技術特征：

技術總結
一種用于制造電子器件的方法包括：通過光刻工藝在載體（2）的上側形成犧牲結構（470）以及使用模制部分（481）對布置在載體（2）的上側的犧牲結構（470）和電子半導體芯片（430）進行成形，使得所述電子半導體芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆蓋。作為另外的步驟，所述方法包括使所述模制部分（481）從所述載體（2）脫離以及去除犧牲結構（470），其中通過去除所述犧牲結構（470）在所述模制部分（470）中形成凹處。

技術研發(fā)人員：L.海貝格爾;M.施佩爾
受保護的技術使用者：奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
技術研發(fā)日：2015.08.04
技術公布日：2017.08.29