技術(shù)編號：11434361
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的制造方法。背景技術(shù)氮化鎵是國際上廣泛關(guān)注的新型寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，由于其具有較寬的禁帶寬度，高電子飽和漂移速率，較高的擊穿場強(qiáng)，良好的熱穩(wěn)定性，耐腐蝕和抗輻射性能，所以在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強(qiáng)的優(yōu)勢。憑借其優(yōu)良的材料特性，氮化鎵晶體管被廣泛使用?？蓪⒌壘w管應(yīng)用在低壓DC-DC轉(zhuǎn)換器等器件上時，由于氮化鎵晶體管的導(dǎo)通電壓較高，使器件的開關(guān)損耗增加，增加了無用功耗，進(jìn)而降低了器件...
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