本發(fā)明的實(shí)施例屬于半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域，并且具體而言屬于使用深寬比溝槽(art)技術(shù)形成的晶體管的領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

外延指的是結(jié)晶覆蓋層在結(jié)晶襯底上的沉積。覆蓋層被稱為外延(epi)膜或者epi層?？梢詮臍鈶B(tài)或液態(tài)先驅(qū)液生長(zhǎng)epi膜。由于襯底充當(dāng)籽晶，所以沉積的膜可以相對(duì)于襯底晶體鎖定到一個(gè)或多個(gè)結(jié)晶取向中。如果覆蓋層形成相對(duì)于襯底的隨機(jī)取向或不形成有序的覆蓋層，則它被稱為非epi生長(zhǎng)。如果epi膜沉積在相同成分的襯底上，則該工藝被稱為同質(zhì)外延；否則其被稱為異質(zhì)外延，異質(zhì)外延是利用彼此不同的材料執(zhí)行的一種外延。在異質(zhì)外延中，結(jié)晶膜生長(zhǎng)在結(jié)晶襯底上或不同材料的膜上。異質(zhì)外延技術(shù)通常用于生長(zhǎng)否則不能獲得晶體的材料的結(jié)晶膜，并且用于制造不同材料的集成結(jié)晶層。示例包括位于砷化鎵(gaas)上的磷化鋁鎵銦(aigalnp)等。

在用于雙極結(jié)型晶體管(bjt)和現(xiàn)代互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)的基于硅的制造工藝中使用外延。外延可以用于形成諸如finfet的非平面晶體管。finfet是圍繞半導(dǎo)體材料的薄條帶(被稱為“鰭狀物”)構(gòu)建的晶體管。晶體管包括標(biāo)準(zhǔn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)節(jié)點(diǎn)/部件：柵極、柵極電介質(zhì)、源極區(qū)和漏極區(qū)。器件的導(dǎo)電溝道存在于柵極電介質(zhì)下方、鰭狀部的外側(cè)上。具體地，電流沿著鰭狀物的兩個(gè)“側(cè)壁”以及沿著鰭狀物的頂側(cè)流動(dòng)。因?yàn)閷?dǎo)電溝道實(shí)質(zhì)上沿著鰭狀物的三個(gè)不同的外部平面區(qū)存在，所以這樣的finfet通常被稱為“三柵極”finfet。存在其他類型的finfet(例如“雙柵極”finfet，其中導(dǎo)電溝道主要僅沿著鰭狀物的兩個(gè)側(cè)壁、而不沿著鰭狀物的頂側(cè)存在)。

epi層生長(zhǎng)的制造問(wèn)題包括對(duì)epi層的電阻率和厚度的量和均勻性的控制。

附圖說(shuō)明

根據(jù)所附權(quán)利要求、一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的以下具體實(shí)施方式和對(duì)應(yīng)的附圖，本發(fā)明的實(shí)施例的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。在認(rèn)為合適的情況下，已在附圖中重復(fù)附圖標(biāo)記來(lái)指示相對(duì)應(yīng)的或類似的元件。

圖1包括非均勻epi層的圖像。

圖2包括非均勻epi層的圖像。

圖3(a)-(d)描繪了用于形成本發(fā)明的實(shí)施例中的均勻epi層的過(guò)程。

圖4(a)-(d)描繪了用于形成本發(fā)明的實(shí)施例中的均勻epi層的過(guò)程。

圖5(a)-(b)包括本發(fā)明的實(shí)施例中的均勻epi層的圖像。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖，其中，類似的結(jié)構(gòu)可以被提供有類似的后綴附圖標(biāo)記。為了更清楚地示出各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，被包括在本文中的附圖是半導(dǎo)體/電路結(jié)構(gòu)的圖解表示。因此，所制造的集成電路結(jié)構(gòu)的實(shí)際外觀(例如在顯微照片中)可能顯得不同，然而仍然包含所例示的實(shí)施例的所要求保護(hù)的結(jié)構(gòu)。此外，附圖可以僅示出對(duì)理解所例示的實(shí)施例有用的結(jié)構(gòu)?？赡懿话ìF(xiàn)有技術(shù)中已知的額外結(jié)構(gòu)以保持附圖的清晰。例如，不一定要示出半導(dǎo)體器件的每一層?！皩?shí)施例”、“各種實(shí)施例”等指示這樣描述的(多個(gè))實(shí)施例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但不是每個(gè)實(shí)施例都必須包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。一些實(shí)施例可以具有針對(duì)其他實(shí)施例描述的一些、全部特征或沒(méi)有任何特征?！暗谝弧?、“第二”、“第三”等描述了共同的對(duì)象，并指示正在引用的類似對(duì)象的不同實(shí)例。這樣的形容詞并不暗示這樣描述的對(duì)象必須在時(shí)間上、空間上、排名上或以任何其它方式處于給定順序?！斑B接”可以指示元件彼此直接物理接觸或電接觸，并且“耦合”可以指示元件彼此協(xié)作或交互作用，但它們可以或可以不直接物理接觸或電接觸。

如上所述，epi層生長(zhǎng)的制造問(wèn)題包括對(duì)epi層的電阻率和厚度的量和均勻性的控制。圖1包括生長(zhǎng)在襯底101上的非均勻epi層的圖像。圖1包括形成在諸如氧化物等淺溝槽隔離(sti)130、131內(nèi)的iii-v材料疊置體。即，ingaas層103、107、110利用位于ingaas層之下的inp部分102、106、109和位于ingaas層上的inp部分120、121、122部分來(lái)原位生長(zhǎng)。所有的ingaas和inp層均形成在使用深寬比溝槽(art)工藝而形成的溝槽123、124、125內(nèi)。雖然本文中通常使用“ingaas”，但是“ingaas”包括lnxga1-xas，其中x在0和1之間，從而在各種實(shí)施例中包括inas，并在其他實(shí)施例中包括gaas。

art基于以特定角度向上傳播的穿線位錯(cuò)。在art中，溝槽被制作有足夠高的深寬比，以使缺陷終止于溝槽的側(cè)壁上，并且終止處上方的任何層無(wú)缺陷。具體而言，art包括通過(guò)使溝槽的高度(h)大于溝槽的寬度(w)以使得h/w比為至少1.50而俘獲沿著淺溝槽隔離(sti)部分的側(cè)壁的缺陷。此比率給出了用于將缺陷阻擋在緩沖層內(nèi)的art的最小限度。

圖1中看到的問(wèn)題是ingaas層103、107、110的非均勻性。例如，每個(gè)ingaas層具有頂表面104、108、111。然而，頂表面108(見(jiàn)水平線141)不與頂表面111(見(jiàn)水平線140)垂直對(duì)齊，而是相距垂直距離142。偏移142可能是有問(wèn)題的，并且是由在溝槽內(nèi)具有非均勻生長(zhǎng)的原位多層iii-vart鰭狀物而導(dǎo)致的。例如，偏移142可能導(dǎo)致成為阻擋并且不允許濕法蝕刻?hào)艠O全環(huán)繞(gaa)釋放的側(cè)壁。更具體地，gaafet與finfet的概念類似，只是柵極材料圍繞所有側(cè)上的溝道區(qū)。取決于設(shè)計(jì)，gaafet可以具有兩個(gè)或四個(gè)有效柵極。柵極全環(huán)繞fet可以圍繞納米線構(gòu)建。偏移142可能構(gòu)成gaa架構(gòu)的問(wèn)題，因?yàn)閟ti130可能需要被蝕刻到ingaas層底表面143(見(jiàn)水平線144)下方，以形成沿表面143的柵極。然而，該蝕刻可能無(wú)法向下足夠遠(yuǎn)以還暴露ingaas層底表面145(見(jiàn)水平線146)。其他問(wèn)題可能涉及靜電問(wèn)題，例如通過(guò)改變支撐溝道材料ingaas部分的下部鰭狀物inp部分的尺寸而帶來(lái)的諸如電阻和/或泄漏電流特性等性能的改變。

圖2包括非均勻epi層的圖像，然而在該視圖中，非均勻性不一定處于不同鰭狀物中的不同高度的層之間。替代地，圖2示出了單個(gè)層內(nèi)的非均勻性。更具體地，圖2示出了單個(gè)鰭狀物的各種圖像，其中每個(gè)圖像“強(qiáng)調(diào)”特定部件。圖像200包括具有形成在兩個(gè)inp層之間的ingaas層的鰭狀物的一般圖像。圖像201強(qiáng)調(diào)了in存在的區(qū)域207、208。圖像202強(qiáng)調(diào)了p存在的區(qū)域209、210(其與區(qū)域207、208重合，鑒于這些區(qū)域是inp層)。圖像203強(qiáng)調(diào)了ga存在的區(qū)域206。圖像204強(qiáng)調(diào)了as存在的區(qū)域205(其與區(qū)域206重合，鑒于這些區(qū)域是ingaas層)。注意，ga和as部分206、205具有彎曲的上表面213、212和下表面211、210。這些表面中任一個(gè)的不平坦度/曲率可能例如在試圖形成納米帶gaa器件等時(shí)又是有問(wèn)題的。

因此，申請(qǐng)人已發(fā)現(xiàn)各種問(wèn)題，例如前面提及的性能和制造問(wèn)題，其與各種形式的不平坦度有關(guān)：(1)當(dāng)層高度在鰭狀物之間改變時(shí)，以及(2)當(dāng)層高度在其自身內(nèi)改變時(shí)(例如，具有彎曲的頂表面)。

然而，實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了art溝槽中的均勻?qū)?。例如，?shí)施例提供了選擇性濕法蝕刻以使諸如inp109的子鰭狀物材料均勻地凹陷。與原位生長(zhǎng)相反(在層正在生長(zhǎng)時(shí))，濕法蝕刻可以被異位執(zhí)行(在生長(zhǎng)了層之后)。換言之，在子鰭狀物形成之后，其隨后被蝕刻以使子鰭狀物的頂表面變平并平整。

實(shí)施例還提供了選擇性epi沉積工藝，以在凹陷的iii-v材料(例如，溝槽內(nèi)的inp部分(見(jiàn)圖3(b))上生長(zhǎng)諸如iii-v材料(例如，ingaas層110)的層的共形均勻?qū)印?/p>

實(shí)施例還提供了位于窄art溝槽內(nèi)部的具有跨單個(gè)鰭狀物的寬度和長(zhǎng)度的均勻?qū)雍穸?例如，ingaas)的雙層疊置體(例如，ingaas/inp)。

圖3(a)-(d)描繪了用于形成本發(fā)明的實(shí)施例中的均勻epi層的過(guò)程。圖3(a)描繪了在inp鰭狀物302將最終充當(dāng)溝道材料的子鰭狀物支撐的情況下的生長(zhǎng)。鰭狀物302生長(zhǎng)在襯底301上并且在art溝槽322和sti330內(nèi)。在圖3(b)中經(jīng)由inp拋光去除了過(guò)生長(zhǎng)350，并且inp被進(jìn)一步凹陷以在子鰭狀物部分302上方形成凹陷351。在圖3(c)中，ingaas303然后生長(zhǎng)在溝槽322內(nèi)并且被拋光以形成平坦上表面352和形成在平坦上表面354頂上的平坦下表面353。

在圖3(d)中，sti330被凹陷以暴露溝槽322內(nèi)的ingaas層303和子鰭狀物302。圖3(d)還包括與是圖3(a)-(c)的焦點(diǎn)的鰭狀物相鄰的第二鰭狀物。具體地，圖3描繪了一種器件，其包括：第一鰭狀物結(jié)構(gòu)和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)，該第一鰭狀物結(jié)構(gòu)包括位于第一下部鰭狀物部分302上的第一上部鰭狀物部分303，該第二鰭狀物結(jié)構(gòu)包括位于第二下部鰭狀物部分302’上的第二上部鰭狀物部分303’。在第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)之間(即，區(qū)域370內(nèi))不存在其他鰭狀物結(jié)構(gòu)，并且第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)彼此相鄰。第一和第二上部鰭狀物部分303、303’具有第一和第二底表面353、353’，第一和第二底表面353、353’直接接觸第一和第二下部鰭狀物部分302、302’的第一和第二上表面354、354’。第一和第二底表面353、353’總體上彼此共面并且總體上是平坦的。例如，第一和第二底表面353、353’均位于沿著水平線360處，水平線360與襯底301的長(zhǎng)軸(水平)361平行。第一和第二上表面354、354’總體上彼此共面并且總體上是平坦的(第一和第二上表面354、354’均位于線360上)。第一和第二上部鰭狀物結(jié)構(gòu)303、303’包括上部iii-v材料，并且第一和第二下部鰭狀物結(jié)構(gòu)302、302’包括與上部iii-v材料不同的下部iii-v材料。例如，盡管本文中的許多實(shí)施例描述了ingaas/inp的302/302疊置體，但是不會(huì)因此而限制其他實(shí)施例，并且其他實(shí)施例可以包括例如lngaas/lnxal1-xas、lngaas/lnxal1-xas/inp、或者lngaas/lnp/lnxal1-xas(例如，其中ingaas包括lnxga1-xas，其中x在0和1之間，并且inalas包括lnxal1-xas，其中x在0和1之間)。在實(shí)施例中，疊置體層303/302和303’/302’是外延層。

第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)至少部分地包括在第一和第二溝槽322、322’中。在實(shí)施例中，第一和第二溝槽均具有總體上相等的深寬比(深度比寬度)，其為至少2:1。實(shí)施例可以包括包括1.4:1、2.5:1、3:1(150nm:50nm)、4:1等的比率。

在實(shí)施例中，第一和第二上部鰭狀物部分303、303’具有第一和第二頂表面，第一和第二頂表面總體上彼此共面，總體上是平坦的(頂表面352、352’均位于362上)，并且總體上平行于襯底(見(jiàn)線361)并平行于第一和第二底表面353、353’。由于拋光，頂表面352、352’可以是平坦的/平面的。

在類似于圖4的實(shí)施例中，鰭狀物部分具有頂表面，該頂表面總體上是平坦的(頂表面452’位于線462’上)，并且總體上平行于襯底(見(jiàn)線461’)，并且平行于底表面453’(位于沿著水平線460’處)。

在實(shí)施例中，第一和第二底表面353、353’是平坦的并且均延伸跨過(guò)第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)的整個(gè)寬度371、371’。

圖5(a)-(b)包括本發(fā)明的實(shí)施例中的均勻epi層的圖像。圖5(a)包括形成溝槽的sti部分530，在任何溝道部分被填充在凹陷554、554’中之前，溝槽包括子鰭狀物部分502、502’。線560與圖3(d)的線360相似，并且示出了子鰭狀物inp部分502、502’的頂表面如何在其自身內(nèi)并且彼此成平面，并且總體上平行于襯底。線561與圖3(d)的線362相似，并且示出了頂表面561如何是平坦且平整的。圖5(b)示出了在溝道材料503被添加到子鰭狀物502上之后的圖5(a)的鰭狀物之一的側(cè)視圖。ingaas溝道材料503的上表面和下表面552、553是平整的、平坦的，并且平行于子鰭狀物502的上表面570。

因此，圖5(b)示出了第一鰭狀物結(jié)構(gòu)，其包括位于第一鰭狀物結(jié)構(gòu)的左端處的左端部分575和位于第一鰭狀物結(jié)構(gòu)的右端處的右端部分576。底表面553是平坦的并且從部分575到部分576是共面的，并且總體上平行于襯底。

圖4(a)-(d)描繪了用于形成本發(fā)明的實(shí)施例中的均勻epi層的過(guò)程。圖4(a)示出了在襯底401和ingaas溝道材料403之間具有inp子鰭狀物402的鰭狀物的側(cè)視圖。柵極圖案化開(kāi)始于硬掩模461，其覆蓋位于電介質(zhì)409上的多晶硅460。在圖4(b)中形成層間電介質(zhì)(ild)462之后，去除了多晶硅以形成凹陷451。在圖4(c)中，發(fā)生濕法蝕刻釋放以去除子鰭狀物部分，從而創(chuàng)建凹陷452。在圖4(d)中，用金屬柵極部分463和高介電常數(shù)(高k)柵極電介質(zhì)464填充凹陷451、452。通過(guò)這樣做，形成了納米帶470以創(chuàng)建gaa結(jié)構(gòu)。

因此，實(shí)施例提供了一種情形，其中inp(或者一些其他iii-v材料)生長(zhǎng)在art溝槽內(nèi)，隨后是溝槽內(nèi)的inp的均勻的濕法蝕刻凹陷。隨后，平整的平臺(tái)被提供用于異位ingaas(或一些其他iii-v材料)再生長(zhǎng)和拋光。這產(chǎn)生了均勻的ingaas層，其不僅具有更好的器件性能，還為gaa架構(gòu)提供了下游濕法蝕刻釋放選項(xiàng)。

在實(shí)施例中，使用例如圖3(d)的暴露的材料303來(lái)形成多層iii-vfinfet結(jié)構(gòu)(即，在溝道材料303之上形成柵極結(jié)構(gòu))。實(shí)施例具有嵌入在用于形成三柵極晶體管的鰭狀物中的不同材料的均勻?qū)?。在?shí)施例中，均勻inxal1-xas(其中x在0和1之間)子鰭狀物層可以生長(zhǎng)在ingaas(溝道)和inp(子鰭狀物)層之間，并且該層對(duì)關(guān)斷/降低iii-v三柵極晶體管中的子鰭狀物泄漏(因此允許進(jìn)一步的柵極長(zhǎng)度(lg)縮放)將是有用的。

盡管類似圖3(d)的視圖示出了位于inp頂上的ingaas，然而這些圖是用于指導(dǎo)性目的，并且器件可以包括額外的層，例如位于ingaas層頂上的inp層。

各種實(shí)施例包括半導(dǎo)體襯底。這種襯底可以是塊半導(dǎo)體材料，其是晶圓的部分。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是作為已從晶圓分割下來(lái)的芯片的部分的塊半導(dǎo)體材料。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是在絕緣體上方形成的半導(dǎo)體材料，例如絕緣體上半導(dǎo)體(soi)襯底。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是突出結(jié)構(gòu)，例如在塊半導(dǎo)體材料上方延伸的鰭狀物。

以下的示例屬于另外的實(shí)施例。

示例1包括一種器件，包括：第一鰭狀物結(jié)構(gòu)，其包括位于第一下部鰭狀物部分上的第一上部鰭狀物部分；第二鰭狀物結(jié)構(gòu)，其包括位于第二下部鰭狀物部分上的第二上部鰭狀物部分；其中(a)在第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)之間不存在其他鰭狀物結(jié)構(gòu)，并且第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)彼此相鄰；(b)第一和第二上部鰭狀物部分具有直接接觸第一和第二下部鰭狀物部分的第一和第二上表面的第一和第二底表面；(c)第一和第二底表面總體上彼此共面并且總體上是平坦的；(d)第一和第二上表面總體上彼此共面并且總體上是平坦的；并且(e)第一和第二上部鰭狀物結(jié)構(gòu)包括上部iii-v材料，并且第一和第二下部鰭狀物結(jié)構(gòu)包括與上部iii-v材料不同的下部iii-v材料。

在示例2中，示例1的主題可以任選地包括其中，第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)至少部分地包括在第一和第二溝槽中。

在示例3中，示例1-2的主題可以任選地包括其中，第一和第二溝槽每個(gè)均具有至少2:1的總體上相等的深寬比(深度比寬度)。

在示例4中，示例1-3的主題可以任選地包括其中，上部iii-v材料包括ingaas。在實(shí)施例中，示例1-3的主題可以任選地包括其中，上部iii-v材料包括inxga1-xas，其中x在0和1之間，因此其在各種實(shí)施例中包括inas，并且在其他實(shí)施例中包括gaas。

在示例5中，示例1-4的主題可以任選地包括其中，下部iii-v材料包括inp。

在示例6中，示例1-5的主題可以任選地包括其中，第一和第二上部鰭狀物結(jié)構(gòu)以及第一和第二下部鰭狀物結(jié)構(gòu)是外延層。

在示例7中，示例1-6的主題可以任選地包括襯底，其中第一和第二底表面總體上平行于襯底的長(zhǎng)軸。

在示例8中，示例1-7的主題可以任選地包括其中，(a)第一鰭狀物結(jié)構(gòu)包括位于第一鰭狀物結(jié)構(gòu)的左端的左端部分和位于第一鰭狀物結(jié)構(gòu)的右端的右端部分；(b)左端部分包括第一底表面的左底表面部分，并且右端部分包括第一底表面的右底表面部分；并且(c)左和右底表面部分彼此共面并且總體上平行于襯底。

在示例9中，示例1-8的主題可以任選地包括其中，第一和第二上部鰭狀物部分具有第一和第二頂表面，該第一和第二頂表面總體上彼此共面，總體上是平坦的，并且總體上平行于襯底并平行于第一和第二底表面。

在示例10中，示例1-9的主題可以任選地包括其中，第一和第二底表面每個(gè)均延伸跨過(guò)第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)的整個(gè)寬度。

在示例11中，示例1-10的主題可以任選地包括其中，第一和第二上部鰭狀物部分被包括在第一和第二納米帶中。

在示例12中，示例1-11的主題可以任選地包括其中，第一和第二納米帶被包括在柵極全環(huán)繞器件中。

示例13包括一種器件，包括：第一鰭狀物結(jié)構(gòu)，其包括位于第一下部鰭狀物部分上的第一上部鰭狀物部分；第二鰭狀物結(jié)構(gòu)，其包括位于第二下部鰭狀物部分上的第二上部鰭狀物部分；其中(a)第一和第二上部鰭狀物部分具有直接接觸第一和第二下部鰭狀物部分的第一和第二上表面的第一和第二底表面；(b)第一和第二底表面總體上彼此共面并且總體上是平坦的；(c)第一和第二上表面總體上彼此共面并且總體上是平坦的；(d)第一和第二上部鰭狀物結(jié)構(gòu)包括上部iii-v材料，并且第一和第二下部鰭狀物結(jié)構(gòu)包括不同于上部iii-v材料的下部iii-v材料；并且(e)第一垂直軸與第一底表面和第一上表面的第一部分相交，第二垂直軸與第一底表面和第一上表面的第二部分相交，并且位于第一和第二垂直軸之間的第三垂直軸與第一底表面的第三部分和柵極相交，但不與第一上表面的任何部分相交。

例如，在圖4(d)中，軸463’在位置466處與納米帶470的下表面和子鰭狀物402的上表面相交。軸465在位置467處與納米帶470的下表面和子鰭狀物402的上表面相交。軸469在位置468處與納米帶470的下表面和柵極材料463、464相交，但不與子鰭狀物402的上表面相交。

在示例14中，示例13的主題可以任選地包括其中，第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)至少部分地包括在第一和第二溝槽中，第一和第二溝槽每個(gè)均具有至少2:1的總體上相等的深寬比(深度比寬度)。

在示例15中，示例13-14的主題可以任選地包括襯底，其中第一和第二底表面總體上平行于襯底的長(zhǎng)軸。

在示例16中，示例13-15的主題可以任選地包括其中，(a)第一鰭狀物結(jié)構(gòu)包括位于第一鰭狀物結(jié)構(gòu)的左端的左端部分和位于第一鰭狀物結(jié)構(gòu)的右端的右端部分；(b)左端部分包括第一底表面的左底表面部分，并且右端部分包括第一底表面的右底表面部分；并且(c)左和右底表面部分彼此共面并且總體上平行于襯底。

在示例17中，示例13-16的主題可以任選地包括其中，第一和第二底表面每個(gè)均延伸跨過(guò)第一和第二鰭狀物結(jié)構(gòu)的整個(gè)寬度。

在示例18中，示例16-18的主題可以任選地包括其中，第一和第二上部鰭狀物部分包括在第一和第二納米帶中，第一和第二納米帶包括在柵極全環(huán)繞器件中。

示例19包括一種器件，包括：第一鰭狀物和第二鰭狀物，第一鰭狀物和第二鰭狀物彼此相鄰并且每個(gè)均包括溝道層和子鰭狀物層，溝道層具有直接接觸子鰭狀物層的上表面的底表面；其中(a)底表面總體上彼此共面并且總體上是平坦的；(b)上表面總體上彼此共面并且總體上是平坦的；并且(c)溝道層包括上部iii-v材料，并且子鰭狀物層包括與上部iii-v材料不同的下部iii-v材料。

在示例20中，示例19的主題可以任選地包括其中，第一和第二鰭狀物至少部分地包括在溝槽中，所述溝槽具有至少2:1的總體上相等的深寬比(深度比寬度)。

在示例21中，示例19-20的主題可以任選地包括半導(dǎo)體處理方法，其包括：其中(a)第一鰭狀物包括左端部分和右端部分，左端部分和右端部分具有左底表面和右底表面，該左底表面和右底表面彼此共面并且總體上平行于包括在器件中的襯底。

在示例22中，示例19-21的主題可以任選地包括其中，底表面延伸跨過(guò)第一和第二鰭狀物的整個(gè)寬度。

在示例23中，示例19-22的主題可以任選地包括其中，溝道層包括在納米帶中，該納米帶包括在柵極全環(huán)繞器件中。

出于說(shuō)明和描述的目的而呈現(xiàn)了對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的前述描述。其不旨在窮盡或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開(kāi)的精確形式。該描述和所附權(quán)利要求包括諸如左、右、頂部、底部、之上、之下、上部、下部、第一、第二等術(shù)語(yǔ)，這些術(shù)語(yǔ)僅用于描述性目的而不應(yīng)被解釋為限制。例如，指定相對(duì)垂直位置的術(shù)語(yǔ)是指襯底或集成電路的器件側(cè)(或有源表面)是該襯底的“頂部”表面的情況；襯底實(shí)際上可以處于任何取向，以使得襯底的“頂部”側(cè)可以在標(biāo)準(zhǔn)的地面參考系中低于“底部”側(cè)，并且仍落在術(shù)語(yǔ)“頂部”的含義內(nèi)。本文中(包括在權(quán)利要求中)使用的術(shù)語(yǔ)“上”不表示第二層“上”的第一層直接在第二層上并與第二層直接接觸，除非具體說(shuō)明；在第一層和第一層上的第二層之間可以存在第三層或其它結(jié)構(gòu)?？梢园凑杖舾煞N位置和取向制造、使用或運(yùn)輸文中描述的器件或物品的實(shí)施例。相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到根據(jù)上述教導(dǎo)很多修改和變化都是可能的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到圖中所示的各個(gè)部件的各種等效組合和替換。因此其旨在使本發(fā)明的范圍不受到該具體實(shí)施方式的限制而是由其所附權(quán)利要求來(lái)限制。