技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供了一種光電子器件，該器件包括包含有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦的有源層和通過(guò)真空蒸發(fā)形成并被配置成傳輸空穴載流子的空穴傳輸層(HTL)。HTL包括：第一子層，該第一子層包括摻雜有n摻雜物并與有源層相鄰設(shè)置的空穴傳輸材料(HTM)；第二子層，該第二子層包括未摻雜并與第一子層相鄰設(shè)置的HTM；以及第三子層，該第三子層包括摻雜有p摻雜物并且與第二子層相鄰設(shè)置的HTM。用于n摻雜子層的n摻雜物的摻雜濃度被確定為使n摻雜子層的最高占據(jù)分子軌道能級(jí)與鈣鈦礦有源層的價(jià)帶最大能級(jí)相匹配。

技術(shù)研發(fā)人員：戚亞冰;鄭敏喆;S·魯伊斯·拉格
受保護(hù)的技術(shù)使用者：學(xué)校法人沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)學(xué)園
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.05
技術(shù)公布日：2017.08.29