技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種晶體管及其形成方法，其中，所述晶體管的形成方法包括：提供襯底，所述襯底具有第一導(dǎo)電類型；在所述襯底中通過(guò)離子注入方式形成注入?yún)^(qū)，進(jìn)行退火工藝，使所述注入?yún)^(qū)從表面至表面以下預(yù)定深度處離子濃度分布均勻，所述注入?yún)^(qū)具有第二導(dǎo)電類型，所述第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；在所述注入?yún)^(qū)內(nèi)形成LDMOS晶體管。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在襯底中以第一離子注入和第二離子注入的方式形成注入?yún)^(qū)，并進(jìn)行退火工藝使所述注入?yún)^(qū)內(nèi)的離子分布均勻，以此來(lái)取代在襯底表面形成外延層的工藝，達(dá)到了與外延層相同的隔離效果及離子分布水平，極大地簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了工藝成本。

技術(shù)研發(fā)人員：陳德艷;鄭大燮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.07
技術(shù)公布日：2017.07.14