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保護元件及安裝體的制作方法

文檔序號:12513752閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種保護元件,包括:

絕緣基板;

發(fā)熱體,其配置于上述絕緣基板;

發(fā)熱體引出電極,其與所述發(fā)熱體電連接;以及

可熔導體,其具有與外部電路連接的一對端子部,且通過所述一對端子部之間熔斷而將所述外部電路的電流路徑切斷。

2.根據(jù)權利要求1所述的保護元件,所述可熔導體和所述發(fā)熱體引出電極連接。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

所述可熔導體具有:熔斷部,其配置于所述絕緣基板的表面,因熱而熔融;以及所述一對端子部,其設置于所述熔斷部的兩端,

通過與所述絕緣基板嵌合,從而所述端子部朝向所述絕緣基板的背面?zhèn)取?/p>

4.根據(jù)權利要求3所述的保護元件,其中,

所述絕緣基板形成有所述可熔導體嵌合的嵌合凹部。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

所述可熔導體具有:熔斷部,其配置于所述絕緣基板的表面,因熱而熔融;以及所述一對端子部,其設置于所述熔斷部的兩端,從所述熔斷部向所述絕緣基板的表面?zhèn)韧怀觯?/p>

所述保護元件具有:

發(fā)熱體電極,其形成于所述絕緣基板的表面,與所述發(fā)熱體的開放端連接;以及

外部連接端子,其通過與所述發(fā)熱體電極連接而向所述絕緣基板的表面?zhèn)韧怀觥?/p>

6.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

在所述絕緣基板的表面設置有散熱電極,所述散熱電極與所述可熔導體連接并吸收所述可熔導體的熱。

7.根據(jù)權利要求6所述的保護元件,其中,

所述散熱電極經(jīng)由通孔與設置于所述絕緣基板的背面的端子部相連。

8.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

所述可熔導體在所述一對端子部之間并聯(lián)有多個熔斷部。

9.根據(jù)權利要求8所述的保護元件,其中,

在多個所述熔斷部之間設置有絕緣壁、或者設置于所述發(fā)熱體引出電極上的絕緣層。

10.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

多個所述可熔導體并聯(lián),在所述可熔導體之間設置有絕緣壁、或者設置于所述發(fā)熱體引出電極上的絕緣層。

11.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

所述發(fā)熱體形成于所述絕緣基板的表面并且由絕緣構件被覆,或者形成于所述絕緣基板的表面所形成的絕緣構件的內(nèi)部,

所述發(fā)熱體引出電極形成于所述絕緣構件上。

12.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

所述發(fā)熱體形成于所述絕緣基板的背面,由絕緣構件被覆。

13.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

所述發(fā)熱體形成于所述絕緣基板的內(nèi)部。

14.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

所述發(fā)熱體形成于所述絕緣基板的表面,

所述可熔導體與所述發(fā)熱體相鄰地配置于所述絕緣基板的表面。

15.根據(jù)權利要求1所述的保護元件,其中,

所述可熔導體具有低熔點金屬層和高熔點金屬層,

所述低熔點金屬層侵蝕所述高熔點金屬層而將其熔斷。

16.根據(jù)權利要求15所述的保護元件,其中,

所述低熔點金屬是Sn或者含40%以上的Sn的合金,所述高熔點金屬是Ag、Cu、或者以Ag或者Cu為主要成分的合金。

17.根據(jù)權利要求15或16所述的保護元件,其中,

所述可熔導體是內(nèi)層為高熔點金屬、外層為低熔點金屬的被覆結構。

18.根據(jù)權利要求15或16所述的保護元件,其中,

所述可熔導體是內(nèi)層為低熔點金屬、外層為高熔點金屬的被覆結構。

19.根據(jù)權利要求15或16所述的保護元件,其中,

所述可熔導體是層疊有低熔點金屬和高熔點金屬的層疊結構。

20.根據(jù)權利要求15或16所述的保護元件,其中,

所述可熔導體是低熔點金屬和高熔點金屬交替層疊的4層以上的多層結構。

21.根據(jù)權利要求15或16所述的保護元件,其中,

所述可熔導體在高熔點金屬上設置有開口部,所述高熔點金屬形成于構成內(nèi)層的低熔點金屬的表面。

22.根據(jù)權利要求15或16所述的保護元件,其中,

所述可熔導體具有高熔點金屬層和低熔點金屬層,所述高熔點金屬層具有多個開口部,所述低熔點金屬層形成于所述高熔點金屬層上,在所述開口部填充有低熔點金屬。

23.根據(jù)權利要求15或16所述的保護元件,其中,

所述可熔導體具有:

相對的一對第1側緣部,其通過由所述高熔點金屬被覆而形成為比主面部厚;

相對的一對第2側緣部,其形成為比所述第1側面部薄的厚度,且構成內(nèi)層的所述低熔點金屬層從構成外層的所述高熔點金屬層露出,

將一對所述第1側緣部設為所述端子部。

24.根據(jù)權利要求15或16所述的保護元件,其中,

所述可熔導體的低熔點金屬的體積大于高熔點金屬的體積。

25.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

在所述發(fā)熱體引出電極的表面被覆有Ni/Au鍍層、Ni/Pd鍍層、Ni/Pd/Au鍍層中的任一種鍍層。

26.根據(jù)權利要求1或2所述的保護元件,其中,

在所述可熔導體的表面上的一部分或者全部涂布有助焊劑,所述可熔導體的熔斷部和所述助焊劑由設置于所述絕緣基板上的蓋構件被覆。

27.一種安裝體,在電路基板上安裝有保護元件,其中,

所述保護元件包括:

絕緣基板;

發(fā)熱體,其配置于所述絕緣基板;

發(fā)熱體引出電極,其與所述發(fā)熱體電連接;以及

可熔導體,其具有與外部電路連接的一對端子部,且通過所述一對端子部之間熔斷而將所述外部電路的電流路徑切斷。

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