技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供了形成半導體封裝件的方法。具體實施方式包括在管芯背面(16)形成具有多個子層(40?46)的中間金屬層(26)，每個子層包含金屬，所述金屬選自鈦、鎳、銅、銀、以及它們的組合。將錫層(48)沉積到所述中間金屬層(26)上，然后與襯底(50)的銀層(52)一起進行回流焊以形成熔融溫度大于260攝氏度并包括銀和錫組成的金屬間化合物和/或銅和錫組成的金屬間化合物的金屬間化合物層(56)。形成半導體封裝件的另一種方法包括在管芯(14)的頂側(cè)(18)上的多個裸露焊盤(20)中的每個裸露焊盤上形成凸塊(22)，每個裸露焊盤(20)由鈍化層(24)所包圍，每個凸塊(22)包括如上所述的中間金屬層(36)和耦接到所述中間金屬層(36)的錫層(48)，錫層(48)然后被以襯底(50)的銀層(52)回流焊以形成如上所述的金屬間化合物層(64)。

技術(shù)研發(fā)人員：M·J·塞登;F·J·卡尼
受保護的技術(shù)使用者：半導體元件工業(yè)有限責任公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.08
技術(shù)公布日：2017.09.26