技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的制造方法，該方法包括：在硅襯底上表面依次生長(zhǎng)氮化鎵緩沖層和鋁鎵氮?jiǎng)輭緦?；在鋁鎵氮?jiǎng)輭緦由系矸e氧化層；對(duì)左側(cè)部分區(qū)域的氧化層進(jìn)行刻蝕，形成源極接觸孔；對(duì)右側(cè)部分區(qū)域的氧化層進(jìn)行刻蝕，形成氧化層開(kāi)孔，在氧化層開(kāi)孔內(nèi)刻蝕鋁鎵氮?jiǎng)輭緦印⒌壘彌_層及部分硅襯底，形成漏極接觸孔；制造集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的源極及漏極；制造集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的柵極；在硅襯底下表面形成肖特基電極，以使在漏極中的源漏極金屬層、硅襯底及肖特基電極形成肖特基二極管。降低了導(dǎo)通電壓，減少了開(kāi)關(guān)損耗，減少了無(wú)用功耗，進(jìn)而提高了器件的轉(zhuǎn)換效率及性能。

技術(shù)研發(fā)人員：劉美華;孫輝;林信南;陳建國(guó)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京大學(xué);北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.23
技術(shù)公布日：2017.08.29