本發(fā)明的實施例是在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，以及更具體地，是非平面晶體管。

背景技術(shù)：

finfet是圍繞半導(dǎo)體材料的薄帶(被稱為“鰭狀物”)構(gòu)造的晶體管。晶體管包括標準場效應(yīng)晶體管(fet)節(jié)點/部件：柵極、柵極電介質(zhì)、源極區(qū)域、以及漏極區(qū)域。該器件的導(dǎo)電溝道駐留在柵極電介質(zhì)下方、鰭狀物的外側(cè)。具體地，電流沿鰭狀物的“兩個側(cè)壁”以及沿鰭狀物的頂側(cè)而流動。因為導(dǎo)電溝道基本上沿鰭狀物的三個不同的外部、平面區(qū)域駐留，所以這種finfet典型地被稱為“三柵極”finfet。存在其它類型的finfet(例如，“雙柵極”finfet，其中導(dǎo)電溝道主要僅沿鰭狀物的兩個側(cè)壁駐留而不沿鰭狀物的頂側(cè)駐留)。

附圖說明

根據(jù)所附權(quán)利要求、一個或多個示例實施例的以下詳細描述、以及對應(yīng)的附圖，本發(fā)明的實施例的特征和優(yōu)點將變得顯而易見。在認為適當(dāng)?shù)那闆r下，附圖標記在附圖中重復(fù)以指示對應(yīng)的或相似的元素。

圖1-2描繪了在各種處理階段本發(fā)明的各種實施例的前橫截面圖。

圖3a和4a描繪了在不同處理階段本發(fā)明的實施例中的均勻摻雜的鰭狀物結(jié)構(gòu)的前橫截面圖。

圖3b和4b描繪了在不同處理階段本發(fā)明的實施例中的均勻摻雜的鰭狀物結(jié)構(gòu)的前橫截面圖。

圖4c描繪了圖4b的實施例的側(cè)橫截面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參考附圖，其中相同的結(jié)構(gòu)可以設(shè)置有相同的后綴附圖標記。為了更清楚地示出各種實施例的結(jié)構(gòu)，本文所包括的附圖是半導(dǎo)體/電路結(jié)構(gòu)的圖解表示。因此，所制造的集成電路結(jié)構(gòu)的實際外觀(例如，在顯微照片中)可以表現(xiàn)為不同的，而仍然包含示出的實施例的所要求保護的結(jié)構(gòu)。此外，附圖可以僅示出用于理解示出的實施例的結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域已知的附加結(jié)構(gòu)可能未被包括以保持附圖清晰。例如，并非必須示出半導(dǎo)體器件的每個層。“實施例”、“各種實施例”等指示如此描述的(多個)實施例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是并不是每個實施例都必須包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。一些實施例可以具有針對其它實施例描述的特征中的一些特征、全部特征、或者沒有這樣的特征?！暗谝弧薄ⅰ暗诙?、“第三”等描述共同的對象，并指示相同對象的不同實例正在被引用。這樣的形容詞并非暗示如此描述的對象必須按給定的順序，或者時間地、空間地、以排序的方式，或者以任何其它方式?！斑B接”可以指示元件彼此直接物理或電接觸，并且“耦合”可以指示元件彼此協(xié)作或交互，但是元件可以直接物理或電接觸，或者可以不直接物理或電接觸。

功耗是電路開發(fā)中的主要考慮因素。當(dāng)晶體管處于其截止?fàn)顟B(tài)時，應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地使通過晶體管的無意泄漏路徑的電流消耗最小化。平面型和finfet晶體管中的主要泄漏路徑在子溝道區(qū)域(有時被稱為finfets中的“子鰭狀物”區(qū)域，或者一般而言稱為“子結(jié)構(gòu)”)中。為了限制該路徑，常規(guī)晶體管的設(shè)計人員試圖在源極與溝道/子溝道區(qū)域之間以及漏極與溝道/子溝道區(qū)域之間采用尖銳的正/負(p/n)結(jié)。在常規(guī)的平面晶體管設(shè)計中，這種尖銳的p/n結(jié)通常通過使用子溝道或子結(jié)構(gòu)區(qū)域的恰當(dāng)?shù)内逑喾磽诫s來實現(xiàn)。例如，對于pmos器件而言，溝道下方的阱是負(n)摻雜的，而對于n-mos器件而言，溝道下方的阱是p摻雜的。

然而，申請人已經(jīng)認識到這種技術(shù)在窄平面晶體管(例如，具有<30nm的阱擴散寬度的晶體管)和finfet兩者中都是有問題的。具體地，問題在于后段制程(beol)處理(在第一次金屬化后的器件制造過程中在半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行的操作)之后最大可實現(xiàn)的摻雜劑濃度(使用注入技術(shù)來執(zhí)行摻雜所實現(xiàn)的)不足以阻止這種泄漏(例如，在iv族晶體管中為1e17cm^-3，而iii-v晶體管中為1e16cm^-3)。

實施例通過在子溝道區(qū)域中任意地實現(xiàn)高摻雜濃度來解決這個問題。具體地，實施例通過去除鰭狀物(例如，硅(si)鰭狀物)或窄擴散溝道元件并使用凹槽(例如，溝槽)中的外延(epi)生長替換它們來實現(xiàn)阱摻雜。在溝槽中形成的外延材料是任意摻雜的，以使得即使在隨后的熱步驟和蒸發(fā)(即，beol處理)期間在由于與界面分離而發(fā)生摻雜劑損失之后，子溝道區(qū)域也保持高摻雜劑濃度。一般地，摻雜需求在子溝道區(qū)域中比在溝道區(qū)域中要高，并且外延處理與上面緊接描述的任意摻雜劑輪廓相兼容。此外，使用這種基于溝槽的概念的實施例可以包括應(yīng)變、松弛、或應(yīng)變中性的溝道區(qū)域和/或子溝道區(qū)域。

因此，利用常規(guī)技術(shù)，最終可實現(xiàn)的末端制程eol子溝道摻雜濃度限制在低于預(yù)期水平。然而，使用具有epi替換子溝道和溝道區(qū)域的實施例實現(xiàn)溝道和/或子溝道區(qū)域中的足夠高的摻雜水平。

在圖1中，在實施例中，使用常規(guī)finfet技術(shù)將鰭狀物103圖案化在襯底101上。襯底101可以包括例如si、si1-xgex、ge、絕緣體上si(soi)、絕緣體上sige、空中si(si-on-nothing，son)(由此使用具有較低介電常數(shù)的絕緣體來替換來自soi的掩埋氧化物，以使得在硅層下存在氣隙)、以及使用標準光刻技術(shù)隨后進行濕/干蝕刻的空中sige(sige-on-nothing)。然后使用包含例如硅氧化物或硅氮化物的一層絕緣材料102對整個結(jié)構(gòu)進行覆蓋(即，使用淺溝槽隔離(sti))，以使得鰭狀物完全浸沒在sti102中。然后sti102的頂表面被向下拋光到鰭狀物103的頂部以形成平行于襯底101的光滑表面，如圖1所示。

在圖2中，使用濕/干蝕刻技術(shù)來去除/蝕刻鰭狀物103，以在sti102中形成溝槽104，而襯底101在溝槽104的底部。在其它實施例中，可以部分地蝕刻掉(參見線119與溝槽104的頂部之間的距離)鰭狀物103以形成溝槽104而高度118小于sti102厚度117。

在圖3a-b中，溝槽104填充有“填充材料”105，例如，sixge1-x(0<x<1)、gexsn1-x(0<x<1)、inxge1-xas(0<x<1)、或經(jīng)由化學(xué)氣相沉積(cvd)或分子束外延(mbe)選擇性地生長的其它iii-v材料，以使得溝槽104被填充材料105完全填充。在溝槽中生長的材料105可以與例如p、as、sb、b、al、ga、c、si、ge、sn、zn、te、mg正摻雜或負摻雜，以使得摻雜與晶體管多數(shù)載流子類型(例如，其中在n型半導(dǎo)體中電子為多數(shù)載流子而在p型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子)相反。溝槽104內(nèi)的填充材料105的摻雜劑濃度可以是均勻的(圖3a)，或者以在溝槽底部的濃度高于在溝槽頂部的濃度方式分級的(圖3b)。

關(guān)于圖3a，特別地，遍及填充材料105的均勻摻雜可以經(jīng)由原位摻雜發(fā)生。

關(guān)于圖3b，特別地，實施例包括三個摻雜濃度的不同區(qū)域，其中區(qū)域106比區(qū)域107更重摻雜，區(qū)域107比區(qū)域108更重摻雜，而區(qū)域108比區(qū)域109更重摻雜。在實施例中，填充材料105分階段地形成。例如，形成區(qū)域106，然后發(fā)生離子注入。這可以創(chuàng)建子區(qū)域106'，其比子區(qū)域106”更重摻雜。然后形成區(qū)域107，而后續(xù)的離子注入水平低于區(qū)域106'和/或區(qū)域106”的離子注入水平。然后，形成區(qū)域108，而后續(xù)的離子注入水平低于區(qū)域107'和/或區(qū)域107”的離子注入水平。然后形成區(qū)域109，而后續(xù)的離子注入水平低于區(qū)域108'和/或區(qū)域108”的離子注入水平。

如上面所提及的，原位和注入摻雜兩者都用于不同的實施例中。原位摻雜可以導(dǎo)致在隔離材料102中相對缺乏的摻雜劑原子，并且同時在填充材料105中存在摻雜劑溝道。注入摻雜可以導(dǎo)致在隔離材料102和填充材料中存在摻雜劑原子。在這種情況下，摻雜可以是在區(qū)域102'中最強，而在區(qū)域102”中最弱。因此，盡管區(qū)域106'、106”中的至少一個區(qū)域比區(qū)域109更強摻雜，但是對于sti102相反的情況是正確的，因為上部區(qū)域102'(其鄰近區(qū)域109)比下部區(qū)域102”(其鄰近區(qū)域106)更重摻雜。

之后，然后對溝槽104內(nèi)的材料105進行拋光以獲得平行于下面的襯底的光滑表面。在圖4a-b中，然后使用濕/干蝕刻來使sti102形成凹槽，以形成溝道材料105的鰭狀物。然而，當(dāng)使用注入摻雜技術(shù)(與原位摻雜相反)時，拋光和注入的順序被反轉(zhuǎn)(即，當(dāng)經(jīng)由注入進行摻雜時，可以在圖3a-b的注入步驟之前執(zhí)行圖4a-b的拋光)。

圖4c示出了圖4b的實施例的側(cè)視圖，但是還包括柵極電極120、源極電極121、以及漏極電極122。此外，區(qū)域110與區(qū)域106、107和/或108相反地摻雜(即，如果區(qū)域106是負摻雜的，則區(qū)域110是正摻雜的，并且反之亦然)。在掩模在諸如區(qū)域109的區(qū)域之上的同時可以執(zhí)行區(qū)域110的摻雜。換言之，在對子鰭狀物體積(例如，溝道下方的區(qū)域106)進行摻雜期間和在對用于pmos(nmos)位置的源極/漏極區(qū)域110進行沉積期間，nmos(pmos)位置被掩蔽層覆蓋。

當(dāng)然，隨著處理，變化存在于不同的實施例中。根據(jù)源極/漏極區(qū)域110的摻雜發(fā)生在溝道下方的摻雜發(fā)生之前或之后，工藝流程可以是“柵極最先”或“柵極最后”。在實施例中，在制造用于pmos(nmos)器件的阱摻雜的子鰭狀物層期間，用于pmos(nmos)的整個溝槽填充材料暴露于摻雜，包括源極、漏極、以及柵極下面的區(qū)域(對區(qū)域110進行掩蔽和相反摻雜將隨后發(fā)生)。在實施例中，源極121和漏極122或者可以環(huán)繞鰭狀物105，或者可以在源極/漏極位置處沉積在部分地/完全地蝕刻出的鰭狀物上(即，部分地或完全凹陷并再生長的源極/漏極或凸起的源極漏極)。

各種實施例包括半導(dǎo)體襯底。這樣的襯底可以是作為晶片的一部分的大塊半導(dǎo)體材料。在實施例中，半導(dǎo)體襯底是作為已經(jīng)與晶片分隔的芯片的一部分的大塊半導(dǎo)體材料。

以下示例涉及另外的實施例。

示例1包括一種裝置，該裝置包括：在襯底上的鰭狀物結(jié)構(gòu)，鰭狀物結(jié)構(gòu)包括鰭狀物頂部部分、鰭狀物底部部分、包括多數(shù)載流子的溝道、以及外延(epi)層；以及絕緣層，其包括鄰近鰭狀物頂部部分的絕緣層頂部部分和鄰近鰭狀物底部部分的絕緣層底部部分；其中(a)epi層包括iv族材料和iii-v族材料中的至少一種，(b)鰭狀物底部部分包括摻雜劑的鰭狀物底部部分濃度，摻雜劑與多數(shù)載流子極性相反，(c)鰭狀物頂部部分包括摻雜劑的鰭狀物頂部部分濃度，其小于鰭狀物底部部分濃度，(d)絕緣層底部部分包括摻雜劑的絕緣層底部部分濃度，以及(e)絕緣層頂部部分包括絕緣頂層部分濃度，其大于絕緣底部部分濃度。

多數(shù)載流子可以是用于創(chuàng)建nmos或pmos或cmos開關(guān)器件的電子或空穴。絕緣層可以包括sti。

在示例2中，示例1的主題可以可選地包括在鰭狀物底部部分內(nèi)的阱。

在示例3中，示例1-2的主題可以可選地包括，其中，epi層包括iii-vi族材料。

在示例4中，示例1-3的主題可以可選地包括，其中，epi層被包括在溝道中并耦合到晶體管的源極和漏極。

在示例5中，示例1-4的主題可以可選地包括襯底，襯底包括硅。

在示例6中，示例1-5的主題可以可選地包括，其中鰭狀物結(jié)構(gòu)不與襯底單片集成。

例如，在圖4b中，鰭狀物部分106不與襯底101單片集成。然而，如上面在一些實施例(例如，圖2)中所描述的，線119上方的鰭狀物部分可以與從襯底101朝向線119上延的鰭狀物部分共存。在這種情況下，鰭狀物部分115將不與鰭狀物部分115單片集成，其中已經(jīng)蝕刻掉僅在溝槽104內(nèi)的部分115以待后續(xù)再次填充。

在示例7中，示例1-6的主題可以可選地包括，其中，溝道是應(yīng)變的。

在示例8中，示例1-7的主題可以可選地包括，其中，絕緣層在鰭狀物結(jié)構(gòu)的最底部邊緣的下方延伸。例如，在圖2中，sti102在線119下方并且因此在鰭狀物部分115下方延伸。

在示例9中，示例1-8的主題可以可選地包括，其中，鰭狀物結(jié)構(gòu)在絕緣層的最頂部邊緣的上方延伸。

例如，在圖4a中，鰭狀物105在sti102上方延伸距離114。

在示例10中，示例1-9的主題可以可選地包括，其中，鰭狀物結(jié)構(gòu)包括在鰭狀物頂部部分與鰭狀物底部部分之間的鰭狀物中間部分，鰭狀物中間部分包括摻雜劑的鰭狀物中間部分濃度，其小于鰭狀物底部部分濃度并且大于鰭狀物頂部部分濃度。

例如，在圖4b中，部分107比部分106更輕摻雜，但比部分108更重摻雜。

在示例11中，示例1-10的主題可以可選地包括，其中：鰭狀物底部部分包括第一子部分和在第一子部分下方的第二子部分；第一子部分包括摻雜劑的第一子部分濃度；并且第二子部分包括摻雜劑的第二子部分濃度，其小于第一子部分濃度。

例如，在圖3b中，子部分106'比部分106”更重摻雜。

在示例12中，示例1-11的主題可以可選地包括，其中：epi層被包括在鰭狀物頂部部分和鰭狀物底部部分兩者中；包括在鰭狀物頂部部分中的epi層具有比包括在底部鰭狀物部分中的epi層少的位錯；并且鰭狀物結(jié)構(gòu)被包括在溝槽中，溝槽具有至少2:1的縱橫比(高度：寬度)。

例如，在圖3a中，溝槽104的縱橫比可以是至少2:1，因為距離131比距離132大兩倍。由于art，這可以將epi材料105中的位錯的全部或大多數(shù)保持在溝槽104的下半部133內(nèi)而不是溝槽104的上半部134內(nèi)。

在示例13中，示例1-12的主題可以可選地包括，其中，鰭狀物底部部分包括具有第一能量帶隙的第一材料，并且鰭狀物頂部部分包括具有第二能量帶隙的第二材料，第二能量帶隙低于第一能量帶隙。

例如，在圖3b中，部分106可以具有其帶隙比用于部分107和/或部分108的材料的帶隙高的材料。在實施例中，代替改變溝槽104的兩個層(例如，層106、107)之間的摻雜劑濃度，代替地，材料可以具有相同或類似的摻雜劑濃度，但是具有在較低帶隙材料下方的較高帶隙材料。在一些實施例中，較低層(例如，層106)可以具有比上部部分或?qū)?例如，層107)更多的摻雜和更高的帶隙二者。

在示例14中，示例1-13的主題可以可選地包括，在襯底上的附加鰭狀物結(jié)構(gòu)，附加鰭狀物結(jié)構(gòu)包括附加鰭狀物頂部部分、附加鰭狀物底部部分、包括與多數(shù)載流子相反的附加多數(shù)載流子的附加溝道、以及附加epi層；以及附加絕緣層，其包括鄰近附加鰭狀物頂部部分的附加絕緣層頂部部分和鄰近附加鰭狀物底部部分的附加絕緣層底部部分；其中(a)附加epi層包括iv族材料和iii-v族材料中的至少一種，(b)附加鰭狀物底部部分包括附加摻雜劑的附加鰭狀物底部部分濃度，附加摻雜劑與附加多數(shù)載流子極性相反，(c)附加鰭狀物頂部部分包括附加摻雜劑的附加鰭狀物頂部部分濃度，其小于附加鰭狀物底部部分濃度，(d)附加絕緣層底部部分包括附加摻雜劑的附加絕緣層底部部分濃度，以及(e)附加絕緣層頂部分包括附加絕緣頂層部分濃度，其大于附加絕緣底部部分濃度。

例如，在實施例中，兩個鰭狀物(例如，圖1的鰭狀物103)可以彼此鄰近。然而，鰭狀物可以在不同時間分開地處理。例如，可以如圖2所示去除(全部地或部分地)鰭狀物中的一個，并且然后進行構(gòu)建以創(chuàng)建nmos器件(同時在用于創(chuàng)建nmos器件的工藝的一些工藝或全部工藝期間對另一個鰭狀物進行掩蔽)。然后可以處理另一個鰭狀物以創(chuàng)建pmos器件，同時在pmos器件的處理的一些處理或全部處理期間制成nmos器件。這樣做可以產(chǎn)生cmos系統(tǒng)。

在示例15中，示例1-14的主題可以可選地包括，其中，鰭狀物頂部部分包括在鰭狀物結(jié)構(gòu)的上半部中，鰭狀物底部部分包括在鰭狀物結(jié)構(gòu)的下半部中，絕緣層頂部部分包括在絕緣層的頂半部中，并且絕緣底部部分包括在絕緣層的底半部中。

例如，sti102和溝槽104的頂半部和底半部可以由圖3a的線135限定。

示例16包括一種裝置，該裝置包括：在襯底上的鰭狀物結(jié)構(gòu)，鰭狀物結(jié)構(gòu)包括鰭狀物頂部部分、鰭狀物底部部分、包括多數(shù)載流子的溝道、以及外延(epi)層；以及絕緣層，其包括鄰近并直接接觸鰭狀物頂部部分的絕緣層頂部部分以及鄰近并直接接觸鰭狀物底部部分的絕緣層底部部分；其中(a)epi層包括iv族材料和iii-v族材料中的至少一種，(b)鰭狀物底部部分包括摻雜劑的鰭狀物底部部分濃度，摻雜劑與多數(shù)載流子極性相反，(c)鰭狀物頂部部分包括摻雜劑的鰭狀物頂部部分濃度，其小于鰭狀物底部部分濃度，以及(d)絕緣層頂部部分和絕緣層底部部分每個均包括一般小于1e17/cm^3的摻雜劑。

例如，實施例可以涉及鰭狀物105的原位摻雜，其中在鰭狀物105中有很少的摻雜梯度，并且在周圍的sti102中有很少的摻雜。圖3a描繪了具有這種摻雜布置的結(jié)構(gòu)。

在示例17中，示例16的主題可以可選地包括在鰭狀物底部部分內(nèi)的阱，并且其中，絕緣層頂部部分和絕緣層底部部分每個均在鰭狀物結(jié)構(gòu)的20nm內(nèi)。

因此，絕緣層頂部部分和絕緣層底部部分每個均可以包括一般小于1e17/cm^3的摻雜劑，并且那些部分在芯片上不在除了相對靠近溝槽104的任何地方。這些部分可以包括在源極121與柵極120之間的區(qū)域中，例如，區(qū)域140。這些部分可以包括在漏極122與柵極120之間的區(qū)域中，例如，區(qū)域141。

在示例18中，示例16-17的主題可以可選地包括，其中鰭狀物結(jié)構(gòu)在絕緣層的最頂部邊緣的上方延伸。

示例19包括一種裝置，該裝置包括：在襯底上的鰭狀物結(jié)構(gòu)，鰭狀物結(jié)構(gòu)包括鰭狀物頂部部分、鰭狀物底部部分、包括多數(shù)載流子的溝道、以及外延(epi)層；以及絕緣層，其包括鄰近鰭狀物頂部部分的絕緣層頂部部分和鄰近鰭狀物底部部分的絕緣層底部部分；其中(a)epi層包括iv族材料和iii-v族材料中的至少一種，(b)鰭狀物底部部分包括摻雜劑的鰭狀物底部部分濃度，摻雜劑與多數(shù)載流子極性相反，(c)鰭狀物頂部部分包括摻雜劑的鰭狀物頂部部分濃度，其一般等于鰭狀物底部部分濃度，以及(d)絕緣層頂部部分和絕緣層底部部分每個均包括一般小于1e17/cm^3的摻雜劑。

在示例20中，示例19的主題可以可選地包括在鰭狀物底部部分內(nèi)的阱。

在示例21中，示例19-20的主題可以可選地包括，其中，鰭狀物結(jié)構(gòu)在絕緣層的最頂部邊緣的上方延伸。

實施例包括一種方法，包括：(a)在襯底上形成鰭狀物結(jié)構(gòu)；(b)圍繞鰭狀物形成絕緣層，(c)去除鰭狀物的部分或全部以在絕緣層內(nèi)形成溝槽，(d)使用一個或多個epi層填充溝槽的部分或全部，以及(e)去除sti的一部分以暴露epi層的上部部分。實施例可以在鰭狀物上形成源極、漏極、以及柵極接觸部。實施例可以使用注入和/或原位摻雜以分等級的方式和/或相等的方式對子溝道/子鰭狀物區(qū)域進行摻雜。

實施例包括一種方法，包括：(a)在襯底上形成鰭狀物結(jié)構(gòu)；(b)圍繞鰭狀物形成絕緣層，(c)去除鰭狀物的部分或全部以在絕緣層內(nèi)形成溝槽，(d)使用第一epi層填充溝槽中的一些，(e)摻雜第一epi層，(f)使用第二epi層填充溝槽中的更多的一些，(g)以與鰭狀物的多數(shù)載流子相反的方式比第一epi層更輕地摻雜第二epi層，以及(h)比絕緣層的下面的部分更重地摻雜絕緣層的上面的部分。實施例可以在鰭狀物上形成源極、漏極、以及柵極接觸區(qū)。實施例可以使用注入和/或原位摻雜以分等級方式和/或相等的方式對子溝道/子鰭狀物區(qū)域進行摻雜。

已經(jīng)出于說明和描述的目的呈現(xiàn)了本發(fā)明的實施例的前述描述。這并非旨在窮盡性的，或者將本發(fā)明限于所公開的精確形式。本描述和所附權(quán)利要求包括術(shù)語(例如，左、右、頂部、底部、上方、下方、上部、下部、第一、第二等)，術(shù)語僅用于描述性目的，并且不應(yīng)被解釋為限制性的。例如，指定相對垂直位置的術(shù)語是指襯底或集成電路的器件側(cè)(或有源表面)是該襯底的“頂部”表面的情況；襯底實際上可以以任何方向，以使得襯底的“頂部”側(cè)可以低于標準的地面參考系中的“底部”側(cè)，而仍然落在術(shù)語“頂部”的含義內(nèi)。本文中(包括在權(quán)利要求中)所使用的術(shù)語“在…上”不指示在第二層“上”的第一層直接在第二層上并與第二層直接接觸，除非這是具體說明的；在第一層和第一層上的第二層之間可以存在第三層或其它結(jié)構(gòu)。本文所描述的器件或制品的實施例可以以多個位置和方向制造、使用、或推出。相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員可以認識到，鑒于上述教導(dǎo)，許多修改和變化是可能的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解對于附圖中所示的各種組件的各種等同組合和替代。因此，意圖在于本發(fā)明的范圍不受該具體實施方式的限制，而是由所附的權(quán)利要求進行限制。