技術(shù)編號(hào)：11586584
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種過(guò)電壓保護(hù)封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種先設(shè)置一磷酸鹽系保護(hù)層于過(guò)電壓保護(hù)單元表面再形成一端電極單元于過(guò)電壓保護(hù)單元上之過(guò)電壓保護(hù)封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù)首先，請(qǐng)參閱圖1至圖4所示，現(xiàn)有的過(guò)電壓保護(hù)封裝結(jié)構(gòu)Q之制作方法大部分會(huì)先在變組器本體V的兩端分別設(shè)置第一電極層C1(如圖2所示)，接著，再于兩端的第一電極層C1之間設(shè)置一保護(hù)層P(如圖3所示)，以避免變組器本體V于之后的電鍍制程中受到電鍍液的腐蝕。最后，再形成一包覆的一第一電極層C1的第二電極層C2(如圖4所示)。然而，現(xiàn)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。