A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖12C的12a-12a線的概要截面圖。
圖12B是示出線圈基板的制造方法的、沿圖12C的12b-12b線的概要截面圖。
圖12C是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖13A-圖13C是示出線圈基板的制造方法的概要截面圖。
圖14A、圖14B是示出線圈基板的制造方法的概要截面圖。
圖15A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖15B的15a-15a線的概要截面圖。
圖15B是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖16A-圖16C是示出線圈基板的制造方法的概要截面圖。
圖17A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖17B的17a-17a線的概要截面圖。
圖17B是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖18A、圖18B是示出線圈基板的制造方法的概要截面圖。
圖19A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖19B的19a-19a線的概要截面圖。
圖19B是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖20A、20B是示出線圈基板的制造方法的概要截面圖。
圖21A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖21B的21a-21a線的概要截面圖。
圖21B是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖22A、圖22B是示出線圈基板的制造方法的概要截面圖。
圖23A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖23C的23a-23a線的概要截面圖。
圖23B是示出線圈基板的制造方法的、沿圖23C的23b-23b線的概要截面圖。
圖23C是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖24A、圖24B是示出線圈基板的制造方法的概要截面圖。
圖25A、圖25B是示出線圈基板的制造方法的概要截面圖。
圖26A、圖26B是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖27是示出成形前的金屬層的概要立體圖。
圖28A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖28B的28a-28a線的概要截面圖。
圖28B是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖29是示出線圈基板的制造方法的概要俯視圖。
圖30A是示出線圈基板的制造方法的、沿圖29的30a-30a線的概要截面圖。
圖30B是示出圖8B的電感器的制造方法的概要截面圖。
圖31A、圖31B是示出圖8B的電感器的制造方法的概要截面圖。
圖32是示出各種変形例的電感器的概要截面圖。
圖33是示出各種変形例的電感器的概要截面圖。
圖34是示出第2實(shí)施方式中的電感器的概要截面圖。
圖35A-圖35C是示出圖34的電感器的制造方法的概要截面圖。
圖36A、圖36B是示出圖34的電感器的制造方法的概要截面圖。
圖37A、圖37B是示出圖34的電感器的制造方法的概要截面圖。
圖38是示出圖34的電感器的制造方法的概要截面圖。
圖39是示出第3實(shí)施方式的電感器的概要截面圖。
圖40A是示出圖39的電感器的制造方法的、沿圖40C的40a-40a線的概要截面圖。
圖40B是示出電感器的制造方法的、沿圖40C的40b-40b線的概要截面圖。
圖40C是示出電感器的制造方法的概要俯視圖。
圖41A是示出電感器的制造方法的概要截面圖。
圖41B是示出電感器的制造方法的、沿圖41C的41b-41b線的概要截面圖。
圖41C是示出電感器的制造方法的概要俯視圖。
圖42A-圖42D是示出電感器的制造方法的概要截面圖。
圖43A、圖43B是示出電感器的制造方法的概要截面圖。
圖44A、圖44B是示出電感器的制造方法的概要截面圖。
圖45A、圖45B是示出電感器的制造方法的概要截面圖。
圖46是示出第3實(shí)施方式的各種變形例的概要截面圖。
圖47是示出第3實(shí)施方式的各種變形例的概要截面圖。。
圖48是示出第4實(shí)施方式的電感器的、沿圖49的48-48線的概要截面圖。
圖49是示出圖48的電感器的層積體的概要俯視圖。
圖50A、圖50B是示出圖48的電感器的制造方法的概要截面圖。
圖51A是示出電感器的制造方法的概要俯視圖。
圖51B是示出電感器的制造方法的概要截面圖。
圖52是示出第4實(shí)施方式的各種變形例的電感器的概要截面圖。
圖53是示出第4實(shí)施方式的各種變形例的電感器的概要截面圖。
附圖標(biāo)記說明
10…線圈基板、11…區(qū)塊、12…連結(jié)部、13…外框、13X…定位孔、20…線圈基板、20X…貫穿孔、23,23A-23D…層積體、23X…貫穿孔、25,25C,25D…絕緣膜、30…基板、41-47…結(jié)構(gòu)體、51-57…絕緣層、52X-57X,52Y-56Y…貫穿孔、61-67…布線、61A,67A…連接部、61Y,61Z…槽部、61E-67E…金屬層、62X-67X…貫穿孔、71-76…粘合層、72X-76X…貫穿孔、90,90A-90D…電感器、91…封固樹脂、92,93…電極、101-107…支承膜、V1-V8…通孔布線、A1…單個(gè)區(qū)域。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖對(duì)各實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外,為了便于弄清楚特征,附圖為了方便會(huì)有將成為特征的部分?jǐn)U大示出的情況,各個(gè)構(gòu)成要素的尺寸比等并不限定為與實(shí)際相同。并且,在截面圖中,為了便于弄清楚各個(gè)部件的截面結(jié)構(gòu),一部分部件的剖面線用梨皮花紋示出,并省略一部分部件的剖面線。
(第1實(shí)施方式)
以下,根據(jù)圖1-圖31對(duì)第1實(shí)施方式進(jìn)行說明。
首先,對(duì)線圈基板10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
如圖1所示,線圈基板10被形成為例如在俯視時(shí)呈大致矩形。 線圈基板10包括區(qū)塊11、以及從區(qū)塊11向外側(cè)突出的兩個(gè)外框13。區(qū)塊11被形成為例如在俯視時(shí)呈大致矩形。在區(qū)塊11上以矩陣狀(在此為2行×6列)設(shè)置有多個(gè)單個(gè)區(qū)域A1。在此,區(qū)塊11最終沿虛線(各單個(gè)區(qū)域A1)被切斷,而被單片化為各個(gè)單位線圈基板20(以下,簡(jiǎn)稱為線圈基板20)。也就是說,區(qū)塊11包括作為各個(gè)線圈基板20使用的多個(gè)單個(gè)區(qū)域A1。
多個(gè)單個(gè)區(qū)域A1可以如圖1示出的那樣隔著預(yù)定的間隔排列,或者也可以以相互連接的方式排列。并且,在圖1示出的例子中,區(qū)塊11雖然具有12個(gè)單個(gè)區(qū)域A1,但是單個(gè)區(qū)域A1的數(shù)量并不特別限定。
區(qū)塊11包括將多個(gè)線圈基板20連結(jié)的連結(jié)部12。換句話來講,連結(jié)部12以包圍多個(gè)線圈基板20的方式支承多個(gè)線圈基板20。
外框13例如被形成在線圈基板10的兩端區(qū)域。外框13例如從區(qū)塊11的短邊向外側(cè)突出。在該外框13上形成有多個(gè)定位孔(sprocket hole)13X。多個(gè)定位孔13X例如沿線圈基板10的寬度方向(圖1中的上下方向)以大致一定間隔連續(xù)地配置。各個(gè)定位孔13X例如在俯視時(shí)呈大致矩形。定位孔13X是用于搬送線圈基板10的貫穿孔,通過在線圈基板10被安裝到制造裝置上時(shí)與由電動(dòng)機(jī)等驅(qū)動(dòng)的定位銷進(jìn)行嚙合,而以定位孔13X之間的間距搬送線圈基板10。因此,相鄰的定位孔13X的間隔以與線圈基板10被安裝的制造裝置相對(duì)應(yīng)地設(shè)定。另外,線圈基板10之中的單個(gè)區(qū)域A1以外的部分(也就是說,連結(jié)部12以及外框13)在將線圈基板10單片化為線圈基板20后被廢棄。
接著,按照?qǐng)D2-圖7對(duì)各個(gè)線圈基板20的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
如圖2所示,各單個(gè)區(qū)域A1的線圈基板20被形成為例如在俯視時(shí)呈大致長(zhǎng)方形狀。例如,線圈基板20的平面形狀為角部被進(jìn)行了倒角加工的長(zhǎng)方形。線圈基板20包括突出部21、22,該突出部21、22從長(zhǎng)方形的短邊向外側(cè)(圖2中上側(cè)以及下側(cè))突出。但是,線圈基板20的平面形狀并不僅限于圖2示出的形狀,也可以形成為任意的形狀。并且,線圈基板20的平面形狀也可以形成為任意的大 小。例如,線圈基板20的平面形狀可以形成為在用線圈基板20制造圖8B示出的電感器90時(shí),使該電感器90的平面形狀為1.6mm×0.8mm左右的大致矩形的大小。線圈基板20的厚度設(shè)為例如0.5mm左右。
在線圈基板20的俯視圖中的大致中央部上形成有貫穿孔20X。貫穿孔20X沿厚度方向貫穿線圈基板20。貫穿孔20X的平面形狀可以形成為任意的形狀以及任意的大小。例如,貫穿孔20X的平面形狀可形成為大致橢圓形狀或大致長(zhǎng)圓形狀。
在線圈基板20和連結(jié)部12之間形成有開口部20Y,該開口部20Y劃定該線圈基板20。開口部20Y沿厚度方向貫穿線圈基板10。
如圖3以及4所示,線圈基板20大致包括層積體23、以及覆蓋該層積體23的表面的絕緣膜25。層積體23包括基板30、被層積在基板30的下表面30A上的結(jié)構(gòu)體41、以及被依次層積在基板30的上表面30B上的結(jié)構(gòu)體42-47。
層積體23的平面形狀實(shí)質(zhì)上與線圈基板20的平面形狀相同。例如,層積體23的平面形狀比線圈基板20的平面形狀小與絕緣膜25相對(duì)應(yīng)的量。在俯視時(shí)層積體23的大致中央部上形成有貫穿孔23X,該貫穿孔23X沿厚度方向貫穿層積體23。貫穿孔23X的平面形狀例如與貫穿孔20X的平面形狀同樣地,可以形成為大致橢圓形狀或者大致長(zhǎng)圓形狀。
在層積體23中,在基板30的上表面30B上隔著粘合層71層積有結(jié)構(gòu)體42。在結(jié)構(gòu)體42上隔著粘合層72層積有結(jié)構(gòu)體43。在結(jié)構(gòu)體43上隔著粘合層73層積有結(jié)構(gòu)體44。在結(jié)構(gòu)體44上隔著粘合層74層積有結(jié)構(gòu)體45。在結(jié)構(gòu)體45上隔著粘合層75層積有結(jié)構(gòu)體46。在結(jié)構(gòu)體46上隔著粘合層76層積有結(jié)構(gòu)體47。
在此,作為粘合層71-76,例如可以采用絕緣性樹脂制的耐熱性粘合劑。例如,環(huán)氧樹脂類粘合劑被用于粘合層71-76。粘合層71-76的厚度例如可以形成為12-35μm左右。
如圖4所示,結(jié)構(gòu)體41包括絕緣層51、布線61、連接部61A、以及金屬層61D。結(jié)構(gòu)體42包括絕緣層52、布線62、以及金屬層 62D。結(jié)構(gòu)體43包括絕緣層53、布線63、以及金屬層63D。結(jié)構(gòu)體44包括絕緣層54、布線64、金屬層64D。結(jié)構(gòu)體45包括絕緣層55、布線65、以及金屬層65D。結(jié)構(gòu)體46包括絕緣層56、布線66、以及金屬層66D。結(jié)構(gòu)體47包括絕緣層57、布線67、連接部67A、以及金屬層67D。
在此,作為絕緣層51-57的材料,例如可以采用以環(huán)氧類樹脂作為主要成分的絕緣性樹脂?;蛘撸鳛榻^緣層51-57的材料,例如可以采用以熱固性樹脂作為主要成分的絕緣性樹脂。而且,絕緣層51-57也可以含有例如二氧化硅或氧化鋁等填充物。另外,絕緣層51-57的熱膨脹系數(shù)例如可以為50-120ppm/℃左右。絕緣層51-57的厚度例如可以設(shè)定為12-20μm左右。
布線61是最下層的布線。作為最下層的布線61、連接部61A、以及金屬層61D的材料,例如優(yōu)選為與絕緣膜25的密合性比基板30更高的金屬材料。例如,作為布線61、連接部61A、以及金屬層61D的材料可以采用銅(Cu)或銅合金。同樣地,作為布線62-67、連接部67A、以及金屬層62D-67D的材料,例如可以采用銅或銅合金。布線61-67、連接部61A,67A、以及金屬層61D-67D的厚度例如可以設(shè)定為12-35μm左右。
作為基板30,例如可以采用薄板狀的絕緣基板。作為基板30的材料,例如可以采用絕緣性樹脂。該絕緣性樹脂優(yōu)選調(diào)整為基板30的熱膨脹系數(shù)比絕緣層51-57的熱膨脹系數(shù)低。例如,基板30的熱膨脹系數(shù)被設(shè)定為10-25ppm/℃左右。并且,作為基板30的材料,例如優(yōu)選為具有優(yōu)越的耐熱性的材料。而且,作為基板30的材料,優(yōu)選為具有比絕緣層51-57更高的彈性模數(shù)的材料。作為這樣的基板30,例如可以采用聚酰亞胺(PI)膜或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜等的樹脂膜。例如作為基板30,可以適當(dāng)?shù)夭捎脽崤蛎浵禂?shù)低的聚酰亞胺膜。例如,基板30的厚度被設(shè)定為厚于絕緣層51-57的厚度。例如,基板30的厚度可以設(shè)定為12-50μm左右。這樣的基板30具有比絕緣層51-57更高的剛性。
如圖4以及5所示,在基板30上形成有貫穿孔30X,該貫穿孔 30X沿厚度方向貫穿基板30。貫穿孔30X的平面形狀可以設(shè)定為任意的形狀以及任意的大小。例如,貫穿孔30X的平面形狀可以設(shè)定成直徑為200-300μm左右的圓形狀。
接著,對(duì)結(jié)構(gòu)體41的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
絕緣層51被層積在基板30的下表面30A上。在絕緣層51上形成有貫穿孔51X,該貫穿孔51X沿厚度方向貫穿絕緣層51。貫穿孔51X與基板30的貫穿孔30X連通。也就是說,貫穿孔51X被形成于在俯視時(shí)與貫穿孔30X重疊的位置。貫穿孔51X的平面形狀可以設(shè)定為任意的形狀以及任意的大小。例如,貫穿孔51X的平面形狀與貫穿孔30X同樣地,可以設(shè)定成直徑為200-300μm左右的圓形狀。
在相互連通的貫穿孔30X,51X內(nèi)局部地形成有通孔布線(via wire)V1。在本例中,貫穿孔51X和貫穿孔30X的一部分用通孔布線V1填充。并且,在本例中,通孔布線V1在基板30的厚度方向上從布線61的上表面延伸到貫穿孔30X的中途位置。因此,貫穿孔30X的上側(cè)內(nèi)側(cè)面從通孔布線V1露出。通孔布線V1與布線61電連接。通孔布線V1的平面形狀可以設(shè)定為任意的形狀以及任意的大小。例如,通孔布線V1的平面形狀與貫穿孔30X,51X同樣地,可以設(shè)定成直徑為200-300μm左右的圓形狀。
布線61、連接部61A、以及金屬層61D被層積在絕緣層51的下表面。布線61、連接部61A、以及金屬層61D位于層積體23的最下層。布線61的寬度例如可以形成為100-200μm左右。布線61為被形成在線圈基板20內(nèi)的螺旋狀線圈的一部分、且作為線圈的第1層布線(大致1圈)而設(shè)置。在以下的說明中,將沿線圈的螺旋的方向設(shè)為各個(gè)布線的長(zhǎng)度方向,將在俯視時(shí)與該長(zhǎng)度方向正交的方向設(shè)為各個(gè)布線的寬度方向。
如圖5所示,布線61的平面形狀為大致橢圓形狀。在布線61的所需部分形成有槽部61Y,該槽部61Y沿厚度方向貫穿布線61。也就是說,布線61通過槽部61Y在寬度方向被切斷,而形成為非環(huán)狀。
連接部61A被形成在布線61的一個(gè)端部上。連接部61A被形成在與線圈基板20的突出部21(參照?qǐng)D2)相對(duì)應(yīng)的位置。連接部61A與布線61一體形成。換句話來講,連接部61A是布線61的一部分。如圖4所示,連接部61A與被形成在連結(jié)部12(參照?qǐng)D3)上的金屬層81電連接。金屬層81例如為電鍍供電用的供電線。連接部61A在單片化后的線圈基板20的側(cè)面20A(參照?qǐng)D8A)上從絕緣膜25露出。該連接部61A被連接在電感器90(參照?qǐng)D8B)的電極92。
金屬層61D與布線61隔開。也就是說,在金屬層61D和布線61之間形成有槽部61Z。因此,金屬層61D通過槽部61Z而與布線61電氣地絕緣。金屬層61D例如是為了降低被形成在結(jié)構(gòu)體41上的導(dǎo)電層(布線61、連接部61A以及金屬層61D)的形狀與被形成在其他結(jié)構(gòu)體上的導(dǎo)電層(例如、布線67、連接部67A以及金屬層67D)的形狀之差,而設(shè)置的虛擬圖案。金屬層61D被形成在與線圈基板20的突出部22(參照?qǐng)D2)相對(duì)應(yīng)的位置。在本例中,金屬層61D被設(shè)置于在俯視時(shí)與被形成在線圈基板20的最上層的結(jié)構(gòu)體47上的連接部67A重疊的位置。金屬層61D為在單片化后的線圈基板20上沒有與其他的布線或金屬層電連接的、電氣地隔離的(不固定的(floating))部位。
接著,對(duì)被層積在基板30的上表面30B上的結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
如圖4所示,在基板30的上表面30B上層積有粘合層71。粘合層71覆蓋從通孔布線V1露出的、貫穿孔30X的上側(cè)內(nèi)側(cè)面。這樣,粘合層71被形成在基板30的上表面30B上,并被形成在貫穿孔30X內(nèi)。在粘合層71上形成有貫穿孔71X,該貫穿孔71X沿厚度方向貫穿粘合層71,而使通孔布線V1的上表面的一部分露出。貫穿孔71X從粘合層71的上表面貫穿到被形成在貫穿孔30X內(nèi)的粘合層71的下表面。也就是說,貫穿孔71X與貫穿孔30X的一部分連通,并且貫穿孔71X的一部分被形成在貫穿孔30X內(nèi)。貫穿孔71X的平面形狀可以形成為任意的形狀以及任意的大小。但是,貫穿孔71X的平面形狀小于貫穿孔30X的平面形狀。例如,貫穿孔71X 的平面形狀可以設(shè)定成直徑為140-180μm左右的圓形狀。
結(jié)構(gòu)體42隔著粘合層71層積在基板30的上表面30B上。布線62以及金屬層62D層積在粘合層71上。如圖5所示,布線62被形成為在俯視時(shí)大致呈C字狀。布線62為螺旋狀線圈的一部分,且作為線圈的第2層布線(大致3/4圈)而設(shè)置。
在布線62上形成有貫穿孔62X,該貫穿孔62X沿厚度方向貫穿布線62,而與粘合層71的貫穿孔71X連通。貫穿孔62X的平面形狀可以形成為任意的形狀以及任意的大小。但是,貫穿孔62X的平面形狀小于貫穿孔30X的平面形狀。例如,貫穿孔62X的平面形狀可以設(shè)定成直徑為140-180μm左右的圓形狀。
金屬層62D為與金屬層61D同樣的虛擬圖案。例如,金屬層62D包括3個(gè)金屬層部位。3個(gè)金屬層部位中的2個(gè)通過槽部62Z而從布線62隔開,并被形成于在俯視時(shí)與連接部61A,67A(參照?qǐng)D6)重疊的位置。金屬層62D的剩下的金屬層部位通過槽部62Y而從布線62隔開,并被形成于在俯視時(shí)與布線61的一部分重疊的位置。
如圖4所示,布線62以及金屬層62D的各自的側(cè)面的一部分被粘合層71覆蓋。在本例中,利用粘合層71將圖5示出的槽部62Y,62Z填充。
絕緣層52以覆蓋布線62以及金屬層62D的各自的上表面的方式層積在粘合層71上。在絕緣層52上形成有貫穿孔52X,該貫穿孔52X沿厚度方向貫穿絕緣層52,而與貫穿孔62X,71X連通。貫穿孔52X使位于貫穿孔62X的周圍的布線62的上表面露出。因此,貫穿孔52X的平面形狀大于貫穿孔62X,71X的平面形狀。例如,貫穿孔52X的平面形狀可以設(shè)定成直徑為200-300μm左右的圓形狀。
在相互連通的貫穿孔52X,62X,71X內(nèi)形成有通孔布線V2。例如,通孔布線V2被形成在從貫穿孔71X露出的通孔布線V1上,貫穿孔52X,62X,71X全部被通孔布線V2填充。因此,通孔布線V2被形成為在截面視時(shí)大致呈T字狀。通孔布線V2與劃定貫穿孔62X的內(nèi)側(cè)面的布線62連接。并且,通孔布線V2也與位于貫穿孔62X的周圍的布線62的上表面連接。通孔布線V1,V2作為將布線 61(第1層布線)和布線62(第2層布線)串聯(lián)連接的貫穿電極而設(shè)置。通孔布線V1,V2(貫穿電極)貫穿絕緣層51、基板30、粘合層71、布線62以及絕緣層52。
在絕緣層52上形成有貫穿孔52Y,該貫穿孔52Y沿厚度方向貫穿絕緣層52,而使布線62的上表面的一部分露出。貫穿孔52Y的平面形狀可以形成為任意的形狀以及任意的大小。例如,貫穿孔52Y的平面形狀可以設(shè)定成直徑為200-300μm左右的圓形狀。
在絕緣層52上層積有粘合層72。在粘合層72上層積有結(jié)構(gòu)體43。因此,布線63以及金屬層63D被層積在粘合層72上。
如圖5所示,布線63被形成為在俯視時(shí)大致呈橢圓形狀。在布線63的所需部分上形成有槽部63Y,該槽部63Y沿厚度方向貫穿布線63。也就是說,布線63通過槽部63Y在寬度方向被切斷,而被形成為非環(huán)狀。布線63為螺旋狀線圈的一部分、且作為線圈的第3層布線(大致1圈)而設(shè)置。
金屬層63D為與金屬層61D同樣的虛擬圖案。例如,金屬層63D包括2個(gè)金屬層部位。上述2個(gè)金屬層部位通過槽部63Z而從布線63隔開,并被形成于在俯視時(shí)與連接部61A,67A(參照?qǐng)D6)重疊的位置。
如圖4所示,粘合層72局部地形成在貫穿孔52Y內(nèi),并覆蓋貫穿孔52Y的內(nèi)側(cè)面。并且,粘合層72分別覆蓋布線63以及金屬層63D的側(cè)面的一部分。在本例中,圖5示出的槽部63Y,63Z被粘合層72填充。
在粘合層72形成有貫穿孔72X,該貫穿孔72X沿厚度方向貫穿粘合層72,而使布線62的上表面的一部分露出。貫穿孔72X從粘合層72的上表面貫穿到被形成在貫穿孔52Y內(nèi)的粘合層72的下表面。也就是說,貫穿孔72X的一部分位于貫穿孔52Y內(nèi)。
在布線63上形成有貫穿孔63X,該貫穿孔63X沿厚度方向貫穿布線63,而與貫穿孔72X連通。貫穿孔63X,72X的平面形狀可以形成為任意的形狀以及任意的大小。但是,貫穿孔63X,72X的平面形狀小于貫穿孔52Y的平面形狀。例如,貫穿孔63X,72X的 平面形狀可以設(shè)定成直徑為140-180μm左右的圓形狀。
絕緣層53以覆蓋布線63以及金屬層63D各自的上表面的方式層積在粘合層72上。在絕緣層53上形成有貫穿孔53X,該貫穿孔53X沿厚度方向貫穿絕緣層53,而與貫穿孔63X,72X連通。貫穿孔53X使位于貫穿孔63X的周圍的布線63的上表面露出。因此,貫穿孔53X的平面形狀大于貫穿孔63X,72X的平面形狀。例如,貫穿孔53X的平面形狀可以設(shè)定成直徑為200-300μm左右的圓形狀。
在相互連通的貫穿孔53X,63X,72X內(nèi)形成有通孔布線V3。例如,通孔布線V3被形成在從貫穿孔72X露出的布線62上,并且貫穿孔53X,63X,72X被通孔布線V3填充。因此,通孔布線V3被形成為在截面視時(shí)大致呈T字狀。通孔布線V3與劃定貫穿孔63X的內(nèi)側(cè)面的布線63連接。并且,通孔布線V3也與位于貫穿孔63X的周圍的布線63的上表面連接。通孔布線V3作為將布線62(第2層布線)和布線63(第3層布線)串聯(lián)連接的貫穿電極而設(shè)置。通孔布線V3(貫穿電極)貫穿結(jié)構(gòu)體42的絕緣層52、粘合層72、結(jié)構(gòu)體43的布線63以及絕緣層53。
如圖5所示,在絕緣層53形成有貫穿孔53Y,該貫穿孔53Y沿厚度方向貫穿絕緣層53,而使布線63的上表面的一部分露出。貫穿孔53Y的平面形狀可以形成為任意的形狀以及任意的大小。例如,貫穿孔53Y的平面形狀可以設(shè)定成直徑為200-300μm左右的圓形狀。
在絕緣層53上層積有粘合層73。在粘合層73上層積有結(jié)構(gòu)體44。因此,布線64以及金屬層64D層積在粘合層73上。絕緣層54以覆蓋布線64以及金屬層64D的各自的上表面的方式層積在粘合層73上。結(jié)構(gòu)體44具有與結(jié)構(gòu)體42相同的結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)體44相當(dāng)于例如將結(jié)構(gòu)體42以絕緣層52的上表面的法線為軸旋轉(zhuǎn)180度的結(jié)構(gòu)。
布線64被形成為在俯視時(shí)大致呈C字狀。布線64為螺旋狀線圈的一部分,并作為線圈的第4層布線(大致3/4圈)而設(shè)置。金屬層64D為與金屬層62D同樣的虛擬圖案。例如,金屬層64D通過槽部 64Y或者槽部64Z而從布線64隔開。
粘合層73與粘合層72同樣地,覆蓋貫穿孔53Y的內(nèi)側(cè)面。并且,粘合層73覆蓋布線64以及金屬層64D各自的側(cè)面的一部分。在本例中,槽部64Y,64Z用粘合層73填充。在粘合層73上形成有貫穿孔73X,該貫穿孔73X沿厚度方向貫穿粘合層73,而使布線63的上表面的一部分露出。貫穿孔73X被形成于在俯視時(shí)與貫穿孔53Y重疊的位置,并且貫穿孔73X的一部分位于貫穿孔53Y內(nèi)。
在布線64上形成有貫穿孔64X,該貫穿孔64X沿厚度方向貫穿布線64,而與貫穿孔73X連通。貫穿孔64X,73X的平面形狀小于貫穿孔53Y的平面形狀。
在絕緣層54上形成有貫穿孔54X,該貫穿孔54X沿厚度方向貫穿絕緣層54,而與貫穿孔64X,73X連通。貫穿孔54X的平面形狀大于貫穿孔64X,73X的平面形狀。并且,在絕緣層54上形成有貫穿孔54Y,該貫穿孔54Y沿厚度方向貫穿絕緣層54,而使布線64的上表面的一部分露出。
在相互連通的貫穿孔54X,64X,73X內(nèi)形成有通孔布線V4(參照?qǐng)D7)。例如,通孔布線V4被形成在從貫穿孔73X露出的布線63上,并且貫穿孔54X,64X,73X全部被通孔布線V4填充。通孔布線V4作為將布線63(第3層布線)和布線64(第4層布線)串聯(lián)連接的貫穿電極而設(shè)置。通孔布線V4(貫穿電極)貫穿結(jié)構(gòu)體43的絕緣層53、粘合層73、結(jié)構(gòu)體44的布線64以及絕緣層54。
如圖4所示,在絕緣層54上層積有粘合層74。在粘合層74上層積有結(jié)構(gòu)體45。因此,布線65以及金屬層65D層積在粘合層74上。絕緣層55以覆蓋布線65以及金屬層65D各自的上表面的方式層積在粘合層74上。如圖5以及6所示,結(jié)構(gòu)體45具有與結(jié)構(gòu)體43相同的結(jié)構(gòu),且相當(dāng)于將結(jié)構(gòu)體43以絕緣層53的上表面的法線為軸旋轉(zhuǎn)180度的結(jié)構(gòu)。
如圖6所示,布線65被形成為在俯視時(shí)大致呈橢圓形狀。在布線65的所需部分上形成有槽部65Y,該槽部65Y沿厚度方向貫穿布線65。也就是說,布線65通過槽部65Y在寬度方向被切斷,而 形成為非環(huán)狀。布線65為螺旋狀線圈的一部分,并作為線圈的第5層布線(大致1圈)而設(shè)置。金屬層65D為與金屬層61D(參照?qǐng)D5)同樣的虛擬圖案,并通過槽部65Z而從布線65隔開。
粘合層74與粘合層72(參照?qǐng)D4)同樣地,覆蓋貫穿孔54Y的內(nèi)側(cè)面。并且,粘合層74覆蓋布線65以及金屬層65D的各自的側(cè)面的一部分。在本例中,槽部65Y,65Z被粘合層74填充。在粘合層74上形成有貫穿孔74X,該貫穿孔74X沿厚度方向貫穿粘合層74,而使布線64(參照?qǐng)D5)的上表面的一部分露出。貫穿孔74X被形成于在俯視時(shí)與貫穿孔54Y重疊的位置,并且貫穿孔74X的一部分位于貫穿孔54Y內(nèi)。
在布線65上形成有貫穿孔65X,該貫穿孔65X沿厚度方向貫穿布線65,而與貫穿孔74X連通。貫穿孔65X,74X的平面形狀小于貫穿孔54Y的平面形狀。
在絕緣層55上形成有貫穿孔55X,該貫穿孔55X沿厚度方向貫穿絕緣層55,而與貫穿孔65X,74X連通。貫穿孔55X的平面形狀大于貫穿孔65X,74X的平面形狀。并且,在絕緣層55上形成有貫穿孔55Y,該貫穿孔55Y沿厚度方向貫穿絕緣層55,而使布線65的上表面的一部分露出。
在相互連通的貫穿孔55X,65X,74X內(nèi)形成有通孔布線V5(參照?qǐng)D7)。例如,通孔布線V5被形成在從貫穿孔74X露出的布線64(參照?qǐng)D5)上,并且貫穿孔55X,65X,74X全部被通孔布線V5填充。該通孔布線V5作為將布線64(第4層布線)和布線65(第5層布線)串聯(lián)連接的貫穿電極而設(shè)置。通孔布線V5(貫穿電極)貫穿結(jié)構(gòu)體44的絕緣層54、粘合層74、結(jié)構(gòu)體45的布線65以及絕緣層55。
在絕緣層55上層積有粘合層75。在粘合層75上層積有結(jié)構(gòu)體46。因此,布線66以及金屬層66D層積在粘合層75上。絕緣層56以分別覆蓋布線66以及金屬層66D的上表面的方式層積在粘合層75上。結(jié)構(gòu)體46具有與結(jié)構(gòu)體42(參照?qǐng)D5)相同的結(jié)構(gòu)。
如圖6所示,布線66被形成為在俯視時(shí)大致呈C字狀。布線66為螺旋狀線圈的一部分、且為線圈的第6層布線(大致3/4圈)。 金屬層66D為與金屬層62D(參照?qǐng)D5)同樣的虛擬圖案。金屬層66D例如通過槽部66Y或者槽部66Z,而從布線66隔開。
如圖4所示,粘合層75覆蓋貫穿孔55Y的內(nèi)側(cè)面。并且,粘合層75覆蓋布線66以及金屬層66D各自的側(cè)面的一部分。在本例中,槽部66Y,66Z(參照?qǐng)D6)被粘合層75填充。在粘合層75上形成有貫穿孔75X,該貫穿孔75X沿厚度方向貫穿粘合層75,而使布線65的上表面的一部分露出。貫穿孔75X被形成于在俯視時(shí)與貫穿孔55Y重疊的位置,并且貫穿孔75X的一部分位于貫穿孔55Y內(nèi)。
在布線66上形成有貫穿孔66X,該貫穿孔66X沿厚度方向貫穿布線66,而與貫穿孔75X連通。貫穿孔66X,75X的平面形狀小于貫穿孔55Y的平面形狀。
在絕緣層56上形成有貫穿孔56X,該貫穿孔56X沿厚度方向貫穿絕緣層56,而與貫穿孔66X,75X連通。貫穿孔56X的平面形狀大于貫穿孔66X,75X的平面形狀。并且,在絕緣層56上形成有貫穿孔56Y,該貫穿孔56Y沿厚度方向貫穿絕緣層56,而使布線66的上表面的一部分露出。
在相互連通的貫穿孔56X,66X,75X內(nèi)形成有通孔布線V6。例如,通孔布線V6被形成在從貫穿孔75X露出的布線65上,并且貫穿孔56X,66X,75X全部被通孔布線V6填充。該通孔布線V6作為將布線65(第5層布線)和布線66(第6層布線)串聯(lián)連接的貫穿電極而設(shè)置。通孔布線V6(貫穿電極)貫穿結(jié)構(gòu)體45的絕緣層55、粘合層75、結(jié)構(gòu)體46的布線66以及絕緣層56。
在絕緣層56上層積有粘合層76。在粘合層76上層積有結(jié)構(gòu)體47。因此,布線67、連接部67A、以及金屬層67D層積在粘合層76上。絕緣層57以覆蓋布線67、連接部67A、以及金屬層67D的各自的上表面的方式層積在粘合層76上。
如圖6所示,布線67的平面形狀被形成為大致呈橢圓形狀。在布線67的所需部分形成有槽部67Y,該槽部67Y沿厚度方向貫穿布線67。也就是說,布線67通過槽部67Y在寬度方向被切斷,而形成為非環(huán)狀。該布線67為螺旋狀線圈的一部分,并作為線圈的第 7層布線(大致1圈)而設(shè)置。
連接部67A被形成在布線67的一個(gè)端部上。連接部67A被形成在與線圈基板20的突出部22(參照?qǐng)D2)相對(duì)應(yīng)的位置。連接部67A與布線67一體形成。換句話來講,連接部67A為布線67的一部分。連接部67A在單片化后的線圈基板20的側(cè)面20B(參照?qǐng)D8A)上從絕緣膜25露出。該連接部67A被連接在電感器90(參照?qǐng)D8B)的電極93。金屬層67D為與金屬層61D(參照?qǐng)D5)同樣的虛擬圖案,并通過槽部67Z而從布線67隔開。
如圖4所示,粘合層76覆蓋貫穿孔56Y的內(nèi)側(cè)面。并且,粘合層76覆蓋布線67、連接部67A、以及金屬層67D的各自的側(cè)面的一部分。在本例中,槽部67Y,67Z(圖6參照)用粘合層76填充。在粘合層76上形成有貫穿孔76X,該貫穿孔76X沿厚度方向貫穿粘合層76,而使布線66的上表面的一部分露出。貫穿孔76X被形成于在俯視時(shí)與貫穿孔56Y重疊的位置,并且貫穿孔76X的一部分位于貫穿孔56Y內(nèi)。
在布線67上形成有貫穿孔67X,該貫穿孔67X沿厚度方向貫穿布線67,而與貫穿孔76X連通。貫穿孔67X,76X的平面形狀小于貫穿孔56Y的平面形狀。
在絕緣層57上形成有貫穿孔57X,該貫穿孔57X沿厚度方向貫穿絕緣層57,而與貫穿孔67X,76X連通。貫穿孔57X的平面形狀大于貫穿孔67X,76X的平面形狀。
在相互連通的貫穿孔57X,67X,76X內(nèi)的形成有通孔布線V7。例如,通孔布線V7被形成在從貫穿孔76X露出的布線66上,貫穿孔57X,67X,76X全部被通孔布線V7填充。該通孔布線V7作為將布線66(第6層布線)和布線67(第7層布線)串聯(lián)連接的貫穿電極而設(shè)置。通孔布線V7(貫穿電極)貫穿結(jié)構(gòu)體46的絕緣層56、粘合層76、結(jié)構(gòu)體47的布線67以及絕緣層57。
如圖6所示,在絕緣層57上形成有貫穿孔57Y,該貫穿孔57Y厚度方向貫穿絕緣層57,而使布線67的上表面的一部分露出。該貫穿孔57Y被通孔布線V8(參照?qǐng)D7)填充。布線67與通孔布線V8 電連接。
貫穿孔64X-67X,73X-76X的平面形狀可以設(shè)定為任意的形狀以及任意的大小。例如,貫穿孔64X-67X,73X-76X的平面形狀可以設(shè)定成直徑為140-180μm左右的圓形狀。貫穿孔54X-57X,54Y-57Y的平面形狀例如可以設(shè)定成直徑為200-300μm左右的圓形狀,貫穿孔54X-57X,54Y-57Y的平面形狀大于貫穿孔64X-67X,73X-76X的平面形狀。另外,作為圖7示出的通孔布線V1-V8的材料,例如可以采用銅或銅合金。
這樣,在線圈基板20上,在厚度方向相鄰的結(jié)構(gòu)體41-47的布線61-67如圖7所示通過通孔布線V1-V8串聯(lián)連接,從而形成從連接部61A到連接部67A的螺旋狀線圈。換句話來講,在螺旋狀線圈的一個(gè)端部上設(shè)置有連接部61A,在螺旋狀線圈的另一個(gè)端部上設(shè)置有連接部67A。
如圖2所示,在俯視時(shí)的層積體23大致中央部上形成有貫穿孔23X,該貫穿孔23X沿厚度方向貫穿層積體23。如圖3以及4所示,布線61-67的側(cè)面露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面。
絕緣膜25覆蓋層積體23的整個(gè)表面。如圖2以及4所示,絕緣膜25將層積體23的外壁面(側(cè)壁)、位于層積體23的最下層的布線61的下表面和側(cè)面、位于層積體23的最上層的絕緣層57的上表面、通孔布線V7的上表面、通孔布線V8(參照?qǐng)D7)的上表面、以及貫穿孔23X的內(nèi)壁面連續(xù)地覆蓋。因此,絕緣膜25將露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面的布線61-67的側(cè)面覆蓋。并且,絕緣膜25將露出于槽部61Y,61Z內(nèi)的布線61的側(cè)面覆蓋。并且,如圖2所示,例如絕緣膜25將層積體23的上表面以及下表面從在俯視時(shí)與連接部67A重疊的位置覆蓋到在俯視時(shí)與金屬層67D(連接部61A)重疊的位置。在本例中,絕緣膜25還覆蓋連結(jié)部12的一部分。但是,連結(jié)部12的大部分以及外框13的整個(gè)表面從絕緣膜25露出。在圖2中,省略了絕緣層57的圖示,并省略了層積體23上的絕緣膜25的圖示。
作為絕緣膜25的材料,例如可以采用環(huán)氧類樹脂或丙烯酸類樹 脂等絕緣性樹脂。絕緣膜25例如可以含有二氧化硅或氧化鋁等填充物。絕緣膜25的厚度例如可以設(shè)定為10-50μm左右。
以上說明的線圈基板20通過連結(jié)部12而與相鄰的線圈基板20連結(jié)。以下,對(duì)連結(jié)部12的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單地進(jìn)行說明。
如圖3所示,在基板30的下表面30A上依次層積有絕緣層51和金屬層81。并且,在基板30的上表面30B上依次層積有粘合層71、金屬層82、絕緣層52、粘合層72、金屬層83、絕緣層53、粘合層73、金屬層84、絕緣層54、粘合層74、金屬層85、絕緣層55、粘合層75、金屬層86、絕緣層56、粘合層76、金屬層87、以及絕緣層57。如圖4所示,金屬層81與金屬層61D和連接部61A電連接,金屬層82與金屬層62D電連接,金屬層83與金屬層63D電連接,金屬層84與金屬層64D電連接。并且,金屬層85與金屬層65D電連接,金屬層86與金屬層66D電連接,金屬層87與金屬層67D和連接部67A電連接。作為金屬層81-87的材料,例如可以采用銅或銅合金。
如圖2所示,在連結(jié)部12的所需部分上形成有識(shí)別標(biāo)記12X。識(shí)別標(biāo)記12X沿厚度方向貫穿連結(jié)部12。識(shí)別標(biāo)記12X例如可作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來利用。識(shí)別標(biāo)記12X的平面形狀可以設(shè)定為任意的形狀以及任意的大小。例如,識(shí)別標(biāo)記12X的平面形狀可以設(shè)定成大致圓形狀。
接著,對(duì)外框13的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單地進(jìn)行說明。
如圖3所示,外框13只由基板30構(gòu)成。外框13例如被形成在基板30的兩端區(qū)域。例如,外框13通過將基板30朝向連結(jié)部12的外側(cè)延伸而形成。換句話來講,只有基板30向連結(jié)部12的外側(cè)突出。并且,在外框13(基板30)上形成有上述的定位孔13X。定位孔13X沿厚度方向貫穿基板30。
圖8A示出通過在圖4中用虛線示出的切斷位置切斷絕緣膜25、基板30、絕緣層51-57、金屬層61D-67D等,而被單片化的線圈基板20。在該線圈基板20的一側(cè)的側(cè)面20A上露出連接部61A。并且,在線圈基板20的另一側(cè)的側(cè)面20B上露出連接部67A。在單片 化后,線圈基板20也可以在上下顛倒?fàn)顟B(tài)下使用。另外,在單片化后,線圈基板20能夠以任意的角度配置。
接著,對(duì)具有線圈基板20的電感器90的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
如圖8B所示,電感器90為芯片電感器,該芯片電感器包括線圈基板20、對(duì)線圈基板20進(jìn)行封固的封固樹脂91、以及電極92,93。電感器90的平面形狀例如可以形成為1.6mm×0.8mm左右的大致矩形。電感器90的厚度例如可以設(shè)定為1.0mm左右。電感器90例如可以被用于小型的電子設(shè)備的電壓轉(zhuǎn)換電路等。
封固樹脂91對(duì)線圈基板20的除其側(cè)面20A以及側(cè)面20B以外的部分進(jìn)行封固。也就是說,封固樹脂91將線圈基板20(層積體23以及絕緣膜25)的除使連接部61A,67A露出的側(cè)面20A,20B以外的整個(gè)部分覆蓋。封固樹脂91覆蓋絕緣膜25的上表面以及下表面。并且,封固樹脂91覆蓋劃定貫穿孔20X的內(nèi)壁面的絕緣膜25的側(cè)面。在本例中,貫穿孔20X用固樹脂91填充。因此,封固樹脂91覆蓋貫穿孔20X的整個(gè)內(nèi)壁面。封固樹脂91作為磁體發(fā)揮作用。換句話來講,封固樹脂91采用磁體。磁體由磁體粉末和作為粘合劑的樹脂形成。作為磁體粉末的材料,例如能夠采用鐵氧體或磁性金屬(鐵或鐵系合金等)。作為粘合劑的材料,能夠采用環(huán)氧類樹脂等熱固性樹脂和/或熱塑性樹脂。磁體具有增大電感器90的電感的功能。
像這樣,在電感器90中,被形成在線圈基板20的大致中央部上的貫穿孔20X也用作為磁體發(fā)揮作用的絕緣性樹脂91填充。因此,與沒有形成貫穿孔20X的情況相比,將在線圈基板20的周圍上的更多部分用磁體(封固樹脂91)進(jìn)行封固。因此,能夠提高電感器90的電感。
在此,也可以在貫穿孔20X內(nèi)配置鐵氧體等磁體的芯。在這種情況下,也可以以將線圈基板20與芯一起進(jìn)行封固的方式形成封固樹脂91。該芯的形狀例如也可以形成為圓柱狀或長(zhǎng)方體狀。
電極92被形成在封固樹脂91的外側(cè),并與連接部61A的一部分連接。電極92將線圈基板20的側(cè)面20A、與側(cè)面20A對(duì)齊形成 的封固樹脂91的側(cè)面、以及封固樹脂91的上表面以及下表面各自的一部分連續(xù)地覆蓋。電極92的內(nèi)壁面與在線圈基板20的側(cè)面20A露出的連接部61A的側(cè)面接觸。因此,電極92與連接部61A電連接。
電極93被配置在封固樹脂91的外側(cè),并與連接部67A的一部分連接。電極93將線圈基板20的側(cè)面20B、與側(cè)面20B對(duì)齊形成的封固樹脂91的側(cè)面、以及封固樹脂91的上表面以及下表面各自的一部分連續(xù)地覆蓋。電極93的內(nèi)壁面與在線圈基板20的側(cè)面20B露出的連接部67A的側(cè)面接觸。因此,電極93與連接部67A電連接。
作為電極92,93的材料,例如可以采用銅或銅合金。并且,電極92,93也可以形成為具有多個(gè)金屬層的層積結(jié)構(gòu)。
電極92,93也可以與作為虛擬圖案而設(shè)置的金屬層61D-67D連接。但是,金屬層61D-67D沒有與布線61-67以及其他金屬層電連接,而被電氣地隔離。因此,不會(huì)發(fā)生因金屬層61D-67D以及電極92,93造成布線61-67短路的情況。
接著,對(duì)線圈基板10的制造方法進(jìn)行說明。
首先,在圖9示出的工序中,準(zhǔn)備基板100?;?00包括多個(gè)基板30,多個(gè)基板30分別具備區(qū)塊11和外框13。各個(gè)區(qū)塊11包括多個(gè)單個(gè)區(qū)域A1和將這些單個(gè)區(qū)域A1包圍的連結(jié)部12。外框13被設(shè)置在基板100的兩端(在圖9中為上端以及下端)上。在外框13上形成有多個(gè)定位孔13X,該多個(gè)定位孔13X沿厚度方向貫穿基板30。這些定位孔13X沿基板100的長(zhǎng)度方向(在圖9中為左右方向)隔著大致一定間隔而配置。定位孔13X例如可以通過沖壓加工法或激光加工法而形成。定位孔13X為用于搬送基板100的貫穿孔,并通過在基板100被安裝到制造裝置上時(shí)與由電動(dòng)機(jī)等驅(qū)動(dòng)的定位銷進(jìn)行嚙合,而以定位孔13X之間的間距搬送基板100。
作為基板100,可以采用卷筒狀(膠帶狀)的可撓性絕緣樹脂膜?;?00的寬度(在俯視時(shí)與定位孔13X的排列方向正交的方向的長(zhǎng)度)以適合于基板100被安裝的制造裝置的方式被決定。例如,基板 100的寬度可以設(shè)定為40-90mm左右?;?00的長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度可以任意地決定。在圖9示出的例子中,在各個(gè)基板30上,單個(gè)區(qū)域A1以6行×2列的方式配置,但是也可以加長(zhǎng)各個(gè)基板30,例如設(shè)置幾百列左右的單個(gè)區(qū)域A1。卷筒狀基板100沿切斷位置A2切斷,從而被分割為薄板狀的多個(gè)線圈基板10。
在下文中,為了方便,對(duì)1個(gè)基板30的1個(gè)單個(gè)區(qū)域A1(在圖9中用單點(diǎn)劃線框示出)的制造工序進(jìn)行說明。
在圖10A以及10B示出的工序中,在除外框13以外的區(qū)域(也就是說,區(qū)塊11)上,且在基板30的下表面30A上層積半固化狀態(tài)的絕緣層51。例如,絕緣層51在區(qū)塊11的位置上覆蓋基板30的下表面30A的整個(gè)表面。例如,在作為絕緣層51采用絕緣性樹脂膜的情況下,在基板30的下表面30A上層壓絕緣性樹脂膜。但是,在該工序中,并未對(duì)絕緣性樹脂膜進(jìn)行熱固化,而是使其成為半固化(B stage)狀態(tài)。在此,通過在真空環(huán)境下對(duì)絕緣性樹脂膜進(jìn)行層壓,從而能夠抑制在絕緣層51內(nèi)發(fā)生空隙(Void)。在作為絕緣層51采用液狀絕緣性樹脂或絕緣性樹脂糊的情況下,將液狀絕緣性樹脂或絕緣性樹脂糊通過例如印刷法或旋涂法而涂布到基板30的下表面30A。然后,對(duì)液狀絕緣性樹脂或絕緣性樹脂糊進(jìn)行預(yù)烘干(prebake)而使其成為半硬化狀態(tài)。
接著,在單個(gè)區(qū)域A1的位置上,在基板30上形成貫穿孔30X。此外,在單個(gè)區(qū)域A1的位置上,在絕緣層51上形成貫穿孔51X,該貫穿孔51X與貫穿孔30X連通。貫穿孔30X,51X例如可以通過沖壓加工法或激光加工法形成。在該工序中,也可以形成上述的定位孔13X。也就是說,也可以在同一個(gè)工序中形成貫穿孔30X,51X和定位孔13X。
接著,在圖11A示出的工序中,將金屬箔161層積在半固化狀態(tài)的絕緣層51的下表面上。金屬箔161例如覆蓋絕緣層51的整個(gè)下表面。例如,將金屬箔161通過熱壓接而層壓在半固化狀態(tài)的絕緣層51的下表面。然后,通過在150℃左右的溫度環(huán)境下進(jìn)行熱固化處理而使半固化狀態(tài)的絕緣層51固化(cure)。通過該絕緣層51的 固化而使基板30被粘接在絕緣層51的上表面,并使金屬箔161被粘接在絕緣層51的下表面。也就是說,絕緣層51作為將基板30和金屬箔161粘接的粘合劑發(fā)揮作用。金屬箔161用于在后工序中被圖案化而形成布線61以及連接部61A等,例如可以采用銅箔。
接著,在露出于貫穿孔51X內(nèi)的金屬箔161上,形成通孔布線V1。通過該工序,而用通孔布線V1填充貫穿孔51X和貫穿孔30X的一部分。例如,通過將金屬箔161作為供電層而使用的電鍍,從而使鍍膜析出到貫穿孔30X,51X內(nèi)從而形成通孔布線V1?;蛘?,也可以通過將銅等金屬糊涂布到在貫穿孔51X內(nèi)露出的金屬箔161上,而形成通孔布線V1。
接著,如圖11B以及11C所示,通過在金屬箔161上進(jìn)行圖案化(Patterning),而在單個(gè)區(qū)域A1的位置上、且在絕緣層51的下表面形成金屬層61E。并且,通過該金屬箔161的圖案化,在金屬層61E的一個(gè)端部上形成連接部61A,并形成作為虛擬圖案的金屬層61D。其結(jié)果,結(jié)構(gòu)體41被層積在基板30的下表面30A上,該結(jié)構(gòu)體41包括絕緣層51、金屬層61E、以及連接部61A。在該工序形成的金屬層61E例如具有比圖7示出的布線61(螺旋狀線圈的一部分)大的平面形狀。該金屬層61E最終通過起模等而成形,從而形成螺旋狀線圈的第1層布線61(大致1圈)。并且在該工序中,在連結(jié)部12的位置、且在絕緣層51的下表面形成金屬層81,該金屬層81與連接部61A以及金屬層61D連接。換句話來講,在該工序中,通過在圖11A示出的金屬箔161上進(jìn)行圖案化,從而形成如圖11C示出的開口部201Y以及槽部61Y,61Z。槽部61Y在后工序成形線圈基板20時(shí),容易形成線圈的螺旋形狀。在該工序形成的金屬層81在后工序進(jìn)行電鍍時(shí)作為供電層而使用。在后工序不進(jìn)行電鍍的情況下,也可以省略金屬層81的形成。在圖11C中,將從開口部201Y以及槽部61Y,61Z露出的絕緣層51用梨皮花紋示出。
金屬箔161的圖案化例如可以使用金屬面腐蝕法等布線形成方法來進(jìn)行。例如,在金屬箔161的下表面涂布感光性抗蝕劑,對(duì)預(yù)定的區(qū)域進(jìn)行露光以及顯影,從而在抗蝕劑上形成開口部。然后, 用蝕刻除去露出于開口部?jī)?nèi)的金屬箔161。金屬層61E、連接部61A、金屬層61D、以及金屬層81被一體形成。
接著,在圖12A示出的工序中,首先,準(zhǔn)備具有與基板100同樣結(jié)構(gòu)的支承膜102(支承部件)。也就是說,支承膜102包括具有多個(gè)單個(gè)區(qū)域A1的區(qū)塊11、以及向該區(qū)塊11的外側(cè)突出的外框13。作為支承膜102,例如可以采用卷筒狀(膠帶狀)的可撓性絕緣樹脂膜。作為支承膜102,例如可以采用聚苯硫醚(PPS)、聚酰亞胺膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜等。支承膜102的厚度例如可以形成為12-50μm左右。
接著,與圖9-圖11A示出的工序同樣地,在支承膜102的下表面102A層積結(jié)構(gòu)體42,該結(jié)構(gòu)體42包括絕緣層52和金屬層62E。例如,在外框13的位置上,在將定位孔102X形成在支承膜102上后,在外框13以外的位置、且在支承膜102的下表面102A層積半固化狀態(tài)的絕緣層52。接著,如圖12B所示,通過使用沖壓加工法或激光加工法形成貫穿孔52X,52Y,該貫穿孔52X,52Y沿厚度方向貫穿支承膜102以及絕緣層52。然后,在半固化狀態(tài)的絕緣層52的下表面層積金屬箔,并通過金屬面腐蝕法將該金屬箔圖案化。通過該金屬箔的圖案化,如圖12B以及12C所示,在單個(gè)區(qū)域A1的位置上、且在絕緣層52的下表面形成金屬層62E,并形成作為虛擬圖案的金屬層62D。并且,在連結(jié)部12的位置上,在絕緣層52的下表面形成金屬層82,該金屬層82與金屬層62D連接。換句話來講,在該工序中,通過對(duì)被層積在絕緣層52的下表面上的金屬箔進(jìn)行圖案化,從而形成開口部202Y以及槽部62Y,62Z。在該工序形成的金屬層62E例如具有比在圖7示出的布線62(螺旋狀線圈的一部分)大的平面形狀。該金屬層62E最終通過起模等而成形,并形成螺旋狀線圈的第2層布線62(大致3/4圈)。該金屬層62E通過開口部202Y以及槽部62Z而從金屬層82隔開。槽部62Y在后工序成形線圈基板20時(shí),容易形成為線圈的螺旋形狀。在圖12C中,將從開口部202Y以及槽部62Y,62Z露出的絕緣層52用梨皮花紋來示出。
與定位孔13X同樣地,定位孔102X為用于搬送支承膜102的 貫穿孔、且通過在支承膜102被安裝到制造裝置上時(shí)與由電動(dòng)機(jī)等驅(qū)動(dòng)的定位銷進(jìn)行嚙合,從而以定位孔102X之間的間距搬送支承膜102。
接著,對(duì)圖13A-14B示出的工序進(jìn)行說明。圖13A-圖14B為與圖12C的12b-12b線的位置相對(duì)應(yīng)的截面圖。
首先,在圖13A示出的工序中,在絕緣層52的下表面層積半固化狀態(tài)的粘合層71,該粘合層71覆蓋金屬層62D,62E,82的整個(gè)表面(下表面以及側(cè)面)。利用該粘合層71將槽部62Y,62Z以及開口部202Y(參照?qǐng)D12A)填充。例如,在作為粘合層71使用絕緣性樹脂膜的情況下,將絕緣性樹脂膜通過熱壓接而層壓在絕緣層52的下表面。該熱壓接例如可以通過在真空環(huán)境下以預(yù)定的壓力(例如,0.5-0.6MPa左右)對(duì)絕緣性樹脂膜進(jìn)行按壓來進(jìn)行。但是,在該工序中,不對(duì)絕緣性樹脂膜進(jìn)行熱固化,而使其成為半固化狀態(tài)(B stage)?;蛘?,在作為粘合層71使用液狀絕緣性樹脂或者絕緣性樹脂糊的情況下,將液狀絕緣性樹脂或者絕緣性樹脂糊通過例如印刷法和旋涂法而涂布到絕緣層52的下表面。然后,對(duì)液狀絕緣性樹脂或絕緣性樹脂糊進(jìn)行預(yù)烘干,而使其成為半固化狀態(tài)。并且,優(yōu)選地,作為粘合層71的材料例如可以使用具有高流動(dòng)性的絕緣性樹脂。通過像這樣使用具有高流動(dòng)性的絕緣性樹脂,從而對(duì)槽部62Y,62Z以及開口部202Y適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行填充。
接著,在圖13B示出的工序中,在從貫穿孔52X露出的金屬層62E上形成貫穿孔62X,并在粘合層71形成貫穿孔71X,該貫穿孔71X與貫穿孔62X連通。貫穿孔62X,71X具有比貫穿孔52X小的平面形狀。在本例中,貫穿孔52X,62X,71X為圓形狀,貫穿孔62X,71X的直徑小于貫穿孔52X的直徑。由此,位于貫穿孔62X的周圍的金屬層62E的上表面從貫穿孔52X露出。貫穿孔62X,71X例如可以通過沖壓加工法或激光加工法而形成。
在此,如圖13C所示,結(jié)構(gòu)體42被層積在基板30的上表面30B時(shí),貫穿孔52X,62X,71X被形成于在俯視時(shí)與貫穿孔30X重疊的位置。并且,金屬層62E的上表面從貫穿孔52Y露出。
在圖13C示出的工序中,將圖13B示出的結(jié)構(gòu)(也就是說,結(jié)構(gòu)體42和粘合層71依次層積在支承膜102的下表面102A上的結(jié)構(gòu))配置在結(jié)構(gòu)體41被層積在基板30的下表面30A上的結(jié)構(gòu)的上方。此時(shí),粘合層71朝下配置以便粘合層71與基板30的上表面30B對(duì)置。
接著,在圖14A示出的工序中,以結(jié)構(gòu)體41和支承膜102被配置在外側(cè)的方式,在基板30的上表面30B上隔著粘合層71層積結(jié)構(gòu)體42。例如通過真空沖壓等從上下對(duì)圖14A示出的結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱壓。于是,半固化狀態(tài)的粘合層71被金屬層62E的下表面和基板30的上表面30B按壓,而沿平面方向擴(kuò)展。此時(shí),在作為粘合層71的材料使用流動(dòng)性高的絕緣性樹脂的情況下,可能會(huì)有沿平面方向擴(kuò)展的粘合層71漏出到貫穿孔71X內(nèi),而將貫穿孔71X堵塞的情況。在這種情況下,由于從貫穿孔30X露出的通孔布線V1的整個(gè)上表面被粘合層71覆蓋,所以在后工序中不能形成與通孔布線V1連接的通孔布線V2??紤]到這點(diǎn),在本例中,基板30的貫穿孔30X被形成為直徑大于粘合層71的貫穿孔71X的直徑。由此,由于施加到貫穿孔30X的周圍的粘合層71上的壓力變小,所以能夠適當(dāng)?shù)匾种普澈蠈?1漏出到貫穿孔71X內(nèi)。換句話來講,能夠適當(dāng)?shù)匾种仆ㄟ^進(jìn)行熱壓而導(dǎo)致貫穿孔71X的平面形狀變小的情況。并且,通過該工序而使粘合層71的一部分?jǐn)U展到貫穿孔30X內(nèi),并通過該擴(kuò)展的粘合層71來覆蓋從通孔布線V1露出的貫穿孔30X的上部?jī)?nèi)側(cè)面。其結(jié)果,貫穿孔71X的一部分被形成在貫穿孔30X內(nèi)。在該工序的熱壓中,例如通過與將粘合層71層積在絕緣層52的下表面時(shí)的壓力相同程度或小于上述壓力(例如、0.2-0.6MPa左右)從上下按壓圖14A示出的結(jié)構(gòu)。
然后,粘合層71被硬化。由此,貫穿孔71X、貫穿孔62X、以及貫穿孔52X連通的狀態(tài)被維持。因此,通孔布線V1的上表面的一部分從貫穿孔71X露出。
另外,在圖12A-14A示出的工序中,也可以在隔著粘合層71將結(jié)構(gòu)體42層積到基板30的上表面30B后,形成貫穿孔62X,71X。
接著,在圖14B示出的工序中,從絕緣層52剝離在圖14A示出的支承膜102。例如,從絕緣層52機(jī)械地剝離支承膜102。
接著,在從貫穿孔71X露出的通孔布線V1上,形成通孔布線V2。貫穿孔71X,62X,52X被該通孔布線V2填充。此時(shí),由于貫穿孔52X具有比貫穿孔71X,62X大的直徑,所以通孔布線V2還被形成在金屬層62E的上表面的一部分。由此,通孔布線V2與劃定貫穿孔62X的內(nèi)側(cè)面的金屬層62E的側(cè)面、以及位于貫穿孔62X的周圍的金屬層62E的上表面連接。其結(jié)果,金屬層61E和金屬層62E通過通孔布線V1,V2串聯(lián)連接。在該工序中,例如形成為通孔布線V2的上表面與絕緣層52的上表面大致對(duì)齊。通孔布線V2例如可以通過將金屬層81以及金屬層61E的雙方用作供電層的電鍍或者填充金屬糊等方法來形成。在形成通孔布線V2時(shí),從貫穿孔52Y露出的金屬層62E被掩模,以便在貫穿孔52Y不形成電鍍膜。
通過以上說明的制作工序,在具有被層積在基板30的下表面30A上的結(jié)構(gòu)體41、和被層積在基板30的上表面30B上的結(jié)構(gòu)體42的層積結(jié)構(gòu)中,金屬層61E通過通孔布線V1,V2而與金屬層62E串聯(lián)連接。金屬層61E,62E與通孔布線V1,V2的串聯(lián)導(dǎo)體相當(dāng)于螺旋狀線圈的大致(1+3/4)圈的部分。
接著,在圖15A示出的工序中,在支承膜103(支承部件)的下表面103A上層積結(jié)構(gòu)體43,該結(jié)構(gòu)體43具有絕緣層53以及金屬層63E,接著在該層積體43上層積粘合層72。該工序能夠與圖12A-圖13B示出的工序同樣地進(jìn)行。圖15A的工序和圖12A-圖13B示出的工序只是在貫穿孔的位置和/或?qū)饘俨M(jìn)行圖案化后的金屬層(布線)的形狀不同。因此,省略在圖15A的工序中的制造方法的詳細(xì)說明。在支承膜103以及后工序中使用的支承膜104-107(支承部件)的形狀、厚度、材料等與圖12A示出的支承膜102相同。對(duì)于被形成在各個(gè)支承膜103-107的外框13上的定位孔103X-107X,也與支承膜102的定位孔102X相同。
圖15A示出的結(jié)構(gòu)包括:貫穿孔53X、53Y,其沿厚度方向貫穿支承膜103和絕緣層53;以及貫穿孔63X、72X,其沿厚度方向 貫穿金屬層63E和粘合層72,而與貫穿孔53X連通。貫穿孔53X具有比貫穿孔63X,72X大的直徑。由此,位于貫穿孔63X的周圍的金屬層63E的上表面從貫穿孔53X露出。并且,如圖15B所示,在絕緣層53的下表面形成有金屬層63E、金屬層63D以及金屬層83。金屬層63E通過開口部203Y和槽部63Z,而與金屬層63D,83隔開。被形成在金屬層63E上的槽部63Y在后工序成形線圈基板20時(shí),容易形成線圈的螺旋形狀。金屬層63E例如具有比圖7示出的布線63大的平面形狀。金屬層63E最終通過起模等而成形,并形成螺旋狀線圈的第3層布線63(大致1圈)。并且,如圖15A所示,粘合層72以覆蓋金屬層63E的下表面以及側(cè)面、且將開口部203Y、槽部63Y以及槽部63Z(參照?qǐng)D15B)填充的方式形成在絕緣層53的下表面。并且,在圖15B中,省略粘合層72的圖示,并將從開口部203Y以及槽部63Y,63Z露出的絕緣層53用梨皮花紋來示出。
接著,對(duì)圖16A-16C示出的工序進(jìn)行說明。圖16A-16C為與圖15B的15a-15a線的位置相對(duì)應(yīng)的截面圖。
首先,在圖16A示出的工序中,與圖14A示出的工序同樣地,以結(jié)構(gòu)體41以及支承膜103被配置在外側(cè)的方式,在結(jié)構(gòu)體42的絕緣層52上隔著粘合層72層積有結(jié)構(gòu)體43以及支承膜103。此時(shí),由于絕緣層52的貫穿孔52Y具有比粘合層72的貫穿孔72X大的直徑,所以與粘合層71同樣地,能夠適當(dāng)?shù)匾种普澈蠈?2漏出到貫穿孔72X內(nèi)。并且,貫穿孔52Y的內(nèi)側(cè)面被粘合層72覆蓋。其結(jié)果,粘合層72的貫穿孔72X的一部分被形成在貫穿孔52Y內(nèi)。此外,貫穿孔72X、貫穿孔63X以及貫穿孔53X連通,金屬層62E從貫穿孔72X露出。
接著,在圖16B示出的工序中,從絕緣層53剝離圖16A示出的支承膜103。例如,從絕緣層53機(jī)械地剝離支承膜103。
接著,在圖16C示出的工序中,與圖14B示出的工序同樣地形成通孔布線V3。貫穿孔72X,63X,53X被該通孔布線V3填充。由此,通孔布線V3與劃定貫穿孔63X的內(nèi)側(cè)面的金屬層63E的側(cè)面、位于貫穿孔63X的周圍的金屬層63E的上表面、以及從貫穿孔 72X露出的金屬層62E的上表面連接。其結(jié)果,金屬層62E和金屬層63E由通孔布線V3串聯(lián)連接。在該工序中,例如形成為通孔布線V3的上表面與絕緣層53的上表面大致對(duì)齊。通孔布線V3例如可以通過將金屬層81以及金屬層61E的雙方用作供電層的電鍍或者填充金屬糊等方法而形成。
通過以上說明的制作工序,在具有結(jié)構(gòu)體41、基板30、結(jié)構(gòu)體42、結(jié)構(gòu)體43的層積結(jié)構(gòu)中,金屬層61E,62E,63E通過通孔布線V1-V3而串聯(lián)連接。金屬層61E,62E,63E與通孔布線V1-V3的串聯(lián)導(dǎo)體相當(dāng)于螺旋狀線圈的約大致(2+3/4)圈的部分。
在圖15A-16B示出的工序中,也可以在隔著粘合層72將結(jié)構(gòu)體43層積到結(jié)構(gòu)體42上后,形成貫穿孔63X,72X。
接著,在圖17A示出的工序中,在支承膜104的下表面104A層積結(jié)構(gòu)體44,該結(jié)構(gòu)體44具有絕緣層54和金屬層64E。該工序由于能夠與圖12A-13B示出的工序同樣地進(jìn)行,所以省略在圖17A的工序中的制造方法的詳細(xì)說明。
圖17A示出的結(jié)構(gòu)包括:貫穿孔54X、54Y,其沿厚度方向貫穿支承膜104和絕緣層54;以及貫穿孔64X、73X,其沿厚度方向貫穿金屬層64E和粘合層73,而與貫穿孔54X連通。貫穿孔54X具有比貫穿孔64X,73X大的直徑。由此,位于貫穿孔64X的周圍的金屬層64E的上表面從貫穿孔54X露出。并且,在絕緣層54的下表面層積有金屬層64E、金屬層64D、金屬層84。如圖17B所示,金屬層64E通過開口部204Y以及槽部64Z而從金屬層64D,84隔開。并且,被形成在金屬層64E上的槽部64Y在后工序成形線圈基板20時(shí),容易形成線圈的螺旋形狀。金屬層64E例如具有比圖7示出的布線64大的平面形狀。金屬層64E最終通過起模等而成形,并形成螺旋狀線圈的第4層布線64(大致3/4圈)。并且,如圖17A所示,粘合層73以將金屬層64E的下表面以及側(cè)面覆蓋且將開口部204Y(參照?qǐng)D17B)以及槽部64Y、64Z填充的方式被形成在絕緣層54的下表面。另外,在圖17B中,省略粘合層73的圖示,并用梨皮花紋示出從開口部204Y以及槽部64Y,64Z露出的絕緣層54。
接著,對(duì)圖18A以及18B示出的工序進(jìn)行說明。另外,圖18A以及18B為與圖17B的17a-17a線的位置相對(duì)應(yīng)的截面圖。
首先,在圖18A示出的工序中,與圖14A示出的工序同樣地,以結(jié)構(gòu)體41以及支承膜104被配置在外側(cè)的方式,在結(jié)構(gòu)體43的絕緣層53上隔著粘合層73層積結(jié)構(gòu)體44以及支承膜104。此時(shí),由于絕緣層53的貫穿孔53Y具有比粘合層73的貫穿孔73X大的直徑,所以與粘合層71同樣地,能夠適當(dāng)?shù)匾种普澈蠈?3漏出到貫穿孔73X內(nèi)。并且,貫穿孔53Y的內(nèi)側(cè)面被粘合層73覆蓋。其結(jié)果,粘合層73的貫穿孔73X的一部分被形成在貫穿孔53Y內(nèi)。此外,貫穿孔73X、貫穿孔64X、以及貫穿孔54X連通,并且從貫穿孔73X露出金屬層63E。接著,支承膜104從絕緣層54剝離。
接著,在圖18B示出的工序中,與圖14B示出的工序同樣地,形成通孔布線V4。貫穿孔73X,64X,54X被該通孔布線V4填充。由此,通孔布線V4與劃定貫穿孔64X的內(nèi)側(cè)面的金屬層64E的側(cè)面、位于貫穿孔64X的周圍的金屬層64E的上表面、以及從貫穿孔73X露出的金屬層63E的上表面連接。其結(jié)果,金屬層63E和金屬層64E通過通孔布線V4串聯(lián)連接。在該工序中,例如通孔布線V4的上表面以與絕緣層54的上表面大致對(duì)齊的形式形成。通孔布線V4例如可以通過將金屬層81以及金屬層61E的雙方用于供電層的電鍍或者填充金屬糊等方法而形成。
通過以上說明的制作工序,在具有結(jié)構(gòu)體41、基板30、以及結(jié)構(gòu)體42-44的層積結(jié)構(gòu)中,金屬層61E,62E,63E,64E通過通孔布線V1-V4串聯(lián)連接。金屬層61E,62E,63E,64E和通孔布線V1-V4的串聯(lián)導(dǎo)體相當(dāng)于螺旋狀線圈的大致3圈的部分。
在圖17A以及18A示出的工序中,也可以在隔著粘合層73將結(jié)構(gòu)體44層積在結(jié)構(gòu)體43上后形成貫穿孔64X,73X。
接著,在圖19A示出的工序中,在支承膜105的下表面105A層積結(jié)構(gòu)體45,該結(jié)構(gòu)體45具有絕緣層55和金屬層65E。由于該工序能夠與圖12A-13B示出的工序同樣地進(jìn)行,所以省略在圖19A的工序中的制造方法的詳細(xì)說明。
圖19A示出的結(jié)構(gòu)包括:貫穿孔55X、55Y,其沿厚度方向貫穿支承膜105和絕緣層55;以及貫穿孔65X、74X,其沿厚度方向貫穿金屬層65E以及粘合層74,而與貫穿孔55X連通。貫穿孔55X具有比貫穿孔65X,74X大的直徑。由此,位于貫穿孔65X的周圍的金屬層65E的上表面從貫穿孔55X露出。并且,如圖19B所示,在絕緣層55的下表面形成有金屬層65E、金屬層65D、以及金屬層85。金屬層65E通過開口部205Y以及槽部65Z而從金屬層65D,85隔開。并且,被形成在金屬層65E上的槽部65Y在后工序成形線圈基板20時(shí),容易形成線圈的螺旋形狀。金屬層65E具有例如比圖7示出的布線65大的平面形狀。金屬層65E最終通過起模等而成形,并形成螺旋狀線圈的第5層布線65(大致1圈)。另外,如圖19A所示,粘合層74以將金屬層65E的下表面以及側(cè)面覆蓋且將開口部205Y、槽部65Y、以及槽部65Z(參照?qǐng)D19B)填充的方式被形成在絕緣層55的下表面。另外,在圖19B中省略粘合層74的圖示,并用梨皮花紋來示出從開口部205Y以及槽部65Y,65Z露出的絕緣層55。
接著,對(duì)圖20A以及20B示出的工序進(jìn)行說明。另外,圖20A以及20B為與圖19B的19a-19a線的位置相對(duì)應(yīng)的截面圖。
首先,在圖20A示出的工序中,與圖14A示出的工序同樣地,以結(jié)構(gòu)體41以及支承膜105被配置在外側(cè)的方式,在結(jié)構(gòu)體44的絕緣層54上隔著粘合層74層積結(jié)構(gòu)體45以及支承膜105。此時(shí),由于絕緣層54的貫穿孔54Y具有比粘合層74的貫穿孔74X大的直徑,所以與粘合層71同樣地,能夠適當(dāng)?shù)匾种普澈蠈?4漏出到貫穿孔74X內(nèi)。并且,貫穿孔54Y的內(nèi)側(cè)面被粘合層74覆蓋。其結(jié)果,粘合層74的貫穿孔74X的一部分被形成在貫穿孔54Y內(nèi)。此外,貫穿孔74X、貫穿孔65X、以及貫穿孔55X連通,金屬層64E從貫穿孔74X露出。接著,支承膜105從絕緣層55被剝離。
接著,在圖20B示出的工序中,與圖14B示出的工序同樣地形成通孔布線V5。該貫穿孔74X,65X,55X用該通孔布線V5填充。由此,通孔布線V5與劃定貫穿孔65X的內(nèi)側(cè)面的金屬層65E的側(cè) 面、位于貫穿孔65X的周圍的金屬層65E的上表面、以及從貫穿孔74X露出的金屬層64E的上表面連接。其結(jié)果,金屬層64E和金屬層65E通過通孔布線V5串聯(lián)連接。在該工序中,例如形成為通孔布線V5的上表面與絕緣層55的上表面大致對(duì)齊。通孔布線V5例如可以通過將金屬層81以及金屬層61E的雙方用于供電層的電鍍、或者填充金屬糊等方法而形成。
通過以上說明的制作工序,在具有結(jié)構(gòu)體41、基板30、以及結(jié)構(gòu)體42-45的層積結(jié)構(gòu)中,金屬層61E,62E,63E,64E,65E通過通孔布線V1-V5串聯(lián)連接。金屬層61E,62E,63E,64E,65E和通孔布線V1-V5的串聯(lián)導(dǎo)體相當(dāng)于螺旋狀線圈的大致4圈的部分。
在圖19A以及20A示出的工序中,也可以在隔著粘合層74將結(jié)構(gòu)體45層積到結(jié)構(gòu)體44上后,形成貫穿孔65X,74X。
接著,在圖21A示出的工序中,在支承膜106的下表面106A上層積結(jié)構(gòu)體46,該結(jié)構(gòu)體46具有絕緣層56和金屬層66E。由于該工序可以與圖12A-圖13B示出的工序同樣地進(jìn)行,因此省略在圖21A的工序中的制造方法的詳細(xì)說明。
圖21A示出的結(jié)構(gòu)包括:貫穿孔56X、56Y,其沿厚度方向貫穿支承膜106和絕緣層56;貫穿孔66X、75X,其沿厚度方向貫穿金屬層66E和粘合層75,而與貫穿孔56X連通。貫穿孔56X具有比貫穿孔66X,75X大的直徑。由此,位于貫穿孔66X的周圍的金屬層66E的上表面從貫穿孔56X露出。并且,如圖21B所示,在絕緣層56的下表面形成有金屬層66E、金屬層66D、以及金屬層86。金屬層66E通過開口部206Y和槽部66Z而從金屬層66D,86隔開。而且,被形成在金屬層66E上的槽部66Y在后工序成形線圈基板20時(shí),容易形成線圈的螺旋形狀。金屬層66E具有例如比圖7示出的布線66大的平面形狀。金屬層66E最終通過起模等成形,并形成螺旋狀線圈的第6層布線66(大致3/4圈)。并且,如圖21A所示,粘合層75以將金屬層66E的下表面以及側(cè)面覆蓋且將開口部206Y(參照?qǐng)D21B)以及槽部66Y,66Z填充的方式形成在絕緣層56的下表面。另外,在圖21B中,省略粘合層75的圖示,并用梨皮花紋來示出絕 緣層56,該絕緣層56從開口部206Y以及槽部66Y,66Z露出。
接著,對(duì)圖22A以及22B示出的工序進(jìn)行說明。圖22A以及22B為與圖21B的21a-21a線的位置相對(duì)應(yīng)的截面圖。
首先,在圖22A示出的工序中,與圖14A示出的工序同樣地,以結(jié)構(gòu)體41以及支承膜106被配置在外側(cè)的方式,在結(jié)構(gòu)體45的絕緣層55上隔著粘合層75層積結(jié)構(gòu)體46以及支承膜106。此時(shí),由于絕緣層55的貫穿孔55Y具有比粘合層75的貫穿孔75X大的直徑,因此與粘合層71同樣地,能夠適當(dāng)?shù)匾种普澈蠈?5露出到貫穿孔75X內(nèi)。并且,貫穿孔55Y的內(nèi)側(cè)面被粘合層75覆蓋。其結(jié)果,粘合層75的貫穿孔75X的一部分被形成在貫穿孔55Y內(nèi)。此外,貫穿孔75X、貫穿孔66X以及貫穿孔56X連通,金屬層65E從貫穿孔75X露出。接著,從絕緣層56剝離支承膜106。
接著,在圖22B示出的工序中,與圖14A示出的工序同樣地形成通孔布線V6。貫穿孔75X,66X,56X用該通孔布線V6填充。由此,通孔布線V6與劃定貫穿孔66X的內(nèi)側(cè)面的金屬層66E的側(cè)面、位于貫穿孔66X的周圍的金屬層66E的上表面、以及從貫穿孔75X露出的金屬層65E的上表面連接。其結(jié)果,金屬層65E和金屬層66E通過通孔布線V6串聯(lián)連接。在該工序中,例如形成為通孔布線V6的上表面與絕緣層56的上表面大致對(duì)齊。通孔布線V6可以通過例如將金屬層81以及金屬層61E的雙方用于供電層的電鍍、或者填充金屬糊等方法形成。
通過以上說明的制作工序,在具有結(jié)構(gòu)體41、基板30和結(jié)構(gòu)體42-46的層積結(jié)構(gòu)中,金屬層61E,62E,63E,64E,65E,66E通過通孔布線V1-V6串聯(lián)連接。金屬層61E,62E,63E,64E,65E,66E和通孔布線V1-V6的串聯(lián)導(dǎo)體部分相當(dāng)于螺旋狀線圈的大致(4+3/4)圈的部分。
在圖21A以及22A示出的工序中,也可以在隔著粘合層75將結(jié)構(gòu)體46層積在結(jié)構(gòu)體45上后,形成貫穿孔66X,75X。
接著,在圖23A示出的工序中,在支承膜107的下表面107A上層積結(jié)構(gòu)體47,該結(jié)構(gòu)體47包括絕緣層57和金屬層67E。由于 該工序可以與圖12A-圖13B示出的工序同樣地進(jìn)行,因此省略在圖23A的工序中的制造方法的詳細(xì)說明。
圖23B示出的結(jié)構(gòu)包括:貫穿孔57X、57Y,其沿厚度方向貫穿支承膜107和絕緣層57;以及貫穿孔67X、76X,其沿厚度方向貫穿金屬層67E和粘合層76,而與貫穿孔57X連通。貫穿孔57X具有比貫穿孔67X,76X大的直徑。由此,位于貫穿孔67X的周圍的金屬層67E的上表面從貫穿孔57X露出。并且,如圖23C所示,在絕緣層57的下表面形成有金屬層67E、連接部67A、金屬層67D、以及金屬層87。金屬層67E通過開口部207Y以及槽部67Z,而從金屬層67D,87隔開。而且,被形成在金屬層67E上的槽部67Y在后工序成形線圈基板20時(shí),容易形成線圈的螺旋形狀。金屬層67E具有例如比圖7示出的布線67大的平面形狀。金屬層67E最終通過起模等成形,并形成螺旋狀線圈的第7層布線67(大致1圈)。并且,如圖23A以及23B所示,粘合層76以將金屬層67E的下表面以及側(cè)面覆蓋且將開口部207Y以及槽部67Y,67Z填充的方式形成在絕緣層57的下表面。另外,在圖23C中,省略粘合層76的圖示,并用梨皮花紋來示出絕緣層57,該絕緣層57從開口部207Y以及槽部67Y,67Z露出。
接著,對(duì)圖24A-25B示出的工序進(jìn)行說明。另外,圖24A-25A為與圖23C的23a-23a線的位置相對(duì)應(yīng)的截面圖25B為與圖23C的23b-23b線的位置相對(duì)應(yīng)的截面圖。
首先,在圖24A示出的工序中,與圖14A示出的工序同樣地,以使結(jié)構(gòu)體41以及支承膜107被配置在外側(cè)的方式,在結(jié)構(gòu)體46的絕緣層56上隔著粘合層76層積結(jié)構(gòu)體47和支承膜107。此時(shí),由于絕緣層56的貫穿孔56Y具有比粘合層76的貫穿孔76X大的直徑,因此與粘合層71同樣地,能夠適當(dāng)?shù)匾种普澈蠈?6漏出到貫穿孔76X內(nèi)。并且,貫穿孔56Y的內(nèi)側(cè)面被粘合層76覆蓋。其結(jié)果,粘合層76的貫穿孔76X的一部分被形成在貫穿孔56Y內(nèi)。此外,貫穿孔76X、貫穿孔67X以及貫穿孔57X連通,金屬層66E從貫穿孔76X露出。接著,在圖24B示出的工序中,從絕緣層57剝 離圖24A示出的支承膜107。
接著,在圖25A以及25B示出的工序中,與圖14B示出的工序同樣地形成通孔布線V7。貫穿孔76X,67X,57X用該通孔布線V7填充。由此,通孔布線V7與劃定貫穿孔67X的內(nèi)側(cè)面的金屬層67E的側(cè)面、位于貫穿孔67X的周圍的金屬層67E的上表面、以及從貫穿孔76X露出的金屬層66E的上表面連接。其結(jié)果,金屬層66E和金屬層67E通過通孔布線V7串聯(lián)連接。并且,如圖25B所示,在該工序中形成填充貫穿孔57Y的通孔布線V8。由此,金屬層67E與通孔布線V8電連接。在該工序中,例如形成為通孔布線V7,V8的上表面與絕緣層57的上表面大致對(duì)齊。通孔布線V7,V8例如可以通過將金屬層81以及金屬層61E的雙方用于供電層的電鍍、或者填充金屬糊等方法而形成。
通過以上說明的制作工序,在具有結(jié)構(gòu)體41、基板30、以及結(jié)構(gòu)體42-47的層積結(jié)構(gòu)中,金屬層61E,62E,63E,64E,65E,66E,67E通過通孔布線V1-V7串聯(lián)連接。金屬層61E,62E,63E,64E,65E,66E,67E和通孔布線V1-V7的串聯(lián)導(dǎo)體相當(dāng)于螺旋狀線圈的大致(5+1/2)圈的部分。
在圖23A-24B示出的工序中,也可以在隔著粘合層76將結(jié)構(gòu)體47層積到結(jié)構(gòu)體46上后形成貫穿孔67X,76X。
通過以上的制造工序,能夠在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1制造出層積體23,該層積體23具有在基板30的下表面30A層積的結(jié)構(gòu)體41和在基板30的上表面30B依次層積的多個(gè)結(jié)構(gòu)體42-47。
接著,在圖26A示出的工序中,將具有圖25A以及25B示出的結(jié)構(gòu)的卷筒狀的基板100沿圖9示出的切斷位置A2切斷,而使其單片化為各個(gè)薄板狀的線圈基板10。在圖26A的例子中,在線圈基板10形成有12個(gè)單個(gè)區(qū)域A1。并且,也可以不對(duì)基板100實(shí)施圖26A示出的工序,而將結(jié)束了圖25A以及25B示出的工序的基板100作為產(chǎn)品出貨。
接著,在圖26B-28B示出的工序中,通過起模等成形線圈基板10并將不需要的部分除去,而將金屬層61E-67E加工成螺旋狀線圈 的布線61-67的形狀。圖26B例示了在成形線圈基板10之前的金屬層67E以及粘合層76。在圖26B中,省略了絕緣層57的圖示,并用梨皮花紋來示出從開口部207Y和槽部67Y,67Z露出的粘合層76。圖27示意性地例示了在成形線圈基板10之前的金屬層61E-67E的形狀。例如通過使用模具進(jìn)行沖壓加工,而將圖26B以及27示出的線圈基板10成形為圖28A以及28B示出的形狀。在本例中,在與開口部20Y相對(duì)應(yīng)的位置上,通過沖壓加工對(duì)基板30、絕緣層51-57、金屬層61E-67E、以及粘合層71-76(參照?qǐng)D25B)進(jìn)行沖裁,從而除去在圖26B以及27示出的線圈基板10的不需要部分。此外,在俯視時(shí)與在圖26B以及圖27用虛線示出的區(qū)域重疊的位置上,通過沖壓加工對(duì)基板30、絕緣層51-57、金屬層61E-67E、以及粘合層71-76進(jìn)行沖裁,從而除去線圈基板10的不需要部分。由此,如圖28B所示,開口部20Y被形成在區(qū)塊11的所需部分上,層積體23被成形為在俯視時(shí)大致呈長(zhǎng)方形狀。此外,在層積體23的大致中央部形成有貫穿孔23X,如圖28A所示,金屬層61E-67E分別成形為布線61-67。這些布線61-67通過通孔布線V1-V7串聯(lián)連接,從而被形成為約(5+1/2)圈的螺旋狀線圈。另外,通過形成上述貫穿孔23X,而在貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出各個(gè)布線61-67的端面。并且,通過形成開口部20Y,也從層積體23的外壁面露出各個(gè)布線61-67的端面(參照?qǐng)D3)。這樣的層積體23被形成在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1,并且相鄰的層積體23彼此通過連結(jié)部12相互連結(jié)。
在本實(shí)施方式中,在進(jìn)行上述沖壓加工時(shí),成形前的各個(gè)結(jié)構(gòu)體41-47中的金屬層(金屬層61E-67E以及金屬層61D-67D)被形成為基本相同的形狀。也就是說,通過在各個(gè)結(jié)構(gòu)體41-47設(shè)置虛擬圖案、即金屬層61D-67D,從而減小形成在各個(gè)結(jié)構(gòu)體41-47上的金屬層的形狀差異。由此,能夠抑制在沖壓加工時(shí)因金屬層的形狀差異而導(dǎo)致層積體23變形。
在此,代替使用模具的沖壓加工,也可以通過激光加工進(jìn)行線圈基板10的成形(即,開口部20Y以及貫穿孔23X的形成)。并且,在該工序中,也可以與開口部20Y以及貫穿孔23X的形成一起,如 圖28B所示,在連結(jié)部12的所需部分上形成識(shí)別標(biāo)記12X,該識(shí)別標(biāo)記12X沿厚度方向貫穿連結(jié)部12。該識(shí)別標(biāo)記12X例如可以通過使用模具的沖壓加工或激光加工形成。
接著,在圖29以及圖30A示出的工序中,形成將包括貫穿孔23X的內(nèi)壁面在內(nèi)的層積體23的整個(gè)表面覆蓋的絕緣膜25。絕緣膜25將被形成在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1上的層積體23的外壁面、最下層的布線61的下表面以及側(cè)面、最上層的絕緣層57的上表面、通孔布線V7,V8的上表面、以及貫穿孔23X的內(nèi)壁面連續(xù)地覆蓋。因此,絕緣膜25將在層積體23的外壁面或貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出的各個(gè)布線61-67的端面覆蓋。因此,即使在電感器90(參照?qǐng)D8B)的封固樹脂91中含有導(dǎo)電體(磁體的填充物等)的情況下,也能通過絕緣膜25來抑制各個(gè)布線61-67與封固樹脂91的導(dǎo)電體發(fā)生短路。
絕緣膜25例如可以用旋涂法或噴霧涂布法來形成。并且,作為絕緣膜25,也可以采用電沉積抗蝕劑。在該情況下,通過使用電沉積涂布法,而使電沉積抗蝕劑(絕緣膜25)只沉積到在層積體23的外壁面、貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出的各個(gè)布線61-67的端面。
通過以上的制造工序,在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1上制造線圈基板20,從而制造包括多個(gè)線圈基板20的基板10。
接著,對(duì)電感器90的制造方法進(jìn)行說明。
首先,在圖30B示出的工序中,形成封固樹脂91,該封固樹脂91對(duì)在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1中的整個(gè)線圈基板20進(jìn)行封固。由此,線圈基板20的貫穿孔20X被封固樹脂91填充,并且線圈基板20的外壁面、線圈基板20的上表面(絕緣膜25的上表面)以及線圈基板20的下表面(絕緣膜25的下表面)被封固樹脂91覆蓋。作為填充封固樹脂91的方法,例如可以采用傳遞模塑法、壓縮模塑法、注射模塑法。
接著,沿著用虛線示出的單個(gè)區(qū)域A1的位置將圖30B示出的結(jié)構(gòu)(線圈基板10)切斷。由此,連結(jié)部12以及外框13被除去,從而被單片化為用封固樹脂91進(jìn)行封固的線圈基板20(參照?qǐng)D31A)。 此時(shí),可以得到多個(gè)線圈基板20。在線圈基板20的一側(cè)的側(cè)面20A上露出連接部61A,在線圈基板20的另一側(cè)的側(cè)面20B上露出連接部67A。
在圖30B以及31A示出的工序中,在形成了將各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1上的線圈基板20封固的封固樹脂91之后,線圈基板10被切斷,而單片化為多個(gè)線圈基板20。代替于此,例如也可以在單片化為線圈基板20之后,用封固樹脂91將各線圈基板20的除側(cè)面20A,20B以外的部分封固。
接著,在圖31B示出的工序中,形成電極92,93。電極92將線圈基板20的側(cè)面20A、封固樹脂91的一側(cè)的側(cè)面、上表面、以及下表面連續(xù)地覆蓋。電極93將線圈基板20的側(cè)面20B、封固樹脂91的另一側(cè)的側(cè)面、上表面、以及下表面連續(xù)地覆蓋。電極92的內(nèi)壁面與在線圈基板20的側(cè)面20A露出的連接部61A的側(cè)面接觸。因此,包括連接部61A的布線61與電極92電連接。同樣地,電極93的內(nèi)壁面與在線圈基板20的側(cè)面20B露出的連接部67A的側(cè)面接觸。因此,包括連接部67A的布線67與電極93電連接。
通過以上的制造工序,能夠制造圖8B示出的電感器90。
本實(shí)施方式具有以下優(yōu)點(diǎn)。
(1)將包含布線61-67和絕緣層51-57的結(jié)構(gòu)體41-47層積到基板30上,并將布線61-67通過通孔布線V1-V7串聯(lián)連接,從而形成一個(gè)螺旋狀線圈。根據(jù)該結(jié)構(gòu),能夠通過對(duì)被層積到基板30上的結(jié)構(gòu)體的數(shù)量進(jìn)行調(diào)整,從而無需變更線圈(電感器)的平面形狀也能制作任意圈數(shù)的線圈。因此,能夠容易制作具有比以前尺寸(例如,平面形狀為1.6mm×1.6mm)小的尺寸(例如,平面形狀為1.6mm×0.8mm)的線圈。
(2)通過增加被層積到基板30上的結(jié)構(gòu)體的數(shù)量,從而無需變更線圈(電感器)的平面形狀,也能增加線圈的圈數(shù)(number of turns)。因此,能夠容易制作小型且電感較大的線圈。
(3)在各個(gè)結(jié)構(gòu)體42-47上,絕緣層52-57包括具有比布線62-67的貫穿孔62X-67X大的平面形狀的貫穿孔52X-57X。此外,貫穿孔 62X、52X用通孔布線V2填充,貫穿孔63X、53X用通孔布線V3填充,貫穿孔64X、54X用通孔布線V4填充,貫穿孔65X、55X用通孔布線V5填充,貫穿孔66X、56X用通孔布線V6填充,貫穿孔67X、57X用通孔布線V7填充。通孔布線V2-V7與貫穿孔62X-67X的內(nèi)側(cè)面連接,并且在貫穿孔62X-67X的周圍與從貫穿孔52X-57X露出的布線62-67的上表面連接。在該構(gòu)成中,與例如貫穿孔52X-57X具有與貫穿孔62X-67X相同大小的平面形狀的情況相比,能夠使通孔布線V2-V7和布線62-67的接觸面積增大。其結(jié)果,能夠提高通孔布線V2-V7和布線62-67之間的連接信賴性。進(jìn)而能夠提高布線62-67彼此的連接信賴性。
(4)在將結(jié)構(gòu)體43層積到結(jié)構(gòu)體42上的情況下,在支承膜103的下表面103A上層積包括具有貫穿孔63X的金屬層63E和絕緣層53的結(jié)構(gòu)體43,并在該結(jié)構(gòu)體43上層積粘合層72,該粘合層72具有與貫穿孔63X連通的貫穿孔72X。結(jié)構(gòu)體42的絕緣層52具有貫穿孔52Y,該貫穿孔52Y具有比貫穿孔63X,72X大的平面形狀。并且,以支承膜103被配置于外側(cè)的狀態(tài),在結(jié)構(gòu)體42上隔著粘合層72層積結(jié)構(gòu)體43。此時(shí),由于貫穿孔52Y具有比貫穿孔72X大的平面形狀,因此能夠適當(dāng)?shù)匾种普澈蠈?2漏出到貫穿孔72X內(nèi)。因此,在結(jié)構(gòu)體42上隔著粘合層72層積結(jié)構(gòu)體43時(shí),即使向結(jié)構(gòu)體42,43以及粘合層72施加較高的壓力的情況下或者作為粘合層72的材料使用流動(dòng)性較高的材料的情況下,也能夠適當(dāng)?shù)匾种曝灤┛?2X的平面形狀變小。在層積其他結(jié)構(gòu)體44-47時(shí),也能得到相同的效果。
(5)將布線62-67電連接的貫穿電極(通孔布線V2-V8)分別貫穿位于相鄰的2個(gè)結(jié)構(gòu)體中的下側(cè)的結(jié)構(gòu)體的絕緣層、和位于上側(cè)的結(jié)構(gòu)體的布線以及絕緣層。因此,在結(jié)構(gòu)體42-47的絕緣層52-57上分別形成有2個(gè)貫穿電極。在本例中,在絕緣層52上形成通孔布線V2、V3,在絕緣層53上形成通孔布線V3、V4,在絕緣層54上形成通孔布線V4、V5,在絕緣層55上形成通孔布線V5、V6,在絕緣層56上形成通孔布線V6、V7,在絕緣層57上形成通孔布線 V7、V8。根據(jù)該結(jié)構(gòu),通孔布線V2-V8作為支承體發(fā)揮作用,并且由于具有絕緣層52-57的剛性,所以能夠抑制電感器90的扭曲。
(6)在層積體23中設(shè)置了熱膨脹系數(shù)比結(jié)構(gòu)體41-47的絕緣層51-57低的基板30。由此,在線圈基板20上產(chǎn)生溫度變化時(shí),能夠減小基板30的熱變形(熱收縮或熱膨脹)。因此,能夠抑制布線61-67的位置的移位。也就是說,即使在線圈基板20上產(chǎn)生溫度變化的情況下,也能夠適當(dāng)?shù)匾种朴刹季€61-67形成的線圈(線圈基板20)的位置偏離設(shè)計(jì)值。其結(jié)果,能夠提高由布線61-67形成的線圈的位置精度。
(7)將基板30的剛性設(shè)定為比絕緣層51-57的剛性高。例如,將基板30形成為比絕緣層51-57厚。像這樣,通過使基板30具有高剛性,從而能夠抑制整個(gè)線圈基板20的熱變形。
(8)通過在基板30上層積結(jié)構(gòu)體41-47而形成層積體23,并在該層積體23的最下層設(shè)置了布線61。布線61(例如,銅層)具有比基板30(例如,聚酰亞胺膜)更高的、與絕緣膜25的密合性。因此,與在層積體23的最下層設(shè)置基板30的情況相比,能夠提高層積體23與絕緣膜25的密合性。在層積體23的最下層設(shè)置基板30的情況下,為了提高基板30與絕緣膜25的密合性,需要在形成絕緣膜25之前對(duì)基板30的下表面實(shí)施表面處理(例如,等離子處理)。與此相比,在本例中,由于布線61與絕緣膜25的密合性高,所以不需要實(shí)施像這樣的表面處理。
(9)在線圈基板10中,層積體23和外框13共用基板30,并在該外框13上形成了定位孔13X。由此,無需設(shè)置追加部件,就能夠通過利用基板30的定位孔13X,容易地進(jìn)行線圈基板10的搬送。
(10)代替本實(shí)施方式的制造方法,也可以考慮在層積多個(gè)結(jié)構(gòu)體之前,預(yù)先在各個(gè)結(jié)構(gòu)體上成形與線圈的形狀相對(duì)應(yīng)的布線。例如,將圖7示出的布線61-67(已形成有貫穿孔23X的狀態(tài))形成在結(jié)構(gòu)體41-47上,然后將結(jié)構(gòu)體41-47層積在基板30上,從而形成層積體23。但是,在該方法中,布線61-67的位置會(huì)在平面方向(例如,左右方向)偏移,從而在俯視時(shí)被層積的布線61-67有可能不完全重 疊。然后,在層積體上形成貫穿孔等時(shí),位置偏移的布線的一部分有可能被除去。這樣的問題例如可以通過將預(yù)先在各個(gè)結(jié)構(gòu)體上形成的布線形成為較細(xì)來解決。但是,在該情況下,會(huì)發(fā)生線圈的直流電阻增加這樣的新問題。
針對(duì)于此,在本實(shí)施方式的制造方法中,預(yù)先在各個(gè)結(jié)構(gòu)體41-47上形成金屬層61E-67E,該金屬層61E-67E具有比螺旋狀線圈形狀的布線61-67大的平面形狀。然后,將結(jié)構(gòu)體41-47層積在基板30上而形成層積體23,并使該層積體23沿厚度方向成形,將金屬層61E-67E加工成螺旋狀線圈的布線61-67的形狀。因此,布線61-67的位置不會(huì)在平面方向偏移,在俯視時(shí)相互重疊的布線61-67被高精度地層積。因此,能夠準(zhǔn)確地形成螺旋狀線圈。其結(jié)果,能夠降低螺旋狀線圈的直流電阻。也就是說,由于不需要考慮布線61-67在平面方向上的位置偏移,所以可以將各個(gè)布線61-67的寬度形成為較寬,并且能夠降低線圈的直流電阻。
(11)作為基板100以及支承膜102-107,使用了卷筒狀(膠帶狀)的可撓性絕緣樹脂膜。由此,能夠用卷到卷法來制造線圈基板10。因此,能夠通過批量生產(chǎn)來實(shí)現(xiàn)線圈基板10的低成本化。
(12)各個(gè)布線61-67的圈數(shù)設(shè)定為線圈的1圈以下。因此,能夠?qū)⑿纬稍?個(gè)結(jié)構(gòu)體上的布線的寬度形成為較粗。也就是說,可以增加在各個(gè)布線61-67的寬度方向上的截面積,能夠降低關(guān)系到電感器性能的繞線電阻。
(13)在各個(gè)結(jié)構(gòu)體41-47上設(shè)置了作為虛擬圖案的金屬層61D-67D。由此,能夠減少結(jié)構(gòu)體41-47之間的金屬層的形狀差。因此,能夠適當(dāng)?shù)匾种埔蚪饘賹拥男螤畈町惗鴮?dǎo)致在覆蓋金屬層的絕緣層51-57上產(chǎn)生凹凸。
(14)在連結(jié)部12的位置,在基板30上層積金屬層81-87。由此,能夠提高整個(gè)線圈基板10的機(jī)械強(qiáng)度。
(第1實(shí)施方式的變形例)
上述第1實(shí)施方式也可以變更為如下的方式。
·在上述第1實(shí)施方式的制造工序中,也可以省略開口部 201Y-207Y的形成。在這種情況下,在例如圖11B示出的對(duì)金屬箔161進(jìn)行圖案化的工序中,在將絕緣層51的整個(gè)下表面覆蓋的金屬箔161上只形成槽部61Y,61Z。換句話來講,形成除槽部61Y,61Z以外將絕緣層51的下表面覆蓋的金屬箔161(金屬層61E)。另外,對(duì)于其他層也是同樣的。例如,在絕緣層52的下表面形成金屬層62E,該金屬層62E覆蓋槽部62Y,62Z以外的絕緣層52的下表面。
·在上述第1實(shí)施方式以及上述變形例中,也可以在外框13形成與識(shí)別標(biāo)記12X同樣的識(shí)別標(biāo)記。也就是說,也可以在外框13形成用于定位的貫穿孔。在這種情況下,也可以在外框13上形成識(shí)別標(biāo)記以及定位孔13X的雙方,也可以在外框13上只形成識(shí)別標(biāo)記。
·在上述第1實(shí)施方式中,在形成了將絕緣層51的貫穿孔51X和基板30的貫穿孔30X的一部分填充的通孔布線V1后,在基板30的上表面30B上隔著粘合層71層積結(jié)構(gòu)體42。然后,在通孔布線V1上形成填充貫穿孔71X,62X,52X的通孔布線V2。代替于此,也可以省略通孔布線V1的形成。在這種情況下,在基板30的上表面30B上隔著粘合層71層積結(jié)構(gòu)體42后,形成將貫穿孔51X,30X,71X,62X,52X填充的通孔布線V2。
·在上述第1實(shí)施方式以及上述各個(gè)變形例中,絕緣層52-56的貫穿孔52Y-56Y具有比位于絕緣層52-56的各自的正上方的粘合層72-76的貫穿孔72X-76X大的平面形狀。代替于此,例如圖32所示,貫穿孔52Y-56Y(圖32中只圖示貫穿孔52Y,55Y,56Y)也可以具有與粘合層72-76的貫穿孔72X-76X(圖32中為貫穿孔72X,75X,76X)大致相同大小的平面形狀。這樣的結(jié)構(gòu),也具有與上述實(shí)施方式的(1)-(3)以及(5)-(14)同樣的優(yōu)點(diǎn)。
·在上述第1實(shí)施方式以及上述各個(gè)變形例中,基板30的貫穿孔30X以及絕緣層51的貫穿孔51X具有比被層積在基板30上的粘合層71的貫穿孔71X大的平面形狀。代替于此,例如圖32所示,貫穿孔30X,51X也可以具有與貫穿孔71X大致相同大小的平面形狀。在這種情況下,例如也可以用通孔布線V1填充貫穿孔51X, 30X?;蛘咭部梢允÷酝撞季€V1,用通孔布線V2填充貫穿孔51X,30X,71X,62X,52X。
·在上述第1實(shí)施方式以及上述各個(gè)變形例中,被層積在基板30上的結(jié)構(gòu)體的數(shù)量不做特別地限定。例如,也可以在基板30的下表面30A上層積2個(gè)以上的結(jié)構(gòu)體,也可以在基板30的上表面30B上層積1-5個(gè)、或7個(gè)以上結(jié)構(gòu)體。并且,也可以對(duì)層積在基板30的下表面30A上結(jié)構(gòu)體的數(shù)量、和層積在基板30的上表面30B上結(jié)構(gòu)體的數(shù)量進(jìn)行調(diào)整,以使基板30被配置在層積體23的厚度方向的中心附近。
·在上述第1實(shí)施方式以及上述各個(gè)變形例中,也可以省略基板30。例如,如圖33所示,電感器90A的層積體23A不包含相當(dāng)于基板30的構(gòu)成。在圖33中,在結(jié)構(gòu)體41的絕緣層51上隔著粘合層71層積有結(jié)構(gòu)體42。在該情況下,布線61和布線62通過填充貫穿孔71X,62X,52X的通孔布線V2電連接。通過像這樣省略基板30,從而能夠?qū)⒉季€61,62之間的層間距離設(shè)定為較短,所以能夠提高電感器90A的電感。并且,通過省略基板30,從而能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)電感器90A的薄型化。
(第2實(shí)施方式)
接著,按照?qǐng)D34-圖38對(duì)第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。
在圖34示出的電感器90B的層積體23B中,從圖8B示出的電感器90省略了結(jié)構(gòu)體41(絕緣層51以及布線61)、基板30、以及通孔布線V1,并且結(jié)構(gòu)體42被層積到粘合層71上。因此,在層積體23B中,粘合層71的下表面成為層積體23B的最表面(在此為最下層表面)。在該情況下,例如貫穿孔71X,62X,52X用通孔布線V2填充,該通孔布線V2的下端面從粘合層71露出。并且,絕緣膜25被形成為覆蓋通孔布線V2的下端面以及粘合層71的下表面。另外,在層積體23B中,由于布線62為最下層布線,所以代替連接部61A,連接部62A被形成在布線62的一個(gè)端部上。
接著,對(duì)電感器90B的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。
首先,在圖35A示出的工序中,與圖12A以及12B示出的工序 同樣地,在支承膜102的下表面102A上層積具有貫穿孔52X,52Y的絕緣層52,在該絕緣層52上層積具有金屬層62D,62E,82以及連接部62A的金屬箔。接著,將粘合層71配置在金屬層62D,62E,82的下方。
接著,在圖35B示出的工序中,與圖13A示出的工序同樣地,在絕緣層52的下表面層積半固化狀態(tài)的粘合層71,該粘合層71覆蓋金屬層62D,62E,82和連接部62A的整個(gè)表面。接著,與圖13B示出的工序同樣地,形成貫穿從貫穿孔52X露出的金屬層62E的貫穿孔62X、和貫穿粘合層71而與貫穿孔62X連通的貫穿孔71X。
接著,在圖35C示出的工序中,將結(jié)構(gòu)體42隔著粘合層71層積到支承基板110的上表面110A。并且,例如通過真空沖壓而從上下對(duì)圖35C示出的結(jié)構(gòu)進(jìn)行例如加熱·加壓。然后,使粘合層71固化。由此,粘合層71與支承基板110粘接,并且粘合層71與結(jié)構(gòu)體42粘接。此時(shí),支承基板110的上表面110A的一部分從貫穿孔71X露出。另外,作為支承基板110,例如可以使用金屬板或金屬箔。另外,作為支承基板110,還可以使用聚酰亞胺膜、PPS(聚苯硫醚)膜等樹脂膜或玻璃板等膠帶狀基板。在本實(shí)施方式中,作為支承基板110使用銅板。支承基板110的厚度例如被形成為厚于布線62、且厚于絕緣層52。通過使用這樣的支承基板110,能夠充分地確保制造途中的結(jié)構(gòu)體42的機(jī)械強(qiáng)度。因此,即使在省略了基板30的情況下,也能夠抑制制造途中的結(jié)構(gòu)體42的搬運(yùn)性降低。
接著,在圖36A示出的工序中,在從貫穿孔71X露出的支承基板110的上表面110A上形成通孔布線V2。貫穿孔71X,62X,52X用該通孔布線V2填充。通孔布線V2例如可以通過電鍍形成。例如通過將支承基板110(在此為銅板)用作供電層的電鍍,而在從貫穿孔71X露出的支承基板110上形成第1導(dǎo)電層(例如,Ni層)。接著,通過電鍍,而在第1導(dǎo)電層上形成第2導(dǎo)電層(例如,Cu層)。由此,形成雙層結(jié)構(gòu)的通孔布線V2。作為第1導(dǎo)電層的材料,優(yōu)選為在后工序中蝕刻除去支承基板110時(shí)作為蝕刻停止層發(fā)揮作用的材料。像這樣,支承基板110作為制造過程中的支承體發(fā)揮作用,還作為 電鍍中的供電層發(fā)揮作用。另外,通孔布線V2也可以通過填充金屬糊等其他方法形成。
接著,在圖36B示出的工序中,與圖15A-圖25B示出的工序同樣地,在被層積在支承基板110的上表面110A上的結(jié)構(gòu)體42上層積結(jié)構(gòu)體43-47。通過以上的制造工序,能夠制造層積體23B,該層積體23B具有在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1的支承基板110的上表面110A上依次層積的多個(gè)結(jié)構(gòu)體42-47。另外,在通過電鍍形成通孔布線V3-V7的情況下,支承基板110以及通孔布線V2能夠作為供電層使用。
接著,在圖37A示出的工序中,與圖26A-圖28B示出的工序同樣地,通過起模等成形金屬層62E-67E(參照?qǐng)D36B)從而將其加工成螺旋狀線圈的布線62-67的形狀。在該工序中,由于在層積體23B被層積在具有高剛性的支承基板110上的狀態(tài)下實(shí)施金屬層62E-67E的成形,所以能夠抑制在成形時(shí)的布線62-67的位置的移位。由此,能夠提高布線62-67的位置精度,并能夠提高由這些布線62-67形成的線圈的位置精度。
接著,除去作為虛擬基板使用的支承基板110。例如在作為支承基板110使用銅板的情況下,通過使用了氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液、過硫酸銨的水溶液等的濕法蝕刻,而選擇性地對(duì)通孔布線V2(具體地講,為Ni層的第1導(dǎo)電層)以及粘合層71進(jìn)行蝕刻。由此,除去支承基板110。此時(shí),通孔布線V2的第1導(dǎo)電層(Ni層)以及粘合層71作為在對(duì)支承基板110進(jìn)行蝕刻時(shí)的蝕刻停止層(Etching stop layer)發(fā)揮作用。另外,在作為支承基板110使用PI(PolyimideFilm,聚酰亞胺薄膜)膜等的情況下或設(shè)置了剝離層的情況下,也可以從層積體23B機(jī)械地剝離支承基板110。通過除去支承基板110,如圖37B所示,通孔布線V2的下端面以及粘合層71的下表面露出于外部。
像這樣,一方面為了確保在制造過程中的結(jié)構(gòu)體42-47以及粘合層71-76的機(jī)械強(qiáng)度而將支承基板110形成得較厚,另一方面在結(jié)構(gòu)體42-47的層積后除去支承基板110。因此,不需要將層積體 23B的各個(gè)部件較厚地形成。因此,能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)層積體23B的薄型化。
接著,在圖38示出的工序中,形成絕緣膜25,該絕緣膜25覆蓋包括貫穿孔23X的內(nèi)壁面在內(nèi)的層積體23B的整個(gè)表面。由此,在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1制造線圈基板20。然后,通過實(shí)施與圖30B-圖31B示出的工序同樣的工序,從而能夠制造圖34示出的電感器90B。
通過像這樣省略結(jié)構(gòu)體41(絕緣層51以及布線61)、基板30、以及通孔布線V1,從而能夠提高電感器90B的電感。
(第3實(shí)施方式)
接著,按照?qǐng)D39-圖45B對(duì)第3實(shí)施方式進(jìn)行說明。
在圖39示出的電感器90C的層積體23C中,從圖8B示出的電感器90省略基板30,在結(jié)構(gòu)體41的絕緣層51上隔著粘合層71層積有結(jié)構(gòu)體42。也就是說,在最下層的布線61的上表面層積有包含貫穿孔51X的絕緣層51,在其絕緣層51的上表面層積有粘合層71。該粘合層71的一部分位于貫穿孔51X內(nèi),并覆蓋貫穿孔51X的內(nèi)側(cè)面。并且,粘合層71分別覆蓋布線62以及金屬層62D的各個(gè)側(cè)面的一部分。在粘合層71上形成有貫穿孔71X,該貫穿孔71X沿厚度方向貫穿粘合層71,而使布線61的上表面的一部分露出。該貫穿孔71X從粘合層71的上表面貫穿到被形成在貫穿孔51X內(nèi)的粘合層71的下表面。也就是說,貫穿孔71X的一部分被形成在貫穿孔51X內(nèi)。換句話來講,貫穿孔51X的平面形狀大于貫穿孔71X的平面形狀。
在粘合層71的上表面層積有布線62。布線62包括與貫穿孔71X連通的貫穿孔62X。在布線62的上表面以及粘合層71的上表面層積有絕緣層52。在絕緣層52上形成有貫穿孔52X,該貫穿孔52X沿厚度方向貫穿絕緣層52,而與貫穿孔62X,71X連通。貫穿孔52X使位于貫穿孔62X的周圍的布線62的上表面露出。因此,貫穿孔52X的平面形狀大于貫穿孔62X,71X的平面形狀。
在連通的貫穿孔52X,62X,71X內(nèi)形成有通孔布線V2。通孔 布線V2被形成在從貫穿孔71X露出的布線61上,所有貫穿孔52X,62X,71X被通孔布線V2填充。通孔布線V1作為將布線61和布線62串聯(lián)連接的貫穿電極發(fā)揮作用。
并且,在圖39示出的線圈基板20中,代替將圖8B示出的層積體23的整個(gè)表面覆蓋的絕緣膜25,而形成有將層積體23C的表面局部地覆蓋的多個(gè)絕緣膜25C。各個(gè)絕緣膜25C將露出于層積體23C的表面的導(dǎo)電體的表面覆蓋。在本例中,這些絕緣膜25C將露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面的布線62-67的側(cè)面、露出于層積體23C的外壁面的布線62-67的側(cè)面、最下層的布線61的側(cè)面和下表面、以及最上層的通孔布線V7、V8(圖39中只圖示通孔布線V7)的上表面覆蓋。也就是說,這些絕緣膜25C為將布線61-67以及通孔布線V7、V8覆蓋、且相互分離的單個(gè)(discrete or spaced apart)絕緣膜。例如,將布線61的側(cè)面和下表面覆蓋的絕緣膜25C與將露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面的布線62的側(cè)面覆蓋的絕緣膜25C相互分離。絕緣膜25C可以采用例如由電沉積法(電沉積涂布法)形成的電沉積樹脂。作為電沉積樹脂的材料,可以采用環(huán)氧類樹脂或丙烯酸類樹脂或酰亞胺類樹脂等絕緣性樹脂。另外,這些絕緣膜25C也可以局部地覆蓋被形成在布線61-67以及通孔布線V7,V8的周圍的絕緣層51-57以及粘合層71-76等。
但是,露出于層積體23C的側(cè)面20A,20B的連接部61A,67A的表面從絕緣膜25C露出(也就是說,沒有被絕緣膜25C覆蓋)。
與上述第1及第2實(shí)施方式同樣地,封固樹脂91采用由磁體粉末和作為粘合劑的樹脂形成的磁體。因此,封固樹脂91作為磁體發(fā)揮作用。作為磁體粉末的材料,例如能夠采用鐵氧體或磁性金屬(鐵或鐵系合金等)。作為粘合劑的材料能夠采用環(huán)氧類樹脂等熱固性樹脂和/或熱塑性樹脂。封固樹脂91整體地覆蓋線圈基板20(層積體23C以及絕緣膜25C),但連接部61A,67A露出的側(cè)面20A,20B除外。因此,絕緣膜25C之間的縫隙被封固樹脂91填充。換句話來講,封固樹脂91與各個(gè)絕緣層51-57的表面的一部分以及各個(gè)粘合 層71-76的表面的一部分抵接而將其直接地覆蓋。由此,例如在貫穿孔23X內(nèi)增加作為磁體發(fā)揮作用的封固樹脂91的體積,從而能夠提高電感器90C的電感。并且,通過省略基板30,從而能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)電感器90C的薄型化。
在第3實(shí)施方式中,貫穿孔23X為第1貫穿孔的一例,貫穿孔52Y為第2貫穿孔的一例,貫穿孔72X為第3貫穿孔的一例,貫穿孔63X為第4貫穿孔的一例,貫穿孔53X為第5貫穿孔的一例,貫穿孔62X為第6貫穿孔的一例,貫穿孔52X為第7貫穿孔的一例,貫穿孔71X為第8貫穿孔的一例,貫穿孔51X為第9貫穿孔的一例。布線62為第1布線的一例,布線63為第2布線的一例,布線61為第3布線的一例,絕緣層52為第1絕緣層的一例,絕緣層53為第2絕緣層的一例,絕緣層51為第3絕緣層的一例。粘合層72為第1粘合層的一例,粘合層71為第2粘合層的一例,通孔布線V2-V7為貫穿電極的一例,通孔布線V3為第1貫穿電極的一例,通孔布線V2為第2貫穿電極的一例。多個(gè)絕緣膜25C為單個(gè)絕緣膜的一例。在此,將露出于層積體23的表面的布線61-67的表面覆蓋的絕緣膜25C相當(dāng)于第1單個(gè)絕緣膜。將露出于層積體23的表面的通孔布線V7,V8的表面覆蓋的絕緣膜25C相當(dāng)于第2單個(gè)絕緣膜。
接著,對(duì)電感器90C的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。
首先,在圖40A-圖40C示出的工序中,準(zhǔn)備具有與圖9示出的基板100同樣的結(jié)構(gòu)的支承膜101。如圖40A以及圖40C所示,支承膜101包括區(qū)塊11和外框13,區(qū)塊11包括多個(gè)單個(gè)區(qū)域A1(圖40A-圖40C中只示出1個(gè)),外框13從該區(qū)塊11向外側(cè)突出。作為支承膜101,例如可以采用卷筒狀的可撓性絕緣樹脂膜。作為支承膜101,例如可以采用聚苯硫醚、聚酰亞胺膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜。支承膜101的厚度例如可以形成為12-50μm左右。
接著,與圖10A示出的工序同樣地,在位于除了外框13以外的區(qū)域(也就是說,區(qū)塊11)的支承膜101的下表面101A層積半固化狀態(tài)的絕緣層51。接著,如圖40A以及圖40B所示,通過沖壓加工 法或激光加工法形成貫穿孔51X,該貫穿孔51X沿厚度方向貫穿支承膜101以及絕緣層51。另外,在形成貫穿孔51X的同時(shí)或在層積絕緣層51之前,在支承膜101的外框13形成定位孔101X。
接著,在圖41A示出的工序中,在半固化狀態(tài)的絕緣層51的下表面層積金屬箔161。金屬箔161例如將絕緣層51的整個(gè)下表面覆蓋。例如,將金屬箔161通過熱壓接而層壓在半固化狀態(tài)的絕緣層51的下表面。然后,通過在150℃左右的溫度環(huán)境下進(jìn)行熱固化處理而使半固化狀態(tài)的絕緣層51固化(cure)。
接著,與圖11B以及圖11C示出的工序同樣地,通過金屬面腐蝕法等布線形成方法將金屬箔161圖案化。也就是說,如圖41B以及圖41C所示,通過將金屬箔161圖案化,而在單個(gè)區(qū)域A1的位置、且在絕緣層51的下表面形成金屬層61E。并且,通過該金屬箔161的圖案化,在金屬層61E的一個(gè)端部形成連接部61A,并形成作為虛擬圖案的金屬層61D。其結(jié)果,在支承膜101的下表面101A層積有結(jié)構(gòu)體41,該結(jié)構(gòu)體41包括絕緣層51、金屬層61E、以及連接部61A。并且,在該工序中,如圖41C所示,在連結(jié)部12的位置上,在絕緣層51的下表面形成與連接部61A以及金屬層61D連接的金屬層81。換句話來講,在該工序中,將圖41A示出的金屬箔161圖案化,從而形成開口部201Y以及槽部61Y,61Z。在圖41C中,將從開口部201Y以及槽部61Y,61Z露出的絕緣層51用梨皮花紋示出。
接著,在圖42A示出的工序中,從絕緣層51剝離圖41B示出的支承膜101。例如,從絕緣層51機(jī)械地剝離支承膜101。
接著,在圖42B示出的工序中,與圖12B示出的工序同樣地,在支承膜102的下表面102A層積絕緣層52,該絕緣層52具有貫穿孔52X,52Y,在該絕緣層52層積金屬箔,該金屬箔具有金屬層62D,62E,82。接著,與圖13A示出的工序同樣地,在絕緣層52的下表面層積半固化狀態(tài)的粘合層71,該粘合層71覆蓋金屬層62D,62E,82的整個(gè)表面。
接著,在圖42C示出的工序中,與圖13B示出的工序同樣地,形成貫穿從貫穿孔52X露出的金屬層62E的貫穿孔62X、以及貫穿粘合層71而與貫穿孔62X連通的貫穿孔71X。
接著,在圖42D示出的工序中,以結(jié)構(gòu)體41和支承膜102被配置在外側(cè)的方式,在結(jié)構(gòu)體41的絕緣層51的上表面隔著粘合層71層積結(jié)構(gòu)體42和支承膜102。例如,通過真空沖壓等從上下對(duì)圖42D示出的結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱·加壓。于是,半固化狀態(tài)的粘合層71被金屬層62E的下表面和絕緣層51的上表面按壓,而沿平面方向擴(kuò)展。由此,粘合層71的一部分?jǐn)U展到貫穿孔51X內(nèi),并通過該擴(kuò)展的粘合層71來覆蓋貫穿孔51X的內(nèi)側(cè)面。其結(jié)果,貫穿孔71X的一部分被形成在貫穿孔51X內(nèi)。
接著,粘合層71被硬化。由此,貫穿孔71X、貫穿孔62X、以及貫穿孔52X連通的狀態(tài)被維持。因此,從貫穿孔71X露出金屬層61E的上表面的一部分。然后,從絕緣層52除去支承膜102。
接著,在圖43A示出的工序中,在從貫穿孔71X露出的金屬層61E的上表面形成通孔布線V2。貫穿孔71X,62X,52X被該通孔布線V2填充。其結(jié)果,金屬層61E和金屬層62E通過通孔布線V2串聯(lián)連接。通孔布線V2例如可以通過將金屬層81以及金屬層61E的雙方用作供電層的電鍍法或填充金屬糊等方法而形成。
通過以上說明的制造工序,在具有結(jié)構(gòu)體41和結(jié)構(gòu)體42的層積結(jié)構(gòu)中,金屬層61E通過通孔布線V2而與金屬層62E串聯(lián)連接。
接著,在圖43B示出的工序中,與圖15A-圖25B示出的工序同樣地,在結(jié)構(gòu)體42上層積結(jié)構(gòu)體43-47。通過以上的制造工序,能夠在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1制造出層積體23C,該層積體23C具有依次層積的多個(gè)結(jié)構(gòu)體41-47。
接著,在圖44A以及圖44B示出的工序中,與圖26A-圖28B示出的工序同樣地,通過起模等成形層積體23C,從而將金屬層61E-67E(參照?qǐng)D43B)加工成螺旋狀線圈的布線61-67的形狀。其結(jié)果,如圖44A所示,在層積體23C的大致中央部形成有貫穿孔23X。 通過形成該貫穿孔23X,從貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出各個(gè)布線61-67的端面。并且,在該工序中,如圖44B所示,在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1的所需部分形成有開口部20Y,層積體23C被成形為在俯視時(shí)大致長(zhǎng)方形狀。通過形成該開口部20Y,也從層積體23C的外壁面(側(cè)壁)露出各個(gè)布線61-67的端面。另外,圖44B表示在與圖41C中的44b-44b線相對(duì)應(yīng)的位置的線圈基板20的截面圖。
另外,在通過沖壓加工打穿層積體23C而形成貫穿孔23X以及開口部20Y時(shí),有時(shí)會(huì)有在從貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出的布線61-67的端面或從層積體23C的外壁面(開口部20Y的內(nèi)壁面)露出的布線61-67的端面產(chǎn)生毛刺的情況。也可以進(jìn)一步進(jìn)行去除這樣的毛刺的去毛刺工序。例如,通過進(jìn)行濕法蝕刻等蝕刻處理,從而能夠去除布線61-67的端面的毛刺。通過該去毛刺工序,從而在之后的工序中,容易分別用絕緣膜25C覆蓋布線61-67的端面。
進(jìn)一步,在去毛刺工序中,也可以將對(duì)布線61-67的端面進(jìn)行的上述蝕刻處理(濕法蝕刻)以布線61-67的端面比貫穿孔23X的內(nèi)壁面更位于構(gòu)造體23的內(nèi)側(cè),在這些布線61-67的端面的位置并在貫穿孔23X的內(nèi)壁面形成多個(gè)凹部的方式進(jìn)行。在這種情況下,在之后的工序中,絕緣膜25C以填充多個(gè)凹部的方式形成。由此,能夠減少各個(gè)絕緣膜25C從貫穿孔23X的內(nèi)壁面向貫穿孔23X內(nèi)突出的部分。換句話來講,在貫穿孔23X的內(nèi)壁面上,絕緣膜25C的表面、絕緣層51-57的端面以及粘合層71-76的端面齊平。其結(jié)果,在之后的工序中,能夠容易進(jìn)行磁體(封固樹脂91)向貫穿孔23X內(nèi)的填充。并且,使磁體(封固樹脂91)的體積(填充量)增加,從而能夠提高電感器90的電感。另外,同樣地,也可以在從層積體23C的外壁面(開口部23Y的內(nèi)壁面)露出的布線61-67的端面的位置形成多個(gè)凹部。
接著,在圖45A以及圖45B示出的工序中,通過電沉積法來形成多個(gè)絕緣膜25C,該多個(gè)絕緣膜25C將露出于層積體23C的表面的布線61-67的表面以及通孔布線V7,V8的表面覆蓋。具體地講, 這些絕緣膜25C將露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面的布線62-67的側(cè)面(端面)、露出于層積體23C的外壁面的布線62-67的側(cè)面(端面)、布線61的側(cè)面和下表面、以及通孔布線V7,V8的上表面覆蓋。通過電沉積法形成絕緣膜25C,能夠容易控制絕緣膜25C的厚度。也就是說,能夠?qū)⒔^緣膜25C形成為盡可能薄。此外,通過采用電沉積法,在層積體23C的表面選擇性地(局部地)設(shè)置多個(gè)絕緣膜25C,從而能夠準(zhǔn)確地覆蓋布線61-67以及通孔布線V7,V8。由此,能夠?qū)⒔^緣膜25C的形成區(qū)域形成為所需最小限度,并能夠適當(dāng)?shù)匾种圃诮^緣膜25C中發(fā)生空隙。另外,圖45B表示在與圖41C的44b-44b線相對(duì)應(yīng)的位置的線圈基板20的截面圖。
然后,通過實(shí)施與圖30B-31B示出的工序同樣的工序,從而能夠制造圖39示出的電感器90C。在第3實(shí)施方式中,由于較薄地形成絕緣膜25C,所以能夠使封固樹脂91接近布線61-67,并能夠使封固樹脂91的體積增加。由此,能夠提高電感器90C的電感。
(第3實(shí)施方式的變形例)
·在上述第3實(shí)施方式的電感器90C中,圖33示出的電感器90A的絕緣膜25變更為多個(gè)絕緣膜25C。也可以將與此相同的變形適用到電感器90(圖8B)以及電感器90B(參照?qǐng)D34)。
例如,如圖46所示,也可以將圖8B示出的電感器90的絕緣膜25變更為將露出于層積體23的表面的布線61-67的表面以及通孔布線V7等導(dǎo)電體的表面覆蓋的多個(gè)絕緣膜25C。
同樣地,如圖47所示,也可以將圖34示出的電感器90B的絕緣膜25變更為將露出于層積體23B的表面的布線62-67的表面以及通孔布線V2,V7等導(dǎo)電體的表面覆蓋的多個(gè)絕緣膜25C。在這種情況下,通孔布線V2的下表面被絕緣膜25C覆蓋。
雖然省略圖示,但是針對(duì)圖32示出的電感器90同樣地,也可以將絕緣膜25變更為多個(gè)絕緣膜25C。
(第4實(shí)施方式)
接著,按照?qǐng)D48-圖51B對(duì)第4實(shí)施方式進(jìn)行說明。
在圖48以及圖49示出的層積體23D中,在貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出各個(gè)通孔布線V2-V7(圖48中只圖示通孔布線V2,V3,V6,V7)的一部分。如圖49所示,在本例中,層積體23D的貫穿孔23X具有比圖2示出的層積體23大的平面形狀。在圖49示出的例子中,相當(dāng)于被形成為在俯視時(shí)大致呈圓形狀的各個(gè)通孔布線V2-V8的大致1/4圈的部分被貫穿孔23X切斷。也就是說,貫穿孔23X在層積方向切斷各個(gè)通孔布線V2-V8的一部分。由此,各個(gè)通孔布線V2-V8的截面(端面)露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面。例如,在通孔布線V2中,如圖48所示,通孔布線V2的截面(端面)露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面,該通孔布線V2沿厚度方向貫穿絕緣層51,52、布線62、以及粘合層71。也就是說,從布線61的上表面到粘合層72的下表面為止的通孔布線V2的截面(端面)露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面。換句話來講,貫穿孔51X,52X,62X,71X與貫穿孔23X連通。布線61設(shè)置于在貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出的通孔布線V2的正下方。也就是說,通孔布線V2的端面和該通孔布線V2的正下方的布線61的端面在貫穿孔23X的內(nèi)壁面上且在層積方向連續(xù)地露出。另外,與通孔布線V2以及布線61同樣地,通孔布線V3-V8以及布線62-67也露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面。
在本例的線圈基板20中,形成有多個(gè)絕緣膜25D,該絕緣膜25D將露出于層積體23D的表面的導(dǎo)電體的表面覆蓋。這些絕緣膜25D將露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面的布線62-67的端面和通孔布線V2-V8的端面、露出于層積體23D的外壁面的布線62-67的端面、最下層的布線61的下表面和側(cè)面、以及最上層的通孔布線V7,V8(圖48中只圖示通孔布線V7)覆蓋。將布線61-67以及通孔布線V2-V8覆蓋的這些絕緣膜25D相互分離。但是,有幾個(gè)絕緣膜25D分別將連續(xù)地露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面的布線61-67以及通孔布線V2-V8連續(xù)地覆蓋。絕緣膜25D采用例如通過電沉積法形成的電沉積樹脂。在第4實(shí)施方式中,將露出于層積體23的表面的布線61-67的表面覆蓋的絕緣膜25D相當(dāng)于第1單個(gè)絕緣膜。將露出于 層積體23的表面的通孔布線V2-V8的表面覆蓋的絕緣膜25D相當(dāng)于第2單個(gè)絕緣膜。
在具有層積體23D的電感器90D中,由于貫穿孔23X具有大的平面形狀,所以能夠使被形成在貫穿孔23X內(nèi)的封固樹脂91的體積增加。由此,由于作為磁體發(fā)揮作用的封固樹脂91的體積增加,所以能夠提高電感器90D的電感。
接著,對(duì)電感器90D的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。
首先,在圖50A示出的工序中,與圖40A-圖43B示出的工序同樣地,通過依次層積多個(gè)結(jié)構(gòu)體41-47,從而制造層積體23D。
接著,在圖50B示出的工序中,與圖26A-圖28B示出的工序同樣地,通過起模等成形層積體23D,從而將金屬層61E-67E(參照?qǐng)D50A)加工成螺旋狀線圈的布線61-67的形狀。其結(jié)果,在層積體23D的大致中央部,在俯視時(shí)與各個(gè)通孔布線V2-V8(圖50B中只圖示通孔布線V2,V3,V6,V7)的一部分重疊的位置形成有貫穿孔23X。通過形成該貫穿孔23X,從該貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出各個(gè)布線61-67的端面以及各個(gè)通孔布線V2-V8的端面。也就是說,各個(gè)通孔布線V2-V8的一部分被貫穿孔23X沿層積方向切斷,從而使各個(gè)通孔布線V2-V8的截面從貫穿孔23X的內(nèi)壁面露出。并且,在該工序中,如圖51A所示,在各個(gè)單個(gè)區(qū)域A1的所需部分形成有開口部20Y,層積體23D被形成為在俯視時(shí)呈大致長(zhǎng)方形狀。通過形成該開口部20Y,從層積體23D的外壁面露出各個(gè)布線61-67(圖51A中只圖示布線67)的端面。
接著,在圖51B示出的工序中,通過電沉積法來成形多個(gè)絕緣膜25D,該多個(gè)絕緣膜25D將露出于層積體23D的表面的導(dǎo)電體的表面覆蓋。具體地講,這些絕緣膜25D將露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面的布線62-67的端面和通孔布線V2-V8的端面、露出于層積體23D的外壁面的布線62-67的端面、布線61的下表面和側(cè)面、以及通孔布線V7,V8(圖51B中只圖示通孔布線V7)的上表面覆蓋。通過電沉積法來成形絕緣膜25D,從而能夠容易控制絕緣膜25D的厚度。 此外,通過采用電沉積法,能夠適當(dāng)?shù)匾种圃诮^緣膜25D中發(fā)生縫隙。另外,圖51B表示在與圖51A的51b-51b線相對(duì)應(yīng)的位置的線圈基板20的截面圖。
然后,通過實(shí)施與圖30B-圖31B示出的工序同樣的工序,從而能夠制造圖48示出的電感器90D。
(第4實(shí)施方式的變形例)
·在上述第4實(shí)施方式的電感器90D(圖48)中,通過形成具有比圖39示出的電感器90C大的平面形狀的貫穿孔23X,而使各個(gè)通孔布線V2-V8的一部分露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面。也可以將這種變形適用于電感器90(圖8B)以及電感器90B(參照?qǐng)D34)。
例如,如圖52所示,也可以使圖46示出的電感器90的各個(gè)通孔布線V1-V8(圖52中只圖示通孔布線V1-V3,V6,V7)的一部分露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面。
并且,如圖53所示,也可以使圖47示出的電感器90B的各個(gè)通孔布線V2-V8(圖53中只圖示通孔布線V2,V3,V6,V7)的一部分露出于貫穿孔23X的內(nèi)壁面。
·在圖48、圖52、以及圖53示出的電感器90D,90,90B中,也可以將開口部20Y形成于在俯視時(shí)與各個(gè)通孔布線V1-V8的一部分重疊的位置。也就是說,在圖48、圖52、以及圖53示出的電感器90D,90,90B中,也可以使通孔布線V1-V7的截面(端面)露出于層積體23D,23,23B的外壁面。例如,在圖48示出的電感器90D的情況下,通過形成小一圈的圖49示出的層積體23D的平面形狀(俯視時(shí)的外形尺寸),從而使布線61-67的端面和通孔布線(貫穿電極)V1-V8的端面露出于層積體23D的外壁面。在該情況下,以將露出于層積體23D的外壁面的布線61-67的端面以及通孔布線(貫穿電極)V1-V8的端面覆蓋的方式,多個(gè)絕緣膜25D局部地設(shè)置在層積體23D的外壁面。根據(jù)該構(gòu)成,能夠?qū)崿F(xiàn)電感器90D,90,90B的進(jìn)一步小型化。
·在圖48、圖52、以及圖53示出的電感器90D,90,90B中, 也可以將絕緣膜25D(多個(gè)單個(gè)絕緣膜)變更為將層積體23D,23,23B的整個(gè)表面覆蓋的絕緣膜25。
(其他實(shí)施方式)
另外,上述各實(shí)施方式也可以變更為如下的方式。
·在上述各個(gè)實(shí)施方式以及上述各個(gè)變形例中,也可以省略金屬層81-87。
·在上述各個(gè)實(shí)施方式以及上述各個(gè)變形例中,也可以省略金屬層61D-67D(虛擬圖案)。
·在上述第1及第2實(shí)施方式中,也可以省略絕緣膜25。并且,在上述第4實(shí)施方式中,也可以省略絕緣膜25D。例如在封固樹脂91不含磁體的情況下,由于不需要將線圈基板20覆蓋的絕緣膜25(或絕緣膜25D),所以也可以省略絕緣膜25(或絕緣膜25D)。在該情況下,由于封固樹脂91不包含成為短路原因的磁體,所以能夠直接在線圈基板20上形成封固樹脂91。
·在上述第1實(shí)施方式中,也可以省略絕緣層51。在該情況下,為了提高基板30與布線61的密合性,優(yōu)選地對(duì)基板30的下表面30A實(shí)施等離子處理等表面處理。即使在該情況下,也可以通過基板30充分地確保布線61和布線62之間的絕緣。
·在上述各個(gè)實(shí)施方式以及上述各個(gè)變形例中,在結(jié)構(gòu)體41-47上的布線的圈數(shù)可以任意地組合。如上述實(shí)施方式,也可以組合大致1圈的布線和大致3/4圈的布線,也可以組合大致1圈的布線和大致1/2圈的布線。在使用大致3/4圈的布線的情況下,需要4種圖案(上述實(shí)施方式的例中為布線62,63,64,65)的布線,而在使用大致1/2圈的布線的情況下,只用2種圖案的布線就可以形成螺旋狀線圈。
·在上述第3實(shí)施方式中,對(duì)也可以在通過沖壓加工打穿層積體23C而形成貫穿孔23X以及開口部20Y之后,實(shí)施去毛刺工序進(jìn)行了說明。也可以在第1實(shí)施方式以及第2實(shí)施方式中實(shí)施該去毛刺工序。例如,在第1實(shí)施方式中,在進(jìn)行了圖28A以及圖28B所示 的工序后進(jìn)行上述去毛刺工序。