技術(shù)特征：

1.一種形成鈣鈦礦光敏裝置的薄膜光敏層的方法，其包括：

將至少一種鈣鈦礦前體溶液和至少一種聚合物添加劑的至少一個(gè)涂層涂覆至基材，

其中該至少一種鈣鈦礦前體溶液包含用于形成具有化學(xué)式AMX₃的溶解于選自至少一種極性非質(zhì)子性溶劑的涂料溶劑中的至少一種鈣鈦礦化合物的至少一種反應(yīng)成分，該聚合物添加劑可溶于該涂料溶劑中，且其中A包括銨基或其它含氮有機(jī)陽(yáng)離子，M選自Pb、Sn、Ge、Ca、Sr、Cd、Cu、Ni、Mn、Co、Zn、Fe、Mg、Ba、Si、Ti、Bi或In，且X選自F、Cl、Br或I中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中涂料溶劑為二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亞砜(DMSO)、γ-丁內(nèi)酯、丙酮、乙酰丙酮、乙酰乙酸乙酯、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAC)、四氫呋喃(THF)中的至少一種或其組合。

3.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中聚合物選自由以下組成的組：聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯(PVAc)、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、聚酰胺、聚丙烯酸類、聚酰亞胺、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸丁酯、聚丁二烯、聚羧甲基纖維素、聚醚、聚乙烯丙烯酸酯、聚二醇、聚異氰酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇縮丁醛、聚氟乙烯、聚乙烯基甲醚、聚胺、聚氧化乙烯、聚乙二醇、聚(2-乙基-2-唑啉)及其組合。

4.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中被涂覆的涂層包含鈣鈦礦前體溶液和聚合物添加劑的混合物。

5.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中鈣鈦礦前體溶液包含至少一種MX₂、AX中的至少一種和溶解于涂料溶劑中的至少一種聚合物添加劑的混合物，其中A包括銨基或其它含氮有機(jī)陽(yáng)離子，M選自Pb、Sn、Ge、Ca、Sr、Cd、Cu、Ni、Mn、Co、Zn、Fe、Mg、Ba、Si、Ti、Bi或In，且X選自F、Cl、Br或I中的至少一種。

6.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中涂覆至少一個(gè)涂層的步驟包括：

涂布包含溶解于涂料溶劑中的至少一種MX₂和聚合物添加劑的第一鈣鈦礦前體溶液的至少一層，由此形成鈣鈦礦前體涂層；

其中M選自Pb、Sn、Ge、Ca、Sr、Cd、Cu、Ni、Mn、Co、Zn、Fe、Mg、Ba、Si、Ti、Bi或In中的至少一種；且X選自F、Cl、Br或I中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包括：

將包含溶解于另一涂料溶劑中的AX中的至少一種的第二鈣鈦礦前體溶液的至少一層涂布至鈣鈦礦前體涂層上，

其中X選自F、Cl、Br或I中的至少一種；且A包括銨基或其它含氮有機(jī)陽(yáng)離子。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中涂覆至少一個(gè)涂層的步驟包括：

涂布包含溶解于涂料溶劑中的至少一種MX₂和聚合物添加劑的第一鈣鈦礦前體溶液的至少一層；以及

涂布溶解于另一涂料溶劑中的AX的至少一種的第二鈣鈦礦前體溶液的至少一層；

其中M選自Pb、Sn、Ge、Ca、Sr、Cd、Cu、Ni、Mn、Co、Zn、Fe、Mg、Ba、Si、Ti、Bi或In中的至少一種；X選自F、Cl、Br或I中的至少一種；且A包括銨基或其它含氮有機(jī)陽(yáng)離子。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其中涂覆至少一個(gè)涂層的步驟包括：

將第一鈣鈦礦前體溶液的一層涂覆至基材上；以及

將第二鈣鈦礦前體溶液的至少一層涂布至第一鈣鈦礦前體溶液層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求7、8或9所述的方法，其中利用將經(jīng)用第一鈣鈦礦前體溶液涂布的基材浸漬至第二鈣鈦礦前體溶液的溶液中而涂覆第二鈣鈦礦前體溶液的涂層。

11.根據(jù)權(quán)利要求5至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中AX選自由CH₃NH₃X及HC(NH₂)₂X組成的組，且其中X選自F、Cl、Br或I中的至少一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求5至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中M包括Pb。

13.根據(jù)權(quán)利要求7至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中MX₂及AX可溶于涂料溶劑中，AX可溶于另一涂料溶劑中，且MX₂具有在另一涂料溶劑中的低的、優(yōu)選地基本上低至零的溶解度。

14.根據(jù)權(quán)利要求7至13中任一項(xiàng)所述的方法，其中另一涂料溶劑為包含以下的至少一種：異丙醇、正-丁醇、異丁醇、乙醇、甲醇、醋酸、乙二醇、丙二醇、甘油、烯丙醇、炔丙醇、肌醇或其組合。

15.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中鈣鈦礦化合物具有化學(xué)式AMX₃，其中A包括銨基或其它含氮有機(jī)陽(yáng)離子，M選自Pb、Sn、Ge、Ca、Sr、Cd、Cu、Ni、Mn、Co、Zn、Fe、Mg、Ba、Si、Ti、Bi或In；且X選自F、Cl、Br或I中的至少一種。

16.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中鈣鈦礦化合物包括有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中鈣鈦礦化合物包括CH₃NH₃MX₃或HC(NH₂)₂MX₃中的至少一種，其中M選自Pb、Sn、Ge、Ti、Bi或In；且X選自F、Cl、Br或I中的至少一種。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中鈣鈦礦化合物包括有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦，優(yōu)選地包括CH₃NH₃PbX₃或HC(NH₂)₂PbX₃中的至少一種，其中X選自F、Cl、Br或I中的至少一種。

19.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中聚合物添加劑占用于形成至少一種鈣鈦礦化合物的反應(yīng)成分的從0.01至20wt％，優(yōu)選地從0.05至18wt％，更優(yōu)選地從0.05至15wt％，又更優(yōu)選地從0.1至10wt％，甚至更優(yōu)選地從0.1至5wt％，又更優(yōu)選地占反應(yīng)成分的從0.1至2wt％。

20.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中鈣鈦礦前體溶液占用于形成至少一種鈣鈦礦化合物的反應(yīng)成分的從5至75wt％，優(yōu)選地占反應(yīng)成分的從10至70wt％，更優(yōu)選地占反應(yīng)成分的從20至60wt％，又更優(yōu)選地占反應(yīng)成分的從25至50wt％。

21.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中使用以下的至少一種將被涂覆的涂層涂覆至基材：

鑄造、刮涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、移印、刮刀涂布、彎月面涂布、狹縫模涂、凹版印刷、反向凹版印刷、接觸涂布、微輥涂布、簾涂布、斜板式涂布、噴涂、柔性版印刷、平版印刷、旋轉(zhuǎn)絲網(wǎng)印刷或浸涂。

22.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中基材包括聚合物、金屬、陶瓷或玻璃中的至少一種，優(yōu)選地包括聚合物膜。

23.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中基材包括選自以下的至少一個(gè)的一個(gè)或更多個(gè)層或涂層：

透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的至少一個(gè)涂層；

包括有機(jī)或無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的至少一個(gè)空穴傳輸層；

或

包括有機(jī)或無(wú)機(jī)導(dǎo)體的至少一個(gè)電子傳輸層。

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中基材包括以下涂層：

透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的至少一個(gè)涂層和涂覆至TCO的至少一個(gè)空穴傳輸層；或

TCO的至少一個(gè)涂層和涂覆至TCO的至少一個(gè)電子傳輸層。

25.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中經(jīng)涂覆的涂層涂布在基材上以產(chǎn)生從100nm至600nm，優(yōu)選地從200至400nm，更優(yōu)選地從300至400nm，且又更優(yōu)選地約300nm的干層厚度。

26.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其進(jìn)一步包括干燥經(jīng)被涂覆的涂層的步驟。

27.根據(jù)前述的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其進(jìn)一步包括從經(jīng)涂覆的涂層中移除聚合物添加劑的步驟。

28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中移除聚合物添加劑的步驟在經(jīng)涂覆的涂層被干燥之后發(fā)生。

29.根據(jù)權(quán)利要求27或28所述的方法，其中移除聚合物添加劑的步驟包括：

在移除溶劑中清洗基材和經(jīng)涂覆的涂層。

30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中移除溶劑比涂料溶劑的極性更小。

31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中移除溶劑包括2-丙醇或氯仿中的一種。

32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中聚合物添加劑包括UV可破壞聚合物且去除聚合物添加劑的步驟包括：

使用UV照射將聚合物添加劑降解，優(yōu)選降解為氣體或揮發(fā)性小分子。

33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，當(dāng)從屬于權(quán)利要求7或8時(shí)，其中當(dāng)AX與MX₂反應(yīng)以形成AMX₃時(shí)，優(yōu)選地在浸漬工藝過(guò)程中從該經(jīng)涂覆的涂層中移除聚合物添加劑。

34.一種包含使用根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法形成的光敏層的光敏裝置。

35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的光敏裝置，其包括光伏電池或光敏傳感器中的至少一種。