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利用基于深寬比溝槽的工藝形成均勻?qū)拥闹谱鞣椒?

文檔序號(hào):11636207閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
實(shí)施例包括一種器件,包括:第一鰭狀物和第二鰭狀物,第一鰭狀物和第二鰭狀物彼此相鄰并且每個(gè)均包括溝道層和子鰭狀物層,溝道層具有直接接觸子鰭狀物層的上表面的底表面;其中(a)底表面總體上彼此共面并且總體上是平坦的;(b)上表面總體上彼此共面并且總體上是平坦的;并且(c)溝道層包括上部III?V材料,并且子鰭狀物層包括與上部III?V材料不同的下部III?V材料。本文中描述了其它實(shí)施例。

技術(shù)研發(fā)人員:S·K·加德納;W·拉赫馬迪;M·V·梅茨;G·杜威;J·T·卡瓦列羅斯;C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;N·拉哈爾-烏拉比;N·M·澤利克;M·C·弗倫奇;T·加尼
受保護(hù)的技術(shù)使用者:英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日:2014.12.23
技術(shù)公布日:2017.08.01
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