本發(fā)明涉及在金屬基體上形成有陶瓷層以及電極圖案的發(fā)光裝置用基板，特別是照明裝置中所使用的、將發(fā)光元件直接搭載于所述電極圖案的發(fā)光裝置用基板的基板構(gòu)造、使用了所述發(fā)光裝置用基板的發(fā)光裝置、照明裝置以及所述發(fā)光裝置用基板的制造方法。

背景技術(shù)：

在絕緣性的基板上形成電極圖案的情況下，例如，對(duì)于印刷基板來(lái)說(shuō)，一般是在將銅箔經(jīng)由粘接層粘貼于基體之后，通過(guò)蝕刻來(lái)形成電極圖案。此外，對(duì)于陶瓷基板來(lái)說(shuō)，一般是在利用導(dǎo)電性糊劑來(lái)印刷了成為電極的基底的導(dǎo)電性圖案之后，通過(guò)電鍍來(lái)形成電極圖案。

進(jìn)而，對(duì)于在鋁基體上形成了耐酸鋁層作為絕緣層的基板來(lái)說(shuō)，例如在專利文獻(xiàn)1、2中公開了如下方法，即：在該基板上，通過(guò)濺射法形成了ni、ti、co、cr等高熔點(diǎn)金屬的薄膜之后，進(jìn)而，通過(guò)濺射法形成銅的薄膜，將該金屬薄膜作為種子金屬，在種子金屬上通過(guò)電鍍來(lái)形成cu的厚膜，由此形成電極圖案。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本國(guó)公開專利公報(bào)“特開2011-96743號(hào)公報(bào)(2011年5月12日公開)”

專利文獻(xiàn)2：日本國(guó)公開專利公報(bào)“特開2013-102046號(hào)公報(bào)(2013年5月23日公開)”

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

另外，對(duì)于在金屬基體上形成陶瓷層以及電極圖案，并將發(fā)光元件直接搭載于電極圖案那樣的照明裝置中所使用的基板來(lái)說(shuō)，從發(fā)光元件經(jīng)過(guò)電極圖案、陶瓷層、金屬基體而到達(dá)散熱片的路徑成為主要的散熱路徑。在這樣的基板中，若以現(xiàn)有的技術(shù)形成電極圖案，則粘接材料或者導(dǎo)電性糊劑的熱傳導(dǎo)率較低的層會(huì)存在于陶瓷層與電極圖案之間。即，形成電極圖案的部分因?yàn)槲挥谥饕纳崧窂讲⒋嬖谟诎l(fā)光元件的附近，所以對(duì)基板熱阻的貢獻(xiàn)率較高，存在基板整體的熱阻增大這樣的課題。結(jié)果，會(huì)產(chǎn)生發(fā)光元件或?yàn)榱藢l(fā)光元件與電極端子進(jìn)行連接而使用的焊料接合部的溫度升高的問(wèn)題。

在將產(chǎn)生這樣的問(wèn)題的基板用于高亮度發(fā)光裝置的情況下，由于燈具的實(shí)際使用環(huán)境下的溫度較高，因此發(fā)光元件附近處的熱傳導(dǎo)率的高低、散熱性的好壞直接影響到發(fā)光裝置的壽命。

此外，在鋁基體上形成耐酸鋁層，并將其作為絕緣層來(lái)使用的情況下，例如若經(jīng)過(guò)超過(guò)200℃的高溫的制造工序，則由于在耐酸鋁層會(huì)產(chǎn)生裂縫，因此絕緣耐壓性下降，變得無(wú)法作為絕緣層而發(fā)揮功能。在廣泛用于倒裝芯片型發(fā)光元件，使用焊料接合部即使成為高溫也很穩(wěn)定的ausn共晶焊料在電極圖案上安裝發(fā)光元件的情況下，需要在回流焊工序中通過(guò)高溫的爐，基板溫度會(huì)超過(guò)300℃。因此，對(duì)于將通過(guò)陽(yáng)極氧化法而得到的耐酸鋁作為絕緣層的基板來(lái)說(shuō)，不適于安裝倒裝芯片型發(fā)光元件。

本來(lái)通過(guò)陽(yáng)極氧化法而得到的耐酸鋁，一般薄為10μm以下，即使較厚也薄為幾十μm以下，難以確保超過(guò)例如4kv那樣的高亮度照明用基板所需要的高電絕緣耐壓性能。

此外，在耐酸鋁上直接用銅形成電極圖案的情況下，銅與耐酸鋁的密合性較低，特別是進(jìn)行封孔處理后的耐酸鋁與銅的密合性較低。由于耐酸鋁無(wú)法直接作為絕緣層而發(fā)揮功能，因此為了作為絕緣層來(lái)使用，封孔處理是不可缺少的，但在這樣的絕緣層上形成的銅的電極圖案必然容易發(fā)生剝離。

由于耐酸鋁本來(lái)是多孔質(zhì)膜，因此若在耐酸鋁層上直接形成電極圖案，則基體的鋁與電極圖案會(huì)發(fā)生電接觸而導(dǎo)通。為了避免這樣的與金屬基體的短路，所述需要在通過(guò)封孔處理將耐酸鋁層的孔進(jìn)行堵塞之后，形成電極圖案。對(duì)于封孔處理后的耐酸鋁來(lái)說(shuō)，堵塞了孔的結(jié)果是平坦性增加，而對(duì)于在其上形成的電極圖案，無(wú)法期待凹凸面所引起的錨固效應(yīng)，容易發(fā)生剝離。

例如，在專利文獻(xiàn)2等中為了確保銅與耐酸鋁的密合性，通過(guò)濺射法插入了ni、ti、co、cr等高熔點(diǎn)金屬的薄膜。這可以認(rèn)為是，通過(guò)濺射而形成的ni、ti、co、cr等的層通過(guò)形成耐酸鋁和金屬化層，并存在于銅與耐酸鋁之間，從而提高了銅與耐酸鋁的密接強(qiáng)度。

可是，濺射是需要真空裝置的工序，對(duì)于生產(chǎn)節(jié)拍較低、高亮度照明用的大型基板的制造而言，成為成本上升的主要原因。例如，對(duì)于需要將5個(gè)或10個(gè)、特別是100個(gè)以上的多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行集成搭載的高亮度照明用基板來(lái)說(shuō)，電極圖案的面積變大，每一塊的基板尺寸較大，由一次的生產(chǎn)節(jié)拍能夠處理的基板的塊數(shù)減少，生產(chǎn)效率低。

進(jìn)而，若對(duì)作為濺射用的原材料的金屬靶的利用效率，進(jìn)而成膜時(shí)實(shí)際作為膜而取入的比例也進(jìn)行了考慮的實(shí)際效果的靶利用效率加以考慮，則使用了濺射的電極形成在高亮度照明用的發(fā)光元件集成型基板、大型基板的制造的情況下成本高，不適于該用途下的商用生產(chǎn)。

本發(fā)明鑒于上述課題而作，其目的在于，提供一種通過(guò)在金屬基體上的電絕緣耐壓性良好的厚膜的陶瓷層上形成厚膜的電極圖案，從而能夠?qū)⒆鳛榘l(fā)光裝置用基板整體的熱阻抑制得較低的發(fā)光裝置用基板。

用于解決課題的手段

為了解決上述課題，本發(fā)明的一方式所涉及的發(fā)光裝置用基板具備：金屬基體、形成在所述金屬基體上的具有高熱傳導(dǎo)性的第1電絕緣層、和形成在所述第1電絕緣層上的電極圖案，所述發(fā)光裝置用基板的特征在于，所述電極圖案具有：形成在所述第1電絕緣層上的由第1金屬層構(gòu)成的基底層、形成在所述基底層上的由第2金屬層構(gòu)成的布線部、和形成在所述布線部之上的電極端子部，所述電極圖案中的未形成所述電極端子部的部分的厚度為至少35μm以上(配合所述第1電絕緣層的熱阻來(lái)設(shè)定)。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的一方式，能夠取得能夠?qū)l(fā)光裝置用基板整體的熱阻抑制得較低這樣的效果。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的發(fā)光裝置的制造工序的圖。

圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的電路基板的制造工序的圖。

圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的電路基板的制造工序的圖。

圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的電路基板的制造工序的圖。

圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的電路基板的制造工序的圖。

圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的電路基板的制造工序的圖。

圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的電路基板的制造工序的圖。

圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的電路基板的制造工序的圖。

圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的電路基板的制造工序的圖。

圖10是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的電路基板的概略構(gòu)成剖面圖。

圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的發(fā)光裝置的概略構(gòu)成剖面圖。

圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式4所涉及的照明裝置的示意結(jié)構(gòu)圖。

圖13是表示構(gòu)成圖12所示的照明裝置的發(fā)光裝置和散熱片的外觀的立體圖。

圖14是表示構(gòu)成圖12所示的照明裝置的發(fā)光裝置的構(gòu)成的俯視圖。

圖15是圖14所示的發(fā)光裝置的概略剖面圖。

圖16是熱阻計(jì)算用的第1示意圖。

圖17是熱阻計(jì)算用的第2示意圖。

圖18是表示布線圖案的厚度與熱阻的關(guān)系的曲線圖。

圖19是表示布線圖案的厚度與溫度的關(guān)系的曲線圖。

具體實(shí)施方式

〔實(shí)施方式1〕

以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)進(jìn)行說(shuō)明。

圖1～圖5是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置301的制造工序的圖。

如圖5(b)所示，本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置為如下結(jié)構(gòu)：包含發(fā)光元件12，發(fā)光元件12與在層疊有由鋁構(gòu)成的金屬基體1和由氧化鋁構(gòu)成的陶瓷層(第1電絕緣層)2的電路基板(發(fā)光裝置用基板)320中形成在陶瓷層2上的電極圖案的電極端子部10連接。上述電極圖案為如下結(jié)構(gòu)：包含在陶瓷層2上形成的比較薄的第1金屬層5(基底層)、在第1金屬層5上形成的比該第1金屬層5厚的第2金屬層7、和在第2金屬層7上形成的銀層8，并在銀層8上形成有電極端子部10。在此，布線部為如下的多層結(jié)構(gòu)：第2金屬層7由銅層構(gòu)成，在該銅層上層疊有銀層8。

特別地，電極圖案中的未形成電極端子部10的部分的厚度，即，將第1金屬層5和第2金屬層7加在一起的厚度，根據(jù)陶瓷層2的熱阻來(lái)設(shè)定。關(guān)于這一點(diǎn)的詳細(xì)內(nèi)容在后面敘述。

以下，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置的制造進(jìn)行說(shuō)明。

<電極形成方法1>

(使用了金屬基體的絕緣基板的基底準(zhǔn)備)

首先，如圖1(a)所示，準(zhǔn)備金屬基體1。接下來(lái)，在金屬基體1上，如圖1(b)所示，形成陶瓷層2。

作為金屬基體1，尤其優(yōu)選鋁、銅等熱傳導(dǎo)率高且散熱性優(yōu)異的金屬。此外，作為金屬基體1，也可以是不銹鋼基體或者由包含鐵作為材料的金屬構(gòu)成的基體。在該情況下，由于機(jī)械強(qiáng)度較強(qiáng)，所以能夠減薄基體，作為結(jié)果能夠確保高散熱性。因此仍然優(yōu)選采用高散熱基體。在此，使用了輕量且加工性優(yōu)異的鋁。

作為陶瓷層2，只要是散熱性和電絕緣性、耐熱性優(yōu)異的任意的無(wú)機(jī)固形物即可，但廣泛使用的氧化鋁對(duì)于材質(zhì)的可靠性較高，并且量產(chǎn)性優(yōu)異，故而最優(yōu)選。由200μm-300μm的厚度能夠?qū)崿F(xiàn)大約4.5kv以上的絕緣耐壓性。

通常，對(duì)鋁基板進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理而形成的耐酸鋁的厚度為10μm，即使較厚也為50μm，所以即便是在實(shí)施了封孔處理之后，也難以實(shí)現(xiàn)超過(guò)1kv的絕緣耐壓性。此外，在通過(guò)即使在高溫下可靠性也較高的ausn共晶焊料將發(fā)光元件與基板端子進(jìn)行接合的情況下，需要進(jìn)行基板溫度超過(guò)300℃的高溫?zé)崽幚恚谶@樣的高溫處理中在所述耐酸鋁層會(huì)產(chǎn)生裂紋，絕緣耐壓性會(huì)顯著下降。

因此，在本發(fā)明中，使用絕緣耐壓性優(yōu)異的厚膜的陶瓷層而并非使用具有上述缺點(diǎn)的陽(yáng)極氧化法而形成的耐酸鋁層。作為該厚膜陶瓷層的形成方法，例如像熱噴涂、ad法(氣溶膠沉積法)等那樣，以高速將陶瓷粒子朝向基體進(jìn)行噴射而使其堆積的方法能夠高效地形成陶瓷層，故而優(yōu)選。在ad法中由于使用壓力差來(lái)使陶瓷粒子加速，因而需要真空裝置，但因?yàn)槟康氖翘沾晌⒘Ｗ拥募铀伲⒎窍駷R射那樣，要求真空的質(zhì)，所以只要進(jìn)行加速所需的最低限度的減壓便足夠。據(jù)此，與在電極形成等時(shí)所使用的濺射法中的真空裝置不同，在ad法中使用的真空裝置不會(huì)限制生產(chǎn)性。

在這樣形成陶瓷層時(shí)，為了提高金屬基體與陶瓷層的密合性，優(yōu)選對(duì)基體表面預(yù)先進(jìn)行噴砂處理，進(jìn)而，優(yōu)選為了減小金屬基體與陶瓷層的線膨脹率差而插入緩沖層。在作為金屬基體而使用鋁、作為陶瓷層而使用氧化鋁的情況下，使用鎳與鋁的合金作為緩沖層為宜。

作為形成陶瓷層的其他方法，也可以將以樹脂為粘結(jié)劑包含陶瓷粒子的涂料涂敷于金屬基體之后，進(jìn)行燒成而形成陶瓷粒子與樹脂的混合層，或者，對(duì)將玻璃原料和陶瓷粒子混合而成的涂料進(jìn)行涂敷后進(jìn)行燒結(jié)而形成陶瓷粒子與玻璃的混合層。

接下來(lái)，如圖1(c)所示，在金屬基體1的與陶瓷層2相反側(cè)形成保護(hù)層3d。作為保護(hù)層3，也可以粘貼保護(hù)片，但在使用鋁作為金屬基體1的情況下，通過(guò)陽(yáng)極氧化處理來(lái)形成耐酸鋁層很簡(jiǎn)便，在制造工序結(jié)束后也能夠維持原樣作為穩(wěn)定的保護(hù)膜來(lái)使用。耐酸鋁層若通過(guò)熱水等來(lái)進(jìn)行封孔處理，則從在層上產(chǎn)生的表面到達(dá)金屬基體1的貫通孔關(guān)閉，成為更加穩(wěn)定的保護(hù)層。

通過(guò)以上過(guò)程，從而使用了鋁作為金屬基體1的絕緣基板的基底準(zhǔn)備完成。

(電極形成：第1方法)

在此，對(duì)在通過(guò)上述過(guò)程而準(zhǔn)備好的絕緣基板的基底上形成電極層的方法進(jìn)行說(shuō)明。

首先，如圖2(b)所示，在陶瓷層2上形成厚度較薄的第1金屬層5。由于陶瓷層2由電絕緣性物質(zhì)形成，所以不能通過(guò)電鍍法直接在陶瓷層2上形成電導(dǎo)電層。因此，如圖2(a)所示，預(yù)先由催化劑層4對(duì)陶瓷層2表面進(jìn)行包覆。例如能夠?qū)ψ鳛榇呋瘎?而由鈀催化劑包覆的陶瓷層2，通過(guò)無(wú)電解鍍覆法而置換為銅較薄的無(wú)電解鍍覆層，這樣，在陶瓷層2上形成第1金屬層5作為電導(dǎo)電層。該第1金屬層5的厚度通常只要是1μm以下即可，但也可以是0.1μm以下的極薄的層。這樣準(zhǔn)備的厚度較薄的第1金屬層5由催化劑中使用的鈀的一部分摻入到銅中的銅與鈀的合金構(gòu)成。能夠在該第1金屬層5上使用電鍍法將金屬堆積得較厚。

在此，在通過(guò)熱噴涂而形成的陶瓷層2的表面，存在具有例如5μm～20μm程度的深度的凹凸形狀、更微細(xì)的氣孔等，對(duì)于第1金屬層5獲得錨固效應(yīng)，上述2個(gè)層(陶瓷層2和第1金屬層5)實(shí)現(xiàn)良好的密合性。

此外，在通過(guò)ad法形成的陶瓷層2的情況下，相比于通過(guò)熱噴涂形成來(lái)說(shuō)，會(huì)成為致密且平坦性良好的陶瓷層。因此，出于改善陶瓷層2與第1金屬層5的密合性的目的，也可以在通過(guò)對(duì)陶瓷層2的表面輕微進(jìn)行噴砂處理從而在表面有意地形成了凹凸形狀之后，形成第1金屬層5。出于提高絕緣耐壓性的目的，本實(shí)施方式中的陶瓷層2的膜厚為200-300μm，采用了厚膜。因此，即使對(duì)陶瓷層2的表面輕微進(jìn)行了噴砂處理，也不會(huì)產(chǎn)生陶瓷層2因沖擊而發(fā)生剝離或者示出實(shí)際使用上成為問(wèn)題的絕緣耐壓性能的下降那樣的不良狀況。

像這樣，即使在本發(fā)明中的陶瓷層2上使用鈀催化劑作為催化劑層4來(lái)通過(guò)無(wú)電解鍍覆直接形成銅的第1金屬層5，并將該厚度較薄的第1金屬層5作為種子金屬而形成厚度較厚的第2金屬層7(圖3)，也能夠在陶瓷層2與第1金屬層5之間確保充分的密合性。

然而，這并不妨礙為了提高陶瓷層2與第1金屬層5的密合性而使用ni、ti、co、cr等高熔點(diǎn)金屬作為由第1金屬層5構(gòu)成的種子金屬的一部分。例如，也可以在使用催化劑形成了鎳的薄層之后，仍然使用催化劑來(lái)形成銅的薄層，作為第1金屬層5。

但是，與用氯化鐵能夠容易去除的銅不同，為了去除ni、ti、co、cr等，需要使用氫氟酸或有氧化作用的稀硝酸這樣的強(qiáng)酸。因此，作為第1金屬層5，若除了銅以外還使用ni、ti、co、cr這樣的金屬，則在蝕刻處理中會(huì)增加額外的制造工序，還另外需要用于使用氫氟酸等的防爆設(shè)備。

相對(duì)于此，在陶瓷層2上使用鈀催化劑作為催化劑層4來(lái)通過(guò)無(wú)電解鍍覆直接形成銅的第1金屬層5，并將該厚度較薄的第1金屬層5作為種子金屬而形成厚度較厚的第2金屬層7(圖3)的情況下，由第1金屬層5構(gòu)成的種子金屬能夠通過(guò)使用氯化鐵而容易地電切斷，能夠完成而作為電極圖案。除此以外，也充分地取得了電極圖案與陶瓷層2的密合性。因此第1金屬層5優(yōu)選只使用銅。

為了最終去除鈀催化劑的殘留物，只要浸漬于氰系化合物，例如氰化鉀水溶液中即可。氰系化合物也是劇藥，但在鍍覆處理工序內(nèi)能夠作為常用物質(zhì)來(lái)使用。

為了在這樣準(zhǔn)備的第1金屬層5上形成電極圖案，期望反復(fù)進(jìn)行具有與所需的電極圖案相應(yīng)的開口部的掩模形成和電鍍處理(圖2(c)-圖4(c))。

本實(shí)施方式中的包含端子部分在內(nèi)的電極圖案的最大厚度超過(guò)50μm～100μm。與通常的電極圖案小于10μm的情況對(duì)比可知，這是非常厚的。這樣將電極圖案設(shè)得較厚是因?yàn)?，在金屬基體上形成陶瓷層并賦予了絕緣耐壓性的基板中，在電極圖案上搭載倒裝芯片型發(fā)光元件的情況下，通過(guò)使電極圖案的厚度較厚，使電極面積取得較大，從而能夠降低基板的熱阻。這是發(fā)光元件處的發(fā)熱沿基板垂直方向通過(guò)電極圖案的期間向水平方向也進(jìn)行擴(kuò)散，在到達(dá)熱傳導(dǎo)率比電極圖案低的陶瓷層之前在水平方向上充分傳開而得到的效果。

在這樣形成厚膜的電極的情況下，若通過(guò)本實(shí)施方式中公開的下述方法來(lái)形成電極圖案，則只要使電極形成所需的最小限量的金屬進(jìn)行堆積即可，能夠高效地利用電極材料，可以減少損耗。

對(duì)于在掩模形成中所使用的掩模而言，使用電絕緣性的掩模。可以使用光致抗蝕劑來(lái)形成光掩模，也可以使用絕緣性的粘合片(干膜)來(lái)形成掩模。

如圖2(c)所示，若形成第1掩模6使得與在陶瓷層2上形成的第1金屬層5接觸，則能夠?qū)⒌?金屬層5作為電極進(jìn)行電鍍處理，因此能夠在第1金屬層5上從鍍覆液中析出金屬。結(jié)果，如圖3(a)所示，形成厚度較厚的第2金屬層7。此時(shí)，優(yōu)選使電傳導(dǎo)性、熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的金屬析出，例如銅等。為了抑制由銅構(gòu)成的電極圖案處的光的吸收并提高反射率，也可以蓋在較厚的電極層上通過(guò)電鍍等來(lái)形成銀層8(圖3(b))。

進(jìn)而，在出于搭載發(fā)光元件或者與外部電源等進(jìn)行連接的目的而形成電極端子的情況下，也可以如圖3(c)所示，使用第2掩模9，如圖4(a)所示，形成電極端子部10。在電極端子部10，只要使用像銅那樣電傳導(dǎo)性、熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的金屬即可。電極端子部10表面可以依然使用銅，但也可以利用au等其他金屬來(lái)進(jìn)行保護(hù)。為了用ni/pd/au包覆電極端子部，既可以在電極端子部10的形成之后接著進(jìn)行鍍覆處理，此外，也可以在后述的圖5(a)所示的光反射層11形成后進(jìn)行所述鍍覆處理。

在此，由于金屬基體1被保護(hù)層3、掩模等覆蓋，因此在進(jìn)行鍍覆處理的情況下，不用擔(dān)心該金屬基體1被鍍覆液侵蝕。特別是，通過(guò)被基于耐酸鋁的保護(hù)層3進(jìn)行了覆蓋從而穩(wěn)定地受到保護(hù)。

在形成電極端子部10后，去除第1掩模6和第2掩模9，如圖4(b)所示，使導(dǎo)電層(第1金屬層5)露出之后，通過(guò)蝕刻來(lái)去除所露出的第1金屬層5而使金屬層彼此分離，如圖4(c)所示，形成電極圖案。因?yàn)榈?金屬層5的厚度非常薄，為1μm以下，所以能夠利用蝕刻液來(lái)容易地去除。在本實(shí)施方式中作為第1金屬層5的材料而使用了銅，所以能夠利用氯化鐵(iii)(別名：三氯化鐵)水溶液來(lái)容易地去除。另外，為了去除鈀催化劑的殘留物，只要浸漬于氰系化合物，例如氰化鉀水溶液中即可。氰系化合物也是劇藥，但在鍍覆處理工序內(nèi)其是經(jīng)常使用到的物質(zhì)。另外不使用氰系化合物的由非氰系化合物構(gòu)成的鈀催化劑的殘留物去除劑在市場(chǎng)上也有售，也可以使用這種去除劑。

在本實(shí)施方式中，為了確保陶瓷層2與銅的粘接性，無(wú)需插入ni、ti、co、cr等高熔點(diǎn)金屬的薄膜，因此無(wú)需像專利文獻(xiàn)1(jp特開2013-102046號(hào)公報(bào))那樣為了去除由ni、ti、co、cr構(gòu)成的種子金屬來(lái)形成電極圖案而使用作為劇藥的氫氟酸。

之所以能夠?qū)崿F(xiàn)這一點(diǎn)，是因?yàn)橥ㄟ^(guò)熱噴涂或ad法這種以高速朝向金屬基體1噴射陶瓷粒子并使其堆積的方法而形成的陶瓷層的表面適度地進(jìn)行了粗糙化，所以即使其間不存在ni、ti、co、cr等金屬層而直接將銅形成為第1金屬層5，也能夠充分地確保陶瓷層2與第1金屬層5的密合性。作為結(jié)果，無(wú)需再為了形成電極圖案而使用ni、ti、co、cr那樣的金屬作為基底金屬，也無(wú)需再使用作為去除這些金屬所不可缺少的劇藥的氫氟酸。

另外，在通過(guò)熱噴涂、ad法而形成的陶瓷層中，在其原有狀態(tài)下，存在微細(xì)的氣孔。在制造工序中使用氫氟酸的情況下，從微細(xì)的氣孔浸入的氫氟酸到達(dá)金屬基體1，侵蝕金屬基體1與陶瓷層2的接合面，使陶瓷層發(fā)生剝離。因此，必須避免在第1金屬層5的蝕刻工序中使用氫氟酸的情況、以及原本將ni、ti、co、cr那樣的金屬用于第1金屬層5的情況。

即使在使硅酮系的樹脂、水玻璃或者溶膠凝膠玻璃等滲透到陶瓷層2中之后使其固化，將陶瓷層2中存在的微細(xì)的氣孔堵塞，也因?yàn)闊o(wú)論在哪種材料中均是由(-o-si-o-)表示的結(jié)構(gòu)成為主要的結(jié)構(gòu)，所以仍然會(huì)被氫氟酸侵蝕。

這樣，像本實(shí)施方式這樣，通過(guò)使用以熱噴涂或ad法這種以高速朝向基體噴射陶瓷粒子并使其堆積的方法而形成的陶瓷層2，從而使得即使其間不存在ni、ti、co、cr那樣的金屬，也能夠通過(guò)由銅構(gòu)成的厚度較薄的第1金屬層5在陶瓷層2上形成電極圖案，這是很重要的。

在電極圖案的完成后，使電極端子部10露出并由光反射層11包覆電極圖案。光反射層11使用包含光反射性材料的樹脂、玻璃。作為光反射性材料，大多使用高反射率陶瓷等白色材料。作為典型的制造例，將氧化鈦或氧化鋁、二氧化硅等陶瓷混合到樹脂中的涂料、將氧化鋯與玻璃原料混合而成的涂料等印刷在電極圖案上。只要使用絲網(wǎng)印刷，便能夠使電極端子部10露出來(lái)進(jìn)行印刷。然后通過(guò)干燥、燒成等來(lái)進(jìn)行固化，由此能夠形成光反射層11。

在使用噴涂以上述涂料對(duì)電極圖案整體進(jìn)行了涂敷的情況下，因?yàn)殡姌O端子部10也被涂料覆蓋，所以需要在使所述涂料固化后，通過(guò)研磨等來(lái)使電極端子部10露出。

作為用于光反射層11的材料，除了使用包含光反射性材料的樹脂、玻璃的上述方法以外，例如，還存在直接使用陶瓷粒子等光反射性材料的情況。為了使用這樣的材料形成光反射層11，例如，存在朝向電極圖案以高速噴射陶瓷粒子并使其堆積的方法等。作為這樣的方法的代表例，可以列舉熱噴涂、ad法(氣溶膠沉積法)等，按照生成高速粒子流的方法等進(jìn)一步加以分類。在這樣的方法中，由于在剛使由陶瓷構(gòu)成的光反射層進(jìn)行堆積之后由光反射層覆蓋至電極端子部10，因此仍然需要通過(guò)研磨等來(lái)使電極端子部10露出。

這樣，能夠準(zhǔn)備圖5(a)所示的電路基板(高亮度發(fā)光裝置用基板)320。進(jìn)而，在圖5(a)所示的電路基板320上搭載發(fā)光元件12，從而完成為圖5(b)所示那樣的發(fā)光裝置。在此情況下，只要使用焊料將發(fā)光元件12連接于電極端子部10即可。作為所使用的焊料，只要根據(jù)發(fā)光裝置的使用環(huán)境、使用條件來(lái)適當(dāng)?shù)剡x擇ausn的共晶焊料、sn-ag-cu系的焊料等即可。

另外，本發(fā)明中反復(fù)提及的陶瓷，并不限定于金屬氧化物，是氮化鋁、氮化硅、碳化硅等也包含在內(nèi)的廣義的陶瓷，即，包含所有無(wú)機(jī)固體材料。也可以是這些無(wú)機(jī)固體材料當(dāng)中考慮了耐熱性、熱傳導(dǎo)性、絕緣耐壓性或者光反射性等特性的基礎(chǔ)上適于其使用目的的任意的物質(zhì)。

(變形例1)

作為本實(shí)施方式的變形例1，對(duì)形成厚度較薄的第1金屬層5的其他方法(熱噴涂、ad法)進(jìn)行說(shuō)明。

在上述實(shí)施方式1中，作為在陶瓷層2上形成第1金屬層5的方法，對(duì)在由催化劑包覆的陶瓷層表面通過(guò)無(wú)電解鍍覆法來(lái)形成銅的薄鍍覆層的方法進(jìn)行了說(shuō)明，但在陶瓷層2上形成第1金屬層5作為電導(dǎo)電層的方法并不限定于此。

作為其他方法，也可以是以高速噴射并堆積金屬粒子的方法。作為這樣的方法的代表例，可以列舉熱噴涂、ad法(氣溶膠沉積法)等。在ad法中，能夠使第1金屬層5的厚度成為1μm以下的厚度。相對(duì)于此，在熱噴涂中比該厚度厚而成為20-30μm程度。能夠在由這樣準(zhǔn)備的第1金屬層5構(gòu)成的種子金屬上使用電鍍法將金屬堆積得較厚。在這之后，按照已經(jīng)在上述實(shí)施方式1中說(shuō)明的過(guò)程形成電極圖案即可。

〔實(shí)施方式2〕

對(duì)本發(fā)明的其他實(shí)施方式說(shuō)明如下。另外，為了便于說(shuō)明，對(duì)與上述實(shí)施方式中已經(jīng)說(shuō)明過(guò)的構(gòu)件具有相同功能的構(gòu)件，賦予相同符號(hào)并省略其說(shuō)明。

圖6～圖10是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置的制造工序的圖。

本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置是與上述實(shí)施方式1的圖5(b)所示的發(fā)光裝置大致相同的構(gòu)成，但如圖10所示，在電極端子部10與第2金屬層7一體地形成這一點(diǎn)上不同。即，在圖10所示的發(fā)光裝置中，電極端子部10和第2金屬層7一體地形成，相對(duì)于此，在上述實(shí)施方式1的發(fā)光裝置中，如圖5(b)所示，在電極端子部10與第2金屬層7之間形成有銀層8。

以下，對(duì)本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置的制造進(jìn)行說(shuō)明。

<電極形成方法2>

(使用了金屬基體的絕緣基板的基底準(zhǔn)備)

在本實(shí)施方式中，對(duì)使用了鋁作為金屬基體1的絕緣基板的基底進(jìn)行準(zhǔn)備的方法沿用上述實(shí)施方式1中圖1(a)至圖1(c)所示的方法，在此省略說(shuō)明。本實(shí)施方式對(duì)應(yīng)的圖6(a)～圖6(c)示出了與上述實(shí)施方式1對(duì)應(yīng)的圖1(a)～圖1(c)同樣的圖。

(電極形成：第2方法)

在此，對(duì)在通過(guò)上述過(guò)程而準(zhǔn)備好的絕緣基板的基底上形成電極層的方法進(jìn)行說(shuō)明。

首先，如圖7(b)所示，在陶瓷層2上形成厚度較薄的第1金屬層5。至此為止的處理沿用上述實(shí)施方式1的圖2(b)為止的處理。與上述實(shí)施方式1同樣地，第1金屬層5的形成方法既可以是使用了催化劑的無(wú)電解鍍覆法，也可以是變形例1所示的方法，即，熱噴涂、ad法等其他方法。能夠在這樣準(zhǔn)備的第1金屬層5上使用電鍍法將金屬堆積得較厚。即，將第1金屬層5作為電極，在該第1金屬層5上從鍍覆液析出金屬，如圖7(c)所示那樣，在第1金屬層5上一面形成厚度較厚的第2金屬層7。

通過(guò)由這樣準(zhǔn)備的第1金屬層5和第2金屬層7構(gòu)成的金屬層，使用蝕刻來(lái)形成電極圖案。此時(shí)，期望通過(guò)反復(fù)進(jìn)行具有與所需的電極圖案相應(yīng)的開口部的掩模形成和蝕刻，來(lái)形成電極圖案(圖8(a)一圖9(b))。

既可以使用光致抗蝕劑來(lái)形成光掩模，也可以使用絕緣性的粘合片來(lái)形成掩模。

如圖8(a)所示那樣，形成第1掩模6a使得與第2金屬層7接觸，并進(jìn)行蝕刻處理。保留最終作為電極端子部以及電極圖案來(lái)利用的部分，通過(guò)蝕刻將較厚的金屬層7雕刻至中途為止(圖8(b))。

去除第1掩模6a后，如圖8(c)所示，在殘留的較厚的第2金屬層7上形成了第2掩模9a之后，進(jìn)一步地，按照第2金屬層7、第1金屬層5的順序依次進(jìn)行雕刻，并進(jìn)行蝕刻直到到達(dá)陶瓷層2為止(圖9(a))，從金屬層(第1金屬層5、第2金屬層7)雕刻出電極圖案13(圖9(b))。

若第1金屬層5以及第2金屬層7全都由銅形成，則能夠與實(shí)施方式1同樣地使用氯化鐵(iii)(別名：三氯化鐵)水溶液，從金屬層形成電極圖案13。在本實(shí)施方式2中也基于與上述實(shí)施方式1同樣的理由，在厚度較薄的第1金屬層5可以不使用ni、ti、co、cr等，所以出于同樣的理由，不必使用氫氟酸作為蝕刻液。因此，也不會(huì)產(chǎn)生由于受到氫氟酸侵蝕而導(dǎo)致陶瓷層2從金屬基體1剝離的問(wèn)題。

另外，在第1金屬層5的形成中使用鈀催化劑的情況下，為了去除鈀催化劑的殘留物，只要使用市售的鈀催化劑殘留物去除劑即可。作為代表性的上述去除劑，可以列舉氰系化合物，例如氰化鉀水溶液。由非氰系化合物構(gòu)成的鈀催化劑的殘留物去除劑在市場(chǎng)上也有售，也可以使用這種去除劑來(lái)去除。氰系化合物雖是劇藥，但因?yàn)槭清兏蔡幚碇谐Ｓ玫奈镔|(zhì)，所以只要在通常的鍍覆處理設(shè)施內(nèi)便能夠比較容易地使用。

電極圖案13完成后，如圖9(c)所示，使電極端子部10露出并由光反射層11包覆電極圖案13。

關(guān)于用于光反射層11的光反射性材料、形成方法，只要沿用上述實(shí)施方式1的電極形成方法1中所記載的方法即可，在此為了避免重復(fù)而省略說(shuō)明。無(wú)論是在選擇了哪一種形成方法的情況下，都需要從光反射層11使電極端子部10露出。在電極端子部10，只要使用像銅那樣電傳導(dǎo)性、熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的金屬即可。電極端子部10表面可以依然使用銅，但也可以利用au等其他金屬來(lái)進(jìn)行保護(hù)，例如，也可以接著光反射層11的形成對(duì)電極端子部10的表面實(shí)施鍍覆處理，用ni/pd/au來(lái)包覆電極端子部10。

在此，由于金屬基體1被保護(hù)層3、光反射層11覆蓋，因此在進(jìn)行鍍覆處理的情況下，不用擔(dān)心該金屬基體1被鍍覆液侵蝕。特別是，通過(guò)被基于耐酸鋁的保護(hù)層3進(jìn)行了覆蓋從而能夠穩(wěn)定地保護(hù)其不受鍍覆液影響。

這樣，能夠準(zhǔn)備圖9(c)所示的電路基板(高亮度發(fā)光裝置用基板)320a。進(jìn)而，在圖9(c)所示的電路基板320a搭載發(fā)光元件12，從而完成為圖10所示那樣的發(fā)光裝置。在此情況下，只要使用焊料將發(fā)光元件12連接于電極端子部10即可。與上述實(shí)施方式1的電極形成方法1同樣，作為所使用的焊料，只要根據(jù)發(fā)光裝置的使用環(huán)境、使用條件來(lái)適當(dāng)?shù)剡x擇ausn的共晶焊料、sn-ag-cu系的焊料等即可。

〔實(shí)施方式3〕

對(duì)本發(fā)明的其他實(shí)施方式說(shuō)明如下。另外，為了便于說(shuō)明，對(duì)于上述各實(shí)施方式中已經(jīng)說(shuō)明過(guò)的構(gòu)件具有相同功能的構(gòu)件，賦予相同符號(hào)并省略其說(shuō)明。

圖11是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置的概略構(gòu)成的圖。本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置具備與上述的實(shí)施方式1、2的電路基板不同結(jié)構(gòu)的電路基板320b。

在本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置中，為了使發(fā)光元件12穩(wěn)定地搭載于電極端子部10，并作為發(fā)光裝置而實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命，需要在電極端子部10表面得到良好的平坦性。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，如圖11所示，在電路基板320b中，優(yōu)選在陶瓷層2與厚度較薄的第1金屬層5之間存在平坦化層15。在此，構(gòu)成電路基板320b的金屬基體1的厚度設(shè)為3mm，陶瓷層2設(shè)為300μm。

通過(guò)這樣，從而利用電鍍形成了厚度較厚的第2金屬層7的情況下的表面也能夠保持為平坦。因此，能夠無(wú)需為了使電極端子部10平坦而另外進(jìn)行研磨等作業(yè)，也能夠減輕電極材料的損耗。

作為平坦化層15，可以是使用樹脂、溶膠凝膠反應(yīng)形成玻璃質(zhì)的物質(zhì)，但這些物質(zhì)的熱傳導(dǎo)率小，存在由于利用這些物質(zhì)來(lái)形成平坦化層從而基板的熱阻升高的情況。作為避免該情況的措施，期望將適當(dāng)尺寸的陶瓷粒子混合到形成平坦化層的物質(zhì)中，提高熱傳導(dǎo)率來(lái)進(jìn)行使用。

這樣的平坦化層15特別有效的是通過(guò)熱噴涂來(lái)形成了陶瓷層2的情況。熱噴涂所使用的陶瓷粒子的粒徑在使用氧化鋁的情況下，通常較大為10μm～40μm，在陶瓷層2的表面形成的凹凸也成為該程度的相當(dāng)大的凹凸。在此狀態(tài)下通過(guò)無(wú)電解鍍覆來(lái)堆積厚度較薄的第1金屬層5，并通過(guò)電鍍來(lái)堆積厚度較厚的第2金屬層7，即使將金屬層的合計(jì)的厚度設(shè)為100μm以上，金屬層的表面也不會(huì)被平坦化，仍會(huì)受到在陶瓷層2的表面形成的凹凸的影響。

為了對(duì)造成這樣的不良影響的陶瓷層2的凹凸表面進(jìn)行填埋來(lái)使其成為平坦化層，例如只要將以10μm以下的粒徑篩選出的無(wú)機(jī)材料，例如，二氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦等所代表的陶瓷，混合到前面說(shuō)明的使用樹脂、溶膠凝膠反應(yīng)形成玻璃質(zhì)的物質(zhì)中之后，涂敷于陶瓷層2，并進(jìn)行干燥、固化、燒成等即可。

或者，因?yàn)榕c熱噴涂相比，ad法(氣溶膠沉積法)中使用的陶瓷粒子的代表性粒徑的尺寸較小為2μm以下，而且，該粒子被噴射到基板，粉碎并層疊，所以對(duì)通過(guò)ad法而形成的陶瓷層2進(jìn)行構(gòu)成的陶瓷粒子的粒徑的代表性尺寸也更小為100nm程度。因此，例如，也可以在形成了由氧化鋁構(gòu)成的陶瓷層2之后，通過(guò)ad法來(lái)形成以氧化鋁為代表的陶瓷的堆積層，作為平坦化層15來(lái)使用。

若利用平坦化層15使陶瓷層2完全地平坦化，則存在產(chǎn)生第1金屬層5的密合性下降的不良狀況的情況。在產(chǎn)生這樣的不良狀況的情況下，也可以再次對(duì)平坦化層15的表面輕微進(jìn)行噴砂處理，使其輕度地粗糙化。

通過(guò)使用精細(xì)的磨粒來(lái)進(jìn)行噴砂處理，從而會(huì)在平坦化層15的表面形成例如5μm以下，較為理想是2μm以下的較小的凹凸形狀。在上述實(shí)施方式1中，在通過(guò)熱噴涂而形成的陶瓷層2的表面，存在具有例如5-20μm程度的深度的較大的凹凸形狀，但在利用平坦化層15將上述凹凸暫且進(jìn)行了填埋之后，像這樣使用精細(xì)的磨粒來(lái)進(jìn)行了噴砂處理的情況下，對(duì)于陶瓷層2的原始表面，上述平坦化層15實(shí)質(zhì)上作為平坦面而發(fā)揮功能。這是因?yàn)椋瑢?shí)質(zhì)上消除起初在陶瓷層2的表面存在的超過(guò)例如5μm那樣較大的凹凸結(jié)構(gòu)，在大致整個(gè)面置換為5μm以下，較為理想是2μm以下的較小的凹凸形狀的表面的緣故。

這樣得到的平坦化層15由于在表面存在較小的凹凸，因此能夠?qū)Φ?金屬層5產(chǎn)生錨固效應(yīng)，從而獲得充分的密合性。在此基礎(chǔ)上，在所述第1金屬層5上通過(guò)電鍍來(lái)形成第2金屬層7的情況下，第1金屬層5實(shí)質(zhì)上作為平坦化層而發(fā)揮功能。這是因?yàn)?，通過(guò)夾設(shè)所述平坦化層15，從而能夠消除在陶瓷層2的表面看到的超過(guò)例如5μm那樣較大的凹凸，將凹凸控制為5μm以下，較為理想是2μm以下，因此能夠使形成了第2金屬層7的情況下的表面成為平坦面。

據(jù)此，能夠無(wú)需為了使電極端子部10平坦而另外進(jìn)行研磨等作業(yè)，也能夠減輕電極材料的損耗。

〔實(shí)施方式4〕

對(duì)本發(fā)明的其他實(shí)施方式說(shuō)明如下。另外，為了便于說(shuō)明，對(duì)與上述各實(shí)施方式中已經(jīng)說(shuō)明過(guò)的構(gòu)件具有相同功能的構(gòu)件，賦予相同符號(hào)并省略其說(shuō)明。

在本實(shí)施方式中，對(duì)在上述實(shí)施方式1～3中已經(jīng)說(shuō)明的電路基板上，搭載發(fā)光元件而形成發(fā)光裝置，進(jìn)而，具備該發(fā)光裝置的照明裝置進(jìn)行說(shuō)明。

(照明裝置101的構(gòu)成)

圖12(a)是表示實(shí)施方式4所涉及的照明裝置101的外觀的立體圖，圖12(b)是照明裝置101的剖面圖。照明裝置101具備：發(fā)光裝置301、用于對(duì)從發(fā)光裝置301產(chǎn)生的熱進(jìn)行散熱的散熱片102、和對(duì)從發(fā)光裝置301射出的光進(jìn)行反射的反射器103。關(guān)于發(fā)光裝置301的構(gòu)成，由于是與上述實(shí)施方式1～3中已經(jīng)說(shuō)明的發(fā)光裝置相同的構(gòu)成，故而省略詳細(xì)內(nèi)容。

圖13是表示發(fā)光裝置301和散熱片102的外觀的立體圖。發(fā)光裝置301也可以安裝于散熱片102來(lái)使用。

如圖14以及圖15所圖示的那樣，發(fā)光裝置301具備電路基板320c和發(fā)光元件304。電路基板320c具備：金屬基體302、中間層(第1電絕緣層)311(圖15中圖示)、電極圖案(布線圖案)303、和反射層(第2電絕緣層)312(圖15中圖示)。

在此，電路基板320c以通過(guò)上述實(shí)施方式1～3中記載的方法而準(zhǔn)備的電路基板為代表來(lái)進(jìn)行例示，發(fā)光裝置301以在上述實(shí)施方式1～3中公開的電路基板上搭載了發(fā)光元件304的情況為代表來(lái)進(jìn)行了例示。因此，構(gòu)成電路基板320c的中間層311與上述實(shí)施方式1～3的陶瓷層2相當(dāng)，電極圖案303與上述實(shí)施方式1～3的電極圖案相當(dāng)。即，電極圖案303通過(guò)蝕刻等將層疊在中間層311上的厚度較薄的第1金屬層5和厚度較厚的第2金屬層7形成為規(guī)定圖案。

發(fā)光元件304與電極圖案303電連接，在圖14中，圖示了配置為3行3列的9個(gè)發(fā)光元件(led芯片)304。9個(gè)發(fā)光元件304為如下的連接結(jié)構(gòu)：通過(guò)電極圖案303而并聯(lián)連接為3列，并在該3列的每一列具有3個(gè)發(fā)光元件304的串聯(lián)電路(即，3串聯(lián)、3并聯(lián))。當(dāng)然，發(fā)光元件304的個(gè)數(shù)并不限定于9個(gè)，也可以不具有3串聯(lián)、3并聯(lián)的連接結(jié)構(gòu)。

進(jìn)而，發(fā)光裝置301具備：光反射樹脂框305、含熒光體密封樹脂306、陽(yáng)極電極(陽(yáng)極焊盤或者陽(yáng)極連接器)307、陰極電極(陰極焊盤或者陰極連接器)308、陽(yáng)極標(biāo)記309和陰極標(biāo)記310。

光反射樹脂框305是設(shè)置在電極圖案303以及反射層312上的、由含氧化鋁填料的硅酮樹脂構(gòu)成的圓環(huán)狀(圓弧狀)的框。光反射樹脂框305的材質(zhì)并不限定于此，只要是具有光反射性的絕緣性樹脂即可。其形狀也不限定于圓環(huán)狀(圓弧狀)，能夠設(shè)為任意的形狀。

含熒光體密封樹脂306是由透光性樹脂構(gòu)成的密封樹脂層。含熒光體密封樹脂306填充到由光反射樹脂框305包圍的區(qū)域，對(duì)發(fā)光元件304和反射層312進(jìn)行了密封。此外，含熒光體密封樹脂306含有熒光體。作為熒光體，使用通過(guò)從發(fā)光元件304發(fā)出的1次光進(jìn)行激勵(lì)而發(fā)射比1次光更長(zhǎng)的波長(zhǎng)的光的熒光體。

另外，熒光體的構(gòu)成并無(wú)特別限定，能夠根據(jù)所希望的白色的色度等適當(dāng)進(jìn)行選擇。例如，作為日光白色、白熾燈色的組合，能夠使用yag黃色熒光體與(sr，ca)alsin3：eu紅色熒光體的組合、yag黃色熒光體與caalsin3：eu紅色熒光體的組合等。此外，作為高顯色的組合，能夠使用(sr，ca)alsin3：eu紅色熒光體與ca3(sc，mg)2si3o12：ce綠色熒光體或者與lu3al5o12：ce綠色熒光體的組合等。此外，也可以使用其他熒光體的組合，作為偽白色也可以使用只包含yag黃色熒光體的構(gòu)成。

陽(yáng)極電極307以及陰極電極308是將用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件304的電流提供給發(fā)光元件304的電極，以焊盤的形態(tài)進(jìn)行了設(shè)置。也可以對(duì)該焊盤部設(shè)置連接器而以連接器的形態(tài)來(lái)提供陽(yáng)極電極307以及陰極電極308。陽(yáng)極電極(陽(yáng)極焊盤或者陽(yáng)極連接器)307以及陰極電極(陰極焊盤或者陰極連接器)308是發(fā)光裝置301中能夠與未圖示的外部電源進(jìn)行連接的電極。而且，陽(yáng)極電極(陽(yáng)極焊盤或者陽(yáng)極連接器)307以及陰極電極(陰極焊盤或者陰極連接器)308經(jīng)由電極圖案303，與發(fā)光元件304連接。

然后，陽(yáng)極標(biāo)記309以及陰極標(biāo)記310分別是成為用于進(jìn)行對(duì)陽(yáng)極電極(陽(yáng)極焊盤或者陽(yáng)極連接器)307以及陰極電極(陰極焊盤或者陰極連接器)308的定位的基準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。此外，陽(yáng)極標(biāo)記309以及陰極標(biāo)記310分別具有表示陽(yáng)極電極(陽(yáng)極焊盤或者陽(yáng)極連接器)307以及陰極電極(陰極焊盤或者陰極連接器)308的極性的功能。

另外，位于陽(yáng)極電極(陽(yáng)極焊盤或者陽(yáng)極連接器)307以及陰極電極(陰極焊盤或者陰極連接器)308的正下方的電極圖案303的部分的厚度，大于位于該正下方以外的位置的電極圖案303的部分的厚度(對(duì)應(yīng)于圖15的電極圖案303中的被反射層312覆蓋的部分)。

(熱阻降低效果)

在此，對(duì)上述實(shí)施方式1～4中所說(shuō)明的電路基板的熱阻降低效果在下面進(jìn)行說(shuō)明。

圖16表示熱阻計(jì)算用的發(fā)光裝置的示意圖的一例，(a)是發(fā)光裝置的剖面圖，(b)是發(fā)光裝置的俯視圖。另外，在圖16(b)中，為了便于說(shuō)明，示出了剝下反射層后的狀態(tài)的發(fā)光裝置的平面。

在此，在發(fā)光裝置中，由發(fā)光元件所產(chǎn)生的熱，如圖16(a)所示，從發(fā)光元件通過(guò)布線圖案朝向金屬基體擴(kuò)展到45°方向的同時(shí)進(jìn)行擴(kuò)散。

但是，在圖16(a)(b)中，由于在發(fā)光元件的正下方存在熱傳導(dǎo)性絕緣層，因而來(lái)自發(fā)光元件的熱源成為2處(電極端子的陽(yáng)極側(cè)和負(fù)極側(cè))，熱阻計(jì)算有點(diǎn)復(fù)雜。因此，為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化熱阻計(jì)算，使用圖17(a)(b)所示的發(fā)光裝置的示意圖。

圖17表示與圖16相比進(jìn)行了簡(jiǎn)化的熱阻計(jì)算用的發(fā)光裝置的示意圖的一例，(a)是發(fā)光裝置的剖面圖，(b)是發(fā)光裝置的俯視圖。另外，在圖18(b)中，也為了便于說(shuō)明，示出了剝下反射層后的狀態(tài)的發(fā)光裝置的平面。

在圖17(a)(b)所示的發(fā)光裝置中，由于能夠使來(lái)自發(fā)光元件的熱源成為1處(將電極端子的陽(yáng)極和負(fù)極集中為一個(gè))，因而能夠簡(jiǎn)化熱阻計(jì)算。

因此，在此，計(jì)算圖17(a)(b)所示的發(fā)光裝置中的電路基板整體的熱阻。

在此，發(fā)光元件是1邊為500μm的正方形形狀，發(fā)光元件下表面的面積中的70％設(shè)為與電極的上表面的面積相同。此外，將導(dǎo)電層中搭載發(fā)光元件的電極端子部的面積設(shè)為與發(fā)光元件的電極面積相同，來(lái)估算熱阻。

若如以下的表1～表3所示賦予各層的厚度和熱傳導(dǎo)率，則對(duì)應(yīng)的各層中的熱阻估算為從右側(cè)起第2欄那樣。對(duì)于每1個(gè)發(fā)光元件，輸入0.40w的功率，其中的50％作為熱而損耗的情況下的各層處的溫度上升δt，估算為右端欄那樣。

[表1]

[表2]

[表3]

布線圖案的層厚在表1中為0.5mm(500μm)，在表2中為0.05mm(50μm)，在表3中為0.005mm(5μm)。

從表1～表3可知，全都是熱傳導(dǎo)性絕緣層的熱阻占據(jù)了基板整體的熱阻的大部分。即，可知基板整體的熱阻的主要原因起因于熱傳導(dǎo)性絕緣膜。進(jìn)而還可知，布線圖案的厚度影響到熱傳導(dǎo)性絕緣層的熱阻的值。

與表3所示的0.005mm(5μm)的厚度的布線圖案相比可知，在厚出一位的、表2所示的0.05mm(50μm)的布線圖案中，通過(guò)熱的擴(kuò)展，從而在基板整體觀察的熱阻減少了23％，作為溫度降低了6℃以上。進(jìn)而可知，在厚出二位的表1所示的0.5mm(500μm)的布線圖案中，在基板整體觀察的熱阻減少了80％以上，作為溫度降低了21℃。

即使在這樣的簡(jiǎn)單的估算中，也能夠明確地示出，布線圖案的厚度(導(dǎo)電層下部：第1金屬層5+第2金屬層7的厚度)是決定熱傳導(dǎo)性絕緣層(陶瓷層2)的熱阻的支配性因素。

進(jìn)而，在上述的估算的條件下，進(jìn)一步詳細(xì)地求出布線圖案的厚度與處于正下方的熱傳導(dǎo)性絕緣層的熱阻的關(guān)系。圖18是表示此時(shí)求出的布線圖案的厚度與熱阻的關(guān)系的曲線圖。

此外，詳細(xì)求出通過(guò)發(fā)光元件的發(fā)熱，在熱傳導(dǎo)性絕緣層中溫度上升多少的關(guān)系。圖19是表示此時(shí)求出的布線圖案的厚度與溫度上升的關(guān)系的曲線圖。

根據(jù)以上，考慮到制造發(fā)光裝置時(shí)的制造成本的情況下，使布線圖案的厚度成為0.5mm(500μm)并不現(xiàn)實(shí)，但只要至少使布線圖案的厚度為0.035(35μm)或者0.05mm(50μm)以上，更有選為100μm以上，則能夠獲得幾℃以上的溫度改善效果，根據(jù)情況，能夠獲得十幾℃的溫度改善效果。在此處的估算中，根據(jù)圖19所示的曲線圖，只要布線圖案的厚度為35μm，與假設(shè)為0μm的情況相比，在熱傳導(dǎo)性絕緣層，能夠預(yù)料5℃程度的溫度下降。

因此可知，只要在布線圖案中的無(wú)電極端子的較薄的部分(第1金屬層5和第2金屬層7重疊的部分)，至少為35μm～100μm或者更厚，則能夠取得上述效果。

此外，在本申請(qǐng)發(fā)明中，為了取得上述效果(作為基板整體的溫度改善效果)，布線圖案的厚度很重要，因此構(gòu)成了布線圖案的第1金屬層5和第2金屬層7可以不必一定以清楚的邊界加以區(qū)別。

〔總結(jié)〕

本發(fā)明的方式1所涉及的發(fā)光裝置用基板(以下稱為電路基板)是電路基板320，具備：金屬基體1；第1電絕緣層(陶瓷層2)，形成在所述金屬基體1上，具有熱傳導(dǎo)性；和電極圖案13，形成在所述第1電絕緣層(陶瓷層2)上，所述電路基板的特征在于，所述電極圖案13具有：基底層，形成在所述第1電絕緣層(陶瓷層2)上，由第1金屬層5構(gòu)成；布線部，形成在所述基底層上，由第2金屬層7構(gòu)成；和電極端子部10，形成在所述布線部之上，所述電極圖案13中的未形成所述電極端子部10的部分的厚度至少為35μm以上。

在此，在金屬基體上形成的第1電絕緣層的熱傳導(dǎo)率雖是由材質(zhì)決定的常數(shù)，但熱阻能夠根據(jù)構(gòu)成在該第1電絕緣層上形成的電極圖案的基底層、布線部的厚度來(lái)任意地改變。

這取決于下述情況。電極圖案由熱傳導(dǎo)率高的金屬形成，例如銅。因此，即使基底層、布線部的厚度變厚，在熱沿基板垂直方向在電極圖案中擴(kuò)散的期間受到的熱阻非常低，若與沿基板垂直方向通過(guò)第1電絕緣層的情況相比則是能夠忽視的水平。在熱沿基板垂直方向擴(kuò)散的期間中，熱也在沿基板水平方向擴(kuò)散。基于同樣的理由，沿基板水平方向擴(kuò)散的熱受到的熱阻也是能夠忽視的水平。

這樣，若使構(gòu)成在該第1電絕緣層上形成的電極圖案的基底層、布線部的厚度增厚，則能夠在熱沿基板垂直方向通過(guò)電極圖案的期間中，使熱沿基板水平方向擴(kuò)展，這期間，在電極圖案層實(shí)質(zhì)上不會(huì)受到熱阻的影響。結(jié)果，在電極圖案層實(shí)質(zhì)上不會(huì)受到熱阻的影響，能夠降低沿基板垂直方向通過(guò)第1電絕緣層的時(shí)間點(diǎn)處的熱通量。若熱通量降低，則即使熱傳導(dǎo)率相同，熱阻也降低，因而能夠減小該第1電絕緣層的熱阻。在此，所謂熱通量，由通過(guò)單位面積的剖面的每單位時(shí)間的熱量來(lái)定義，其單位是由w/m²(瓦特每平方米)表示的量。

反之，若基底層、布線部的厚度變薄，則熱沿基板垂直方向通過(guò)電極圖案的期間中，沿基板水平方向的熱擴(kuò)散不充分，通過(guò)第1電絕緣層的時(shí)間點(diǎn)處的熱通量依然較高。結(jié)果，即使該第1電絕緣層的熱傳導(dǎo)率是與前例相同的值，該第1電絕緣層的熱阻也較高。

此外，在包含金屬基體、第1電絕緣層、電極圖案的電路基板中，由于第1電絕緣層的熱阻會(huì)嚴(yán)重影響電路基板整體的熱阻的大小，因此若第1電絕緣層的熱阻較大，則電路基板整體的熱阻也較大，若第1電絕緣層的熱阻較小，則電路基板整體的熱阻也較小。

因此，在上述的構(gòu)成中，通過(guò)電極圖案中的未形成所述電極端子部的部分的厚度，即將基底層和布線部合在一起的厚度設(shè)定為第1電絕緣層的熱阻成為所希望的熱阻，從而能夠決定電路基板整體的熱阻。即，通過(guò)電極圖案中的未形成上述電極端子部的部分的厚度，能夠改變電路基板整體的熱阻。例如，只要將上述厚度設(shè)得較薄，則能夠增大電路基板整體的熱阻，只要將上述厚度設(shè)得較厚，則能夠減小電路基板整體的熱阻。

由此，只要將電極圖案中的未形成所述電極端子部的部分的厚度設(shè)為規(guī)定厚度以上，即，至少為35μm以上，便能夠?qū)㈦娐坊逭w的熱阻抑制得較低。

本發(fā)明的方式2所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1中，所述第1金屬層5是通過(guò)使用了催化劑的無(wú)電解鍍覆法而形成的金屬層，所述第2金屬層7是通過(guò)電鍍法而形成、且比所述第1金屬層5厚的金屬層。

本發(fā)明的方式3所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1中，所述第1金屬層5是通過(guò)以高速噴射金屬粒子的方法而形成的金屬層，所述第2金屬層7是通過(guò)電鍍法而形成、且比所述1金屬層5厚的金屬層。

本發(fā)明的方式4所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1～3的任意一方式中，具備具有光反射性的第2電絕緣層(光反射層11)，所述第2電絕緣層包覆所述電極圖案13和所述第1電絕緣層(陶瓷層2)使得該電極圖案13的電極端子部10露出，所述第1電絕緣層(陶瓷層2)與所述第2電絕緣層(光反射層11)相比，具有至少同等或者更高的熱傳導(dǎo)性，所述第2電絕緣層(光反射層11)與所述第1電絕緣層(陶瓷層2)相比，具有至少同等或者更高的光反射性。

本發(fā)明的方式5所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式4中，包覆所述電極圖案的部分處的所述第2電絕緣層(光反射層11)的厚度為30μm以上。換言之，也可以說(shuō)在所述電極圖案的上部形成的所述第2電絕緣層(光反射層11)的厚度優(yōu)選為30μm以上。

通過(guò)采用這樣的電路基板，從而能夠減少?gòu)陌l(fā)光元件產(chǎn)生的光透過(guò)具有光反射性的第2電絕緣層的比例。在本方式中，包覆電極圖案13的部分處的所述第2電絕緣層(光反射層11)的厚度為30μm以上。因此，即使在由像銅那樣光吸收率比較高的金屬構(gòu)成的電極圖案13的情況下，也能夠減少透過(guò)具有光反射性的第2電絕緣層而到達(dá)電極圖案13的光的比例，所以能夠提供具有更高的反射率的適于高亮度照明的電路基板，即發(fā)光裝置用基板。

本發(fā)明的方式6所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1～5的任意一項(xiàng)中，所述電極圖案13中的未形成所述電極端子部10的部分的厚度為35μm～100μm的范圍的厚度。

本發(fā)明的方式7所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1～6的任意一項(xiàng)中，所述布線部(第2金屬層7)由銅或銀形成。

本發(fā)明的方式8所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1～7的任意一項(xiàng)中，所述布線部由多層構(gòu)成，在銅層(第2金屬層7)之上形成有銀層8。

根據(jù)上述構(gòu)成，所述銀層的一部分存在為被所述電極端子部和所述銅層夾著。

本發(fā)明的方式9所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1～8的任意一項(xiàng)中，所述第1電絕緣層(陶瓷層2)由通過(guò)朝向基體以高速噴射陶瓷粒子的方法而形成的陶瓷的堆積層構(gòu)成。

本發(fā)明的方式10所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式9中，所述第1電絕緣層(陶瓷層2)由使用熱噴涂或者氣溶膠沉積法(ad法)而形成的陶瓷的堆積層構(gòu)成。

本發(fā)明的方式11所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1～10的任意一項(xiàng)中，所述第1電絕緣層(陶瓷層2)由氧化鋁構(gòu)成。

本發(fā)明的方式12所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1～8的任意一項(xiàng)中，所述第1電絕緣層(陶瓷層2)由陶瓷與玻璃的混合層構(gòu)成。

本發(fā)明的方式13所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式4～12的任意一項(xiàng)中，所述第2電絕緣層(光反射層11)由陶瓷層、陶瓷與玻璃的混合層、或者陶瓷與樹脂的混合層構(gòu)成。

本發(fā)明的方式14所涉及的電路基板優(yōu)選為，在上述方式1～13的任意一項(xiàng)中，所述金屬基體1是鋁、包含鋁的合金、銅、包含銅的合金。

本發(fā)明的方式15所涉及的發(fā)光裝置的特征在于，具備與方式1～14的任意一方式所記載的電路基板中的所述電極端子部10電連接的發(fā)光元件12。

本發(fā)明的方式16所涉及的照明裝置的特征在于，具備方式15所記載的發(fā)光裝置301作為光源。

本發(fā)明的方式17所涉及的電路基板的制造方法是具備金屬基體1的電路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述金屬基體1的一側(cè)的面形成陶瓷層2的工序；在所述陶瓷層2上，使用催化劑通過(guò)無(wú)電解鍍覆法在所述陶瓷層上析出金屬而形成成為基底層的第1金屬層5的工序；在所述第1金屬層5上形成掩模層(第1掩模6)，并在掩模開口部通過(guò)電鍍法來(lái)形成厚度比該第1金屬層5厚的成為布線部的第2金屬層7的工序；和去除所述掩模層(第1掩模6)后，通過(guò)蝕刻來(lái)去除被該掩模層覆蓋過(guò)的第1金屬層5，形成所希望的電極圖案13的工序。

根據(jù)上述構(gòu)成，由于在陶瓷層上使用催化劑通過(guò)無(wú)電解鍍覆法而形成了第1金屬層，因而能夠在第1金屬層上通過(guò)電鍍法來(lái)形成第2金屬層。由此，能夠在陶瓷層上將金屬堆積得較厚。即，能夠在陶瓷層上，形成厚度較厚的金屬層(第1金屬層+第2金屬層)。

此外，第2金屬層由于通過(guò)電鍍法而形成，所以容易調(diào)整厚度，因此能夠容易地控制在陶瓷層上形成的金屬層的厚度。

進(jìn)而，通過(guò)上述構(gòu)成，能夠取得與所述方式1所記載的電路基板同樣的效果。

本發(fā)明的方式18所涉及的電路基板的制造方法是具備金屬基體1的電路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述金屬基體1的一側(cè)的面形成陶瓷層2的工序；在所述陶瓷層2上，使用催化劑通過(guò)無(wú)電解鍍覆法在所述陶瓷層2上析出金屬而形成成為基底層的第1金屬層5的工序；在所述第1金屬層5上通過(guò)電鍍法來(lái)形成厚度比該第1金屬層5厚的成為布線部的第2金屬層7的工序；和通過(guò)在所述第2金屬層上形成掩模層并對(duì)掩模開口部進(jìn)行蝕刻，從而由所述第1金屬層5和所述第2金屬層7形成電極圖案13的工序。

根據(jù)上述構(gòu)成，由于在陶瓷層上使用催化劑通過(guò)無(wú)電解鍍覆法而形成了第1金屬層，因而能夠在第1金屬層上通過(guò)電鍍法來(lái)形成第2金屬層。由此，能夠在陶瓷層上將金屬堆積得較厚。即，能夠在陶瓷層上，形成厚度較厚的金屬層(第1金屬層+第2金屬層)。

此外，第2金屬層由于通過(guò)電鍍法來(lái)形成，所以容易調(diào)整厚度，因此能夠容易地控制在陶瓷層上形成的金屬層的厚度。

而且，由于在第2金屬層的形成后進(jìn)行蝕刻來(lái)形成了電極圖案，因此能夠成為第1金屬層和第2金屬層一體化的電極圖案(第1金屬層與第2金屬層的邊界不清楚的電極圖案)。

本發(fā)明的方式19所涉及的電路基板的制造方法優(yōu)選為，在所述方式17或18中，在形成所述第1金屬層5的工序中，作為催化劑而使用鈀催化劑來(lái)通過(guò)無(wú)電解鍍覆法在所述陶瓷層2上析出金屬而形成5μm以下的厚度的由銅構(gòu)成的第1金屬層5，在形成所述第2金屬層7的工序中，在由銅構(gòu)成的所述第1金屬層5上通過(guò)電鍍法來(lái)形成由銅構(gòu)成的第2金屬層7。

本發(fā)明的方式20所涉及的電路基板的制造方法是具備金屬基體1的電路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述金屬基體1的一側(cè)的面形成陶瓷層2的工序；在所述陶瓷層2上，以高速噴射金屬粒子并使金屬堆積來(lái)形成成為基底層的第1金屬層5的工序；在所述第1金屬層5上形成掩模層(第1掩模6)并對(duì)掩模開口部通過(guò)電鍍法來(lái)形成厚度比該第1金屬層5厚的成為布線部的第2金屬層7的工序；和去除所述掩模層(第1掩模6)后，通過(guò)蝕刻來(lái)去除被該掩模層覆蓋過(guò)的第1金屬層5，形成所希望的電極圖案13的工序。

根據(jù)上述構(gòu)成，能夠在陶瓷層上將金屬堆積得較厚。即，能夠在陶瓷層上，形成厚度較厚的金屬層(第1金屬層+第2金屬層)。

此外，第2金屬層由于通過(guò)電鍍法來(lái)形成，所以容易調(diào)整厚度，因此能夠容易地控制在陶瓷層上形成的金屬層的厚度。

本發(fā)明的方式21所涉及的電路基板的制造方法是具備金屬基體1的電路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述金屬基體1的一側(cè)的面形成陶瓷層2的工序；在所述陶瓷層2上，以高速噴射金屬粒子使金屬堆積來(lái)形成成為基底層的第1金屬層5的工序；在所述第1金屬層5上通過(guò)電鍍法來(lái)形成厚度比該第1金屬層5厚的成為布線部的第2金屬層7的工序；和通過(guò)在所述第2金屬層上形成掩模層并對(duì)掩模開口部進(jìn)行蝕刻，從而由所述第1金屬層5和所述第2金屬層7形成電極圖案13的工序。

根據(jù)上述構(gòu)成，能夠在陶瓷層上將金屬堆積得較厚。即，能夠在陶瓷層上，形成厚度較厚的金屬層(第1金屬層+第2金屬層)。

此外，第2金屬層由于通過(guò)電鍍法來(lái)形成，所以容易調(diào)整厚度，因此能夠容易地控制在陶瓷層上形成的金屬層的厚度。

而且，由于在第2金屬層的形成后進(jìn)行蝕刻來(lái)形成了電極圖案，因此能夠成為第1金屬層和第2金屬層一體化的電極圖案(第1金屬層與第2金屬層的邊界不清楚的電極圖案)。

本發(fā)明的方式22所涉及的電路基板的制造方法優(yōu)選為，在所述方式20或21中，在形成所述第1金屬層5的工序中，作為以高速噴射金屬粒子來(lái)使金屬堆積的方法，使用熱噴涂或者氣溶膠沉積法(ad法)。

本發(fā)明的方式23所涉及的電路基板的制造方法優(yōu)選為，在方式20～22的任一方式中，在形成所述第1金屬層5的工序中，以高速噴射所述銅粒子而在所述陶瓷層2上使銅堆積來(lái)形成2μm以上且40μm以下的厚度的由銅構(gòu)成的第1金屬層5，在形成所述第2金屬層7的工序中，在由銅構(gòu)成的所述第1金屬層5上通過(guò)電鍍法來(lái)形成由銅構(gòu)成的第2金屬層7。

本發(fā)明的方式24所涉及的電路基板的制造方法優(yōu)選為，在所述方式17或20中，在形成所述電極圖案13的工序中，在去除所述掩模層之前，在所述第2金屬層7表面通過(guò)所述掩模開口部，來(lái)形成了銀的層(銀層8)之后，在所述銀的層(銀層8)上再形成另外的掩模層，在所述另外形成的掩模開口部形成由銅構(gòu)成的電極端子部10。

本發(fā)明的方式25所涉及的電路基板的制造方法是具備由鋁構(gòu)成的基體(金屬基體1)的電路基板320的制造方法，其特征在于，所述金屬基體1是由鋁構(gòu)成的金屬基體，并在所述金屬基體1的一側(cè)的面形成陶瓷層2的工序與在所述陶瓷層上形成第1金屬層的工序之間，還具備在所述金屬基體1的另一側(cè)的面形成保護(hù)層3的工序，在形成所述保護(hù)層3的工序中，在通過(guò)陽(yáng)極氧化處理以由耐酸鋁構(gòu)成的陽(yáng)極氧化皮膜來(lái)覆蓋了由所述陶瓷層2覆蓋的部分以外的金屬基體1之后，實(shí)施封孔處理，由此形成在耐酸鋁層形成為多孔質(zhì)狀的孔被堵住的保護(hù)層3。

本發(fā)明的方式26所涉及的電路基板的制造方法優(yōu)選為，在方式25中，在形成所述保護(hù)層3的工序之前，用絕緣性物質(zhì)對(duì)在所述陶瓷層2形成的貫通孔進(jìn)行填埋來(lái)進(jìn)行封孔處理。

本發(fā)明的方式27所涉及的電路基板的制造方法優(yōu)選為，在方式26中，作為填埋所述貫通孔的絕緣性物質(zhì)，使用樹脂、玻璃或者將樹脂、玻璃用作粘結(jié)劑的微小的陶瓷粒子。

本發(fā)明并不限定于上述的各實(shí)施方式，在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更，關(guān)于將在不同的實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)手段適當(dāng)進(jìn)行組合而得到的實(shí)施方式，也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。進(jìn)而，通過(guò)將在各實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)手段進(jìn)行組合，能夠形成新的技術(shù)特征。

工業(yè)實(shí)用性

本發(fā)明能夠適用于用于高亮度發(fā)光裝置的電路基板。

符號(hào)說(shuō)明

1金屬基體

2陶瓷層(第1電絕緣層)

3保護(hù)層

4催化劑層

5第1金屬層

6第1掩模

6a第1掩模

7第2金屬層(布線部)

8銀層(布線部)

9第2掩模

9a第2掩模

10電極端子部

11光反射層(第2電絕緣層)

12發(fā)光元件

13電極圖案

15平坦化層

101照明裝置

102散熱片

103反射器

301發(fā)光裝置

302金屬基體

303電極圖案

304發(fā)光元件

305光反射樹脂框

306含熒光體密封樹脂

307陽(yáng)極電極

308陰極電極

309陽(yáng)極標(biāo)記

310陰極標(biāo)記

311中間層

312反射層

320電路基板

320a電路基板

320b電路基板

320c電路基板