本公開一般涉及x射線檢測器，并且更具體地，涉及支承在具有圍繞的金屬阻擋層的襯底上的x射線檢測器。

背景技術：

x射線輻射檢測器包括電子或光學活性部分，例如經常設置在襯底上的輻射檢測器。在其中剛性電光器件是優(yōu)選的或可接受的那些應用中，通常使用玻璃或硅作為襯底。在其中預期柔性電光器件的那些應用中，聚合物膜可以用作襯底。然而，水分和氧氣迅速擴散通過這類聚合物膜襯底，從而導致設置在襯底上的電光器件的性能退化或甚至失效。此外，聚合物襯底還經受通過在電光器件的處理期間使用的化學物質的侵蝕。

向schaepkens等人發(fā)行的美國專利號8236424公開了具有至少一個基底和設置在基底的至少一個表面上的多層涂層表面的電光器件。至少一個基底可以包括光學或電子活性部分或柔性聚合物材料。多層涂層組包括至少一個有機層和至少一個無機層?；缀投鄬油繉咏M對光譜的可見部分的光是透明的。無機層可以包括硅、金屬氧化物、金屬氮化物及其組合中的至少一種，并且具有約20納米至約200納米的厚度。多層涂層組提供對濕氣和氧氣的阻擋層并提供耐化學性。多層涂層組也是機械柔性的并且是熱穩(wěn)定的一直到基底的玻璃化轉變溫度。

需要另外的x射線檢測器，并且更具體地，需要支承在具有圍繞的金屬阻擋層的襯底上的有機x射線檢測器。

技術實現要素：

在本公開的一個方面中，x射線檢測器組合件包括具有下表面和上表面的聚合襯底，以及設置在襯底的上表面上的x射線檢測器。x射線檢測器包括設置在襯底上的薄膜晶體管陣列、設置在薄膜晶體管陣列上的有機光電二極管和設置在有機光電二極管上的閃爍體。金屬阻擋層基本上在閃爍體的上表面之上延伸，基本上在閃爍體、有機光電二極管和薄膜晶體管陣列的外圍延伸的邊緣之上延伸，并且基本上在襯底的下表面之上延伸。

在本公開的另一方面中，x射線系統包括上述x射線檢測器組合件、x射線源和可操作用于控制x射線源和x射線檢測器的控制器。

在本公開的另一方面中，一種用于制造x射線檢測器組合件的方法包括提供具有下表面和上表面的聚合襯底，提供設置在襯底的上表面上的x射線檢測器，x射線檢測器包括薄膜晶體管陣列、有機光電二極管和閃爍體，以及提供用于提供氧和水分的阻擋層的金屬阻擋層，該金屬阻擋層基本上在閃爍體的上表面之上延伸，基本上在閃爍體、有機光電二極管和薄膜晶體管陣列的外圍延伸的邊緣之上延伸，并且基本上在襯底的下表面之上延伸。

附圖說明

從以下結合附圖對本公開的各個方面的詳細描述中，本公開的前述和其他特征，方面和優(yōu)點將變得顯而易見，其中：

圖1是根據本公開的方面的x射線檢測器組合件的一個實施例的橫截面圖；

圖2是根據本公開的方面的x射線檢測器組合件的另一個實施例的橫截面圖；

圖3是根據本公開的方面的x射線檢測器組合件的另一個實施例的橫截面圖；

圖4是根據本公開的方面的x射線檢測器組合件的另一個實施例的橫截面圖；

圖5是根據本公開的方面的x射線檢測器系統的一個實施例的框圖；

圖6是根據本公開的方面的x射線檢測器系統的另一個實施例的框圖；

圖7是根據本公開的方面的x射線檢測器系統的另一個實施例的框圖；

圖8是通過各種厚度的鋁的x射線透射與x射線能量的曲線圖；以及

圖9是根據本公開的方面的用于形成有機x射線檢測器的方法的一個實施例的流程圖。

具體實施方式

如下面更詳細描述的，本公開是使用可以提高x射線檢測器可靠性的圍繞的金屬阻擋層的x射線檢測器。例如，金屬阻擋層可以形成對氧和水分的密封或阻擋層，用于保護x射線檢測器組件和支承襯底。這種技術對于具有聚合物或塑料襯底的機械柔性x射線檢測器可能是期望的。金屬阻擋層可以是固體金屬涂層或金屬箔，例如基本上包括一種或多種元素金屬，并且基本上不包括氧化物。

下面呈現的每個實施例促進對本公開的某些方面的解釋，并且不應被解釋為限制本公開的范圍。此外，如貫穿說明書和權利要求書所使用的近似語言可以被應用于修改可以允許改變而不導致與其相關的基本功能的改變的任何定量表示。因此，由一個或多個術語例如“約”修飾的值不限于所指定的精確值。在一些情況下，近似語言可以對應于用于測量該值的儀器的精度。當介紹各種實施例的元件時，冠詞“一”，“一個”，“該”和“所述”意圖表示存在一個或多個元件。術語“包含”，“包括”和“具有”意圖是包括性的，并且意味著可以存在除所列出的元件之外的附加元件。如本文所使用的，術語“可以”和“可以是”指示在一組情況內發(fā)生的可能性；擁有指明的性質，特性或功能；和/或通過表達與限定動詞相關聯的能力、性能或可能性中的一個或多個來限定另一動詞。因此，“可以”和“可以是”的使用指示修飾的術語對于指示的能力，功能或使用顯然是適當的，有能力的或適合的，同時考慮到在一些情況下修飾的術語有時可能不是適當的，有能力的或適合的。操作參數的任何示例不排除所公開的實施例的其他參數。本文關于任何特定實施例描述、說明或以其它方式公開的組件、方面、特征、配置、布置、用途等可類似地應用于本文公開的任何其它實施例。

圖1圖示根據本公開的方面的x射線檢測器組合件100的一個實施例。在所示的實施例中，x射線檢測器組合件100可以采用基本上圍繞x射線檢測器的金屬阻擋層。例如，x射線檢測器組合件100可以包括塑料或聚合襯底110，x射線檢測器120(其具有例如設置在聚合襯底上的tft(薄膜晶體管)陣列130，設置在tft陣列上的有機光電二極管140，設置在有機光電二極管上的閃爍體150)，以及金屬材料阻擋層170，例如圍繞支承在聚合物襯底110上的x射線檢測器120設置的金屬涂層。

聚合襯底110可以包括下表面112，上表面114和外圍延伸邊緣116。tft陣列130可以設置在聚合襯底的上表面上。tft陣列130可以包括外圍延伸邊緣136，有機光電二極管140可以包括外圍延伸邊緣146，并且閃爍體150可以包括外圍延伸邊緣156。

金屬阻擋層170可以基本上在閃爍體150的上表面152和周邊延伸邊緣156，有機光電二極管140的周邊延伸邊緣146，tft陣列130的周邊延伸邊緣136和下表面112之上延伸。例如，金屬阻擋層可以是完全圍繞支承在襯底上的x射線檢測器設置的連續(xù)的單片式或整體式金屬阻擋層。

絕緣層160可以在金屬阻擋層170的內表面172和x射線檢測器120之間延伸。在所示的實施例中，絕緣層160可以夾在金屬阻擋層170的內表面172和閃爍體150的上表面152和外圍延伸邊緣156，有機光電二極管140的外圍延伸邊緣146以及tft陣列130的外圍延伸邊緣136之間。絕緣層可以使金屬阻擋層170與x射線檢測器的組件電絕緣。反射層158可以設置在閃爍體150和絕緣層160之間。反射層的下表面有助于向下朝向光電檢測器反射光，以增加由光電檢測器對光的吸收。

應當理解，在其中tft陣列、有機光電二極管和閃爍體的外圍延伸邊緣彼此不對準的x射線檢測器中，金屬阻擋層和/或絕緣層可以在tft陣列、tft陣列、有機光電二極管和/或閃爍體的下和/或上表面的外圍延伸部分之上延伸。例如，如圖1所示，塑料襯底110可以包括延伸經過tft陣列130的外圍延伸邊緣的外圍延伸的上邊緣部分118。金屬阻擋層170可以在聚合物襯底110的外圍延伸的上邊緣部分118上延伸。

如上所述，金屬阻擋層170可以提供基本上圍繞x射線檢測器120和聚合物襯底110延伸的密封件。在所示的實施例中，金屬阻擋層170可以完全地并且連續(xù)地圍繞x射線檢測器120和聚合襯底110延伸。金屬阻擋層170可以圍繞x射線檢測器120和聚合襯底110提供大致密封或氣密的密封或封閉，其充當阻擋層以防止x射線檢測器和聚合物基底暴露于水分，氧氣和/或其他氣體。金屬阻擋層170還可以用作x射線檢測器和聚合物基底的化學侵蝕的阻擋層。用于施加金屬阻擋層或涂層的合適方法可以包括但不限于物理氣相沉積(pvd)、熱蒸發(fā)、濺射、ebeam等。

圖2示出了根據本公開的方面的x射線檢測器組合件200的另一個實施例。在所示的實施例中，x射線檢測器組件200可以采用基本上圍繞x射線檢測器的金屬阻擋層。例如，x射線檢測器組合件200可以包括塑料或聚合物襯底210、具有例如設置在聚合物襯底上的tft(薄膜晶體管)陣列230、設置在tft陣列上的有機光電二極管240、設置在有機光電二極管上的閃爍體250的x射線檢測器220以及金屬材料或者阻擋層280或者290，例如設置在支承在聚合物襯底210上的x射線檢測器220周圍的金屬涂層。如下所述，金屬阻擋層280可以設置在x射線檢測器之上，并且金屬阻擋290可以設置在聚合物襯底之上。

聚合物襯底210可以包括下表面212、上表面214和外圍延伸邊緣216。tft陣列230可以設置在聚合物襯底的上表面上。tft陣列230可以包括外圍延伸邊緣236，有機光電二極管240可以包括外圍延伸邊緣246，并且閃爍體250可以包括外圍延伸邊緣256。

金屬阻擋層280可以基本上在閃爍體250的上表面252和外圍延伸邊緣256、有機光電二極管240的外圍延伸邊緣246和tft陣列230的外圍延伸邊緣236之上延伸。金屬阻擋層290可以基本上在襯底210的下表面212之上延伸。

絕緣層260可以在金屬阻擋層280的內表面282和x射線檢測器220之間延伸。在該所示的實施例中，絕緣層260可以夾在金屬阻擋層280的內表面282與閃爍體250的上表面252和周邊延伸邊緣256、有機光電二極管240的周邊延伸邊緣246以及tft陣列230的周邊延伸邊緣236之間。絕緣層可以使金屬阻擋層280與x射線檢測器的組件電絕緣。反射層258可以設置在閃爍體250和絕緣層260之間。反射層的下表面有助于向下朝向光電檢測器來反射光，以增加由光電檢測器對光的吸收。

應當理解，在其中tft陣列、有機光電二極管和閃爍體的外圍延伸邊緣彼此不對準的x射線檢測器中，金屬阻擋層和/或絕緣層可以在tft陣列的下和/或上表面的外圍延伸部分之上，tft陣列之上，有機光電二極管和/或閃爍體之上延伸。如圖2所示，聚合襯底210可以包括延伸經過tft陣列230的外圍延伸邊緣的外圍延伸部分。金屬阻擋層280可以在聚合襯底210的外圍延伸的上邊緣部分218上延伸。例如，在該示出的實施例中，聚合物襯底的外圍延伸邊緣部分可以夾在金屬阻擋層280和290的外圍延伸邊緣部分之間。

金屬阻擋層280和290可以提供基本上圍繞x射線檢測器220和聚合物襯底210延伸的密封件。在該示出的實施例中，金屬阻擋層280可以完全地并且連續(xù)地在x射線檢測器220的上表面和側表面上延伸。金屬阻擋層290可以基本上在聚合物襯底210的下表面上延伸。金屬阻擋層280和290可以提供圍繞x射線檢測器220和聚合物襯底210的上表面和下表面的大致密封的或氣密的密封或閉合，其充當阻擋層，以防止x射線檢測器和聚合襯底底暴露于水分、氧氣和/或其它氣體。金屬阻擋層280和290還可以作為對x射線檢測器和聚合襯底的化學侵蝕的阻擋層。用于施加金屬阻擋層或涂層的合適方法可以包括但不限于物理氣相沉積(pvd)、熱蒸發(fā)、濺射、ebeam等。

圖3示出了根據本公開的方面的x射線檢測器組合件300的另一實施例。在該示出的實施例中，x射線檢測器系統300可以采用基本上圍繞x射線檢測器的金屬阻擋層。例如，x射線檢測器組合件300可以包括塑料或聚合物襯底310，具有例如設置在聚合物襯底上的tft(薄膜晶體管)陣列330，設置在tft陣列上的有機光電二極管340，設置在有機光電二極管上的閃爍體350的x射線檢測器320以及金屬材料或阻擋層，例如基本上圍繞支承在聚合物襯底310上的x射線檢測器320周圍設置的粘著背襯(adhesively-backed)的金屬箔380和390。例如，粘著背襯的金屬箔380和390可以包括分別附接到金屬箔粘合劑層384和394的一側的金屬箔382和392。

在該圖示的實施例中，塑料襯底320可以包括下表面312、上表面314和外圍延伸邊緣316。tft陣列330可以設置在塑料襯底的上表面上。tft陣列330可以包括外圍延伸邊緣336，有機光電二極管340可以包括外圍延伸邊緣346，并且閃爍體350可以包括外圍延伸邊緣356。粘著背襯的箔可以設置在輥(roll)上并且可從輥移除。備選地，粘著背襯的箔可以以具有可釋放地附接的釋放片(未示出)的片形式設置，用于保護粘合劑層，直到釋放片被去除。在又一個實施例中，粘合劑的噴霧可以施加到箔的表面。粘合劑層可以用作在金屬箔和x射線檢測器之間延伸的絕緣層，以使金屬箔與x射線檢測器的組件電絕緣。反射層358可以設置在閃爍體350和粘合劑層384之間。反射層的下表面有助于向下朝向光電檢測器來反射光，以增加由光電檢測器對光的吸收。

在圖3所示的該實施例中，粘著背襯的箔380可以基本上覆蓋上并附接到閃爍體350的上表面352，并且基本上覆蓋上x射線檢測器320的外圍延伸側或與其一致。粘著背襯的箔390可以基本上附接在襯底320的下表面312上。粘著支持的箔380的外圍延伸部分388可以從x射線檢測器的外圍延伸側邊緣和襯底的外圍延伸側邊緣向外延伸，并且粘著背襯的箔390的外圍延伸部分398可從襯底的外圍延伸側邊緣向外延伸。箔380的外圍延伸部分388可以粘附地附接到箔390的外圍延伸部分398。

在其它實施例中，單個的粘著背襯的金屬箔可以用于基本上覆蓋x射線檢測器組合件。例如，單個的粘著背襯的金屬箔可以可操作地定尺寸，從而使得第一部分可以粘附到襯底的底部，而第二部分圍繞x射線檢測器的一側，跨閃爍體的頂部，并且在x射線檢測器的另一側上折疊，其中第二部分的一部分粘附地附接到第一部分。

在其它實施例中，在固定一個或者多個金屬箔之前，可以將粘合劑施加到金屬箔的背面或x射線檢測器的外表面以及襯底的下表面。在其他實施例中，第一箔可以設置在襯底的底表面上，在襯底的頂部上制備x射線檢測器，然后在x射線檢測器上設置第二箔。

金屬箔380和390可提供基本上圍繞x射線檢測器320和聚合物襯底310延伸的密封件。在該圖示的實施例中，金屬箔380可以完全地并連續(xù)地在x射線檢測器320的上表面和側表面上延伸。金屬箔390可以在聚合物襯底310的下表面上延伸。金屬箔380和390可以提供圍繞x射線檢測器320和聚合物襯底310的上表面和下表面的大致密封或氣密密封或閉合，其充當阻擋層，以防止x射線檢測器和聚合物襯底暴露于水分、氧氣和/或其它氣體。金屬箔380和390還可以用作x射線檢測器和聚合物基底的化學侵蝕的阻擋層。

圖4示出了根據本公開的方面的x射線檢測器組合件400的另一個實施例。在該圖示的實施例中，x射線檢測器組合件400可以采用金屬箔以基本上圍繞x射線檢測器組合件。例如，x射線檢測器組合件400可以包括塑料或聚合物襯底410，具有例如設置在聚合物襯底上的tft(薄膜晶體管)陣列430，設置在tft陣列上的有機光電二極管440，設置在有機光電二極管上的閃爍器450的x射線檢測器420以及金屬材料或者阻擋層，例如基本上圍繞支承在聚合物襯底410上的x射線檢測器420周圍設置的粘著背襯的金屬箔480和490。例如，粘著背襯的金屬箔480和490可以包括分別附接到金屬箔粘合劑層484和494的一側的金屬箔482和492。

在該圖示的實施例中，塑料襯底420可以包括下表面412、上表面414和外圍延伸邊緣416。tft陣列430可以設置在塑料襯底的上表面上。tft陣列430可以包括外圍延伸邊緣436，有機光電二極管440可以包括外圍延伸邊緣446，并且閃爍體450可以包括外圍延伸邊緣456。粘著背襯的箔可以設置在輥上并且可從輥移除。備選地，粘著背襯的箔可以以具有可釋放地附接的釋放片(未示出)的片形式設置，用于保護粘合劑層，直到釋放片被去除。在又一個實施例中，粘合劑的噴霧可以施加到箔的表面。粘合劑層可以用作在金屬箔和x射線檢測器之間延伸的絕緣層，以使金屬箔與x射線檢測器的組件電絕緣。反射層358可以設置在閃爍體350和粘合劑層384之間。反射層的下表面有助于向下朝向光電檢測器來反射光，以增加由光電檢測器對光的吸收。

在圖4所示的實施例中，粘著背襯的箔480可以基本上覆蓋了并附接到閃爍體450的上表面452，基本覆蓋了在x射線檢測器420的外圍延伸側上或與其一致并附接到在x射線檢測器420的外圍延伸側，并且附接至聚合物襯底410的外圍延伸上邊緣部分418。粘著背襯的箔490可基本上設置在襯底410的下表面412上。例如，在所示的實施例中，聚合物襯底的外圍延伸的邊緣部分可以夾在金屬箔480和490的周邊延伸邊緣部分之間。

在還有其它實施例中，在固定一個或者多個金屬箔之前，可以將粘合劑施加到金屬箔的背面或x射線檢測器的外表面和襯底的下表面。在其他實施例中，第一箔可以設置在襯底的底部表面上，在襯底的頂部上制備x射線檢測器，并且然后在x射線檢測器上設置第二箔。

金屬箔480和490可以提供基本上圍繞x射線檢測器420和聚合物襯底410延伸的密封件。在該所示實施例中，金屬箔480可以完全地并且連續(xù)地在x射線檢測器420的上表面和側表面上延伸。金屬箔490可以在聚合物襯底410的下表面上延伸。金屬箔480和490可以提供圍繞x射線檢測器420和聚合物襯底410的上表面和下表面的大致氣密或氣密密封或封閉，其用作阻擋層，以防止x射線檢測器和聚合物襯底暴露于水分、氧氣和/或其它氣體。金屬箔480和490也可以作為對x射線檢測器和聚合物襯底的化學侵蝕的阻擋層。

在本公開的各種實施例中，金屬阻擋層例如金屬涂層或金屬箔可以包括合適的金屬材料。例如，金屬材料可以包括鋁、銀、銅、其它合適的元素金屬和/或其組合。金屬阻擋層可以是固體金屬，例如由基本上完全由特定的一種或多種金屬材料組成的金屬阻擋層，例如比如基本上完全由鋁、銀、銅、其它金屬和/或其組合制成。例如，金屬阻擋層可以是不透明的結晶材料，并且可以表現出高強度，良好的電和熱傳導性，延展性和反射率。金屬阻擋層可以由以元素形式的金屬、一種或多種金屬或金屬合金等構成。一種或多種金屬合金可以包括以元素形式的金屬。用于金屬阻擋層的合適材料基本上不包括金屬氧化物。例如，金屬阻擋層可以基本上完全是具有例如形成在阻擋層金屬的外表面上的薄的、輕的天然存在氧化物涂層的金屬。金屬阻擋層的合適厚度可在約100納米至約5毫米，約1微米至約1毫米或約1微米至約100微米的范圍之間。金屬阻擋層可以具有恒定的厚度，或者可以具有圍繞x射線檢測器和襯底的變化的厚度。

合適的粘合劑材料包括環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯、熱塑性塑料、熱固性塑料、聚氨酯、壓敏涂層和粘合劑。粘合劑層還可以包括吸濕、吸氧和/或改善涂層和水分阻隔性能的添加劑。

圖5示出了根據本公開的方面的用于為對象501進行成像的x射線檢測器系統500的框圖。例如，x射線檢測器系統500可以包括x射線檢測器組合件510(例如在x射線檢測器組合件100(圖1)、200(圖2)、300(圖3)和400(圖4)中公開的技術)，x射線源520和計算單元540。x射線源可以是例如x射線管，并且計算單元可以包括例如處理器或微控制器542，一個或多個存儲器設備544以及一個或多個輸入和/或輸出設備546。計算單元可操作以用于例如經由通信網絡向遠程計算單元630發(fā)送和從遠程計算單元630接收。通信網絡可以是例如因特網的全球通信網絡，或局域網，或其他合適的網絡。計算單元530和/或計算單元630可以可操作以用于控制x射線源和x射線檢測器以獲得圖像，和/或用于處理所獲得的圖像。雖然所示的x射線檢測器組合件在圖5中被示為平面的，將領會，x射線檢測器組合件可以是非平面的，例如彎曲的或柔性的x射線檢測器組合件。

圖6示出了根據本公開的方面的用于對對象601進行成像的x射線檢測器系統600的框圖。例如，x射線檢測器系統600可以包括x射線檢測器組合件610(例如在x射線檢測器組合件100(圖1)，200(圖2)，300(圖3)和400(圖4)中公開的技術)，x射線源620和控制器640。x射線源可以是例如x射線管，并且計算單元可以包括例如處理器或微控制器642，一個或多個存儲器設備644和一個或多個輸入和/或輸出設備646。計算單元640可以可操作地連接到x射線檢測器610，例如通過有線或無線連接648例如，wifi，用于向x射線檢測器和/或x射線源620發(fā)射和從x射線檢測器和/或x射線源620接收信號和/或數據。計算單元640可以可操作以用于控制x射線源和x射線檢測器以獲得圖像，和/或用于處理所獲得的圖像。雖然所示的x射線檢測器組合件在圖6中被示為平面的，應當理解，x射線檢測器組合件可以是非平面的，例如彎曲的或柔性x射線檢測器組合件。

圖7示出了根據本公開的方面的用于對對象701進行成像的x射線檢測器系統700的框圖。例如，x射線檢測器系統700可以包括x射線檢測器組合件710(例如采用在x射線檢測器組合件100(圖1)、200(圖2)、300(圖3)和400(圖4)中公開的技術的x射線檢測器組合件)，x射線源720和控制器740。x射線源可以是例如x射線管，并且計算單元可以包括例如處理器或微控制器742，一個或多個存儲器設備744以及一個或多個輸入和/或輸出設備746。計算單元740可以可操作地連接到x射線檢測器710，例如通過有線或無線連接648例如，wifi，用于向x射線檢測器和/或x射線源720發(fā)送和從x射線檢測器和/或x射線源720接收信號和/或數據。計算單元740可以可操作以用于控制x射線源和x射線檢測器用于獲得圖像和/或用于處理所獲得的圖像。雖然所示的x射線檢測器組合件在圖7中被示出為彎曲的，將領會，x射線檢測器組合件可以是柔性x射線檢測器組合件。

在操作中，閃爍體將入射在其表面上的x射線光子轉換成光學光子。然后可以通過光電二極管將光學光子轉換成電信號。電荷可以被存儲并從tft陣列中的存儲器讀出。獲取和處理這些電信號以構建目標內的特征(例如，解剖體，管或其他結構)的圖像。

金屬材料和厚度的選擇可以根據x射線源和金屬材料的特性吸收系數來調整。例如，如圖8所示，可以以通常在醫(yī)療應用中使用的約70kvx射線源的約0.02厘米或更小的鋁涂層或者通常用于工業(yè)檢測應用的約400kvx射線源的約0.1厘米或更小的鋁涂層來實現超過98％的x射線透射，。

在上述實施例中，襯底可以由剛性或柔性材料組成。用于聚合襯底的合適材料的示例可包括剛性或柔性塑料，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚鄰苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚烯丙基化物、聚酰亞胺、聚環(huán)烯烴、降冰片烯樹脂和含氟聚合物。用于襯底的其它合適材料可以包括玻璃，其可以是金屬或金屬箔例如不銹鋼、鋁、銀和金，金屬氧化物例如氧化鈦和氧化鋅，以及半導體例如硅。也可以使用材料的組合。通過使用不易破碎的材料代替易碎的玻璃襯底用于x射線檢測器，可以減小或者消除設計用于吸收彎曲應力或跌落沖擊的組件和材料的尺寸和重量，并且可以減少檢測器的總重量和厚度。去除用于保護玻璃襯底的昂貴材料降低了檢測器的總成本。襯底可以具有平面形式，彎曲形式和/或柔性形式。襯底材料還可以包括附加的功能層，例如硬涂層，耐化學性涂層，平坦化/平滑層和其它材料，以及它們的組合。

tt陣列可以是無源或有源像素的二維陣列，其存儲電荷用于由電子器件讀出，其設置在有源層上，其由非晶硅或非晶金屬氧化物或有機半導體形成。合適的無定形金屬氧化物包括氧化鋅(zno)、氧化鋅錫、氧化銦、氧化銦鋅(in-zn-o系列)、氧化銦鎵、氧化鎵鋅、氧化銦硅鋅和氧化銦鎵鋅(igzo)。igzo材料包括ingao3(zno)m，其中m＜6)和ingazno4。合適的有機半導體包括但不限于共軛芳族材料，例如紅熒烯、并四苯、并五苯、苝二酰亞胺、四氰基醌二甲烷和聚合材料如聚噻吩、聚苯并二噻吩、聚芴，聚二乙炔、聚(2，5-噻吩亞乙烯基)以及聚(對亞苯基亞乙烯基)及其衍生物。每個像素包含圖案化的第二電極3。

有機光電二極管可以包括但不限于有機聚合半導體或有機化合物半導體。光電檢測器可以直接制造在成像tft陣列上。光電檢測器35可以包括陽極、陰極和在陽極和陰極之間的有機膜，其響應于光的吸收而產生帶電載流子。

閃爍體可以由能夠將x射線轉換為可見光的熒光體材料組成。由閃爍體發(fā)射的光的波長范圍可以在約360nm至約830nm的范圍內。用于閃爍體的合適材料包括但不限于有機閃爍體、碘化銫(csi)、csi(ti)(已經添加鉈的碘化銫)和鋱活化的硫氧化釓(gos)、luox，bgo等。這類材料可以以片材或屏幕(screen)的形式商購獲得。閃爍體的其它合適形式包括直接沉積的閃爍體涂層或可以通過粘合劑中的顆粒(particle-in-binder)沉積。在施加和密封金屬阻擋層之前，可以引入諸如氮氣(n2)或氬氣(ar)的惰性氣體以從x射線檢測器去除環(huán)境空氣。

圖9示出了用于制造x射線檢測器組合件的方法900的一個實施例。在該示范性實施例中，方法900可以包括在910處提供具有下表面和上表面的聚合襯底，以及在920處，提供設置在襯底的上表面上的x射線檢測器。x射線檢測器包括tft(薄膜晶體管)陣列，有機光電二極管和閃爍體。在930處，提供金屬阻擋層，以提供對氧和水分的阻擋層，該阻擋層基本上在閃爍體的上表面之上，基本上在閃爍體、有機光電二極管和tft陣列的周邊延伸邊緣上延伸，并且在襯底的下表面上延伸。

應當理解，上述描述旨在是說明性的，而不是限制性的。在不脫離如由下面的權利要求及其等同物所限定的本公開的一般精神和范圍的情況下，本領域的普通技術人員可以在此進行多種改變和修改。例如，上述實施例(和/或其方面)可以彼此組合使用。另外，在不脫離其范圍的情況下，可以進行許多修改以使特定情況或材料適應各種實施例的教導。雖然本文描述的材料的尺寸和類型意圖限定各種實施例的參數，但是它們決不是限制性的，并且僅僅是示范性的。在審查上面描述時，許多其他實施例對于本領域的技術人員將是顯而易見的。因此，應參考所附權利要求書連同這類權利要求書所被賦予的等同物的全部范圍來確定本發(fā)明主題的范圍。在所附權利要求書中，術語“包含”和“其中”用作相應術語“包括”和“其中”的易懂英語等同物。此外，在下面權利要求書中，術語“第一”、“第二”和“第三”等只用作標記，而不是意圖對其對象強加數字要求。而且，在本文中使用與諸如耦合、連接、接合、密封等術語結合的術語“可操作地”以表示由直接或間接耦合的分離的不同組件以及整體形成的組件(即，單片式，一體式或整體式)產生的兩種連接。此外，下面的權利要求書的限制沒有以方法加功能形式來書寫并且不意圖基于35u.s.c.§112(f)，除非并且直到這類權利要求限制確切地使用后面是缺乏進一步結構的功能陳述的短語“用于…的部件”。應當理解，不一定上述所有這些目的或優(yōu)點可以根據任何特定實施例來實現。因此，例如，本領域技術人員將認識到，本文所描述的系統和技術可以以實現或優(yōu)化如本文所教導的一個優(yōu)點或一組優(yōu)點的方式來體現或執(zhí)行，而不必實現如本文教導或建議的其它目的或優(yōu)點。

雖然已經結合僅有限數量的實施例詳細描述了本公開，但是應當容易理解，本公開不限于這類公開的實施例。相反，可以修改本公開以并入此前未描述但與本公開的精神和范圍相稱的任何數量的變型、變更、替換或等效布置。另外，雖然已經描述了各種實施例，但是應當理解，本公開的方面可以僅包括所描述的實施例中的一些。因此，本公開不被視為受前述描述的限制，而是僅由所附權利要求的范圍限制。

本書面描述使用包括最佳模式的示例，并且還使得本領域技術人員能夠實踐本公開，包括制造和使用任何設備或系統以及執(zhí)行任何結合的方法。本公開的可取得的專利范圍由權利要求限定，并且可以包括本領域技術人員想到的其他示例。如果這類其他示例具有沒有不同于權利要求書的文字語言的結構元件，或者如果它們包含具有與權利要求書的文字語言的無實質差異的等效結構元件，則它們意圖處于權利要求書的范圍之內。