技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
MOSFET的源極區(qū)域(12)包括與源電極(41)連接的源極接觸區(qū)域(12a)、與阱區(qū)域(20)的溝道區(qū)域鄰接的源極伸展區(qū)域(12b)、以及在源極伸展區(qū)域(12b)與源極接觸區(qū)域(12a)之間配設(shè)了的源極電阻控制區(qū)域(15)。源極電阻控制區(qū)域(15)包括雜質(zhì)濃度比源極接觸區(qū)域(12a)或者源極伸展區(qū)域(12b)低的低濃度源極電阻控制區(qū)域(15a)、和形成于阱區(qū)域(20)與低濃度源極電阻控制區(qū)域(15a)之間且雜質(zhì)濃度比低濃度源極電阻控制區(qū)域(15a)高的高濃度源極電阻控制區(qū)域(15b)。

技術(shù)研發(fā)人員：八田英之;三浦成久
受保護的技術(shù)使用者：三菱電機株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.07
技術(shù)公布日：2017.08.18