1.一種鍺晶圓的研磨方法，于表面以鍺所構(gòu)成的鍺晶圓的研磨中，于含有硅酸膠的堿性水溶液的第一研磨漿中添加雙氧水，使用經(jīng)添加該雙氧水而成的第二研磨漿而研磨該鍺晶圓的表面，其特征在于：
該第一研磨漿中的該雙氧水的添加濃度，相當(dāng)于：相對(duì)于該第一研磨漿的容量，以大于0vol％且0.1vol％以下的容量添加30wt％的雙氧水的濃度，并使用經(jīng)添加該雙氧水而成的第二研磨漿而研磨該鍺晶圓的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的鍺晶圓的研磨方法，其中該雙氧水的添加濃度，相當(dāng)于：相對(duì)于該第一研磨漿的容量，以大于0.005vol％且0.05vol％以下的容量添加30wt％的雙氧水的濃度。
3.如權(quán)利要求1或2所述的鍺晶圓的研磨方法，其中該鍺晶圓為于單晶硅晶圓上的最外層表面構(gòu)成有以鍺所構(gòu)成的磊晶層。
4.如權(quán)利要求3所述的鍺晶圓的研磨方法，其中該以鍺所構(gòu)成的磊晶層的厚度為1μm以下。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的鍺晶圓的研磨方法，其中待研磨的該鍺晶圓的面粗糙度(RMS)調(diào)整為0.20nm以下。