本發(fā)明涉及一種過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種先設(shè)置一磷酸鹽系保護層于過電壓保護單元表面再形成一端電極單元于過電壓保護單元上之過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

首先，請參閱圖1至圖4所示，現(xiàn)有的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)q之制作方法大部分會先在變組器本體v的兩端分別設(shè)置第一電極層c1(如圖2所示)，接著，再于兩端的第一電極層c1之間設(shè)置一保護層p(如圖3所示)，以避免變組器本體v于之后的電鍍制程中受到電鍍液的腐蝕。最后，再形成一包覆的一第一電極層c1的第二電極層c2(如圖4所示)。

然而，現(xiàn)有的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)q之第一電極層c1之形成方式則必須通過印刷、沾涂、滾涂、噴涂的方式成型或燒結(jié)成型。隨后，再藉由形成一保護層p以保護變組器本體v在后續(xù)電鍍一第二電極層c2的步驟中，避免電鍍液腐蝕變組器本體v。藉此，現(xiàn)有所提供的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)q的整體制作過程較為繁復(fù)，使得制程效率不彰。

因此，如何提供一種過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)及過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，以克服上述的缺失，已然成為該項事業(yè)所欲解決的重要課題之一。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)及過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，以提升過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)的制程效率。

為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的其中一實施例系提供一種過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)，其包括一過電壓保護單元、一磷酸鹽系保護層以及一端電極單元。所述過電壓保護單元具有一絕緣封裝體、多個第一聯(lián)外導(dǎo)電層以及多個第二聯(lián)外導(dǎo)電層，其中每一個所述第一聯(lián)外導(dǎo)電層具有一從所述絕緣封裝體的一第一側(cè)端裸露而出的第一外露側(cè)端，每一個所述第二聯(lián)外導(dǎo)電層具有一從所述絕緣封裝體的一第二側(cè)端裸露而出的第二外露側(cè)端。所述磷酸鹽系保護層包覆整個所述過電壓保護單元，而只裸露出每一個所述第一聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第一外露側(cè)端及每一個所述第二聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第二外露側(cè)端。所述端電極單元包括一包覆所述過電壓保護單元的一第一側(cè)端部的第一電極單元及一包覆所述過電壓保護單元的一第二側(cè)端部的第二電極單元，其中所述第一電極單元及所述第二電極單元分別電性接觸所述第一聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第一外露側(cè)端及所述第二聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第二外露側(cè)端。

本發(fā)明另外一實施例所提供的一種過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括提供一過電壓保護單元，其中所述過電壓保護單元具有一絕緣封裝體、多個第一聯(lián)外導(dǎo)電層以及多個第二聯(lián)外導(dǎo)電層，每一個所述第一聯(lián)外導(dǎo)電層具有一從所述絕緣封裝體的一第一側(cè)端裸露而出的第一外露側(cè)端，每一個所述第二聯(lián)外導(dǎo)電層具有一從所述絕緣封裝體的一第二側(cè)端裸露而出的第二外露側(cè)端；形成一磷酸鹽系保護層，以包覆整個所述過電壓保護單元，而只裸露出每一個所述第一聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第一外露側(cè)端及每一個所述第二聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第二外露側(cè)端；以及形成一端電極單元，其中所述端電極單元包括一包覆所述過電壓保護單元的一第一側(cè)端部的第一電極單元及一包覆所述過電壓保護單元的一第二側(cè)端部的第二電極單元，所述第一電極單元及所述第二電極單元分別電性接觸所述第一聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第一外露側(cè)端及所述第二聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第二外露側(cè)端。

本發(fā)明的有益效果可以在于，本發(fā)明實施例所提供的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)及過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其可通過“磷酸鹽系保護層包覆整個所述過電壓保護單元，而只裸露出每一個所述第一聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第一外露側(cè)端及每一個所述第二聯(lián)外導(dǎo)電層的所述第二外露側(cè)端”的設(shè)計，以避免在電鍍端電極單元于過電壓保護單元的步驟中受到電鍍液之腐蝕，同時可提升過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)的整體制程效率。

為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制者。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)第一步驟的示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)第二步驟的示意圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)第三步驟的示意圖。

圖4為現(xiàn)有技術(shù)第四步驟的示意圖。

圖5為本發(fā)明第一實施例及第二實施例的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。

圖6為本發(fā)明第一實施例的步驟s102的剖面示意圖。

圖7為本發(fā)明第一實施例的步驟s104的剖面示意圖。

圖8為本發(fā)明第一實施例的步驟s106的其中一剖面示意圖。

圖9為本發(fā)明第一實施例的步驟s106的另外一剖面示意圖。

圖10為本發(fā)明第一實施例的步驟s106的再一剖面示意圖。

圖11為本發(fā)明第一實施例過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖12為本發(fā)明第二實施例的步驟s106的剖面示意圖。

[圖的符號簡單說明]

過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z

過電壓保護單元1

絕緣封裝體11

第一側(cè)端111

第二側(cè)端112

頂端表面113

底端表面114

第一聯(lián)外導(dǎo)電層12

第一外露側(cè)端121

第一內(nèi)埋側(cè)端122

第二聯(lián)外導(dǎo)電層13

第二外露側(cè)端131

第二內(nèi)埋側(cè)端132

第一側(cè)端部14

第二側(cè)端部15

磷酸鹽系保護層2

端電極單元3

第一電極單元31

第一導(dǎo)電層311

第二導(dǎo)電層312

第三導(dǎo)電層313

第二電極單元32

第一導(dǎo)電層321

第二導(dǎo)電層322

第三導(dǎo)電層323

具體實施方式

以下是通過特定的具體實例來說明本發(fā)明所揭露有關(guān)“過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法”的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容了解本發(fā)明的優(yōu)點與功效。本發(fā)明可通過其它不同的具體實施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)亦可基于不同觀點與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發(fā)明的圖式僅為簡單示意說明，并非依實際尺寸的描繪，先予敘明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發(fā)明的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容，但所揭示的內(nèi)容并非用以限制本發(fā)明的技術(shù)范疇。

〔第一實施例〕

請參閱圖5至圖9所示，圖5為本發(fā)明實施例的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z的制作方法的流程示意圖。本發(fā)明第一實施例所提供的一種過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z的制作方法，其至少包括下列幾個步驟：

首先，配合圖5及圖6所示，并參照步驟s102所述：提供一過電壓保護單元1，其中過電壓保護單元1具有一絕緣封裝體11、多個第一聯(lián)外導(dǎo)電層12以及多個第二聯(lián)外導(dǎo)電層13，每一個第一聯(lián)外導(dǎo)電層12具有一從絕緣封裝體11的一第一側(cè)端111裸露而出的第一外露側(cè)端121。每一個第二聯(lián)外導(dǎo)電層13具有一從絕緣封裝體11的一第二側(cè)端112裸露而出的第二外露側(cè)端131。

舉例來說，如圖6所示，絕緣封裝體11可具有一第一側(cè)端111、一相對于第一側(cè)端111的第二側(cè)端112、一頂端表面113、及一相對于頂端表面113的底端表面114。絕緣封裝體11可以為一由氧化鋅為主的金屬氧化物或是氧化鋁所組成，其中該絕緣封裝體11可以由現(xiàn)有陶瓷燒結(jié)成型技術(shù)等制程再加入其它金屬氧化物為添加物，并經(jīng)過現(xiàn)有之陶瓷材料高溫?zé)Y(jié)成型技術(shù)成型。

接著，多個第一聯(lián)外導(dǎo)電層12及多個第二聯(lián)外導(dǎo)電層13可以設(shè)置于絕緣封裝體11中，第一聯(lián)外導(dǎo)電層12具有一從絕緣封裝體11的第一側(cè)端111裸露而出的第一外露側(cè)端121及一內(nèi)埋于絕緣封裝體11的第一內(nèi)埋側(cè)端122。第二聯(lián)外導(dǎo)電層13則具有一從絕緣封裝體11的第二側(cè)端112裸露而出的第二外露側(cè)端131及一內(nèi)埋于絕緣封裝體11的第二內(nèi)埋側(cè)端132。另外，舉例來說，第一聯(lián)外導(dǎo)電層12及第二聯(lián)外導(dǎo)電層13可都為銀層(ag)或可都為包含銀(ag)及鈀(pd)的合金層，然本發(fā)明不以此為限。亦即，在其它實施態(tài)樣中，第一聯(lián)外導(dǎo)電層12及第二聯(lián)外導(dǎo)電層13也可為銅(cu)、金(au)、或鉑(pt)…等，亦可含適量的玻璃質(zhì)。

承上述，請同時參閱圖5及圖7所示，并參照步驟s104所述：形成一磷酸鹽系保護層2，以包覆整個過電壓保護單元1，由于磷酸鐵與磷酸鋅并不會與銀或鈀金屬產(chǎn)生反應(yīng)，因此自然僅裸露出每一個第一聯(lián)外導(dǎo)電層12的第一外露側(cè)端121及每一個第二聯(lián)外導(dǎo)電層13的第二外露側(cè)端131。換言之，磷酸鹽系保護層2可覆蓋過電壓保護單元1的頂端表面113、底端表面114、第一側(cè)端111、及第二側(cè)端112，而只有露出第一聯(lián)外導(dǎo)電層12的第一外露側(cè)端121及第二聯(lián)外導(dǎo)電層13的第二外露側(cè)端131，以使得第一外露側(cè)端121及第二外露側(cè)端131可以分別與后續(xù)步驟中所形成的第一電極單元31及第二電極單元32電性連接。另外，舉例來說，磷酸鹽系保護層2可為一磷酸鹽鋅保護層或一磷酸鹽鐵保護層，然本發(fā)明不以此為限。值得說明的是，磷酸鹽系保護層2可通過浸漬(dipping)之方式形成于過電壓保護單元1上，以包覆過電壓保護單元1。

進一步而言，以磷酸鹽鋅保護層為例，可先藉由過渡元素離子之添加(例如鐵離子)，以取代部分磷酸鋅中的鋅離子而形成保護層之后，再藉由約600至900℃之熱處理以強化結(jié)晶性，使得在后續(xù)形成端電極單元3于過電壓保護單元1上的步驟中，保護絕緣封裝體11不受到電鍍?nèi)芤核g。

值得說明的是，以本發(fā)明實施例而言，磷酸鹽系保護層2形成于過電壓保護單元1上之方式，可先將磷酸鹽系溶液保持于高溫度下以形成一過飽和溶液，使得磷酸鹽系沉淀物可以被析出，之后再將磷酸鹽系沉淀物沉積于過電壓保護單元1上。接著再藉由熱處理之步驟以強化磷酸鹽系保護層2的結(jié)晶性。

承上述，請同時參閱圖5及圖8至圖10所示，并參照步驟s106所述：形成一端電極單元3，其中端電極單元3可包括一用于包覆過電壓保護單元1的一第一側(cè)端部14的第一電極單元31及一用于包覆過電壓保護單元1的一第二側(cè)端部15的第二電極單元32。值得說明的是，由于在前述步驟s104中磷酸鹽系保護層2沒有覆蓋在第一聯(lián)外導(dǎo)電層12的第一外露側(cè)端121及第二聯(lián)外導(dǎo)電層13的第二外露側(cè)端131，因此，當(dāng)?shù)谝浑姌O單元31及第二電極單元32分別包覆且設(shè)置于過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14及第二側(cè)端部15上時，第一電極單元31及第二電極單元32可分別電性接觸第一聯(lián)外導(dǎo)電層12的第一外露側(cè)端121及第二聯(lián)外導(dǎo)電層13的第二外露側(cè)端131。

進一步來說，以本發(fā)明實施例而言，在形成端電極單元3的步驟中，可通過電鍍之方式將第一電極單元31及第二電極單元32分別設(shè)置于過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14及第二側(cè)端部15上。舉例來說，第一電極單元31可包括一包覆過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14的第一導(dǎo)電層311、一完全包覆第一導(dǎo)電層311的第二導(dǎo)電層312、以及一完全包覆第二導(dǎo)電層312的第三導(dǎo)電層313。另外，第二電極單元32也可包括一包覆過電壓保護單元1的第二側(cè)端部15的第一導(dǎo)電層321、一完全包覆第一導(dǎo)電層321的第二導(dǎo)電層322、以及一完全包覆第二導(dǎo)電層322的第三導(dǎo)電層323。

較佳地，以本發(fā)明第一實施例而言，第一導(dǎo)電層(311,321)可為銀層(ag)，第二導(dǎo)電層(312,322)可為鎳層(ni)，第三導(dǎo)電層(313,323)可為錫層(sn)，然本發(fā)明不以此為限。具體而言，如圖8所示，可先在過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14及第二側(cè)端部15上藉由電鍍方式形成一銀層，而為了增加銀層及錫層之間的結(jié)合力，可如圖9所示，形成一包覆銀層的鎳層之后，在如圖10所示，形成一包覆鎳層的錫層。

接著，當(dāng)端電極單元3成形于過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14及第二側(cè)端部15之后，可施行一除去設(shè)置于過電壓保護單元1頂端表面113及底端表面114且裸露于第一電極單元31及第二電極單元32外的磷酸鹽系保護層2的步驟。使得過電壓保護單元1的頂端表面113表面及底端表面114表面重現(xiàn)。舉例來說，可藉由有機酸或無機酸將設(shè)置于前述位置的磷酸鹽系保護層2去除。藉此，經(jīng)由上述步驟所完成的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z，其過電壓保護單元1的部分頂端表面113、部分底端表面114、第一側(cè)端111、及第二側(cè)端112上都還具有磷酸鹽系保護層2覆蓋。換言之，經(jīng)過除去部分的磷酸鹽系保護層2的步驟后所形成的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z，磷酸鹽系保護層2將包覆整個過電壓保護單元1，而只裸露出每一個第一聯(lián)外導(dǎo)電層12的第一外露側(cè)端121、每一個第二聯(lián)外導(dǎo)電層13的第二外露側(cè)端131、位于第一電極單元31及第二電極單元32之間的一頂端表面113及第一電極單元31及第二電極單元32之間的一底端表面114。值得說明的是，在除去部分的磷酸鹽系保護層2的步驟后，可再形成一有機涂膜(圖未繪示)以保護過電壓保護單元1。另外，舉例來說，有機涂膜可為亞克利酸聚合物、聚酯聚合物，環(huán)氧樹酯聚合物或其它可作為保護層之有機聚合物，以及含有其它不溶性粉體及適量添加物之組成。

另外，值得一提的是，在其它實施態(tài)樣中，當(dāng)端電極單元3成形于過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14及第二側(cè)端部15之后，也可不除去部分的磷酸鹽系保護層2，而是直接在裸露于第一電極單元31及第二電極單元32外的磷酸鹽系保護層2上形成一有機涂膜，以保護過電壓保護單元1。

須注意的是，以本發(fā)明第一實施例而言，可以在施行完步驟s106后即停止，也可以在除去部分的磷酸鹽系保護層2的步驟后停止，或是在形成一有機涂膜的步驟后停止，本發(fā)明不以此為限。

〔第二實施例〕

首先，請參閱圖10及圖12，由圖10與圖12的比較可知，第二實施例與第一實施例最大的差別在于，第二實施例所提供的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z’在進行步驟s106：形成一端電極單元3’，其中端電極單元3’可包括一用于包覆過電壓保護單元1的一第一側(cè)端部14的第一電極單元31’及一用于包覆過電壓保護單元1的一第二側(cè)端部15的第二電極單元32’的步驟中，可通過電鍍之方式將第一電極單元31’及第二電極單元32’分別設(shè)置于過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14及第二側(cè)端部15上。

具體而言，以本發(fā)明第二實施例來說，第一電極單元31’可包括一包覆過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14的第一導(dǎo)電層311’及一完全包覆第一導(dǎo)電層311’的第二導(dǎo)電層312’。另外，第二電極單元32’也可包括一包覆過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14的第一導(dǎo)電層321’及一完全包覆第一導(dǎo)電層321’的第二導(dǎo)電層322’。換言之，可先藉由電鍍方式將一第一導(dǎo)電層(311’,321’)分別設(shè)置于過電壓保護單元1的第一側(cè)端部14及第二側(cè)端部15上，之后再形成一第二導(dǎo)電層(312’,322’)。值得說明的是，以第二實施例而言，為增加第一導(dǎo)電層(311’,321’)及第二導(dǎo)電層(312’,322’)之間的結(jié)合力，第一導(dǎo)電層(311’,321’)為經(jīng)過酸洗處理之表面粗化之銀層，第二導(dǎo)電層(312’,322’)為錫層。藉此，設(shè)置于第一側(cè)端部14及第二側(cè)端部15上的第一導(dǎo)電層(311,321)，可分別具有一粗化表面(s1,s2)。

須說明的是，第二實施例所提供的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z’的其它結(jié)構(gòu)與前述第一實施例所提供的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z相仿，在此容不再贅述。

〔實施例的可行功效〕

綜上所述，本發(fā)明的有益效果可以在于，本發(fā)明實施例所提供的過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)(z,z’)及過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)(z,z’)的制作方法，其可通過“磷酸鹽系保護層2包覆整個過電壓保護單元1，而只裸露出每一個第一聯(lián)外導(dǎo)電層12的第一外露側(cè)端121及每一個第二聯(lián)外導(dǎo)電層13的第二外露側(cè)端131”的設(shè)計，以避免在電鍍端電極單元3于過電壓保護單元1的步驟中受到電鍍液之腐蝕，同時可提升過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z的整體制程效率。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實施例，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運用本發(fā)明說明書及圖式內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。

符號說明

過電壓保護封裝結(jié)構(gòu)z,z’,q

過電壓保護單元1

絕緣封裝體11

第一側(cè)端111

第二側(cè)端112

頂端表面113

底端表面114

第一聯(lián)外導(dǎo)電層12

第一外露側(cè)端121

第一內(nèi)埋側(cè)端122

第二聯(lián)外導(dǎo)電層13

第二外露側(cè)端131

第二內(nèi)埋側(cè)端132

第一側(cè)端部14

第二側(cè)端部15

磷酸鹽系保護層2

端電極單元3,3’

第一電極單元31,31’

第一導(dǎo)電層311,311’

第二導(dǎo)電層312,312’

第三導(dǎo)電層313

第二電極單元32,32’

第一導(dǎo)電層321,321’

第二導(dǎo)電層322,322’

第三導(dǎo)電層323

粗化表面s1,s2

變組器本體v

保護層p

第一電極層c1

第二電極層c2