本發(fā)明涉及用于支撐貼片天線的襯底和使用該襯底的天線。

背景技術(shù)：

一般來(lái)說(shuō)，天線是一種用于發(fā)射或接收特定頻帶的電磁波的轉(zhuǎn)換裝置。天線用于將無(wú)線電頻帶的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為電磁波，或者相反地，用于將電磁波轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。這樣的天線廣泛用于接收無(wú)線電廣播、電視廣播等的裝置、使用無(wú)線電波的收音機(jī)、無(wú)線lan雙向通信設(shè)備、雷達(dá)、用于太空探索的無(wú)線電波望遠(yuǎn)鏡等。物理上，天線是一種用于輻射在施加某一電壓與調(diào)制電流時(shí)所產(chǎn)生的電磁場(chǎng)的導(dǎo)體陣列。在電磁場(chǎng)的影響下在天線中引起的電流和電壓產(chǎn)生在天線的終端之間。

用于支撐天線圖案的常規(guī)襯底具有垂直穿透襯底的通孔。然而，單獨(dú)處理和形成這樣的通孔是很難的。韓國(guó)專利no.10-1399835公開(kāi)了一種使用多孔氧化鋁層的天線技術(shù)。更具體地說(shuō)，上述專利公開(kāi)了一種由鋁制成的無(wú)線通信設(shè)備外殼。該無(wú)線通信設(shè)備外殼包括具有第一多孔層和第二多孔層的絕緣區(qū)域。該第一多孔層包括通過(guò)陽(yáng)極氧化該外殼的預(yù)定區(qū)域的內(nèi)表面所形成的第一凹槽和形成在該預(yù)定區(qū)域周圍作為氧化鋁層的第一阻擋層。第二多孔層包括通過(guò)陽(yáng)極氧化對(duì)應(yīng)于所述預(yù)定區(qū)域的外殼外表面所形成的第二凹槽和形成在該第二槽周圍作為氧化鋁層的第二阻擋層。所述無(wú)線通信設(shè)備外殼進(jìn)一步包括形成在第一多孔層上并配置為接收無(wú)線電波的天線圖案。第一阻擋層和第二阻擋層在外殼的厚度方向上相互接觸。

然而，在天線領(lǐng)域中利用多孔氧化鋁層的上述專利的技術(shù)中，沒(méi)有金屬材料填充多孔氧化鋁層中。因此，多孔氧化鋁層的表面積小，并且其阻抗低。此外，需要提供用于切斷從側(cè)表面引入的外部無(wú)線電波的附加裝置。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

專利文獻(xiàn)1：韓國(guó)專利no.10-1399835

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問(wèn)題

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中固有的上述問(wèn)題，產(chǎn)生了本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種用于支撐天線圖案的襯底和使用該襯底的天線，該襯底能夠以有效的方式制造并能夠在保持高阻抗的同時(shí)最小化外部電磁波的影響。

問(wèn)題解決方案

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種用于支撐天線圖案的襯底，其中該襯底是具有通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬所形成的多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層，并且金屬材料填充在至少一部分孔中。

在所述襯底中，多孔陽(yáng)極氧化物層是通過(guò)陽(yáng)極氧化鋁所形成的多孔氧化鋁層。

在所述襯底中，所述金屬材料是導(dǎo)電材料。該導(dǎo)電材料包括碳納米管、石墨烯、鎳(ni)、銀(ag)、金(au)、銅(cu)、鉑(pt)、鈦鎢合金(tiw)、鉻(cr)或鎳鉻合金(nicr)中的至少一種。

在所述襯底中，所述孔包括填充有金屬材料的孔和沒(méi)有填充有金屬材料的孔。金屬材料填充在孔的整個(gè)中或者每個(gè)孔僅部分地填充有金屬材料。填充在孔中的金屬材料與天線圖案的材料相同。

在所述襯底中，孔的平均直徑為10nm或大于10nm以及300nm或小于300nm，并且孔之間的縱向和橫向平均距離為20nm或大于20nm以及300nm或小于300nm。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種天線，該天線包括：具有通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬所形成的多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層；填充在至少一部分孔中的金屬材料；以及形成在多孔陽(yáng)極氧化物層上的金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種天線，該天線包括：金屬基板；具有通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬基板的表面所形成的多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層；填充在至少一部分孔中的金屬材料；以及形成在多孔陽(yáng)極氧化物層上的金屬圖案。

在所述天線中，金屬材料填充在位于金屬圖案下面的孔中或填充在與金屬圖案間隔開(kāi)的孔中。

在所述天線中，金屬圖案包括第一金屬圖案和形成在第一金屬圖案外側(cè)以便包圍第一金屬圖案的至少一部分的第二金屬圖案。第一金屬圖案以多邊形、圓形或橢圓形形狀形成。

在所述天線中，金屬基板被配置成支撐多孔陽(yáng)極氧化物層。金屬基板具有開(kāi)口部分。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種天線，該天線包括：具有通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬所形成的多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層；填充在至少一部分孔中的金屬材料；以及形成在多孔陽(yáng)極氧化物層上的金屬圖案，其中金屬材料的端部在多孔陽(yáng)極氧化物層下面暴露。該天線進(jìn)一步包括：形成在暴露的金屬材料的下部部分和多孔陽(yáng)極氧化物層的下部部分的至少一部分上的下部金屬層。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種天線，該天線包括：具有通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬基板的表面所形成的多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層；填充在至少一部分孔中的金屬材料；形成在多孔陽(yáng)極氧化物層上的金屬圖案；以及形成在多孔陽(yáng)極氧化物層的至少一部分上、在金屬圖案的至少一部分上、或者在多孔陽(yáng)極氧化物層和金屬圖案的至少一部分上的絕緣材料層。多孔陽(yáng)極氧化物層具有100nm或大于100nm以及100μm或小于100μm的厚度。

在所述天線中，多孔陽(yáng)極氧化物層是多孔氧化鋁層。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種天線，該天線包括：具有通過(guò)陽(yáng)極氧化鋁所形成的多個(gè)孔的多孔氧化鋁層；形成在多孔氧化鋁層上的第一金屬圖案；形成為包圍第一金屬圖案的至少一部分的第二金屬圖案；填充在位于第一金屬圖案下面的孔中的第一金屬材料；以及填充在位于第二金屬圖案下面的孔中的第二金屬材料。

在所述天線中，第一金屬材料與第一金屬圖案是相同的材料，第二金屬材料與第二金屬圖案是相同的材料。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種天線，該天線包括：具有通過(guò)陽(yáng)極氧化鋁所形成的多個(gè)孔的多孔氧化鋁層；形成在多孔氧化鋁層上的金屬圖案；以及填充在位于金屬圖案外側(cè)的孔中以便包圍金屬圖案的至少一部分的金屬材料?？椎钠骄睆綖?0nm或大于10nm以及300nm或小于300nm，孔之間的縱向和橫向平均距離為20nm或大于20nm以及300nm或小于300nm。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種天線，該天線包括：多個(gè)單元金屬圖案，每個(gè)單元金屬圖案都包括第一金屬圖案和形成在第一金屬圖案外側(cè)以便包圍第一金屬圖案的至少一部分的第二金屬圖案；配置為支撐單元金屬圖案的多孔陽(yáng)極氧化物層；以及填充在多孔陽(yáng)極氧化物層的至少一部分孔中的金屬材料。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的襯底和使用該襯底的天線，能夠有效地制造用于支撐天線圖案的襯底。通過(guò)在多孔陽(yáng)極氧化物層的孔中填充金屬材料，能夠在保持高阻抗的同時(shí)最小化外部電磁波的影響。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的用于支撐天線圖案的襯底和使用該襯底的天線的平面圖。

圖2是沿圖1的線a-a′得到的截面圖。

圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的金屬材料另一個(gè)例子的截面圖。

圖4是示出根據(jù)第一實(shí)施例的鋁基板的另一個(gè)例子的截面圖。

圖5是示出根據(jù)第一實(shí)施例的第一金屬圖案的另一個(gè)例子的平面圖。

圖6是沿圖5的線a-a′得到的截面圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的用于支撐天線圖案的襯底和使用該襯底的天線的截面圖。

圖8(a)至8(e)是示出制造根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的用于支撐天線圖案的襯底和使用該襯底的天線的步驟的截面圖。

圖9(a)至9(c)是示出制造根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的用于支撐天線圖案的襯底和使用該襯底的天線的步驟的截面圖。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的用于支撐天線圖案的襯底和使用該襯底的天線的平面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。結(jié)合附圖，從給出的優(yōu)選實(shí)施例的以下描述中，優(yōu)勢(shì)、特征和實(shí)現(xiàn)其的方法將變得明顯。然而，本發(fā)明不限于本文所述的實(shí)施例，而是可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)。相反，提供本發(fā)明公開(kāi)的實(shí)施例是為了確保公開(kāi)徹底和完善，以及確保本發(fā)明的構(gòu)思被充分傳遞給在相關(guān)領(lǐng)域中具有普通知識(shí)的人。本發(fā)明僅由權(quán)利要求限定。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的參考標(biāo)號(hào)指代相同的部件。

本文所使用的術(shù)語(yǔ)用于描述實(shí)施例，而不意指限制本發(fā)明。在本說(shuō)明書(shū)中，除非另有特別提及，否則單數(shù)形式也包括復(fù)數(shù)形式。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“包含”或“包括”，是指本文所提到的部件、步驟、操作或元件不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他部件、步驟、操作或元件。此外，按描述順序呈現(xiàn)的參考標(biāo)號(hào)不一定限于該指定順序。此外，當(dāng)說(shuō)到某個(gè)膜存在于另一個(gè)膜或基板上時(shí)，其意味著某個(gè)膜或者直接形成在另一個(gè)膜或基板上或者經(jīng)由間置在它們之間的第三膜形成在另一個(gè)膜或基板上。本文所使用的“填充”一詞是指某物填充空的空間。

將參考作為示意了本發(fā)明的理想示例性視圖的截面圖和/或平面圖，描述本文所公開(kāi)的實(shí)施例。在附圖中，為有效地描述技術(shù)內(nèi)容，將夸大膜和區(qū)域的厚度。因此，根據(jù)制造技術(shù)和/或容差可改變示例性視圖的形式。出于這個(gè)原因，本發(fā)明的實(shí)施例不限于附圖所示的特定形式，而是可包括根據(jù)制造過(guò)程所產(chǎn)生的形式的變化。因此，附圖所示的區(qū)域具有一般屬性。附圖所示區(qū)域的形狀僅是示例元件區(qū)域的特定形式，并且不限制本發(fā)明的范圍。

現(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。

在描述不同實(shí)施例時(shí)，為了方便起見(jiàn)，具有相同功能的部件將被賦予相同的名稱和相同的參考標(biāo)記，即使該部件被包含在不同的實(shí)施例中。此外，為了方便起見(jiàn)，在一個(gè)實(shí)施例中所描述的配置和操作將在另一個(gè)實(shí)施例中省略。

首先，將描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的用于支撐天線圖案的襯底和使用該襯底的天線的平面圖。圖2是沿圖1的線a-a′得到的截面圖。

根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的用于支撐天線圖案的襯底是具有通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬多形成的多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層。更優(yōu)選地，多孔陽(yáng)極氧化物層是通過(guò)陽(yáng)極氧化鋁基板10的表面所形成的多孔陽(yáng)極氧化鋁(aao)層。多孔陽(yáng)極氧化鋁層20使用硫酸、草酸等作為電解液來(lái)形成。當(dāng)電流經(jīng)由整流器施加到電解液時(shí)，首先形成氧化物層21。由于氧化物層21的體積膨脹，氧化物層21的表面將變得不均勻。由于多個(gè)孔25生長(zhǎng)，所以形成了多孔層。在附圖中，為了便于描述，示出了在比例上稍微放大的孔的直徑、間距和排列。

為了形成具有預(yù)定深度的孔25，多孔陽(yáng)極氧化物層需要以100nm或大于100nm的厚度形成。因此，多孔陽(yáng)極氧化物層的厚度被設(shè)置為100nm或大于100nm。

如果多孔氧化鋁層20的厚度超過(guò)200μm，將會(huì)降低信號(hào)接收靈敏度，并會(huì)延長(zhǎng)隨后將描述的用金屬材料完全填充孔所需的時(shí)間。因此，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，該多孔氧化鋁層20的厚度被設(shè)置為約200μm或小于200μm。

從增加阻抗和最小化外部電磁波的影響的角度來(lái)看，孔25的平均直徑被設(shè)置為10nm或大于10nm以及300nm或小于300nm，各個(gè)孔之間的縱向和橫向平均距離被設(shè)置為20nm或大于20nm以及300nm或小于300nm。

第一金屬圖案50形成在多孔氧化鋁層20上。第一金屬圖案50用于發(fā)送和/或接收信號(hào)。第一金屬圖案50以貼片形式形成。第一金屬圖案50可具有矩形形狀。然而，本發(fā)明不限于此。第一金屬圖案50可以以多邊形、圓形或橢圓形形成。

第一金屬圖案50的材料包括從由金(au)、銀(ag)、銅(cu)和鉑(pt)組成的組中選擇的導(dǎo)電金屬。優(yōu)選地，可使用銀(ag)作為第一金屬圖案50的材料。

第一金屬圖案50可通過(guò)圖案化技術(shù)形成，其中使導(dǎo)電金屬經(jīng)歷化學(xué)鍍，然后僅除去第一金屬圖案50的區(qū)域。風(fēng)扇電機(jī)410可通過(guò)掩膜技術(shù)以示意的形狀形成。

在下面的描述中，為了方便起見(jiàn)，位于第一金屬圖案50下面的孔將被稱為第一孔25a。第一金屬材料30填充在至少一部分位于第一金屬圖案50下面的第一孔25a中。第一金屬材料30以金屬桿形狀形成。這使得其能夠提供增加表面積和阻抗的效果。

填充在第一孔25a中的第一金屬材料30是導(dǎo)電材料。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電材料可包括從由碳納米管、石墨烯、鎳(ni)、銀(ag)、金(au)、銅(cu)、鉑(pt)、鈦鎢合金(tiw)、鉻(cr)和鎳鉻合金(nicr)組成的組中選擇的至少一種材料。第一金屬材料30可以是與第一金屬圖案50的金屬材料相同的材料。

第一金屬材料30可以以這種方式填充：使多種相互不同的金屬材料一個(gè)疊層在另一個(gè)上方。優(yōu)選地，可通過(guò)依次疊層鎳(ni)、銅(cu)和銀(ag)來(lái)填充它們。填充在氧化物層21上方的鎳(ni)層充當(dāng)為種子層，并增強(qiáng)了氧化物層21與形成在鎳(ni)層上的銅(cu)層的結(jié)合力。填充在鎳(ni)層上方的銅(cu)層具有高電導(dǎo)率。銀(ag)層填充在銅(cu)層上方用于防止氧化的目的。

位于第一金屬圖案50外側(cè)以便包圍第一金屬圖案50的至少一部分的孔將被稱為第二孔25a。第二金屬材料40填充在第二孔25b的至少一部分中。第二金屬材料40可以是類似于或不同于第一金屬材料30的金屬。第二金屬材料40可以以這種方式填充：使多種相互不同的金屬材料一個(gè)疊層在另一個(gè)上方。優(yōu)選地，可通過(guò)依次疊層鎳(ni)、銅(cu)和銀(ag)來(lái)填充它們。

第二金屬材料40以金屬桿形狀形成。具有這樣的金屬桿形狀的第二金屬材料40具有阻擋從襯底側(cè)表面引入的外部無(wú)線電波的外部無(wú)線電波阻擋功能。這使得其能夠提高第一金屬圖案50中的信號(hào)傳輸/接收效率。

填充在第一和第二孔25a和25b中的第一和第二金屬材料30和40可填充在第一和第二孔25a和25b的整個(gè)中，或者可僅填充在第一和第二孔25a和25b的一部分中。在這方面，當(dāng)說(shuō)到第一和第二金屬材料30和40僅填充在第一和第二孔25a和25b的一部分中時(shí)，其是指取決于填充方法每個(gè)孔的一部分未被填充的所有情況，例如，從每個(gè)孔的內(nèi)壁填充金屬材料使得每個(gè)孔的中心部分保持部分為空的情況，從每個(gè)孔的預(yù)定深度位置填充金屬材料使得每個(gè)孔的在預(yù)定深度位置下面的部分保持為空的情況，和從每個(gè)孔的底部填充金屬材料使得每個(gè)孔的上部部分保持部分為空的情況。

在圖2中，示意了其中第一和第二金屬材料30和40填充在第一和第二孔25a和25b的整個(gè)中的例子。在圖3中，示意了其中第一和第二金屬材料30和40僅填充在第一和第二孔25a和25b的上部部分中的例子。

第二金屬圖案60形成在第一金屬圖案50的外側(cè)，以包圍第一金屬圖案50的至少一部分。第二金屬圖案60具有阻擋可能沿多孔氧化鋁層20的表面?zhèn)鞑ゲ⑶铱赡苡绊懙谝唤饘賵D案50的無(wú)線電波的功能。在第一金屬圖案50具有如圖1所示的矩形形狀的情況下，第二金屬圖案60以帶狀形狀形成，以包圍整個(gè)第一金屬圖案50。第二金屬圖案60的劃隔被打開(kāi)。在第二金屬圖案60的打開(kāi)部分中，形成電連接到第一金屬圖案50的金屬圖案(未示出)，以作為通向第一金屬圖案50的供電路徑。

在附圖中，示出了其中第二孔25b位于第二金屬圖案60下面的例子。然而，本發(fā)明不限于此。替代地，第二孔25b可形成在與第二金屬圖案60間隔開(kāi)的位置中，并可以用第二金屬材料40填充。以這種方式形成的第二孔25b和第二金屬圖案60可進(jìn)一步提高阻擋外部無(wú)線電波的效果。

第一金屬圖案50和第二金屬圖案60或者可同時(shí)形成或者可順序形成。在順序形成第一金屬圖案50和第二金屬圖案60的情況下，可首先形成第一金屬圖案50，然后可形成第二金屬圖案60，或者反之亦然。

圖4示出了鋁基板10的另一個(gè)例子。鋁基板10被配置成從下面支撐多孔氧化鋁層20。鋁基板10可具有不同的形式，只要傾斜表面312a可實(shí)現(xiàn)支撐多孔氧化鋁層20的功能。如圖4所示，移除了對(duì)應(yīng)于第一金屬圖案50的鋁基板10的一部分。優(yōu)選地，圖4所示的鋁基板10具有中心開(kāi)口部分15，中心開(kāi)口部分15具有矩形部分。借助鋁基板10的這種配置，能夠有效地支撐多孔氧化鋁層20，同時(shí)允許通過(guò)開(kāi)口部分15發(fā)射信號(hào)。

在圖5和6中，示出了第一個(gè)金屬圖案50的另一個(gè)例子。如圖5和6所示，多個(gè)第一金屬圖案50以相同形狀形成。作為進(jìn)一步的例子，與圖5和6所示的那些不同，可形成多個(gè)第一金屬圖案50，使得第一金屬圖案50中的至少一個(gè)具有不同的形狀。利用上述配置，能夠提供對(duì)應(yīng)于頻帶寬度的天線。

現(xiàn)在將描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。下面的描述將聚焦于區(qū)別于第一實(shí)施例的部件的第二實(shí)施例的特有部件。與第一實(shí)施例相同或相似的部件的描述將被省略。

如圖7所示，第二實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，移除了鋁基板10。僅移除了鋁基板10，仍保留作為阻擋層的氧化物層21。因此，孔25的下部部分沒(méi)被穿透。

現(xiàn)在將描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。下面的描述將聚焦于區(qū)別于第一實(shí)施例的部件的第三實(shí)施例的特有部件。與第一實(shí)施例相同或相似的部件的描述將被省略。

如圖8(e)所示，根據(jù)第三實(shí)施例的襯底包括具有通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬所形成的多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層，形成在多孔陽(yáng)極氧化物層上方的第一金屬圖案，以及填充在位于第一金屬圖案下面的孔中的金屬材料，使得金屬材料的端部在多孔陽(yáng)極氧化物層下面暴露。根據(jù)第三實(shí)施例的襯底進(jìn)一步包括形成在暴露的金屬材料和多孔陽(yáng)極氧化物層的至少一部分下面的下部金屬層。利用上述配置，第一金屬圖案50變成能在根據(jù)附圖的垂直方向上發(fā)射和接收信號(hào)的薄膜型雙向天線。

現(xiàn)在將描述制造根據(jù)第三實(shí)施例的襯底的過(guò)程。

如圖8(a)所示，通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬來(lái)形成具有多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層。優(yōu)選地，多孔陽(yáng)極氧化物層是通過(guò)陽(yáng)極氧化鋁基板10的表面來(lái)形成的多孔氧化鋁層20。

如圖8(b)所示，在多孔氧化鋁層20上形成第一金屬圖案50。在位于第一金屬圖案50下面的孔25a中填充第一金屬材料30。

如圖8(c)所示，移除鋁基板10。在這種情況下，僅選擇性地移除鋁基板10，而留下多孔氧化鋁層20。

如圖8(d)所示，部分地移除氧化物層21的下部部分，使得第一金屬材料30的端部在多孔氧化鋁層20下面暴露。

如圖8(e)所示，在暴露的第一金屬材料30和多孔氧化鋁層20下面形成下部金屬層70。

因此，在多孔氧化鋁層20下面暴露的第一金屬材料30可作為通向第一金屬圖案50的供電路徑。在附加地形成下部金屬層70的情況下，可實(shí)現(xiàn)雙向天線。

在圖8(a)至8(e)所示的例子中，第一金屬材料30的端部在多孔氧化鋁層20下面暴露。此外，第二金屬材料40的端部可在多孔氧化鋁層20下面暴露。

現(xiàn)在將描述本發(fā)明的第四實(shí)施例。下面的描述將聚焦于區(qū)別于第一實(shí)施例的部件的第四實(shí)施例的特有部件。與第一實(shí)施例相同或相似的部件的描述將被省略。

如圖9(a)至9(c)所示，根據(jù)第四實(shí)施例的襯底包括具有通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬所形成的多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層，填充在至少一部分孔中的金屬材料，形成在多孔陽(yáng)極氧化物層上的第一金屬圖案，以及形成在多孔陽(yáng)極氧化物層和第一金屬圖案上的絕緣材料層。利用上述配置，能夠有效減小多孔陽(yáng)極氧化物層的厚度，并能防止電場(chǎng)沿多孔陽(yáng)極氧化物層的表面泄漏。

現(xiàn)在將示意性描述制造根據(jù)第四實(shí)施例的襯底的過(guò)程。

如圖9(a)所示，通過(guò)陽(yáng)極氧化金屬來(lái)形成具有多個(gè)孔的多孔陽(yáng)極氧化物層。優(yōu)選地，多孔陽(yáng)極氧化物層是通過(guò)陽(yáng)極氧化鋁基板10的表面來(lái)形成的多孔氧化鋁層20。在多孔氧化鋁層20上形成第一金屬圖案50。在位于第一金屬圖案50下面的第一孔25a中填充第一金屬材料30。在與第一金屬圖案50間隔開(kāi)的位置中形成第二金屬圖案60。在位于第二金屬圖案60下面的第二孔25b中填充第二金屬材料40。

如圖9(b)所示，在圖9(a)所示的結(jié)構(gòu)上形成絕緣材料層80。該絕緣材料層80形成在多孔氧化鋁層20的至少部一分上，在第一和第二金屬圖案50和60的至少一些部分上，或者在多孔氧化鋁層20及第一和第二金屬圖案50和60的至少一些部分上。利用這種結(jié)構(gòu)，即使在將多孔氧化鋁層20的厚度設(shè)置為100nm或大于100nm以及100μm或小于100μm時(shí)，也能通過(guò)絕緣材料層80增強(qiáng)多孔氧化鋁層20的強(qiáng)度。因此，能防止多孔氧化鋁層20的斷裂。

如圖9(c)所示，移除鋁基板10。雖然在圖9(c)中移除了整個(gè)鋁基板10，但本發(fā)明不限于此。如圖4所示，可以部分地移除鋁基板10。

這使得能夠有效地減小多孔氧化鋁層20的厚度。還能夠有效地防止電場(chǎng)沿多孔氧化鋁層20的表面泄漏。

現(xiàn)在將描述本發(fā)明的第五實(shí)施例。下面的描述將聚焦于區(qū)別于第一至第四實(shí)施例的部件的第五實(shí)施例的特有部件。與第一至第四實(shí)施例相同或相似的部件的描述將被省略。

根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的襯底包括：多個(gè)單元金屬圖案，每個(gè)單元金屬圖案都包括上述的第一金屬圖案，形成在第一金屬圖案外側(cè)以包圍第一金屬圖案的至少一部分的第二金屬圖案；配置為支撐單元金屬圖案的多孔陽(yáng)極氧化物層；以及填充在多孔陽(yáng)極氧化物層的至少一些孔中的金屬材料。

如圖10所示，在相同平面上形成每個(gè)都包括第一和第二金屬圖案50和60的多個(gè)單元天線圖案。根據(jù)第五實(shí)施例的本發(fā)明的技術(shù)理念不限于圖10所示的部件形狀和部件數(shù)量。通過(guò)形成如上所述的多個(gè)單元天線圖案，能夠有效地提供對(duì)應(yīng)于不同頻帶寬度的天線。

雖然已如上所述描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施例。自不待言，在不偏離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行各種變更和修改。

工業(yè)實(shí)用性

根據(jù)本發(fā)明的用于支撐貼片天線的襯底和使用該襯底的天線特別適合用于諸如智能手機(jī)等的數(shù)字設(shè)備中。

(參考標(biāo)記的描述)

10：鋁基板

15：開(kāi)口部分

20：多孔氧化鋁層

21：氧化物層

25：孔

30：第一金屬材料

40：第二金屬材料

50：第一金屬圖案

60：第二金屬圖案

70：下部金屬層

80：絕緣材料層