本說明書公開的技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

專利文獻1(日本特開2012-009502號公報)公開了一種半導(dǎo)體裝置。專利文獻1的半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體基板和形成在半導(dǎo)體基板上的被覆絕緣膜。半導(dǎo)體基板具備第一部分和厚度比第一部分薄的第二部分，第一部分與第二部分相鄰。被覆絕緣膜從第一部分延伸至第二部分。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

在專利文獻1的半導(dǎo)體裝置中，有時會在被覆絕緣膜產(chǎn)生空穴。例如，在電流流過半導(dǎo)體裝置時，半導(dǎo)體基板發(fā)熱，半導(dǎo)體基板上的被覆絕緣膜的溫度升高，由于被覆絕緣膜成為高溫而有時會產(chǎn)生空穴。而且，不僅是在半導(dǎo)體裝置的工作中，而且在半導(dǎo)體基板上形成被覆絕緣膜時，也會在被覆絕緣膜的內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力而產(chǎn)生裂紋。尤其是在厚度不同的第一部分與第二部分相鄰的部分，與周圍的部分相比，在半導(dǎo)體基板上的被覆絕緣膜容易產(chǎn)生空穴、裂紋。因此，由于空穴、裂紋而存在被覆絕緣膜的耐壓下降的問題。因此，本說明書提供一種能夠抑制被覆絕緣膜的耐壓下降的技術(shù)。

用于解決課題的方案

本說明書公開的半導(dǎo)體裝置具備：形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板；及形成在半導(dǎo)體基板之上的被覆絕緣膜。半導(dǎo)體基板具備第一部分和厚度比第一部分薄的第二部分。在第一部分與第二部分相鄰的部分形成有臺階部。在臺階部的側(cè)面與第二部分的上表面之間的角部形成有角部件。角部件的上表面隨著從臺階部的側(cè)面朝向第二部分側(cè)而向下方下降。被覆絕緣膜從第一部分延伸至第二部分，并覆蓋角部件。

在該半導(dǎo)體裝置中，由于角部件的存在而覆蓋角部件的被覆絕緣膜的彎曲變得平緩。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，即使由于半導(dǎo)體基板發(fā)熱而被覆絕緣膜的溫度升高，也能夠抑制在角部的被覆絕緣膜產(chǎn)生空穴。而且，由于被覆絕緣膜的彎曲平緩，因此能夠降低在角部的被覆絕緣膜的內(nèi)部產(chǎn)生的應(yīng)力，能夠抑制在被覆絕緣膜產(chǎn)生裂紋。由此，能夠抑制在被覆絕緣膜產(chǎn)生空穴、裂紋，能夠抑制被覆絕緣膜的耐壓下降。

本說明書公開的半導(dǎo)體裝置的制造方法具備在具備第一部分和厚度比第一部分薄的第二部分并在第一部分與第二部分相鄰的部分形成有臺階部的半導(dǎo)體基板的臺階部的側(cè)面與第二部分的上表面之間的角部形成角部件的工序，該工序是以使角部件的上表面隨著從臺階部的側(cè)面朝向第二部分側(cè)而向下方下降的方式形成角部件的工序。半導(dǎo)體裝置的制造方法具備在半導(dǎo)體基板之上形成從第一部分延伸至第二部分的被覆絕緣膜并通過被覆絕緣膜覆蓋角部件的工序。

附圖說明

圖1是半導(dǎo)體裝置的俯視圖。

圖2是圖1的ii-ii剖視圖。

圖3是圖2的主要部分iii的放大圖。

圖4是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(1)。

圖5是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(2)。

圖6是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(3)。

圖7是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(4)。

圖8是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(5)。

圖9是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(6)。

圖10是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(7)。

圖11是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(7)。

圖12是另一實施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分的放大圖。

圖13是說明另一實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。

圖14是又一實施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分的放大圖。

圖15是又一實施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分的放大圖。

圖16是又一實施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分的放大圖。

具體實施方式

(第一實施例)

以下，關(guān)于實施例，參照附圖進行說明。如圖1所示，第一實施例的半導(dǎo)體裝置1具備矩形形狀的半導(dǎo)體基板2。半導(dǎo)體基板2由碳化硅(sic)形成。在另一例中，半導(dǎo)體基板2可以由硅(si)、氮化鎵(gan)等形成。在半導(dǎo)體基板2的內(nèi)部形成有半導(dǎo)體元件。

在半導(dǎo)體基板2形成有元件區(qū)域3及周邊區(qū)域4。元件區(qū)域3形成在比周邊區(qū)域4靠內(nèi)側(cè)處。在元件區(qū)域3形成有半導(dǎo)體元件。在本實施例中，在元件區(qū)域3形成有縱型的mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor：金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。周邊區(qū)域4形成在比元件區(qū)域3靠外側(cè)處。在周邊區(qū)域4形成有耐壓構(gòu)造。在圖1中，考慮到圖的易觀察度，而在元件區(qū)域3內(nèi)僅示出溝槽70，在周邊區(qū)域4內(nèi)僅示出場限環(huán)80。

如圖2所示，半導(dǎo)體裝置1具備半導(dǎo)體基板2、表面電極6及背面電極7。而且，半導(dǎo)體裝置1具備分離絕緣膜32、角部件50及被覆絕緣膜31。

半導(dǎo)體基板2具備第一部分10及第二部分20。在第一部分10形成有元件區(qū)域3。在第二部分20形成有周邊區(qū)域4。第一部分10的厚度比第二部分20的厚度厚(第二部分20的厚度比第一部分10的厚度薄)。第一部分10與第二部分20相鄰地形成。在第一部分10與第二部分20相鄰的部分形成有臺階部90。

臺階部90由于第一部分10與第二部分20的厚度的差異而形成。第一部分10的上表面11的位置比第二部分20的上表面21的位置靠上，由于兩者的上表面的位置的差異而形成臺階部90。臺階部90包括第一部分10的上表面11的一部分、第一部分10的側(cè)面12及第二部分20的上表面21的一部分。以下，有時將第一部分10的側(cè)面12稱為臺階部90的側(cè)面92。在臺階部90的側(cè)面92與第二部分20的上表面21之間形成有角部40。

在半導(dǎo)體基板2的第一部分10形成有多個溝槽70。而且，在第一部分10形成有源極區(qū)域61、基極區(qū)域62、漂移區(qū)域65、漏極區(qū)域63及懸浮區(qū)域67。

溝槽70是在第一部分10的上表面11形成的凹部。溝槽70沿著半導(dǎo)體基板2的深度方向(z方向)延伸。溝槽70從第一部分10的上表面11貫通源極區(qū)域61及基極區(qū)域62而延伸至到達漂移區(qū)域65的深度。

在溝槽70的內(nèi)表面形成有柵極絕緣膜71。在溝槽70的內(nèi)部配置柵極電極72。柵極絕緣膜71通過在溝槽70的內(nèi)表面堆積氧化膜而形成。作為柵極絕緣膜71，可以使用例如二氧化硅膜(sio2)。柵極電極72填充于比柵極絕緣膜71靠內(nèi)側(cè)處。柵極電極72通過柵極絕緣膜71而與半導(dǎo)體基板2絕緣。柵極電極72例如由鋁、多晶硅形成。在柵極電極72上配置有層間絕緣膜73。

源極區(qū)域61是n型的區(qū)域。源極區(qū)域61的雜質(zhì)濃度高。源極區(qū)域61形成在半導(dǎo)體基板2的表層部。源極區(qū)域61在向第一部分10的上表面11露出的范圍呈島狀地形成。源極區(qū)域61與柵極絕緣膜71相接。源極區(qū)域61與表面電極6相接。源極區(qū)域61相對于表面電極6進行歐姆連接，且與表面電極6導(dǎo)通。

基極區(qū)域62是p型的區(qū)域?；鶚O區(qū)域62形成在源極區(qū)域61的周圍?；鶚O區(qū)域62形成在源極區(qū)域61的旁邊及下方?；鶚O區(qū)域62與柵極絕緣膜71相接。而且，基極區(qū)域62形成在向臺階部90的側(cè)面92露出的范圍?；鶚O區(qū)域62具備基極接觸區(qū)域121及低濃度基極區(qū)域122?；鶚O接觸區(qū)域121的雜質(zhì)濃度高。低濃度基極區(qū)域122的雜質(zhì)濃度比基極接觸區(qū)域121的雜質(zhì)濃度低。

基極接觸區(qū)域121形成在半導(dǎo)體基板2的表層部?；鶚O接觸區(qū)域121在向第一部分10的上表面11露出的范圍呈島狀地形成?；鶚O接觸區(qū)域121與表面電極6相接?；鶚O接觸區(qū)域121相對于表面電極6進行歐姆連接，并與表面電極6導(dǎo)通。

低濃度基極區(qū)域122形成在源極區(qū)域61及基極接觸區(qū)域121的下方。通過低濃度基極區(qū)域122將源極區(qū)域61從漂移區(qū)域65分離。

漂移區(qū)域65是n型的區(qū)域。漂移區(qū)域65的雜質(zhì)濃度低。漂移區(qū)域65形成在基極區(qū)域62的下方。漂移區(qū)域65與柵極絕緣膜71相接。

漏極區(qū)域63是n型的區(qū)域。漏極區(qū)域63的雜質(zhì)濃度高。漏極區(qū)域63形成在漂移區(qū)域65的下方。漏極區(qū)域63形成于向半導(dǎo)體基板2的背面露出的范圍。漏極區(qū)域63與背面電極7相接。漏極區(qū)域63相對于背面電極7進行歐姆連接，且與背面電極7導(dǎo)通。

懸浮區(qū)域67是p型的區(qū)域。懸浮區(qū)域67形成于溝槽70的底部的周圍。懸浮區(qū)域67與溝槽70的底部相接。在懸浮區(qū)域67的周圍形成有漂移區(qū)域65。懸浮區(qū)域67由漂移區(qū)域65包圍。懸浮區(qū)域67通過漂移區(qū)域65而從基極區(qū)域62分離。多個懸浮區(qū)域67通過漂移區(qū)域65而相互分離。

在半導(dǎo)體基板2的第二部分20形成有多個場限環(huán)80及周邊漂移區(qū)域82。

多個場限環(huán)80(以下，將“場限環(huán)”稱為“flr”(fieldlimitingring))空出間隔地形成。flr80是p型的區(qū)域。flr80的雜質(zhì)濃度高。flr80形成在向第二部分20的上表面21露出的范圍。

多個flr80中，最接近第一部分10的flr80由附圖標記“80a”表示，除此以外的flr80由附圖標記“80b”表示。最接近第一部分10的flr80a形成在角部40的下方。在flr80a與基極區(qū)域62之間形成有漂移區(qū)域65。flr80a通過漂移區(qū)域65而從基極區(qū)域62分離。

周邊漂移區(qū)域82形成在flr80的周圍。周邊漂移區(qū)域82形成在多個flr80之間及其下方，并將多個flr80分離。

表面電極6形成在半導(dǎo)體基板2的第一部分10的上表面11。表面電極6通過層間絕緣膜73而與柵極電極72絕緣。背面電極7形成在半導(dǎo)體基板2的第一部分10及第二部分20的背面。表面電極6及背面電極7由例如鋁(al)、銅(cu)等金屬形成。

分離絕緣膜32在角部40覆蓋臺階部90的側(cè)面92和第二部分20的上表面21。分離絕緣膜32形成在角部件50與半導(dǎo)體基板2之間，將角部件50從半導(dǎo)體基板2分離。作為分離絕緣膜32，可以使用二氧化硅膜(sio2)。分離絕緣膜32由與柵極絕緣膜71相同的材料形成。分離絕緣膜32可以通過使氧化膜堆積來形成。

角部件50形成在分離絕緣膜32的上方。角部件50配置于角部40。角部件50具有導(dǎo)電性。作為角部件50的材料，可以使用例如多晶硅。角部件50由與柵極電極72相同的材料形成。在另一例中，角部件50可以由金屬形成。

角部件50具備上表面51。在本實施例中，角部件50的上表面51形成為凸狀的彎曲面。角部件50的上表面51從臺階部90側(cè)朝向第二部分20側(cè)而向下方傾斜。由此，角部件50的上表面51隨著從臺階部90的側(cè)面92朝向第二部分20側(cè)而連續(xù)地向下方下降。角部件50的高度比第一部分10的上表面11與第二部分20的上表面21的高度之差(階梯)低。角部件50的上表面51位于比第一部分10的上表面11靠下方處。彎曲的上表面51由被覆絕緣膜31覆蓋。

角部件50隔著分離絕緣膜32而與臺階部90的側(cè)面92相向。即，角部件50隔著分離絕緣膜32而與基極區(qū)域62相向。而且，角部件50隔著分離絕緣膜32而與第二部分20的上表面21相向。角部件50隔著分離絕緣膜32而與最接近第一部分10的flr80a相向。

被覆絕緣膜31覆蓋第二部分20的上表面21。而且，被覆絕緣膜31的一部分覆蓋附近的第一部分10的上表面11。即，被覆絕緣膜31從半導(dǎo)體基板2的第一部分10延伸至第二部分20。被覆絕緣膜31覆蓋臺階部90的側(cè)面92。而且，被覆絕緣膜31覆蓋角部件50的彎曲的上表面51。通過被覆絕緣膜31和分離絕緣膜32覆蓋角部件50的整體。被覆絕緣膜31的厚度比分離絕緣膜32的厚度厚。作為被覆絕緣膜31，可以使用二氧化硅膜(sio2)。被覆絕緣膜31可以通過使氧化膜堆積來形成。

在使用具備上述的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置1時，向表面電極6與背面電極7之間施加背面電極7為正的電壓。而且，向柵極電極72施加接通(on)電位(為了形成通道所需的電位以上的電位)。當向柵極電極72施加接通電位時，在與柵極絕緣膜71相接的范圍的低濃度基極區(qū)域122形成通道。由此，mosfet成為接通。這樣的話，電子從表面電極6，經(jīng)由源極區(qū)域61、形成于低濃度基極區(qū)域122的通道、漂移區(qū)域65及漏極區(qū)域63，向背面電極7流動。而且，空穴從背面電極7，經(jīng)由漏極區(qū)域63、漂移區(qū)域65、低濃度基極區(qū)域122及基極接觸區(qū)域121，向表面電極6流動。由此，電流從背面電極7向表面電極6流動。

當電流向半導(dǎo)體裝置1流動時，半導(dǎo)體基板2發(fā)熱，形成在半導(dǎo)體基板2上的分離絕緣膜32及被覆絕緣膜31成為高溫。根據(jù)上述的半導(dǎo)體裝置1，在半導(dǎo)體基板2的臺階部90的側(cè)面92與第二部分20的上表面21之間形成角部40，被覆絕緣膜31將配置于角部40的角部件50覆蓋。由此，與被覆絕緣膜31直接接觸于角部40的情況相比，被覆絕緣膜31的彎曲變得平緩。特別是在半導(dǎo)體裝置1中，角部件50具有呈凸狀地彎曲的上表面51，因此覆蓋角部件50的被覆絕緣膜31的彎曲更平緩。這樣被覆絕緣膜31的彎曲平緩的話，即使角部40附近的被覆絕緣膜31成為高溫，在該被覆絕緣膜中氣泡也難以生長。因此，在角部40能夠抑制在被覆絕緣膜31產(chǎn)生空穴。而且，由于角部40的被覆絕緣膜31的彎曲平緩，因此在半導(dǎo)體基板2的發(fā)熱時，在被覆絕緣膜31的內(nèi)部產(chǎn)生的應(yīng)力被緩和。由此，能夠抑制在被覆絕緣膜31產(chǎn)生裂紋。由此，能夠抑制被覆絕緣膜31的耐壓下降。需要說明的是，雖然分離絕緣膜32陡峭地彎折，但是由于其厚度薄，因此不會產(chǎn)生過大應(yīng)力。

另外，在上述的半導(dǎo)體裝置1中，導(dǎo)電性的角部件50隔著分離絕緣膜32而與基極區(qū)域62及flr80分別相向。當使mosfet為斷開(off)時，角部件50成為基極區(qū)域62與flr80的中間的電位，角部40的電場被緩和。其結(jié)果是，能夠提高角部40處的分離絕緣膜32的耐壓。而且，在上述的半導(dǎo)體裝置1中，角部件50與柵極電極72由相同的材料形成。因此，如后文詳述那樣，能夠一并形成角部件50和柵極電極72。

接下來，說明具備上述的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置1的制造方法。半導(dǎo)體裝置1由具有與漂移區(qū)域65及周邊漂移區(qū)域82大致相同的n型雜質(zhì)的n型的半導(dǎo)體基板2來制造。首先，如圖4所示加工半導(dǎo)體基板2。即，以使半導(dǎo)體基板2具有厚的第一部分10和薄的第二部分20的方式進行加工。而且，在半導(dǎo)體基板2上形成溝槽70、源極區(qū)域61、基極區(qū)域62、懸浮區(qū)域67、flr80。上述的加工可以使用公知的技術(shù)，因此省略詳細的說明。

接下來，如圖5所示，進行使分離絕緣膜材料301堆積在半導(dǎo)體基板2的上表面的工序。如上所述，半導(dǎo)體基板2具備第一部分10和厚度比第一部分10薄的第二部分20，在第一部分10與第二部分20相鄰的部分形成臺階部90。分離絕緣膜材料301堆積于半導(dǎo)體基板2的第一部分10的上表面11及第二部分20的上表面21。而且，分離絕緣膜材料301也堆積于臺階部90的側(cè)面92。而且，分離絕緣膜材料301也堆積在臺階部90的側(cè)面92與第二部分20的上表面21之間的角部40。而且，分離絕緣膜材料301也堆積于溝槽70的內(nèi)表面。作為分離絕緣膜材料301，可以使用例如sio2。

接下來，如圖6所示，進行對在半導(dǎo)體基板2的上表面堆積的分離絕緣膜材料301進行蝕刻的工序。在對分離絕緣膜材料301進行蝕刻時，以使分離絕緣膜材料301的一部分殘存于半導(dǎo)體基板2的上表面的方式進行蝕刻。而且，以使分離絕緣膜材料301的一部分殘存于溝槽70的內(nèi)表面的方式進行蝕刻。通過在溝槽70的內(nèi)表面殘存的分離絕緣膜材料301來形成柵極絕緣膜71。

接下來，如圖7所示，進行使角部件材料302堆積在分離絕緣膜材料301的上表面的工序。角部件材料302在半導(dǎo)體基板2的第一部分10及第二部分20處，堆積在分離絕緣膜材料301上。角部件材料302也堆積于臺階部90的側(cè)面92與第二部分20的上表面21之間的角部40。而且，角部件材料302也堆積于溝槽70的內(nèi)部。角部件材料302堆積于柵極絕緣膜71的表面。這樣，使角部件材料302堆積在半導(dǎo)體基板2上。作為角部件材料302，可以使用多晶硅。

接下來，如圖8所示，進行對角部件材料302進行蝕刻的工序。在對角部件材料302進行蝕刻時，以使角部件材料302的一部分殘存于角部40的方式進行蝕刻。而且，以使角部件材料302的一部分殘存于溝槽70的內(nèi)部的方式進行蝕刻。通過使角部件材料302殘存于角部40而在角部40形成角部件50。而且，通過使角部件材料302殘存于溝槽70的內(nèi)部而在溝槽70的內(nèi)部形成柵極電極72。這樣，形成角部件50及柵極電極72。角部件50以其上表面51隨著從臺階部90的側(cè)面92朝向第二部分20側(cè)而向下方下降的方式形成。而且，角部件50與半導(dǎo)體基板2之間的分離絕緣膜材料301成為分離絕緣膜32。

接下來，如圖9所示，進行使被覆絕緣膜材料303堆積在分離絕緣膜材料301及角部件50上的工序。被覆絕緣膜材料303覆蓋角部件50。作為被覆絕緣膜材料303，可以使用例如sio2。在被覆絕緣膜材料303與分離絕緣膜材料301接觸的部位，這2個絕緣膜材料進行一體化。通過這樣一體化的絕緣膜材料，形成被覆絕緣膜31。被覆絕緣膜31從第一部分10延伸至第二部分20，并覆蓋角部件50。

接下來，如圖10所示，進行對被覆絕緣膜31的不要的部分進行蝕刻的工序。通過蝕刻，將形成在柵極電極72上的被覆絕緣膜31除去，使柵極電極72的上表面露出。而且，將形成在第一部分10的一部分上的被覆絕緣膜31及分離絕緣膜32除去，使第一部分10的上表面的一部分露出。

接下來，如圖11所示，在露出的柵極電極72上形成層間絕緣膜73。而且，在露出的第一部分10的上表面形成表面電極6。接下來，在半導(dǎo)體基板2的背面?zhèn)刃纬陕O區(qū)域63。而且，在半導(dǎo)體基板2的背面形成背面電極7。這樣，制造出圖1所示的半導(dǎo)體裝置1。

根據(jù)上述的制造方法，在角部40形成角部件50，因此在形成被覆絕緣膜31時，被覆絕緣膜31覆蓋角部件50，角部40處的被覆絕緣膜31的彎曲變得平緩。由此，能夠降低在被覆絕緣膜31的內(nèi)部產(chǎn)生的應(yīng)力，能夠抑制在被覆絕緣膜31產(chǎn)生裂紋。而且，利用形成分離絕緣膜32的工序，能夠形成柵極絕緣膜71。而且，利用形成角部件50的工序，能夠形成柵極電極72。

(對應(yīng)關(guān)系)

在上述的實施例中，基極區(qū)域62是“第一區(qū)域”的一例，最接近第一部分10的場限環(huán)80a是“第二區(qū)域”的一例，漂移區(qū)域65是“第三區(qū)域”的一例。

以上，說明了一實施例，但是具體的形態(tài)沒有限定為上述實施例。在以下的說明中，關(guān)于與上述的說明中的結(jié)構(gòu)同樣的結(jié)構(gòu)，標注同一附圖標記而省略說明。

(第二實施例)

在第二實施例中，如圖12所示，接近角部40的范圍a的分離絕緣膜32的厚度比遠離角部40的范圍b的分離絕緣膜32的厚度厚。在這種情況下，角部件50在角部40側(cè)具備凹狀的彎曲面54。彎曲面54覆蓋角部40的分離絕緣膜32。在制造該半導(dǎo)體裝置1時，如圖13所示，在對分離絕緣膜材料301進行蝕刻時，以使接近角部40的范圍a殘存的分離絕緣膜材料301比遠離角部40的范圍b殘存的分離絕緣膜材料301多的方式進行蝕刻。例如，通過調(diào)整蝕刻率，能夠得到分離絕緣膜材料301較多地殘存于角部40的結(jié)果。根據(jù)通常的蝕刻手法，在對分離絕緣膜材料301進行蝕刻時，自然地成為在接近角部40的范圍a較多地殘存有分離絕緣膜材料301的結(jié)果。

根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體裝置1，由于角部40處的分離絕緣膜32的厚度厚，因此能夠提高角部40處的分離絕緣膜32的耐壓。

(第三實施例)

在第三實施例中，如圖14所示，角部件50的上表面51形成為階梯狀。在角部件50的上表面51存在多個階梯。由此，角部件50的上表面51隨著從臺階部90的側(cè)面92朝向第二部分20側(cè)而逐級地向下方下降。

(第四實施例)

在第四實施例中，如圖15所示，角部件50的上表面51形成為斜面。由此，角部件50的上表面51隨著從臺階部90的側(cè)面92朝向第二部分20側(cè)而連續(xù)地向下方下降。

(第五實施例)

在第五實施例中，如圖16所示，角部件50可以具備延伸部55。延伸部55沿著臺階部90的側(cè)面92及上表面11延伸。通過具備延伸部55而角部件50的上表面51的一部分位于比第一部分10的上表面11靠上方處。因此，在角部件50的上表面51，存在隨著從臺階部90的側(cè)面92朝向第二部分20側(cè)而逐級地向下方下降的部分和連續(xù)地向下方下降的部分。延伸部55由被覆絕緣膜31覆蓋。延伸部55隔著分離絕緣膜32而與形成于第一部分10的基極區(qū)域62相向。延伸部55也可以與表面電極6連接(圖示省略)。

另外，在上述的實施例中，形成于周邊區(qū)域4的耐壓構(gòu)造是形成有多個flr80的flr構(gòu)造，但是沒有限定為該結(jié)構(gòu)。在其他的實施例中，耐壓構(gòu)造可以是resurf構(gòu)造。

另外，在上述的實施例中，角部件50具有導(dǎo)電性，但是沒有限定為該結(jié)構(gòu)。在其他的實施例中，角部件50也可以由絕緣性的材料形成。

另外，在上述的實施例中，說明了mosfet作為半導(dǎo)體元件的一例，但是沒有限定為該結(jié)構(gòu)。在其他的實施方式中，半導(dǎo)體元件也可以是igbt(insulatedgatebipolartransistor：絕緣柵雙極型晶體管)。

以上，詳細地說明了本發(fā)明的具體例，但是這些只不過是例示，沒有限定權(quán)利要求書的范圍。權(quán)利要求書的范圍記載的技術(shù)包括對以上例示的具體例進行了各種變形、變更的結(jié)構(gòu)。本說明書或附圖說明的技術(shù)要素單獨地或者通過各種組合而發(fā)揮技術(shù)有效性，沒有限定為申請時權(quán)利要求項記載的組合。而且，本說明書或附圖例示的技術(shù)是同時實現(xiàn)多個目的的技術(shù)，實現(xiàn)其中的一個目的的情況自身就具有技術(shù)有效性。

以下對于本說明書公開的技術(shù)要素的一例進行說明。需要說明的是，以下記載的技術(shù)要素是分別獨立的技術(shù)要素，單獨地或者通過各種組合而發(fā)揮技術(shù)有效性。

在半導(dǎo)體裝置中，角部件的上表面優(yōu)選位于比第一部分的上表面靠下方處。而且，角部件的上表面優(yōu)選向上方呈凸狀地彎曲。

可以還具備形成在半導(dǎo)體基板與角部件之間的分離絕緣膜。角部件可以具有導(dǎo)電性。

接近角部的范圍的分離絕緣膜的厚度可以比遠離角部的范圍的分離絕緣膜的厚度厚。

半導(dǎo)體基板可以具備：向臺階部的側(cè)面露出的第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域；向第二部分的上表面露出的第一導(dǎo)電型的第二區(qū)域；及形成在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的第二導(dǎo)電型的第三區(qū)域。角部件可以隔著分離絕緣膜而至少與第一區(qū)域及第二區(qū)域這兩個區(qū)域相向。

可以在第一部分形成有溝槽?？梢栽跍喜鄣膬?nèi)部配置有柵極電極。優(yōu)選角部件和柵極電極由相同的材料形成。

在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，形成角部件的工序可以具備以下的工序：在半導(dǎo)體基板之上堆積角部件材料；及對所堆積的角部件材料進行蝕刻。在對角部件材料進行蝕刻的工序中，可以通過使角部件材料殘存于角部來形成角部件。

在形成角部件的工序之前，可以具備在半導(dǎo)體基板的上表面形成分離絕緣膜的工序。在形成角部件的工序中，可以在分離絕緣膜之上形成具有導(dǎo)電性的角部件。

形成分離絕緣膜的工序可以具備在半導(dǎo)體基板的上表面堆積分離絕緣膜材料的工序。而且，形成分離絕緣膜的工序可以具備以使接近角部的范圍的分離絕緣膜的厚度比遠離角部的范圍的分離絕緣膜的厚度厚的方式對分離絕緣膜材料進行蝕刻的工序。

可以在第一部分形成有溝槽。而且，形成分離絕緣膜的工序可以具備以下的工序：在半導(dǎo)體基板的上表面堆積分離絕緣膜材料；及對所堆積的分離絕緣膜材料進行蝕刻。而且，形成角部件的工序可以具備以下的工序：在分離絕緣膜的上表面堆積角部件材料；及對所堆積的角部件材料進行蝕刻。可以在堆積分離絕緣膜材料的工序中，分離絕緣膜材料堆積在溝槽的內(nèi)表面，在對分離絕緣膜材料進行蝕刻的工序中，分離絕緣膜材料殘存于溝槽的內(nèi)表面，從而形成柵極絕緣膜。而且，可以在堆積角部件材料的工序中，角部件材料堆積在溝槽的內(nèi)部，在對角部件材料進行蝕刻的工序中，角部件材料殘存于溝槽的內(nèi)部，從而形成柵極電極。

附圖標記說明

1：半導(dǎo)體裝置

2：半導(dǎo)體基板

3：元件區(qū)域

4：周邊區(qū)域

6：表面電極

7：背面電極

10：第一部分

20：第二部分

31：被覆絕緣膜

32：分離絕緣膜

40：角部

50：角部件

51：上表面

54：彎曲面

55：延伸部

61：源極區(qū)域

62：基極區(qū)域

63：漏極區(qū)域

65：漂移區(qū)域

67：懸浮區(qū)域

70：溝槽

71：柵極絕緣膜

72：柵極電極

73：層間絕緣膜

80：場限環(huán)

82：周邊漂移區(qū)域

90：臺階部

121：基極接觸區(qū)域

122：低濃度基極區(qū)域

301：分離絕緣膜材料

302：角部件材料

303：被覆絕緣膜材料