用于生產(chǎn)激光芯片的方法與流程

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本發(fā)明涉及根據(jù)專利權利要求1的用于生產(chǎn)激光芯片的方法。

本專利申請要求德國專利申請102014112902.4的優(yōu)先權，其公開內容被通過引用合并于此。

背景技術：

包括集成激光二極管的半導體激光芯片根據(jù)現(xiàn)有技術是已知的。已知的是通過如下的過程來在常見的文字處理中同時生產(chǎn)多個這樣的激光芯片，在所述過程中多個激光二極管結構被在大面積的（extensive）半導體晶片中以規(guī)則的矩陣布置來形成并且通過僅在加工處理的結論之后劃分半導體晶片而被單片化。半導體晶片是通過半導體晶片的受控斷裂而被劃分的。在每種情況下以這種方式形成的激光芯片的兩個相互相對的斷裂面形成激光芯片的鏡面。

為了限定半導體晶片沿著其斷裂的斷裂平面，已知的是在半導體晶片斷裂之前在半導體晶片的表面上創(chuàng)建凹陷（跳變（skip））。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在半導體晶片的斷裂期間，從所述凹陷行進，位錯和其它晶體缺陷可能在半導體晶片的晶體中擴散，并且它們可能一直延伸到激光二極管結構的有源區(qū)中并降低所得到的鏡面的質量。這可能造成增加的閾值電流、降低的斜率、成像質量上的缺陷、降低的效率和減少的組件壽命。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是指定一種用于生產(chǎn)激光芯片的方法。該目的是借助于包括權利要求1的特征的方法來實現(xiàn)的。在從屬權利要求中指定了各種發(fā)展。

一種用于生產(chǎn)激光芯片的方法，包括如下的步驟：用于提供包括頂側和底側的半導體晶片的步驟，其中所述半導體晶片包括沿著所限定的斷裂方向一個接在另一個之后地布置的多個集成激光二極管結構；用于在所述半導體晶片的頂側上創(chuàng)建沿著所述斷裂方向一個接在另一個之后地布置的多個凹陷的步驟，其中，每個凹陷在斷裂方向上相繼地包括前邊界面和后邊界面，其中，在至少一個凹陷的情況下，所述后邊界面相對于所述半導體晶片的頂側傾斜在95°和170°之間的角度，其中至少一個凹陷包括相鄰于所述后邊界面的肩部，其中所述肩部包括平行于半導體晶片的頂側并且與后邊界面相鄰的肩部面；以及用于在斷裂平面處在斷裂方向上斷裂半導體晶片的步驟，所述斷裂平面被垂直于半導體晶片的頂側定向并行進通過凹陷。

有利地，在該方法中，在半導體晶片的頂側上布置的凹陷的至少一個凹陷的后邊界面—所述后邊界面相對于半導體晶片的頂側傾斜一定角度—具有如下的效果：從凹陷的后邊界面行進的位錯和其它晶體缺陷在半導體晶片的晶體中朝向半導體晶片的底側傳播，并且作為結果，可能不會滲透到半導體晶片的對于通過該方法可獲得的激光芯片的質量而言是關鍵的區(qū)域中。這有利地降低了通過該方法可獲得的激光芯片的性質由于在半導體晶片的斷裂期間形成的晶體缺陷的損害的風險。

對于在半導體晶片的頂側上一個接在另一個之后地布置的凹陷的盡可能多的或者甚至所有的后邊界面而言優(yōu)選的是，使所述后邊界面相對于半導體晶片的頂側傾斜在95°和170°之間的角度。作為結果可以實現(xiàn)的是，在半導體晶片的頂側上的所有對應地形成的凹陷的情況下，傳播到半導體晶片的關鍵區(qū)域中的晶體缺陷的形成的風險被降低。

在該方法的一個實施例中，相應的凹陷被布置在兩個相鄰的激光二極管結構之間。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在其處半導體晶片斷裂的斷裂平面的可靠限定是可能的，作為結果，半導體晶片不會在處理中由于過度高的數(shù)量的凹陷而被過度損壞。

在該方法的一個實施例中，至少一個凹陷被布置成更接近于最接近地定位的在斷裂方向上的凹陷的上游的激光二極管結構，而不是被布置成更接近于最接近地定位的在斷裂方向上的凹陷的下游的激光二極管結構。這意味著在最接近地定位的在斷裂方向上的凹陷的上游的激光二極管結構與凹陷之間的距離小于在凹陷與最接近地定位的在斷裂方向上的凹陷的下游的激光二極管結構之間的距離。作為結果，對于從凹陷的后邊界面起行進的晶體缺陷而言，有利地，針對這些晶體缺陷保持足夠的空間出現(xiàn)在半導體晶片的底側進入到半導體晶片的襯底中的方向上，而不會滲透到對于最接近地定位的在斷裂方向上的凹陷的下游的激光二極管結構的質量而言關鍵的半導體晶片的區(qū)域中。這有利地降低了在半導體晶片的斷裂期間將由于從凹陷行進的晶體缺陷而損壞最接近地定位的在斷裂方向上的凹陷的下游的激光二極管結構的風險。

在該方法的一個優(yōu)選實施例中，在半導體晶片的頂側上的多個凹陷或甚至所有的凹陷在每種情況下在斷裂方向上被對應地布置成更接近于最接近地定位的在相應凹陷的上游的激光二極管結構，而不是被布置成更接近于最接近地定位的在斷裂方向上的相應凹陷的下游的激光二極管結構。

在該方法的一個實施例中，在凹陷與最接近地定位的在斷裂方向上的該凹陷的下游的激光二極管結構之間的距離是在該凹陷與最接近地定位的在斷裂方向上的該凹陷的下游的激光二極管結構之間的距離的量值的至少四倍，優(yōu)選地甚至是其量值的至少八倍。有利地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在凹陷與最接近地定位的在斷裂方向上的凹陷的下游的激光二極管結構之間的這樣的大的距離可以帶來對最接近地定位的在凹陷的下游的激光二極管結構的損壞的風險的有效降低，所述損壞是作為如下的結果：在半導體晶片的斷裂期間從所述凹陷的后邊界面起行進的晶體缺陷。

在該方法的一個實施例中，激光二極管結構中的每個包括垂直于斷裂方向定向的諧振器。作為結果，在斷裂平面處在半導體晶片的斷裂期間形成以這種方式單片化的激光芯片的鏡面或激光面。所述各面可以有利地具有高質量。作為配置被布置在半導體晶片的頂側上并且包括相對于半導體晶片的頂側傾斜一定角度的后邊界面的凹陷的結果，僅存在所述各面在半導體晶片的斷裂期間將由于從凹陷起行進的晶體缺陷而被損壞的小的風險。

在該方法的一個實施例中，通過劃刻或借助于激光來創(chuàng)建凹陷。有利地，這兩種方法都使得能夠精確地控制所得到的凹陷的形狀，特別是精確地在凹陷的后邊界面的傾斜上進行控制。

在該方法的一個實施例中，所述方法包括用于創(chuàng)建布置在半導體晶片的定位于斷裂方向上的前方處的邊緣上的斷裂平面中的邊緣凹口的進一步的步驟。有利地，在半導體晶片的斷裂期間，邊緣凹口可以充當用于在斷裂方向上沿著斷裂平面?zhèn)鞑ネㄟ^半導體晶片的斷裂的開始點。邊緣凹口可以例如同樣地通過劃刻或借助于激光來創(chuàng)建。

在該方法的一個實施例中，所述方法包括用于創(chuàng)建在斷裂方向上行進并且被布置在半導體晶片的底側上的斷裂平面中的溝槽的進一步的步驟。有利地，在半導體晶片的底側上創(chuàng)建溝槽可以促進半導體晶片的斷裂。

在該方法的一個實施例中，通過鋸切、借助于激光或通過蝕刻處理來創(chuàng)建溝槽。這些方法有利地允許精確地、成本有效地和快速地創(chuàng)建溝槽。

在該方法的一個實施例中，所述方法包括用于在半導體晶片的底側上創(chuàng)建在斷裂平面中的并且沿著斷裂方向的一個接在另一個之后地布置的多個凹陷的進一步的步驟。有利地，布置在半導體晶片的底側上的這樣的凹陷也可以促進半導體晶片在斷裂平面處的斷裂。

在該方法的一個實施例中，半導體晶片的底側上的凹陷被相對于半導體晶片的頂側上的凹陷以鏡面反轉（mirror-inverted）的方式形成。這意味著在至少一個凹陷的情況下，但是優(yōu)選地在半導體晶片的底側上的許多或甚至全部的凹陷的情況下，在斷裂方向上的后邊界面相對于半導體晶片的底側傾斜在95°和170°之間的角度。這具有如下的結果：從以該方式形成在半導體晶片的底側上的凹陷的后邊界面起行進的晶體缺陷可以實質上在與半導體晶片的底側垂直的方向上行進通過半導體晶片，并且在處理中可以截斷從布置在半導體晶片的頂側上的凹陷起行進的晶體缺陷。在這種情況下，布置在半導體晶片的底側上的凹陷可以被布置在正好在布置在半導體晶片的頂側上的凹陷下方的斷裂方向上。然而，布置在半導體晶片的頂側上的凹陷和布置在半導體晶片的底側上的凹陷也可以在斷裂方向上相對于彼此偏移。

在該方法的一個實施例中，在至少一個凹陷的情況下，后邊界面相對于半導體晶片的頂側傾斜在100°和160°之間的角度，優(yōu)選地傾斜在120°和145°之間的角度。實驗已經(jīng)示出，后邊界面相對于半導體晶片的頂側的這樣的傾斜使得有可能實現(xiàn)從凹陷的后邊界面在該方向上朝向半導體晶片的底側行進的晶體缺陷的特別有效的轉移。

在該方法的一個實施例中，至少一個凹陷在垂直于半導體晶片的頂側的方向上包括在5μm和80μm之間、優(yōu)選地在15μm和70μm之間、特別優(yōu)選地在25μm和55μm之間的深度。優(yōu)選地，以這種方式形成在半導體晶片的頂側上的多個凹陷或全部凹陷。實驗已經(jīng)示出，該深度的凹陷使得有可能實現(xiàn)斷裂平面的特別有效的限定，而沒有由于創(chuàng)建凹陷而帶來的對半導體晶片的晶體的過度地高水平的損壞。

在該方法的一個實施例中，在至少一個凹陷的情況下，前邊界面相對于半導體晶片的頂側傾斜在75°和95°之間的角度，優(yōu)選地傾斜在85°和95°之間的角度。這意味著凹陷的前邊界面被實質上垂直于半導體晶片的頂側布置。優(yōu)選地，以這種方式形成半導體晶片的頂側上的多個凹陷或全部凹陷。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在半導體晶片的斷裂期間，實質上沒有從凹陷的前邊界面行進的晶體缺陷，并且因此它們不必相對于半導體晶片的頂側傾斜。前邊界面相對于半導體晶片的頂側的實質上垂直的布置可以有利地是特別簡單并且成本有效地生產(chǎn)的。

在該方法的一個實施例中，至少一個凹陷在其斷裂方向上的基部處包含在5μm和100μm之間、優(yōu)選地在15μm和80μm之間、特別優(yōu)選地在20μm和50μm之間的長度。優(yōu)選地，以這種方式形成半導體晶片的頂側上的多個凹陷或甚至全部凹陷。實驗已經(jīng)示出，通過在半導體晶片的頂側上創(chuàng)建該長度的凹陷，可以特別有效地限定用于使半導體晶片斷裂的斷裂平面，而不創(chuàng)建伴隨有對半導體晶片的晶體結構的過度高水平的損壞的凹陷。

至少一個凹陷包括相鄰于后邊界面的肩部。在這種情況下，肩部包括平行于半導體晶片的頂側并且與后邊界面相鄰的肩部面。在該方法的一個優(yōu)選實施例中，以這種方式形成半導體晶片的頂側上的多個凹陷或甚至全部凹陷。在半導體晶片在斷裂平面處的斷裂期間，晶體缺陷可以從凹陷的肩部的肩部面起行進，所述晶體缺陷實質上垂直于肩部面—也就是說還垂直于半導體晶片的頂側—傳播通過半導體晶片的晶體。從肩部面起行進的晶體缺陷因此在朝向半導體晶片的底側的方向上傳播，而不會滲透到半導體晶片的對于通過該方法可獲得的激光芯片的質量而言關鍵的區(qū)域中。相反，從凹陷的肩部的肩部面起行進的晶體缺陷仍然可以截斷從凹陷的后邊界面起行進的晶體缺陷，作為其結果，附加地降低了從凹陷的后邊界面起行進的晶體缺陷滲透到半導體晶片的對于通過該方法可獲得的激光芯片的質量而言關鍵的區(qū)域中的風險。

在該方法的一個實施例中，在斷裂方向上，肩部面包括在5μm和100μm之間的長度，優(yōu)選地在15μm和80μm之間的長度、特別優(yōu)選地在20μm和50μm之間的長度。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，形成這樣的長度的肩部面是特別有效的。

附圖說明

本發(fā)明的上面描述的性質、特征和優(yōu)點以及其中實現(xiàn)它們的方式將與關聯(lián)于附圖更詳細地解釋的示例性實施例的以下描述相關聯(lián)而變得更清楚并且被更清楚地理解，在附圖中，在每種情況下采用示意性的圖示：

圖1示出了半導體晶片的一部分的透視圖；

圖2示出了具有第一上部凹陷的半導體晶片的截面圖；

圖3示出了具有第二上部凹陷的半導體晶片的截面圖；和

圖4示出了具有附加的下部凹陷的半導體晶片的截面圖。

具體實施方式

圖1示出了半導體晶片100的一部分的示意性透視圖。半導體晶片100形成為包括頂側101和與頂側101相對的底側102的實質上平坦的晶片。半導體晶片100可以包括在從底側102延伸到半導體晶片100的頂側101的生長方向12上一個在另一個的頂部之上外延地生長的多個不同的層。與圖1中的圖示相比，半導體晶片100可以在橫向方向上包括更大的尺寸。半導體晶片100可以例如由完整的晶片或由晶片的一部分形成。

意圖通過劃分半導體晶片100而從半導體晶片100形成多個激光芯片140。為此目的，半導體晶片100包括多個集成的激光二極管結構141。各單獨的激光二極管結構141被成串地布置，各串是在半導體晶片100的斷裂方向10上彼此并排地布置的，所述斷裂方向垂直于生長方向12，并且所述各串在垂直于斷裂方向10和生長方向12的縱向方向11上延伸。

激光二極管結構141的串中的每個包括在半導體晶片100的頂側101上在縱向方向11上延伸的肋110。肋110也可以稱為脊。例如借助于蝕刻處理，由在肋110外的區(qū)域中在半導體晶片100的頂側101上的已經(jīng)被去除的半導體晶片100的部分來形成肋110。在這種情況下，在半導體晶片100的頂側101上的被去除的半導體晶片100的部分可以包括例如上包層，作為其結果，上包層僅保留在肋110的區(qū)域中。肋110可以例如在斷裂方向10上包括在1.8μm和40μm之間的寬度。肋110的平行于縱向方向11和生長方向12延伸的側面可以例如被利用氮化硅鈍化。金屬化可以被布置在肋110的平行于斷裂方向10和縱向方向11的頂側上，該金屬化用于電接觸要從半導體晶片100形成的激光芯片140，并且可以具有例如近似1μm的厚度。

在縱向方向11上延伸的相應的臺面溝槽120被布置在半導體晶片100的頂側101上的在斷裂方向10上彼此挨著地定位的兩個肋110之間。臺面溝槽120被形成為半導體晶片100的頂側101上的溝道形狀的凹陷并且可以在與生長方向12相反的方向上延伸例如至半導體晶片100的pn結的下方那么遠。臺面溝槽120可以包括例如實質上矩形的橫截面。在斷裂方向10上，臺面溝槽120例如可以包括近似50μm的寬度。

為了將半導體晶片100再劃分為單獨的激光芯片140，半導體晶片100必須在垂直于縱向方向11的斷裂平面20處以及在垂直于斷裂方向10的進一步的斷裂平面30處被劃分。在這種情況下，進一步的斷裂平面30行進通過臺面溝槽120。每個均包括在斷裂方向10上彼此并排地布置的多個激光二極管結構141的激光條是通過在斷裂平面20處劃分半導體晶片100而形成的。激光條隨后被在進一步的斷裂平面30處劃分，作為其結果，形成單獨的激光芯片140。

單獨的激光二極管結構141的諧振器142的鏡面是通過在斷裂平面20處劃分半導體晶片100而形成的。為了形成高質量鏡面，通過使半導體晶片斷裂而在斷裂平面20處劃分半導體晶片100。在這種情況下，理想地可以形成原子平滑的破裂邊緣，這導致諧振器142的高質量鏡面。

半導體晶片100在斷裂平面20處在每種情況下在斷裂方向10上從半導體晶片100的一個如下的側面—該側面定位于斷裂方向10的前方并且與斷裂方向10垂直—到半導體晶片100的一個如下的側面—該側面定位于斷裂方向10的后方并且與斷裂方向10垂直—而斷裂。在圖1中的示意圖中，半導體晶片100因此例如從可見的前側面到半導體晶片100的隱蔽的后側面而斷裂。

半導體晶片100在斷裂平面20處在每種情況下從在半導體晶片100的定位于斷裂方向10上的前方的側面上以限定的方式創(chuàng)建的預先確定的斷裂位置起行進而斷裂。為了引導在分別地想要的斷裂平面20處的半導體晶片100的斷裂的前進，在半導體晶片100的頂側101上沿著想要的斷裂平面20提供進一步的弱化。

圖2示出了半導體晶片100的一部分的示意性截面?zhèn)纫晥D。在這種情況下，半導體晶片100被沿著斷裂平面20中的一個切割。用于在斷裂平面20處斷裂半導體晶片100的想要的斷裂方向10在圖2中的示意圖中從左向右延伸，以使得在圖2中的示圖中的左側上的半導體晶片100的側面形成半導體晶片100的定位于斷裂方向10上的前方的側面。

作為用于半導體晶片100的斷裂的開始點，邊緣凹口170已經(jīng)在斷裂方向10上在前邊緣160處被創(chuàng)建于在半導體晶片100的定位于斷裂方向10上的前方處的側面和半導體晶片100的頂側101之間的過渡區(qū)域中。還可能的是將邊緣凹口170布置在半導體晶片100的定位于斷裂方向10上的前方處的側面和半導體晶片100的底側102之間的過渡區(qū)域中，或者使邊緣凹口170在半導體晶片100的整個前側面上延伸。

此外，也可以在半導體晶片100的定位于斷裂方向10上的后方處的側面上布置邊緣凹口，但這不是絕對必要的。在任何情況下，半導體晶片100在斷裂方向10上從半導體晶片100的前側面到后側面而斷裂。

為了引導半導體晶片100在斷裂平面20處的斷裂，半導體晶片100在其頂側101上附加地包括在斷裂方向10上一個接在另一個之后地沿著斷裂平面20布置的多個第一上部凹陷200。凹陷200也可以稱為跳躍。

邊緣凹口170和第一上部凹陷200可以例如通過例如使用金剛石劃刻器進行劃刻或借助于激光來創(chuàng)建。

優(yōu)選地，在每個斷裂平面20處在縱向方向11上一個接在另一個之后地提供邊緣凹口170和第一上部凹陷200。

優(yōu)選地，在每個斷裂平面20處，相應的第一上部凹陷200被布置在斷裂方向10上的彼此相繼的兩個激光二極管結構之間，因此布置在斷裂方向10上的彼此相繼的兩個肋110之間。在這種情況下，每個第一上部凹陷200優(yōu)選地布置在如下的區(qū)域中：該區(qū)域處于被布置在斷裂方向10上的相應的第一上部凹陷200的上游的激光二極管結構141的肋110和臺面溝槽120（該臺面溝槽120定位于與相應的第一上部凹陷200相鄰的兩個激光二極管結構141之間）之間。因此，每個第一上部凹陷200被布置成更接近于最接近地定位的在斷裂方向上的相應的第一上部凹陷200的上游的激光二極管結構141，而不是被布置成更接近于最接近地定位的在斷裂方向10上的相應的第一上部凹陷200的下游的激光二極管結構141。優(yōu)選地，在每個第一上部凹陷200的情況下，在相應的第一上部凹陷200和最接近地定位的在斷裂方向10上的相應的第一上部凹陷200的下游的激光二極管結構141之間的后方距離245至少為在相應的第一上部凹陷200和最接近地定位的在斷裂方向10上的相應的第一上部凹陷200的上游的激光二極管結構141之間的前方距離240的量值的四倍，特別優(yōu)選地甚至為其量值的至少八倍。在布置在第一上部凹陷200的上游的激光二極管結構141的諧振器142和相應的第一上部凹陷200之間的前方距離240可以為例如近似20μm。在第一上部凹陷200和最接近的在斷裂方向10上的在所述第一上部凹陷200的下游的激光二極管結構141的諧振器142之間的后方距離245可以為例如近似200μm。

還有可能的是在斷裂方向10上在彼此相繼的兩個激光二極管結構之間提供多于一個凹陷200。

每個第一上部凹陷200包括在斷裂方向10上的前邊界面210和在斷裂方向10上的后邊界面220。每個第一上部凹陷200的前邊界面210和后邊界面220被平行于半導體晶片100的縱向方向11而定向。

在其基部處，每個第一上部凹陷200包括將前邊界面210連接到后邊界面220并且實質上平行于半導體晶片100的頂側101（也就是說平行于斷裂方向10和縱向方向11）定向的底面230。

在每個第一上部凹陷200的情況下，前邊界面210與底面230形成前角212。前角212優(yōu)選地在75°和95°之間，特別優(yōu)選地在85°和95°之間。這意味著從半導體晶片100的頂側101起行進的前邊界面210優(yōu)選地實質上垂直地延伸到半導體晶片100中。

在每個第一上部凹陷200的情況下，在斷裂方向10上的后邊界面220與底面230形成后角221。后角221在95°和170°之間。這意味著后邊界面220相對于底面230并且相對于半導體晶片100的頂側101傾斜。這具有如下的結果：每個第一上部凹陷200從其底面230朝向半導體晶片100的頂側101變寬。優(yōu)選地，在每個第一上部凹陷200的情況下，后角221包括在100°和160°之間的量值，特別優(yōu)選地在120°和145°之間的量值。

每個第一上部凹陷200包括在生長方向12上的深度211。優(yōu)選地，在每個第一上部凹陷200的情況下，深度211在5μm和80μm之間，特別優(yōu)選地在15μm和70μm之間，非常特別優(yōu)選地在25μm和55μm。

每個第一上部凹陷200的底面230包括在斷裂方向10上的長度231。優(yōu)選地，在每個第一上部凹陷200的情況下，長度231在5μm和100μm之間，特別優(yōu)選地在15μm和80μm之間，非常特別優(yōu)選地在20μm和50μm之間。

在半導體晶片100在斷裂平面20之一處在斷裂方向10上的斷裂期間，晶體缺陷150可能形成在第一上部凹陷200上，所述晶體缺陷在半導體晶片100中傳播。所述晶體缺陷150可以例如是階梯狀位錯。在半導體晶片100在斷裂平面20之一處的斷裂期間的這樣的晶體缺陷150的出現(xiàn)可能造成通過半導體晶片100在斷裂平面20處的斷裂而形成的鏡面的降低的質量。對于通過半導體晶片100的斷裂而形成的激光芯片140的諧振器142的所得到的鏡面的質量而言，如果晶體缺陷150在半導體晶片100中傳播得與激光二極管結構141之一的有源區(qū)一樣遠，則是特別有害的。

在半導體晶片100在斷裂平面20之一處在斷裂方向100上的斷裂期間出現(xiàn)的晶體缺陷150主要形成在第一上部凹陷200的后邊界面220上，并且從那里在垂直于后邊界面220的方向上繼續(xù)。由于第一上部凹陷200的后邊界面220相對于半導體晶片100的頂側101傾斜大于直角的后角221，所以晶體缺陷150從第一上部凹陷200的后邊界面220起在朝向半導體晶片100的底側102的方向上遷移。這降低了形成在第一上部凹陷200的后邊界面220處的晶體缺陷150將在斷裂方向10上繼續(xù)到與在斷裂方向10上相繼于相應的第一上部凹陷200的激光二極管結構141的有源區(qū)一樣遠的風險。該風險附加地通過在相應的第一上部凹陷200和斷裂方向10上最接近地定位的在相應的第一上部凹陷200的下游的激光二極管結構141之間的后方距離245而被減小，所述后方距離相對于所述前方距離240是增加的。

優(yōu)選地，以所描述的方式形成在半導體晶片10的縱向方向11上一個接在另一個之后地布置的所有斷裂平面20的（在斷裂方向10上一個接在另一個之后地布置的）所有第一上部凹陷200。然而，還有可能的是僅針對第一上部凹陷200的第一部分如描述那樣形成和定位，而第一上部凹陷200的第二部分關于前方距離240和后方距離245被不同地形成和/或不同地定位。

圖3示出了根據(jù)替換實施例的半導體晶片100的一部分的示意性截面?zhèn)纫晥D。在圖3中的圖示中半導體晶片100也被沿著斷裂平面20之一切割。圖3中的實施例與圖2中的實施例的不同之處在于，第一上部凹陷200被第二上部凹陷300替換。

第二上部凹陷300被與第一上部凹陷200同樣地定位。第二上部凹陷300被與第一上部凹陷200同樣地形成，但是除了前邊界面210、底面230和后邊界面220之外還具有肩部310，所述肩部相鄰于相應的第二上部凹陷300的（在斷裂方向10上的）后端處的相應的后邊界面220。每個第二上部凹陷300的肩部310包括平行于半導體晶片100的頂側101并且與相應的后邊界面220相鄰的肩部面320。所述肩部面320包括在斷裂方向10上的長度321。優(yōu)選地，第二上部凹陷300的肩部310的肩部面320的長度321在5μm和100μm之間，特別優(yōu)選地在15μm和80μm之間，非常特別優(yōu)選地在20μm到50μm之間。

當在斷裂平面20之一處在斷裂方向10上使半導體晶片100斷裂時，晶體缺陷150也可能出現(xiàn)在第二上部凹陷300的肩部310的肩部面320處，從相應的肩部面320起行進的所述晶體缺陷在與相應的肩部面320垂直的方向上繼續(xù)到半導體晶片100中。由于第二上部凹陷300的肩部310的肩部面320被平行于半導體晶片100的頂側101而定向，所以從第二上部凹陷300的肩部310的肩部面320起行進的晶體缺陷150實質上在與生長方向12相反的方向上繼續(xù)到半導體晶片100的底側102。因此，僅存在小的從肩部面320起行進的晶體缺陷150可能滲透到半導體晶片100的激光結構141的有源區(qū)的風險。

此外，從第二上部凹陷300的肩部310的肩部面320起行進的晶體缺陷150可能遇到從第二上部凹陷300的后邊界面220起行進并且在垂直于相應的后邊界面220定向的方向上繼續(xù)的晶體缺陷150，并且因此可以截斷從后邊界面220起行進的所述晶體缺陷150。作為結果，從第二上部凹陷300的肩部310的肩部面320起行進的晶體缺陷150可以降低如下的風險：從第二上部凹陷300的后邊界面220起行進的晶體缺陷150將滲透到如與半導體晶片100的激光二極管結構141的有源區(qū)域那么遠。

在圖1中的示意性透視圖中，明顯的是，在每個斷裂平面20的區(qū)域中的半導體晶片100的底側102上形成在斷裂方向10上延伸并且被布置在相應的斷裂平面20中的相應的下部溝槽130。下部溝槽130可以促進在斷裂平面10處的半導體晶片100的斷裂。下部溝槽130可以例如通過鋸切、借助于激光或通過濕法或干法化學蝕刻來創(chuàng)建。在這種情況下，下部溝槽130優(yōu)選地已經(jīng)在創(chuàng)建上部凹陷200、300之前并且在創(chuàng)建邊緣凹口170之前被創(chuàng)建。然而，也可以省略下部溝槽130。

圖4示出了根據(jù)進一步的替換實施例的半導體晶片100的一部分的示意性截面?zhèn)纫晥D。在圖4中示出的實施例中，半導體晶片100在其底側102上不包括與斷裂平面20對準的下部溝槽130。替代地，與斷裂平面20對準并且在斷裂方向10上一個接在另一個之后地布置的下部凹陷400在每種情況下被提供在半導體晶片100的底側102上。

在圖4中圖示的示例中，下部凹陷400被關于布置在半導體晶片100的頂側101上的第二上部凹陷300鏡像對稱地布置和形成。如果半導體晶片100包括圖2中的第一上部凹陷200而不是第二上部凹陷300，則下部凹陷400可以被關于第一上部凹陷200以鏡像反轉的方式形成。然而，還有可能的是在半導體晶片100的頂側101上提供第一上部凹陷200，并且像第二上部凹陷300一樣在半導體晶片100的底側102上形成下部凹陷400。當然相反的情況也是可能的。

在圖4中的示圖中，在每種情況下確切地在第二上部凹陷300的下方在與生長方向12相反的方向上布置下部凹陷400。然而，還有可能的是將第二上部凹陷300和下部凹陷400以在斷裂方向10上相對于彼此偏移的方式進行布置。通過示例的方式，在每種情況下下部凹陷400可以被布置在斷裂方向10上的所分配的第二上部凹陷300之后。

當在斷裂平面20之一處在斷裂方向10上使半導體晶片100斷裂時，還可能在下部凹陷400的后邊界面處形成晶體缺陷150。形成在下部凹陷400的后邊界面處的這些晶體缺陷150在半導體晶片100中在與相應的下部凹陷400的后邊界面垂直的方向上繼續(xù)，并且因此在朝向半導體晶片100的頂側101的方向上行進。在這種情況下，它們可能會遇到從相對的上部凹陷300的后邊界面220起行進的晶體缺陷150。在這種情況下，相遇的晶體缺陷150可以彼此截斷，并且因此防止晶體缺陷150在半導體晶片100中進一步繼續(xù)。這降低了從凹陷300、400起行進的晶體缺陷150將滲透到半導體晶片100的激光二極管結構141的有源區(qū)的風險。

已經(jīng)基于優(yōu)選的示例性實施例更詳細地圖示和描述了本發(fā)明。然而，本發(fā)明不局限于所公開的示例。相反，在不脫離本發(fā)明的保護范圍的情況下，本領域技術人員可以從中得出其它變化。

參考符號列表

10斷裂方向

11縱向方向

12生長方向

20斷裂平面

30進一步的斷裂平面

100半導體晶片

101頂側

102底側

110后方

120臺面溝槽