本發(fā)明涉及太陽能電池及其制造方法、以及太陽能電池模塊。
背景技術(shù)：
：在太陽能電池中，通過將對具有半導(dǎo)體接合的光電轉(zhuǎn)換部照射光而產(chǎn)生的載流子(電子及空穴)取出至外部電路，由此，進(jìn)行發(fā)電。為了將光電轉(zhuǎn)換部中產(chǎn)生的載流子有效地回收并取出至外部電路，在太陽能電池的受光面及背面?zhèn)鹊谋砻嫔显O(shè)置金屬集電極。例如，通過在導(dǎo)電型單晶硅基板表面上設(shè)置硅系薄膜而形成半導(dǎo)體接合的異質(zhì)結(jié)太陽能電池中，通過在受光面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)鹊墓柘当∧ど显O(shè)置由透明導(dǎo)電性氧化物等制成的透明電極，并在透明電極上設(shè)置金屬集電極，從而回收晶體硅基板上產(chǎn)生的光載流子。到達(dá)形成金屬集電極的區(qū)域的光被金屬集電極反射或吸收，因此，產(chǎn)生陰影損失。為了降低陰影損失，使受光面?zhèn)鹊募姌O形成為圖案狀。作為集電極的圖案，典型性的是由叉指電極及匯流條電極構(gòu)成的格柵圖案。背面?zhèn)鹊募姌O也可以設(shè)置于整個面，也可以設(shè)置成圖案狀。像平頂類型、地上設(shè)置類型那樣，光也從背面?zhèn)热肷涞脑O(shè)置方式的太陽能電池模塊中，在太陽能電池的背面?zhèn)仍O(shè)置圖案狀的集電極。另外，構(gòu)成為用底層片使入射至相鄰的電池間的光反射的太陽能電池模塊也在背面?zhèn)仍O(shè)置圖案狀的集電極。圖案狀的集電極通常通過對銀膏等導(dǎo)電性糊進(jìn)行絲網(wǎng)印刷而形成。但是，使用銀膏形成的集電極含有樹脂材料，因此，電阻率高，材料成本也高。因此，為了降低電極材料成本等，提出了通過鍍敷法形成金屬集電極的方法。鍍敷法可以形成厚度大且低電阻的金屬電極，因此，與使用導(dǎo)電性糊的情況相比，可減小金屬電極的線寬。因此，由鍍敷法形成金屬集電極在由陰影損失的降低帶來的光攝入效率提高上也具有優(yōu)點。作為通過鍍敷法形成規(guī)定圖案的集電極的方法，已知以下方法：在光電轉(zhuǎn)換部的表面設(shè)置具有開口的絕緣層，使金屬在開口形成部位的表面析出。例如，專利文獻(xiàn)1中公開了一種方法：在光電轉(zhuǎn)換部的透明電極上形成膜厚為10～15μm左右的絕緣層，絕緣層設(shè)置開口后，通過電解鍍敷形成集電極。專利文獻(xiàn)2及專利文獻(xiàn)3中，提出了一種方法：在通過對含有低熔點材料的導(dǎo)電性糊進(jìn)行印刷而形成的金屬籽晶層上形成絕緣層后，通過加熱進(jìn)行退火，由此，使金屬籽晶層內(nèi)的低熔點材料進(jìn)行熱流動，在金屬籽晶層上的絕緣層形成龜裂狀的開口。該方法可以向金屬籽晶層選擇性地形成區(qū)域形成開口，不需要用抗蝕劑等進(jìn)行絕緣層的圖案化，因此，在材料成本及工藝成本的方面優(yōu)異?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：wo2012/029847號國際公開小冊子；專利文獻(xiàn)2：wo2013/077038號國際公開小冊子；專利文獻(xiàn)3：wo2014/185537號國際公開小冊子。技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的課題如上所述，通過鍍敷法形成金屬集電極，由此，可減少電極面積并降低陰影損失。但是，為了減小電極面積而擴大相鄰的叉指電極間的電極間隔時，存在載流子回收效率降低且太陽能電池的填充因子降低的傾向。因此，考慮陰影損失和載流子回收效率的平衡，決定電極的圖案形狀。通常，受光面?zhèn)鹊募姌O以叉指電極的合計面積成為受光面整體的1～3％左右的方式，設(shè)定相鄰電極間的間隔。為了進(jìn)一步提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，優(yōu)選保持電極面積，同時降低陰影損失并提高光攝入效率。用于解決課題的方案本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，通過在受光面?zhèn)任葱纬杉姌O的區(qū)域析出小面積的鍍金屬，盡管由金屬導(dǎo)致的遮光面積增加，還是可以增大光攝入量。本發(fā)明的太陽能電池具備：包含半導(dǎo)體接合的光電轉(zhuǎn)換部、設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換部的受光面的多個受光面叉指電極及設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換部的背面?zhèn)鹊亩鄠€背面叉指電極。優(yōu)選受光面叉指電極的間隔距離比背面叉指電極的間隔距離大。光電轉(zhuǎn)換部的受光面被第一絕緣層覆蓋。受光面叉指電極具備第一金屬籽晶層及第一鍍金屬層。第一金屬籽晶層設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換部和第一絕緣層之間，第一金屬籽晶層和第一鍍金屬層通過設(shè)置于第一絕緣層的開口導(dǎo)通。本發(fā)明的太陽能電池具有與受光面叉指電極及背面叉指電極的任一電極均不接觸的獨立鍍金屬層。獨立鍍金屬密集區(qū)域以與受光面叉指電極的延伸方向平行的帶狀形狀存在于第一絕緣層的表面。獨立鍍金屬密集區(qū)域是獨立鍍金屬層的面積密度為未形成受光面叉指電極區(qū)域整體平均值二倍以上的區(qū)域。優(yōu)選獨立鍍金屬密集區(qū)域以距受光面叉指電極間隔20μm以上的方式存在。優(yōu)選光電轉(zhuǎn)換部的背面由第二絕緣層覆蓋，背面叉指電極具備第二金屬籽晶層及第二鍍金屬層。第二金屬籽晶層設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換部和第二絕緣層之間，第二金屬籽晶層和第二鍍金屬層通過設(shè)置于第二絕緣層的開口導(dǎo)通。該方式中，優(yōu)選第一絕緣層表面的獨立鍍金屬層的面積密度比第二絕緣層表面的獨立鍍金屬層的面積密度大。優(yōu)選第一絕緣層及第二絕緣層均為無機層。優(yōu)選第一絕緣層及第二絕緣層的膜厚為10～200nm。優(yōu)選第一鍍金屬層、第二鍍金屬層及獨立鍍金屬層均含有銅。本發(fā)明的太陽能電池的叉指電極通過以下方法得到：通過設(shè)置于金屬籽晶上的絕緣層的開口，采用鍍敷法在金屬籽晶上形成鍍金屬層。在通過導(dǎo)電性糊的印刷形成金屬籽晶層時，如果溶劑從導(dǎo)電性糊形成區(qū)域滲出，則在形成鍍金屬層時，容易在溶劑滲出區(qū)域的外緣附近的絕緣層上形成獨立鍍金屬層。因此，獨立鍍金屬密集區(qū)域形成為與叉指電極的延伸方向平行的帶狀。此外，本發(fā)明涉及具備所述太陽能電池的太陽能電池模塊。本發(fā)明的太陽能電池模塊具備設(shè)置于太陽能電池的受光面?zhèn)鹊氖芄饷姹Ｗo(hù)材料和設(shè)置于太陽能電池的背面?zhèn)鹊谋趁姹Ｗo(hù)材料。在太陽能電池和受光面保護(hù)材料之間、及太陽能電池和背面保護(hù)材料之間具有密封材料。受光面保護(hù)材料透明，優(yōu)選使用玻璃。背面保護(hù)材料可以透明，也可以不透明。背面保護(hù)材料優(yōu)選使用不含有金屬箔的材料。設(shè)置于太陽能電池和背面保護(hù)材料之間的密封材料優(yōu)選含有聚烯烴樹脂。發(fā)明的效果本發(fā)明的太陽能電池可以使由受光面?zhèn)鹊牟嬷鸽姌O反射的光在獨立鍍金屬層散射，向光電轉(zhuǎn)換部入射。因此，光攝入效率優(yōu)異。附圖說明圖1是一實施方式的太陽能電池的示意性的截面圖。圖2是太陽能電池的受光面的俯視圖。圖3是太陽能電池的背面的俯視圖。圖4是一實施方式的太陽能電池模塊的示意性的截面圖。圖5是實施例的太陽能電池的受光面的顯微鏡觀察照片。圖6是實施例的太陽能電池的背面的顯微鏡觀察照片。附圖標(biāo)記說明10.硅基板；21、22.本征硅系薄膜；31、32.導(dǎo)電型硅系薄膜；41、42.透明電極層；81、82.絕緣層；50光電轉(zhuǎn)換部；81、82.絕緣層；60、70.叉指電極；61、71.金屬籽晶層；62、72.鍍金屬層；69.獨立鍍金屬層；690.獨立鍍金屬密集區(qū)域；100.太陽能電池；105.配線材料；111、112.密封材料；120、130.保護(hù)材料。具體實施方式圖1是本發(fā)明一實施方式的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的示意性的截面圖。如圖1中示意性地表示，本發(fā)明的太陽能電池在光電轉(zhuǎn)換部50的受光面?zhèn)染邆涠鄠€受光面叉指電極60，在光電轉(zhuǎn)換部50的背面?zhèn)染邆涠鄠€背面叉指電極70。受光面叉指電極60從光電轉(zhuǎn)換部50側(cè)依次具備金屬籽晶層61及鍍金屬層62。以下，以異質(zhì)結(jié)太陽能電池為例子，更詳細(xì)地說明本發(fā)明。異質(zhì)結(jié)太陽能電池是通過在導(dǎo)電型單晶硅基板表面設(shè)置間隙與單晶硅不同的硅系薄膜而形成半導(dǎo)體接合的晶體硅太陽能電池。已知通過在用于形成擴散電位的導(dǎo)電型硅系薄膜31、32和導(dǎo)電型單晶硅基板10之間隔著本征硅系薄膜21、22，導(dǎo)電型單晶硅基板10的表面缺陷被終止，轉(zhuǎn)換效率提高。[光電轉(zhuǎn)換部的構(gòu)成](硅基板)作為導(dǎo)電型單晶硅基板10，也可以使用n型單晶硅基板和p型單晶硅基板的任一種。從硅基板內(nèi)的載流子壽命的長度來看，優(yōu)選使用n型單晶硅基板。(硅系薄膜)在導(dǎo)電型單晶硅基板10的第一主面上(受光面?zhèn)?設(shè)置第一導(dǎo)電型硅系薄膜31，在第二主面上(背面?zhèn)?設(shè)置第二導(dǎo)電型硅系薄膜。第一導(dǎo)電型硅系薄膜31和第二導(dǎo)電型硅系薄膜32具有不同的導(dǎo)電型，一方為p型，另一方為n型。作為這些導(dǎo)電型硅系薄膜31、32，可使用p型硅系薄膜及n型硅系薄膜。導(dǎo)電型硅系薄膜的膜厚優(yōu)選為20nm以下，更優(yōu)選為15nm以下。從良好地保持制膜的覆蓋率方面來看，導(dǎo)電性硅系薄膜的膜厚優(yōu)選為2nm以上。導(dǎo)電型硅系薄膜31、32中，將具有與導(dǎo)電型單晶硅基板10不同的導(dǎo)電型的硅層稱為“發(fā)射極層”。將具有與導(dǎo)電型單晶硅基板10和設(shè)置于受光面?zhèn)鹊牡谝粚?dǎo)電型硅系薄膜31不同的導(dǎo)電型、且具有與導(dǎo)電型單晶硅基板10和設(shè)置于背面?zhèn)鹊牡诙?dǎo)電型硅系薄膜32相同的導(dǎo)電型的結(jié)構(gòu)稱為“表發(fā)射極結(jié)構(gòu)”。例如，使用了n型單晶硅基板作為導(dǎo)電型單晶硅基板10的“表發(fā)射極結(jié)構(gòu)”的異質(zhì)結(jié)太陽能電池中，在受光面?zhèn)扰渲贸蔀榘l(fā)射極層的p型硅系薄膜，在背面?zhèn)扰渲胣型硅系薄膜。另一方面，將具有與導(dǎo)電型單晶硅基板10和第一導(dǎo)電型硅系薄膜31相同的導(dǎo)電型、且具有與導(dǎo)電型單晶硅基板10和第二導(dǎo)電型硅系薄膜32不同的導(dǎo)電型的結(jié)構(gòu)稱為“背面發(fā)射極結(jié)構(gòu)”。作為導(dǎo)電型硅系薄膜31、32的材料，優(yōu)選非晶質(zhì)硅。作為摻雜雜質(zhì)，如果是n型硅層，則優(yōu)選使用p(磷)，如果是p型硅層，則優(yōu)選使用b(硼)。優(yōu)選在硅基板10和第一導(dǎo)電型硅系薄膜31之間、及硅基板10和第二導(dǎo)電型硅系薄膜32之間設(shè)置本征硅系薄膜21、22。通過在導(dǎo)電型單晶硅基板10的表面設(shè)置本征硅系薄膜21、22，硅基板10的表面缺陷被終止，載流子壽命提高，因此，太陽能電池的輸出提高。對于硅系薄膜的制膜方法，沒有特別限定，但從可以進(jìn)行精密的膜厚控制來看，優(yōu)選cvd(chemicalvaperdeposition)法。作為用于cvd的原料氣體，可使用sih4等硅系氣體。也可以使用含硅氣體和h2的混合氣體。為了提高硅系薄膜的光透射性等，也可以微量添加含有氧、碳等的原料氣體。作為用于形成導(dǎo)電型硅系薄膜的摻雜氣體，可舉出b2h6、ph3等。(透明電極層)異質(zhì)結(jié)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換部50在導(dǎo)電型硅系薄膜31、32上具備透明電極層41、42。作為透明電極層41、42透明電極層的材料，通常使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鈦、其復(fù)合氧化物等透明導(dǎo)電性金屬氧化物。其中，從兼具高導(dǎo)電率和透明性的觀點來看，優(yōu)選為以氧化銦為主要成分的銦系復(fù)合氧化物。作為銦系復(fù)合氧化物的摻雜雜質(zhì)，可舉出sn、ti、w、ce、ga等金屬、它們的金屬氧化物。透明電極層41、42的膜厚優(yōu)選為40～80nm，更優(yōu)選為50～70nm。對于透明電極層的形成方法，沒有特別限定，但出于可以進(jìn)行精密的膜厚控制，優(yōu)選濺射法、rpd(radicalplasmadeposition)法等。在發(fā)射極層側(cè)(配置與硅基板不同的導(dǎo)電型的硅層一側(cè))的面內(nèi)的端部區(qū)域形成透明電極時，容易發(fā)生復(fù)合、漏電。因此，發(fā)射極層側(cè)的透明電極層優(yōu)選用掩模包覆基板的端部、周緣部而進(jìn)行制膜。在此，“周緣部”是指，距基板端部300μm～1000μm左右的區(qū)域。另一方面，非發(fā)射極側(cè)(配置與硅基板相同的導(dǎo)電型的硅層一側(cè))的復(fù)合、漏電的影響小，因此，即使在整個面形成透明電極層，也不易發(fā)生輸出降低。[集電極]在受光面?zhèn)鹊牡谝煌该麟姌O層41上形成受光面?zhèn)燃姌O，在背面?zhèn)鹊牡诙该麟姌O層42上形成背面?zhèn)燃姌O。本發(fā)明的太陽能電池在受光面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)染邆浣?jīng)圖案化的集電極。因此，也可以從背面?zhèn)葦z入光。受光面?zhèn)鹊募姌O及背面?zhèn)鹊募姌O均包含多個叉指電極。優(yōu)選多個叉指電極的延伸方向平行。圖2是太陽能電池的受光面?zhèn)鹊母┮晥D，圖3是太陽能電池的背面?zhèn)鹊母┮晥D。圖2及圖3的右側(cè)的圓包圍部分是叉指電極附近的放大圖。圖2所示的方式中，在光電轉(zhuǎn)換部的受光面設(shè)有多個叉指電極60及與叉指電極正交的匯流條電極66。圖3所示的方式中，在光電轉(zhuǎn)換部的背面設(shè)有多個叉指電極70及與叉指電極正交的匯流條電極76。如圖2及圖3所示，通過設(shè)置與叉指電極正交的匯流條電極，并將集電極形成為格柵狀，提高載流子回收效率。另外，通過設(shè)置匯流條電極，在進(jìn)行模塊化時，通過配線材料進(jìn)行的太陽能電池間的電連接變得容易。從背面?zhèn)热肷涞墓饬繛槭芄饷鎮(zhèn)鹊?0％以下，因此，對于背面?zhèn)鹊牟嬷鸽姌O而言，由電極面積增大帶來的陰影損失的影響比受光面小。因此，優(yōu)選設(shè)計為背面叉指電極優(yōu)先提高載流子回收效率。優(yōu)選背面叉指電極形成得比受光面叉指電極更密集，受光面叉指電極的間隔距離比背面叉指電極的間隔距離大。叉指電極的間隔距離為相鄰叉指電極中心線間的距離。受光面叉指電極的間隔距離優(yōu)選為背面叉指電極間隔距離的1.5～5倍，更優(yōu)選為2～4倍。如圖1所示，受光面叉指電極60在金屬籽晶層61上具有鍍金屬層62。金屬籽晶層61設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換部50和絕緣層81之間。鍍金屬層62通過設(shè)置于絕緣層81的開口86與金屬籽晶層61導(dǎo)通。(金屬籽晶層)金屬籽晶層61是作為鍍金屬層62的基底層發(fā)揮作用的層。作為金屬籽晶層所含的金屬，可舉出au、ag、ni、cu、sn、al等。其中，從保持與光電轉(zhuǎn)換部表面的接觸電阻為較低水平，且抑制氧化帶來的電阻率增加等觀點來看，優(yōu)選為ag、ni、sn。為了保持可靠性，且降低成本，也可以組合使用多個金屬材料。金屬籽晶層61可通過非電解鍍敷、濺射、蒸鍍、印刷等形成。從材料的利用效率的觀點來看，優(yōu)選金屬籽晶層通過印刷形成。在通過印刷形成金屬籽晶層的情況下，優(yōu)選使用含有金屬微粒、粘合劑樹脂材料和溶劑的導(dǎo)電性糊。作為粘合劑樹脂，優(yōu)選使用環(huán)氧系樹脂、苯酚系樹脂、丙烯酸系樹脂等熱固化性樹脂。這些樹脂也可以是固體狀的樹脂，也可以是液態(tài)樹脂。(鍍金屬層)在金屬籽晶層61上形成鍍金屬層62。由此，與僅由ag膏形成集電極的情況相比，可以以更低成本形成低電阻的集電極。作為以鍍金屬層形式析出的金屬，可使用sn、cu、ag、ni等。其中，從可以以更低成本進(jìn)行低電阻化來看，優(yōu)選cu。鍍金屬層62的形成也可以通過非電解鍍敷及電解鍍敷的任一種進(jìn)行，但優(yōu)選為電解鍍敷。就電解鍍敷而言，不僅金屬的析出速度較快，而且可基于庫侖量控制金屬的析出量，因此，從生產(chǎn)性方面考慮是優(yōu)選的。鍍金屬層62也可以由多個層構(gòu)成。例如，在形成cu等導(dǎo)電率高的鍍金屬層后，形成sn等化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異的鍍金屬層，由此，可抑制由氧化等引起的鍍敷層的劣化。對于背面叉指電極70的構(gòu)成，沒有特別限定，但優(yōu)選與受光面叉指電極60一樣，在金屬籽晶層71上具有鍍金屬層72，且金屬籽晶層71和鍍金屬層72通過設(shè)置于絕緣層82的開口87進(jìn)行導(dǎo)通。受光面叉指電極60的第一鍍金屬層62的材料和背面叉指電極70的第二鍍金屬層72的材料也可以相同，也可以不同。如果正面和背面的鍍金屬層的材料相同，則可以使光電轉(zhuǎn)換部正面和背面的應(yīng)力及熱膨脹均勻。另外，可以在一個鍍敷浴中同時形成受光面的第一鍍金屬層62和背面的第二鍍金屬層72，因此，可簡化工藝，提高生產(chǎn)效率，降低工藝成本。對于匯流條電極66、76的形成方法，沒有特別限定，但優(yōu)選與叉指電極60、70一樣，在金屬籽晶層上形成鍍金屬層。通過相同方法形成叉指電極和匯流條電極，由此，可以簡化工藝，提高生產(chǎn)性。另外，匯流條電極的線寬比叉指電極的線寬大，因此，通過在匯流條電極的金屬籽晶層上設(shè)置供電點而進(jìn)行電解鍍敷，可形成面內(nèi)的均勻性高的鍍金屬層。[絕緣層]光電轉(zhuǎn)換部受光面的未形成集電極的區(qū)域大致整個面被絕緣層81覆蓋?！按笾抡麄€面”是指95％以上的面積區(qū)域。其中，從提高絕緣層帶來的水蒸氣阻隔效果、防氫脫離效果的觀點來看，優(yōu)選未形成集電極的區(qū)域的98％以上被絕緣層覆蓋，更優(yōu)選99％以上被絕緣層覆蓋。優(yōu)選光電轉(zhuǎn)換部背面的未形成集電極的區(qū)域大致整個面也被絕緣層82覆蓋。通過設(shè)置受光面的第一絕緣層81及背面的第二絕緣層82，在形成第一鍍金屬層62及第二鍍金屬層72時，可以保護(hù)光電轉(zhuǎn)換部50免受鍍敷液的影響。另外，通過在金屬籽晶層61、71上的絕緣層81、82設(shè)置開口86、87，可以在金屬籽晶層61、71上選擇性地形成鍍金屬層62、72。本發(fā)明中，通過在未設(shè)置金屬籽晶層61的區(qū)域的第一絕緣層81形成開口89，在受光面的給定位置可形成獨立鍍金屬層69。對于絕緣層81、82的材料，沒有特別限定，但出于容易形成開口及保護(hù)性能優(yōu)異，優(yōu)選無機材料。作為絕緣層的無機材料，可使用氧化硅、氧化鎂、氧化銅、氧化鈮等金屬氧化物。出于容易通過cvd、印刷形成、且透明性優(yōu)異，作為絕緣層的無機材料，優(yōu)選sio、sin、sion等。從提高太陽能電池模塊的光攝入效率的觀點來看，優(yōu)選絕緣層81、82的折射率比光電轉(zhuǎn)換部50的最表面層41、42的折射率小，且比密封材料111、112的折射率大。對于絕緣層81、82的膜厚，沒有特別限定。從兼具光電轉(zhuǎn)換部50的保護(hù)性和開口形成的容易性的觀點來看，第一絕緣層81及第二絕緣層82的膜厚優(yōu)選為10～200nm，更優(yōu)選為30～150nm。由無機材料制成的絕緣層的水蒸氣阻隔性高，因此，也具有保護(hù)設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換部50表面的透明電極層41、42免受環(huán)境中水分影響的作用。光電轉(zhuǎn)換部表面被無機絕緣層81、82覆蓋，由此，即使在背面保護(hù)材料130不含有金屬箔的情況下，也可得到可靠性優(yōu)異的太陽能電池模塊。因此，可以使用不含有金屬箔的背面保護(hù)材料130，如平頂類型、地上設(shè)置類型那樣，可提高從背面?zhèn)纫踩肷涔獾脑O(shè)置方式的太陽能電池模塊的轉(zhuǎn)換效率。對于絕緣層的形成方法，沒有特別限定。在通過導(dǎo)電性糊的印刷形成金屬籽晶層61、71的情況下，絕緣層81、82優(yōu)選通過cvd形成。如上述wo2013/077038號(專利文獻(xiàn)1)所記載，在通過對導(dǎo)電性糊等進(jìn)行絲網(wǎng)印刷形成金屬籽晶層、且通過cvd在該金屬籽晶層上形成氧化硅等無機絕緣層的方法中，由于cvd制膜時或cvd制膜后的加熱，使金屬籽晶層的表面形狀改變，在形成于金屬籽晶層上的絕緣層可形成龜裂狀的開口。在絕緣層81、82的開口86、87下露出的金屬籽晶層61、71成為鍍敷的起點，因此，可以在金屬籽晶層形成區(qū)域上選擇性地形成鍍金屬層62、72。[獨立鍍金屬層]本發(fā)明的太陽能電池在受光面的第一絕緣層81的表面具有不與叉指電極接觸的獨立鍍金屬層69。獨立鍍金屬層是不與叉指電極導(dǎo)通、且無助于向外部取出太陽能電池的光載流子的金屬層。獨立鍍金屬層具有使光散射反射、大幅改變太陽能電池表面附近的光的傳播方向的效果。各個獨立鍍金屬層優(yōu)選形成投影面的直徑為0.1μm～10μm左右的大致圓形。如圖2的圓包圍的放大圖中模式性地表示的那樣，受光面的獨立鍍金屬層69被設(shè)置成以與受光面叉指電極60的延伸方向平行的帶狀形狀集中存在，并形成獨立鍍金屬密集區(qū)域690。獨立鍍金屬密集區(qū)域是獨立鍍金屬層的面積密度高于未形成受光面叉指電極區(qū)域整體的獨立鍍金屬層面積密度的平均值的區(qū)域。在獨立鍍金屬密集區(qū)域中，以受光面整體平均值二倍以上的面積密度設(shè)置獨立鍍金屬層。獨立鍍金屬層的面積密度通過將受光面劃分成10μm見方(100μm2)區(qū)域，并算出各區(qū)域內(nèi)的獨立鍍金屬層的面積而求得。獨立鍍金屬密集區(qū)域690的寬度優(yōu)選為300μm以下，更優(yōu)選為200μm以下。對于獨立鍍金屬密集區(qū)域690的寬度的下限，沒有特別限定，獨立鍍金屬層也可以在一條直線上排列。獨立鍍金屬密集區(qū)域不需要連接整個受光面叉指電極60的延伸方向，也可以在一部分中斷。另外，獨立鍍金屬密集區(qū)域不需要與受光面叉指電極60完全平行地存在，也可以存在相對于受光面叉指電極延伸方向彎折的部位。獨立鍍金屬層69被設(shè)置成在與受光面叉指電極60的延伸方向平行的帶狀區(qū)域集中存在，由此，有太陽能電池的電流密度提高的傾向。通過在受光面存在獨立鍍金屬層，盡管遮光面積變大，電流密度也會增加，認(rèn)為其原因是入射至受光面叉指電極的太陽光(平行光)被獨立鍍金屬層反射，由此，向光電轉(zhuǎn)換部入射的光量增大。入射至叉指電極的光沿與受光面平行的方向、光入射方向正反射。有時向光入射方向反射的光在表面保護(hù)層(例如玻璃板)的界面再反射并向光電轉(zhuǎn)換部進(jìn)行入射，但通常難以使與受光面平行方向的反射光攝入光電轉(zhuǎn)換部。另一方面，認(rèn)為在受光面叉指電極60附近設(shè)有獨立鍍金屬層69時，利用叉指電極向與受光面平行方向反射的光被獨立鍍金屬層反射，因此，向光電轉(zhuǎn)換部50攝入的光量增大。受光面的獨立鍍金屬密集區(qū)域690優(yōu)選以距受光面叉指電極的邊緣間隔20μm以上的方式存在。獨立鍍金屬層69與受光面叉指電極60的距離過小時，有被獨立鍍金屬層散射反射的光再次到達(dá)受光面叉指電極的比例變大而可攝入光電轉(zhuǎn)換部50的反射光量降低的傾向。另一方面，獨立鍍金屬層69與受光面叉指電極60的距離過大時，有受光面叉指電極中的反射光到達(dá)獨立鍍金屬層的比例變小而在大氣中反射的反射光的比例變大的傾向。因此，受光面叉指電極60與獨立鍍金屬密集區(qū)域690的間隔(間隔距離)優(yōu)選為200μm以下。受光面叉指電極60與獨立鍍金屬密集區(qū)域690的間隔更優(yōu)選為30μm～150μm，進(jìn)一步優(yōu)選為40μm～100μm。如圖3的圓包圍的放大圖中模式性地表示那樣，也可以在背面?zhèn)鹊牡诙^緣層82的表面形成獨立鍍金屬層79。向太陽能電池的背面?zhèn)热肷涞墓馐窃诠怆娹D(zhuǎn)換部未吸收而透射至背面?zhèn)鹊慕t外線、入射至相鄰配置的太陽能電池間間隙的光反射的再入射光的大部分，且為非平行光。因此，即使在背面?zhèn)仍O(shè)置獨立鍍金屬層，也難以得到受光面?zhèn)饶菢拥挠缮⑸浞瓷鋷淼脑偃肷湫Ч?。另一方面，入射至獨立鍍金屬層的光成為陰影損失的原因。因此，當(dāng)在背面?zhèn)鹊牡诙^緣層82上設(shè)置的獨立鍍金屬層的面積變大時，來自背面的反射光的攝入效率有降低的傾向。因此，優(yōu)選受光面?zhèn)鹊牡谝唤^緣層81表面的獨立鍍金屬層69的面積密度比背面?zhèn)鹊牡诙^緣層82表面的獨立鍍金屬層79的面積密度大。第一絕緣層表面的獨立鍍金屬層的面積密度優(yōu)選為第二絕緣層表面的獨立鍍金屬層的面積密度的1.2倍以上，更優(yōu)選為1.5倍以上，進(jìn)一步優(yōu)選為2倍以上。對于距叉指電極的邊緣250μm以內(nèi)的區(qū)域中的獨立鍍金屬層的面積密度而言，受光面?zhèn)葍?yōu)選為背面?zhèn)鹊?倍以上，更優(yōu)選為5倍以上，進(jìn)一步優(yōu)選為8倍以上。對于獨立鍍金屬層的形成方法，沒有特別限定，但優(yōu)選與叉指電極60的鍍金屬層62同時通過鍍敷法形成。因此，獨立鍍金屬層69的材料優(yōu)選與鍍金屬層62相同。優(yōu)選鍍金屬層62含有銅時，獨立鍍金屬層69也含有銅。在未形成金屬籽晶層61的區(qū)域上的絕緣層81設(shè)置開口89，以在開口下露出的透明電極層41為起點析出鍍金屬，由此，可同時形成鍍金屬層62和獨立鍍金屬層69。通過沿著與金屬籽晶層61的延伸方向平行的方向設(shè)置多個開口89，可形成以與叉指電極60的延伸方向平行的帶狀形狀集中存在的獨立鍍金屬層69。對于在未形成金屬籽晶層區(qū)域上的絕緣層81形成開口89的方法，沒有特別限定。例如，通過激光劃線、機械劃線等機械性的方法可形成開口89。另外，使樹脂制的刷毛等與形成絕緣層81前的光電轉(zhuǎn)換部50的表面(透明電極層41)接觸而產(chǎn)生微細(xì)的微粒，并在該表面上制膜成絕緣層，由此，可在絕緣層81形成針孔狀的開口89。通過在光電轉(zhuǎn)換部的表面按壓多孔狀的樹脂片、輥的方法、吹送粒子的方法等，也能在光電轉(zhuǎn)換部的表面產(chǎn)生微粒，在絕緣層81形成開口89。優(yōu)選的方式中，通過利用在形成金屬籽晶層61時所使用的導(dǎo)電性糊的溶劑的滲出，不會擦傷光電轉(zhuǎn)換部的表面而能夠在金屬籽晶層非形成區(qū)域上的絕緣層81形成開口89。導(dǎo)電性糊通常以如下方式設(shè)計觸變性：即使在印刷壓力較大的情況下，也不會發(fā)生導(dǎo)電性微粒及粘合劑樹脂向印刷區(qū)域外滲出，但隨著印刷壓力的增大，溶劑的滲出量有變大的傾向。通過使膏固化時的加熱，滲出至導(dǎo)電性糊形成區(qū)域(印刷區(qū)域)外側(cè)的溶劑揮發(fā)，但在該區(qū)域上形成絕緣層時，溶劑滲出區(qū)域的外緣附近有容易形成針孔的傾向。通過以該針孔89為起點析出鍍金屬，能夠形成與受光面叉指電極60的延伸方向平行的帶狀的獨立鍍金屬密集區(qū)域690。為了在受光面?zhèn)刃纬膳c叉指電極60的延伸方向平行的帶狀的獨立鍍金屬層69、且抑制在背面?zhèn)刃纬瑟毩㈠兘饘賹樱灰剐纬墒芄饷娴牡谝唤饘僮丫?1時的導(dǎo)電性糊的印刷壓力比形成背面的第二金屬籽晶層71時的導(dǎo)電性糊的印刷壓力大即可。通過增大受光面?zhèn)鹊膶?dǎo)電性糊的印刷壓力，使膏中的溶劑滲出，在第一絕緣層81形成針孔，并減小背面?zhèn)鹊膶?dǎo)電性糊的印刷壓力，由此，可抑制溶劑的滲出，抑制在第二絕緣層82形成針孔。因此，即使在以相同的鍍敷條件形成受光面的第一鍍金屬層62和背面的第二鍍金屬層72的情況下，也可以在受光面?zhèn)冗x擇性地形成獨立鍍金屬層69。如上所述，在受光面叉指電極60的間隔比背面叉指電極70的間隔大，且密集地形成背面的叉指電極的情況下，在印刷導(dǎo)電性糊時，背面?zhèn)瓤墒褂瞄_口面積率大的絲網(wǎng)印版。因此，如果以相同的印刷條件形成受光面?zhèn)鹊牡谝唤饘僮丫雍捅趁鎮(zhèn)鹊牡诙饘僮丫?，則受光面?zhèn)鹊挠∷毫ο鄬π缘刈兇蟆應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)太陽能電池以外的實例]以上，以光電轉(zhuǎn)換部50在導(dǎo)電型單晶硅基板10的兩面具備導(dǎo)電型硅系薄膜31、32及透明電極層41、42的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的例子為中心，說明了本發(fā)明的太陽能電池的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明也可以應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)太陽能電池以外的太陽能電池。具體而言，可舉出：異質(zhì)結(jié)型以外的晶體硅太陽能電池、使用了gaas等除硅以外的半導(dǎo)體基板的太陽能電池、在非晶質(zhì)硅系薄膜、晶體硅系薄膜的pin接合或pn接合上形成透明電極層的硅系薄膜太陽能電池、cis、cigs等化合物半導(dǎo)體太陽能電池、色素敏化太陽能電池、有機薄膜(導(dǎo)電性聚合物)等有機薄膜太陽能電池等。[太陽能電池模塊]本發(fā)明的太陽能電池在用于實際使用時，優(yōu)選進(jìn)行模塊化。太陽能電池的模塊化通過適當(dāng)方法進(jìn)行。例如，如圖4所示，使太陽能電池100的匯流條電極66、76與極耳等配線材料105連接，由此，形成將多個太陽能電池串聯(lián)或并聯(lián)地連接的太陽能電池串，將太陽能電池串利用密封材料111、112及保護(hù)材料120、130進(jìn)行密封，由此，進(jìn)行模塊化。太陽能電池和配線材料可以通過使用低熔點焊錫的焊錫連接、使用cf(conductivefilm)進(jìn)行壓接的連接等，進(jìn)行電連接。作為密封材料，可使用：乙烯/醋酸乙烯酯共聚物(eva)、乙烯/醋酸乙烯酯/異氰脲酸三烯丙酯(evat)、聚乙烯醇縮丁醛(pvb)、硅、聚氨酯、丙烯酸、環(huán)氧、烯烴等透光性的樹脂。從成本降低的觀點來看，作為受光面?zhèn)让芊獠牧?11，優(yōu)選使用eva。在使用不含有金屬箔的背面保護(hù)材料130的情況下，為了提高模塊的可靠性，優(yōu)選使用含有聚烯烴樹脂的背面?zhèn)让芊獠牧?12。聚烯烴樹脂的水分透射率小，因此，即使在使用不含有金屬箔的背面保護(hù)材料的情況下，也可抑制水分侵入光電轉(zhuǎn)換部。優(yōu)選背面?zhèn)让芊獠牧系恼凵渎蕁1、第二絕緣層的折射率n2、及光電轉(zhuǎn)換部50的背面?zhèn)鹊淖畋砻鎸拥恼凵渎蕁3滿足n1＜n2＜n3。折射率從背面?zhèn)认蚬怆娹D(zhuǎn)換部階段性地變大，由此，背面?zhèn)鹊姆瓷涔馔ㄟ^光電轉(zhuǎn)換部大量攝入，因此，可提高模塊轉(zhuǎn)換效率。異質(zhì)結(jié)太陽能電池中，光電轉(zhuǎn)換部50的背面?zhèn)鹊淖畋砻鎸訛榈诙该麟姌O層42，因此，只要使用折射率比氧化硅等透明電極層低的材料作為第二絕緣層，且使用更低折射率的材料作為背面?zhèn)让芊獠牧霞纯?。密封材料的折射率通常?.5左右，透明電極的折射率為1.9～2.3左右，因此，優(yōu)選絕緣層的折射率為1.5～2.3的范圍內(nèi)。需要說明的是，折射率是波長為600nm的條件下的值，通過橢偏儀法測定。作為受光面保護(hù)材料120，可使用玻璃板(藍(lán)板玻璃、白板玻璃)、聚氟乙烯膜(例如，tedlar膜(注冊商標(biāo)))等氟樹脂膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜等。從機械強度、光透射率、水分隔絕性、成本等方面來看，優(yōu)選為玻璃板，其中，特別優(yōu)選為白板玻璃。作為背面保護(hù)材料130，可使用玻璃板、樹脂膜、由鋁等構(gòu)成的金屬箔或它們的疊層體。本發(fā)明的太陽能電池中，背面?zhèn)鹊募姌O為圖案狀，因此，如果使用光透射性的背面保護(hù)材料130，則也可以從背面?zhèn)葦z入光。因此，如平頂類型、地上設(shè)置類型那樣，光也從背面?zhèn)热肷涞脑O(shè)置方式的太陽能電池模塊中，優(yōu)選使用不含有金屬箔的光透射性的背面保護(hù)材料130。在背面保護(hù)材料不含有金屬箔的情況下，存在水分從太陽能電池模塊的背面?zhèn)鹊那秩肓吭龃蟮膬A向。本發(fā)明的太陽能電池中，光電轉(zhuǎn)換部的正面和背面兩面被絕緣層覆蓋，因此，即使在使用了不含有金屬箔的背面保護(hù)材料的情況下，也可以防止水分侵入光電轉(zhuǎn)換部。一實施方式中，作為背面保護(hù)材料130，可使用從太陽能電池側(cè)依次疊層有黑色樹脂層和紅外線反射層的疊層膜。黑色樹脂層為可見光吸收性，吸收波長800nm以下的可見光。黑色樹脂層的可見光透射率優(yōu)選為10％以下。如果使用包含黑色樹脂層的背面保護(hù)材料，則背面保護(hù)材料和太陽能電池的外觀色接近，因此，相鄰配置的太陽能電池間的間隙不顯著，可得到外觀設(shè)計性高的太陽能電池模塊。通過在黑色樹脂層的背面?zhèn)扰渲眉t外線反射層，可以將在太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換部未吸收而透射至背面?zhèn)鹊慕t外線、入射至相鄰配置的太陽能電池間的間隙的光進(jìn)行反射，并再入射至太陽能電池，可以提高模塊轉(zhuǎn)換效率。紅外線反射層中，波長800nm～1200nm的近紅外線的反射率優(yōu)選為80％以上，更優(yōu)選為85％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為90％以上。為了使在紅外線反射層反射的近紅外線再入射至太陽能電池，黑色樹脂層中，波長800nm～1200nm的近紅外線的透射率優(yōu)選為80％以上。作為黑色樹脂層，優(yōu)選使用含有聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、氟樹脂、乙烯/醋酸乙烯酯樹脂等熱塑性樹脂及顏料、染料等色料的樹脂組合物。著色劑優(yōu)選為吸收可見光，且透射近紅外線的材料，可使用亮度l＊為45以上且色調(diào)相互不同的三種以上色料的組合、深色系的有機顏料等。黑色樹脂層中也可以含有具有紅外線反射特性的無機顏料。作為紅外線反射層，可使用由含有氧化鈦等具有紅外線反射性的白色顏料的樹脂組合物制成的樹脂層、紅外線反射性的金屬箔(例如鋁、銀)等。金屬箔有時會發(fā)生與空氣接觸導(dǎo)致的腐蝕、短路等。因此，從提高模塊的可靠性、安全性的觀點來看，作為紅外線反射層，優(yōu)選使用不含有金屬箔的樹脂層。也可以在黑色樹脂層和紅外線反射層之間含有用于貼合兩者的粘接層等。實施例以下，通過實施例具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于以下的實施例。[實施例1](在硅基板表面形成紋理)將受光面的面方位為(100)且厚度為200μm的n型單晶硅基板在丙酮中進(jìn)行清洗后，在2重量％的hf水溶液中浸漬5分鐘，除去表面的氧化硅層，并利用超純水進(jìn)行兩次沖洗。將清洗后的硅基板在保持為75℃的5/15重量％的koh/異丙醇水溶液中浸漬15分鐘，進(jìn)行各向異性蝕刻。然后，在2重量％的hf水溶液中浸漬5分鐘，并利用超純水進(jìn)行兩次沖洗，在常溫條件下進(jìn)行干燥。通過afm進(jìn)行硅基板的表面觀察，結(jié)果，在正面和背面兩面形成(111)面露出的四棱錐狀的紋理結(jié)構(gòu)，其算術(shù)平均粗糙度為2100nm。(硅系薄膜的制膜)向cvd裝置導(dǎo)入形成紋理后的單晶硅基板，在受光面上以4nm的膜厚制膜成本征非晶質(zhì)硅層，在該本征非晶質(zhì)硅層上以5nm的膜厚制膜成p型非晶質(zhì)硅層。需要說明的是，本實施例的薄膜的膜厚是根據(jù)通過將在硅基板上以同條件制膜的薄膜的膜厚，通過分光橢偏儀(商品名m2000，j.a.woollam股份有限公司制造)測定而求得的制膜速度算出的值。本征非晶質(zhì)硅層的制膜條件中，基板溫度為180℃，壓力為130pa，sih4/h2流量比為2/10，投入功率密度為0.03w/cm-2。p型非晶質(zhì)硅層的制膜條件中，基板溫度為190℃，壓力為130pa，sih4/h2/b2h6流量比為1/10/3，投入功率密度為0.04w/cm-2。需要說明的是，上述中所說的b2h6氣體使用利用h2將b2h6濃度稀釋至5000ppm的氣體。接著，在硅基板的背面?zhèn)龋?nm的膜厚制膜成本征非晶質(zhì)硅層。在本征非晶質(zhì)硅層上以10nm的膜厚制膜成n型非晶質(zhì)硅層。n型非晶質(zhì)硅層的制膜條件中，基板溫度為180℃，壓力為60pa，sih4/ph3流量比為1/2，投入功率密度為0.02w/cm-2。需要說明的是，上文所述的ph3氣體使用利用h2將ph3濃度稀釋至5000ppm的氣體。(透明電極層的制膜)將形成硅系薄膜后的基板移送至rpd設(shè)備，在p型非晶質(zhì)硅層上及n型非晶質(zhì)硅層上分別制膜成膜厚為80nm的氧化銦層作為透明電極層。蒸鍍源使用了在in2o3中添加1％的鎢的材料。在制膜成受光面?zhèn)?p型非晶質(zhì)硅層上)的透明電極層時，利用掩模包覆基板的周緣部0.5～0.75mm的區(qū)域，在周緣部不制膜成氧化銦層。在制膜成背面?zhèn)?n型非晶質(zhì)硅層上)的透明電極層時，不使用掩模，而在整個面上制膜成氧化銦層。(金屬籽晶層的形成)在受光面?zhèn)鹊难趸煂由蠈?dǎo)電性糊進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，形成金屬籽晶。形成受光面?zhèn)鹊慕饘僮丫r，使用了以20：80的重量比含有作為導(dǎo)電性微粒的snbi金屬粉末(粒徑dl＝25～35μm，熔點t1＝141℃)和銀粉末(粒徑dh＝2～3μm，熔點t2＝971℃)、還含有作為粘合劑樹脂的環(huán)氧系樹脂(5wt％)及溶劑的膏。使用具有與匯流條電極和叉指電極的圖案對應(yīng)的開口的絲網(wǎng)印版(叉指電極的寬度：70μm，叉指電極的間距：2mm)對該導(dǎo)電性糊進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，以140℃進(jìn)行約20分鐘的預(yù)燒成。接著，在背面?zhèn)鹊难趸煂由?，與受光面?zhèn)韧瑯拥剡M(jìn)行導(dǎo)電性糊的印刷及預(yù)燒成，形成金屬籽晶。形成背面?zhèn)鹊慕饘僮丫r，使用了叉指電極寬度60μm、叉指電極間距0.75mm的絲網(wǎng)印版。利用光學(xué)顯微鏡觀察形成金屬籽晶后的基板表面，結(jié)果，在受光面?zhèn)?，在距金屬籽晶的端?0～200μm的區(qū)域內(nèi)確認(rèn)到，導(dǎo)電性糊中的溶劑在印刷時的揮發(fā)痕跡。在背面?zhèn)任创_認(rèn)到揮發(fā)痕跡。(絕緣層的形成)將基板運送至cvd設(shè)備，在受光面上制膜成膜厚40nm的氧化硅層后，使基板反轉(zhuǎn)，在背面上制膜成膜厚60nm的氧化硅層。氧化硅的制膜條件中，基板溫度為180℃，壓力為60pa，sih4/co2流量比為1/10，投入功率密度為0.04w/cm-2。對于制膜成背面?zhèn)鹊难趸鑼雍蟮氖芄饷鎮(zhèn)冉^緣層的厚度而言，中央部為40nm，周緣部為60nm，周緣部的厚膜變大。由于制膜氧化硅層時的加熱，發(fā)生金屬籽晶中的金屬材料的熱流動等引起的表面形狀的變化及來自金屬籽晶的脫氣，隨之，在制膜于金屬籽晶上的氧化硅層產(chǎn)生多個針孔。另外，在受光面?zhèn)龋诟嘀腥軇]發(fā)痕跡的端部附近也產(chǎn)生針孔。(鍍金屬層的形成)在受光面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)雀髯缘膮R流條區(qū)域的金屬籽晶上連接探針，將基板浸漬于鍍銅液中進(jìn)行電解鍍敷，在金屬籽晶上以約10μm的厚度析出鍍銅層。用純水實施沖洗后，在鍍錫液中浸漬基板而進(jìn)行電解鍍敷，在銅表面上以約3μm的厚度析出鍍錫層。然后，用純水進(jìn)行沖洗。這樣，在受光面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)确謩e形成在金屬籽晶層上疊層有鍍銅層和鍍錫層的鍍金屬層。利用光學(xué)顯微鏡觀察電解鍍敷后的表面。將受光面的顯微鏡觀察像示于圖5，將背面?zhèn)鹊娘@微鏡觀察像示于圖6。在受光面?zhèn)?，在距金屬籽晶的端部間隔50～200μm左右的區(qū)域內(nèi)，析出大量直徑為1～10μm左右的獨立鍍金屬層，形成獨立鍍金屬密集區(qū)域。在背面?zhèn)入S機地形成獨立鍍金屬層，但未形成獨立鍍金屬密集區(qū)域。(模塊化)使用4塊上述得到的太陽能電池，制作微型模塊。首先，對相鄰的太陽能電池的受光面?zhèn)葏R流條和背面匯流條焊接極耳線，得到串聯(lián)連接了4塊太陽能電池的太陽能電池串。在太陽能電池串的受光面及背面?zhèn)扰渲米鳛槊芊獠牧系膃va樹脂片。配置強化白色玻璃作為受光面保護(hù)材料，配置含有四氟乙烯和乙烯的共聚物(etfe)樹脂的透光性樹脂片作為背面保護(hù)材料，進(jìn)行抽真空后，以150℃進(jìn)行約30分鐘加熱，使eva進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)，進(jìn)行密封。[比較例1]減小在受光面?zhèn)刃纬山饘僮丫訒r的絲網(wǎng)印刷的印刷壓力，抑制導(dǎo)電性糊的溶劑的滲出。除此以外，與實施例1同樣地進(jìn)行太陽能電池的制作及微型模塊的制作。利用光學(xué)顯微鏡觀察形成金屬籽晶后的基板表面，結(jié)果，在受光面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)鹊娜我粋?cè)均未確認(rèn)到揮發(fā)痕跡。利用光學(xué)顯微鏡觀察電解鍍敷后的表面，結(jié)果，在受光面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)鹊娜我粋?cè)均隨機形成獨立鍍金屬層，但未形成獨立鍍金屬密集區(qū)域。[比較例2]減小在受光面?zhèn)刃纬山饘僮丫訒r的絲網(wǎng)印刷的印刷壓力，抑制導(dǎo)電性糊的溶劑的滲出，增大在背面?zhèn)刃纬山饘僮丫訒r的絲網(wǎng)印刷的印刷壓力，使導(dǎo)電性糊的溶劑滲出。除此以外，與實施例1同樣地進(jìn)行太陽能電池的制作及微型模塊的制作。利用光學(xué)顯微鏡觀察形成金屬籽晶后的基板表面，結(jié)果，在受光面?zhèn)任创_認(rèn)到揮發(fā)痕跡，在背面?zhèn)?，在距金屬籽晶的端?0～300μm的區(qū)域內(nèi)確認(rèn)到溶劑的揮發(fā)痕跡。利用光學(xué)顯微鏡觀察電解鍍敷后的表面，結(jié)果，在受光面?zhèn)入S機形成了獨立鍍金屬層，但未形成獨立鍍金屬密集區(qū)域。在背面?zhèn)?，在距金屬籽晶的端部間隔50～300μm左右的區(qū)域內(nèi)析出大量直徑1～10μm左右的獨立鍍金屬層，形成獨立鍍金屬密集區(qū)域。[評價]使用背面?zhèn)染哂泄夥瓷湫越饘俚奶柲M器，實施在實施例及比較例中得到的微型模塊的i-v測定。將短路電流密度(jsc)、開路電壓(voc)、填充因子(ff)、轉(zhuǎn)換效率(eff)表示于表1。表1中，表示將比較例1的微型模塊的轉(zhuǎn)換特性設(shè)為1的相對值。[表1]jscvocffeff實施例11.0051.0001.0001.005比較例11111比較例20.9981.0001.0000.998在背面?zhèn)鹊牟嬷鸽姌O附近設(shè)有獨立鍍金屬層的比較例2中，與不具有獨立鍍金屬密集區(qū)域的比較例1相比，jsc降低。認(rèn)為這是由于，由背面?zhèn)鹊莫毩㈠兘饘賹右鸬恼诠饷娣e增大，來自背面?zhèn)鹊墓鈹z入量降低。另一方面，在受光面?zhèn)鹊牟嬷鸽姌O附近帶狀地設(shè)有密集的獨立鍍金屬層的實施例1中，盡管受光面的金屬層形成面積增大，與比較例1相比，jsc也增加。認(rèn)為這是由于，太陽光(平行光)被受光面?zhèn)鹊牟嬷鸽姌O反射后，被獨立鍍金屬層反射，由此，向光電轉(zhuǎn)換部入射的光量增大。當(dāng)前第1頁12